JPH10168557A - Ｖ溝付基板の蒸着方法 - Google Patents
Ｖ溝付基板の蒸着方法Info
- Publication number
- JPH10168557A JPH10168557A JP32819796A JP32819796A JPH10168557A JP H10168557 A JPH10168557 A JP H10168557A JP 32819796 A JP32819796 A JP 32819796A JP 32819796 A JP32819796 A JP 32819796A JP H10168557 A JPH10168557 A JP H10168557A
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- Japan
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- groove
- metal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｖ溝付基板の蒸着において、金属の蒸着された
Ｖ溝部と金属の蒸着されないＶ溝部を形成する。 【解決手段】Ｖ溝付基板１に液体状のレジスト２を塗布
し、ホトリソグラフィー技術によりパターンを形成した
後に、フィルム状のレジスト３をラミネートし、ホトリ
ソグラフィー技術によりパターンを形成し、Ｖ溝付基板
を真空蒸着し、Ｖ溝付基板に金属の蒸着されたＶ溝部と
金属の蒸着されないＶ溝部を形成させる。
Ｖ溝部と金属の蒸着されないＶ溝部を形成する。 【解決手段】Ｖ溝付基板１に液体状のレジスト２を塗布
し、ホトリソグラフィー技術によりパターンを形成した
後に、フィルム状のレジスト３をラミネートし、ホトリ
ソグラフィー技術によりパターンを形成し、Ｖ溝付基板
を真空蒸着し、Ｖ溝付基板に金属の蒸着されたＶ溝部と
金属の蒸着されないＶ溝部を形成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＶ溝付基板の蒸着方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板にホトリソグラフィー技術によりパ
ターンを形成した後に金属を蒸着する方法として、従来
は主に、基板に液体状のレジストを塗布し、ホトリソグ
ラフィー技術によりパターンを形成した後に、電子ビー
ム蒸着，抵抗加熱蒸着などの真空蒸着を行っていた。
ターンを形成した後に金属を蒸着する方法として、従来
は主に、基板に液体状のレジストを塗布し、ホトリソグ
ラフィー技術によりパターンを形成した後に、電子ビー
ム蒸着，抵抗加熱蒸着などの真空蒸着を行っていた。
【０００３】しかし、この手法をＶ溝付基板に適用する
と、図３に示すようにＶ溝端部付近６の平坦部にレジス
トを塗布出来ないため、基板の平坦部にも金属が蒸着さ
れてしまう。
と、図３に示すようにＶ溝端部付近６の平坦部にレジス
トを塗布出来ないため、基板の平坦部にも金属が蒸着さ
れてしまう。
【０００４】基板にホトリソグラフィー技術によりパタ
ーンを形成した後に金属を蒸着する方法として、基板に
フィルム状のレジストをラミネートし、ホトリソグラフ
ィー技術によりパターンを形成した後に、電子ビーム蒸
着，抵抗加熱蒸着などの真空蒸着を行う方法もあるが、
この方法を用いると、真空にした際に図６に示す金属を
蒸着したくないＶ溝部５の上にあるフィルムの中心部７
が破れてしまうために、金属を蒸着したくないＶ溝部５
に金属が蒸着されてしまう。
ーンを形成した後に金属を蒸着する方法として、基板に
フィルム状のレジストをラミネートし、ホトリソグラフ
ィー技術によりパターンを形成した後に、電子ビーム蒸
着，抵抗加熱蒸着などの真空蒸着を行う方法もあるが、
この方法を用いると、真空にした際に図６に示す金属を
蒸着したくないＶ溝部５の上にあるフィルムの中心部７
が破れてしまうために、金属を蒸着したくないＶ溝部５
に金属が蒸着されてしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｖ溝
付基板に液体状のレジストを塗布し、ホトリソグラフィ
ー技術によりパターンを形成した後に、フィルム状のレ
ジストをラミネートし、ホトリソグラフィー技術により
パターンを形成し、Ｖ溝付基板を真空蒸着することによ
り、金属の蒸着されたＶ溝部と金属の蒸着されないＶ溝
部を形成することができ、シリコンやガラスなどあらゆ
るＶ溝付基板の蒸着方法に適用できる蒸着方法を提供す
ることにある。
付基板に液体状のレジストを塗布し、ホトリソグラフィ
ー技術によりパターンを形成した後に、フィルム状のレ
ジストをラミネートし、ホトリソグラフィー技術により
パターンを形成し、Ｖ溝付基板を真空蒸着することによ
り、金属の蒸着されたＶ溝部と金属の蒸着されないＶ溝
部を形成することができ、シリコンやガラスなどあらゆ
るＶ溝付基板の蒸着方法に適用できる蒸着方法を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のＶ溝付基板の蒸着方法は、Ｖ溝付基板に液
体状のレジストを塗布し、ホトリソグラフィー技術によ
りパターンを形成した後に、フィルム状のレジストをラ
ミネートし、ホトリソグラフィー技術によりパターンを
形成し、Ｖ溝付基板を真空蒸着することにより、金属の
蒸着されたＶ溝部と金属の蒸着されないＶ溝部を形成す
る。
に、本発明のＶ溝付基板の蒸着方法は、Ｖ溝付基板に液
体状のレジストを塗布し、ホトリソグラフィー技術によ
りパターンを形成した後に、フィルム状のレジストをラ
ミネートし、ホトリソグラフィー技術によりパターンを
形成し、Ｖ溝付基板を真空蒸着することにより、金属の
蒸着されたＶ溝部と金属の蒸着されないＶ溝部を形成す
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例の形態を
示す。ここでは、基板として直径１００mm，厚さ８００
μｍ，金属を蒸着したいＶ溝部４の深さ４００μｍ，金
属を蒸着したくないＶ溝部５の深さ１００μｍのシリコ
ン基板１，液体状のレジスト２として粘度３５cpのネガ
型レジスト，フィルム状のレジスト３として厚さ１５μ
ｍのネガ型レジストを用いた例を示す。この状態で電子
ビーム蒸着，抵抗加熱蒸着などの真空蒸着を行った後
に、レジスト上の金属をテープ等で剥がし、レジストを
レジスト剥離液等で除去することにより、図２に示すよ
うに金属の蒸着されたＶ溝部８と金属の蒸着されないＶ
溝部９を形成することが出来る。ここで、金属を蒸着す
る際には基板温度をレジストの耐熱温度（１５０℃程
度）以上に上げてはいけない。
示す。ここでは、基板として直径１００mm，厚さ８００
μｍ，金属を蒸着したいＶ溝部４の深さ４００μｍ，金
属を蒸着したくないＶ溝部５の深さ１００μｍのシリコ
ン基板１，液体状のレジスト２として粘度３５cpのネガ
型レジスト，フィルム状のレジスト３として厚さ１５μ
ｍのネガ型レジストを用いた例を示す。この状態で電子
ビーム蒸着，抵抗加熱蒸着などの真空蒸着を行った後
に、レジスト上の金属をテープ等で剥がし、レジストを
レジスト剥離液等で除去することにより、図２に示すよ
うに金属の蒸着されたＶ溝部８と金属の蒸着されないＶ
溝部９を形成することが出来る。ここで、金属を蒸着す
る際には基板温度をレジストの耐熱温度（１５０℃程
度）以上に上げてはいけない。
【０００８】ここで、Ｖ溝付基板を図１の状態にする方
法を説明する。Ｖ溝付基板に粘度３５cpの液体状のネガ
型レジスト２を塗布すると、図３に示すようなレジスト
の状態となりＶ溝端部付近６の平坦部にレジストを塗布
することが出来ない。この状態でホトリソグラフィー技
術によりパターンを形成すると、図４に示すようなレジ
ストの状態となる。この状態で厚さ１５μｍのフィルム
状のネガ型レジスト３をラミネートすると、図５に示す
ようなレジストの状態となり、この状態でホトリソグラ
フィー技術によりパターンを形成すると、図１に示すよ
うなレジストの状態となる。図１に示す状態で真空蒸着
を行うと、金属を蒸着したくないＶ溝部５の上にあるフ
ィルムの中心部７は破れてしまうが、金属を蒸着したく
ないＶ溝部５には液体状のレジスト２が存在するため、
この部分に金属は蒸着されない。
法を説明する。Ｖ溝付基板に粘度３５cpの液体状のネガ
型レジスト２を塗布すると、図３に示すようなレジスト
の状態となりＶ溝端部付近６の平坦部にレジストを塗布
することが出来ない。この状態でホトリソグラフィー技
術によりパターンを形成すると、図４に示すようなレジ
ストの状態となる。この状態で厚さ１５μｍのフィルム
状のネガ型レジスト３をラミネートすると、図５に示す
ようなレジストの状態となり、この状態でホトリソグラ
フィー技術によりパターンを形成すると、図１に示すよ
うなレジストの状態となる。図１に示す状態で真空蒸着
を行うと、金属を蒸着したくないＶ溝部５の上にあるフ
ィルムの中心部７は破れてしまうが、金属を蒸着したく
ないＶ溝部５には液体状のレジスト２が存在するため、
この部分に金属は蒸着されない。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、Ｖ溝付基板に金属の蒸
着されたＶ溝部と金属の蒸着されないＶ溝部を形成する
ことが出来る。
着されたＶ溝部と金属の蒸着されないＶ溝部を形成する
ことが出来る。
【図１】液体状のレジストとフィルム状のレジストを用
いた本発明の蒸着方法の一実施例の説明図。
いた本発明の蒸着方法の一実施例の説明図。
【図２】本発明の蒸着方法を実施した後にレジストを除
去した状態を示した説明図。
去した状態を示した説明図。
【図３】Ｖ溝付基板に液体状のレジストを塗布した形態
を示す説明図。
を示す説明図。
【図４】Ｖ溝付基板に液体状のレジストを塗布した後、
パターンを形成した形態を示す説明図。
パターンを形成した形態を示す説明図。
【図５】Ｖ溝付基板に液体状のレジストを塗布し、パタ
ーンを形成した後に、フィルム状のレジストをラミネー
トした形態を示す説明図。
ーンを形成した後に、フィルム状のレジストをラミネー
トした形態を示す説明図。
【図６】Ｖ溝付基板にフィルム状のレジストをラミネー
トした後に、パターンを形成した形態を示す説明図。
トした後に、パターンを形成した形態を示す説明図。
【符号の説明】 １…Ｖ溝付基板、２…液体状のレジスト、３…フィルム
状のレジスト、４…金属を蒸着したいＶ溝部、５…Ｖ溝
部、６…Ｖ溝端部付近、７…フィルムの中心部。
状のレジスト、４…金属を蒸着したいＶ溝部、５…Ｖ溝
部、６…Ｖ溝端部付近、７…フィルムの中心部。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｖ溝付基板に金属の蒸着されたＶ溝部と金
属の蒸着されないＶ溝部を形成させる金属の蒸着する方
法において、上記Ｖ溝付基板の液体状のレジストを塗布
し、ホトリソグラフィー技術によりパターンを形成した
後に、フィルム状のレジストをラミネートし、ホトリソ
グラフィー技術によりパターンを形成し、上記Ｖ溝付基
板を真空蒸着することを特徴とするＶ溝付基板の蒸着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32819796A JPH10168557A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | Ｖ溝付基板の蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32819796A JPH10168557A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | Ｖ溝付基板の蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10168557A true JPH10168557A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18207544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32819796A Pending JPH10168557A (ja) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | Ｖ溝付基板の蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10168557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025726A3 (en) * | 2002-09-12 | 2005-04-28 | Olivetti I Jet Spa | Method for selectively covering a micro machined surface |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP32819796A patent/JPH10168557A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004025726A3 (en) * | 2002-09-12 | 2005-04-28 | Olivetti I Jet Spa | Method for selectively covering a micro machined surface |
| JP2005539379A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-22 | オリベッティ・アイ−ジェット・ソチエタ・ペル・アツィオーニ | 微細加工表面を選択的に覆うための方法 |
| US7255799B2 (en) | 2002-09-12 | 2007-08-14 | Telecom Italia S.P.A | Method for selectively covering a micro machined surface |
| CN100439233C (zh) * | 2002-09-12 | 2008-12-03 | 好利获得I-Jet股份公司 | 有选择地覆盖微加工表面的方法 |
| AU2003265164B2 (en) * | 2002-09-12 | 2010-06-03 | Olivetti I-Jet S.P.A. | Method for selectively covering a micro machined surface |
| KR100997940B1 (ko) * | 2002-09-12 | 2010-12-02 | 올리베티 아이-제트 에스.피.에이. | 마이크로 가공된 표면을 선택적으로 덮는 방법 |
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