JP2005539379A - 微細加工表面を選択的に覆うための方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】
表面にエッチング部を有するダイ上に、最初に、ネガティブフォトレジストのシートが置かれ、該シートは、露光及び次の現像工程を経て、エッチング部の上方にのみ残される。次に、ネガティブフォトレジスト上に、ポジティブフォトレジストが適用され、薄い膜に形成された機能的形状を生成するため露光及び現像工程を受ける。続いて、ポジティブフォトレジストが、リフトオフ作業で除去され、ネガティブフォトレジストがプラズマの作用で取り除かれ、かくして、エッチング部が露呈される。

Description

本発明は、ｍｅｍｓ３Ｄ技術（mems：マイクロ電気機械システム）又はｍｏｅｍｓ３Ｄ技術（moems:マイクロ光学電気機械システム）に係り、より詳しくは、例えばエッチング部又は凹部のために不規則表面を有するダイ上に、フォトレジストを均一に配置する方法に関する。

ｍｏｅｍｓ技術の限定されない用途として図１に示されているものは、限定されない例として一般にはシリコン等の半導体材料から作られる、ダイ５１上に集積された光電子デバイス１０の軸測投影図である。ダイ５１の上側面１１には、例えば光ファイバーの収容のため必要とされるエッチング部１２が形成されている。また、この上側面１１には、光電子部品５３が半田付けされた外側パッド５２と、図面には示されていない外部回路に当該光電子デバイスを接続するため必要とされる内側パッド５４と、が存在している。

なおも図１では、ダイ５１の３次元的基準を与えるｘ、ｙ、ｚ軸が定義されている。
以下では、光電子デバイスを製造するためのプロセスを、この方面の技術の当業者に「リフトオフ」として知られた技術に従って説明する。この方面の技術を使うと、異なる層を有する形態を、非反応材料に直接形成することができる。この非反応材料は、例えばチタニウム、プラチナ、金でできており、又は、半田合金（例えば、金／スズ ８０／２０）が選択的に沈着されているか若しくは非金属材料が選択的に沈着されていてもよい。図２の流れ図を参照すると、本発明を理解するため必要となる工程だけが記載されている。

第１のステップ７０では、ダイ５１が作られるウェーハ６６が利用可能にされている（図３）。
ステップ７１では、図４を援用すると、ダイ５１上に、層６１がリフトオフレジストが形成される。このリフトオフレジストには、例えば、図４の詳細な断面でエッチング無しの領域として示されるように、０．５乃至６□ｍの厚さを有する、Ｍｉｃｒｏ−Ｃｈｅｍ社によるＬＯＲ（Ｒ）シリーズのものがある。リフトオフレジストは、例えば、通常、「スピナーコーティング」として知られたプロセスで遠心力を使って、流体状態で塗布される。

ステップ７２では、リフトオフレジスト６１上に、例えば図４に示されるように０．５乃至２０□ｍの厚さを有する従来形式のポジティブレジストの層６０が形成される。ポジティブフォトレジストも、通常、例えばスピナーコーティングを使って流体状態で塗布される。

番号１４で指し示されているものは、面１１と、ｘ、ｙ軸とに略平行である、フォトレジストの層６０の上面である。
フォトレジストは、その現像溶媒で初期の溶解不可能な状態から出発して、例えば紫外線等の放射の効果に起因して解重合して溶解可能となる場合に、「ポジティブ」として定義される。

リフトオフレジストの層６１と、従来のポジティブフォトレジストの層６０とを使用する、前述した技術は、「二重層」と称される。
ステップ７４（図５）では、フォトレジストは、窓１２２が設けられたマスク１３を使って紫外（ＵＶ）放射への露出が実行される。ポジティブであるフォトレジストは、窓１２２に対応する領域２６で解重合し、従って放射ＵＶに照射される。他方では、それは、マスクの不透明な領域により影の中にある領域では不溶解性のままである。

次の工程７５では、フォトレジストの層６０は、既知の技術に従って現像される。この技術は、溶媒を使って、窓１２２を通る紫外線（ＵＶ）放射により解重合された領域２６においてのみフォトレジストを除去する。かくして、エッジ２５により境界付けされた空洞部６４が作られる（図６）。

同じ溶媒は、フォトレジスト６０よりも大きい程度に下層のリフトオフレジスト６１を溶解させ、これによりサブエッチング部２２を生成し、その深さは現像時間に依存している。

図７に示された第１の選択肢が存在しており、該選択肢によれば、フォトレジスト６０のモノマー層のみが形成されている。この場合では、現像後に、空洞部６４’は、壁１５により境界付けられている。

ＵＶ放射における回折及び反射の現象の故に、フォトレジスト層６０の解重合は、ダイの面１１の近傍においてより大きい程度に、フォトレジストの表面１４の近傍でより小さい程度に、ｘ−ｙ平面に平行に生じる。従って、壁１５は、ｚ軸に平行ではないが、その代わりに、図７に示された記号の約束に従って正であるアンダーカットβを持っている。この技術は、「単層」と称され、より安価であるが、二重層よりも遥かに低い精度でしか制御することができない。

再び、図７を援用して示される第２の単層の代替例が存在しており、これによれば、フォトレジスト６０の層だけが生成され、次に、例えばトルエン等の表面修正剤で処理され、上側表面１４が溶媒に対してより耐性を高められる。現像後には、同じフォトレジスト６０において、サブエッチング部又はより顕著となった正のアンダーカットの角度βを備えた壁１５が形成される。この第２の代替例のコスト及び制御可能性は、第１の単層の代替例と、二重層技術との間にある。

ステップ７６では、完全に無傷のまま残っている表面１４と、ステップ７５に記載された現像の効果により露呈された面１１とに、例えば金属の真空蒸着がなされる。蒸着は、例えば「スパッタリング」プロセス又は「電子ビーム」プロセスの形態を取る。両者とも既知のものであり、その結果は、図８に示されたサブアッセンブリ２３である。該サブアッセンブリは、空洞部６４の形状を呈して外側パッド５２と内側パッド５４とを有効に構成する、面１１に接着された第１の蒸着層（５２，５４）と、表面１４に接着された第２の蒸着層１６と、を備える。サブエッチング部２２には、層が蒸着されていない。

単層技術が採用されたときでさえ、層は、もしあるとすれば正のアンダーカットβ及びサブエッチング部のために、壁１５には沈着されない。
２つの蒸着層の間のこの分離は、引き続く作業にとって本質的であり、ネガティブフォトレジストで二重層を形成する実際の可能性が存在しないとき、層６０を形成するためポジティブフォトレジストを選択する第１の基本的な理由となっている。その一方で、ネガティブフォトレジストで単層が選択された場合には、アンダーカット角度βは、採用された記号の約束に従って負となり、空洞部の壁は、蒸着により、全体的に覆われることになる。

蒸着層５２、５４及び１６は、金属であっても、例えば、酸化物、窒化物及び炭素化物等の非金属材料から作られてもよい。
沈着層５２、５４及び１６が金属から作られた場合、例えば、外側パッド５２又は内側パッド５４に関しては、チタニウム、金又はプラチナ等の非反応性であってもよく、半田付に関しては、金／スズの８０／２０合金であってもよい。これらの合金は、一般に、既知の技術に従って、構成金属の層毎に交互に蒸着される。様々な層は、略共晶で正しい組成の合金を与えるための厚さの間の適切な比率で形成され、例えば５μｍまでの全体厚を有することができる。

ステップ７７では、図９を援用して示されるように、ポジティブフォトレジストの層６０と、リフトオフレジストの層６１とが、当業者に「リフトオフ」として知られているプロセスを用いて除去される。サブアッセンブリ２３は、例えばアセトン等の溶媒２６へと投げ込まれる。該溶媒は、蒸着層が存在しないエッジ２５及びサブエッチング部２２を介して、層６０及び６１を通り抜け、矢印２１により示されるように、それらを溶解し、それらを完全に消滅させて、鋳造側にある第２の蒸着層１６を遊離させる。

この作業は、例えば超音波洗浄等の機械的作用により、容易にされ、ポジティブフォトレジストのみで実施することができる。これは、ポジティブフォトレジストが層６０に対して何故選択されるかの第２の基本的理由である。他方、ネガティブフォトレジストが選択されるべき場合には、今日の技術を用いてリフトオフ作業を実行するのが可能ではなかったであろう。

単層技術が選択された場合、このステップ７７は、同じ仕方で実施される。溶媒が、蒸着層が存在しない、壁１５を通って貫通することができるからである。
ステップ７７の終わりでは、サブアッセンブリ２３が、図１０に示されるように、ダイ５１、外側パッド５２及び内側パッド５４を備えるように仕上げられる。

しかし、このプロセスは、幾つかの技術的問題が存在し、以下、これについて説明する。
エッチング部１２が、図１１の断面図に示されるように、ダイ５１の面に形成されるとき、典型的には光ファイバーを置くためのmoems用途で必要とされる例えば数十又は数百μｍ厚の層６０及び６１は、エッチング部１２のために不均一に分布される。

この処理は、露出及び現像の間に除去されるべき形状の不十分な形成を引き起こし、当該プロセスを使用するのを実用的に不可能にさせる。
特に、エッチング部１２は、数百μｍの深さＤに到達することができる。更には、ダイ５１がシリコンから作られている場合、エッチング部１２は、しばしば化学反応を経て得られる。この化学反応は、シリコンの結晶軸に従って前進し、ｘ軸に関してα＝５４．７°をなす２つの壁２０を形成する。従って、エッチング部の幅Ｗは、
Ｗ＝２Ｄ／ｔａｎα
となる。

例えば、エッチング部がウェーハの厚さの約半分の６２５μｍの厚さに関わる場合、それは、約３００μｍの深さＤに到達する。この場合には、Ｗ＝４２５μｍとなり、上述された不均一さを極めて深刻にさせる幅となる。

その上、ポジティブフォトレジストの選択は、既に示された第１及び第２の理由により対で決定され、フォトレジストの層は、通常、液体状態で塗布される。これは、エッチング部に限定された蒸着の不均一さをもたらす。

第２の技術的な問題点は、moems技術で作られたような幾つかのサブアッセンブリにおいて、エッチング部１２は、他の膜を含む面と同じ面上で作られなければならないという点にある。エッチング部が、膜が蒸着された後に作られる場合、この方面の技術分野の当業者に知られているように約８０℃の温度で数時間に亘ってＫＯＨ又はＴＭＡＨを使用するとき非常に侵略的であるシリコン上の化学反応の間に、膜を保護する必要がある。

従って、当該プロセスの開始時には例えばＳｉＯ_２のマスクを用いた既知のプロセスを通してシリコンにエッチング部を作り、後工程で膜を蒸着して形成することが有利となる。しかし、このようにして、第１の問題点として掲げられた問題が再燃する。

本発明の目的は、特に、所定の形状に従って、エッチングのために不規則表面を有するダイ上に層を選択的に蒸着することである。
本発明の別の目的は、交互層に半田合金の構成要素を選択的に蒸着することである。

本発明の更に別の目的は、ダイ製造プロセスの全体を通してエッチング部をクリア且つクリーンに維持することである。
本発明のなお更に別の目的は、特にエッチングのために不規則な表面を有するダイにポジティブフォトレジストを均一な厚さの層に蒸着させることである。

上記課題は、主要な請求項に定義されたことを特徴とする、微細加工された表面を選択的に覆う方法を用いて達成される。
本発明の上記及び他の目的、並びに、特徴及び利点は、添付図面を参照して、これに限定されない好ましい実施例についての以下の説明から明らかとなる。

以下、本発明に係る光電子デバイスの製造プロセスを、本発明の理解のため必要とされる工程に限定された、図１２の流れ図を参照して、説明する。
ステップ１７０では、ダイ５５を乗せたウェーハ６６’が利用可能にされる（図１３）。ダイ５５は、同じ図１３の拡大部分に示されるようにエッチング部１２を有する。この説明では、これに限定されない例として、ダイ５５がシリコンから作られることが想定されている。これと同じダイは、他の材料、例えば、ガラス、セラミック若しくは他の材料、又は、ＧａＡｓ若しくは他の半導体材料、又は、金属等から作られていてもよい。

ステップ１４０では、ネガティブフォトレジストの膜３０が、図１４の断面図に示されるようにダイ５５上に形成される。膜３０の厚さは、例えば、５μｍと３０μｍとの間にあり、エッチング部１２に固定すること無しにエッチング部１２を覆うのに十分な剛性を持っている。エッチング部１２は、このようにして保護され、これと同時に、それはフォトレジストと接触しないのでクリーンな状態に維持される。膜３０の上側表面は、番号３５を使って指し示されている。

フォトレジストは、その現像溶媒の一つに溶解可能な状態から出発して、例えば紫外線等の放射の効果を通して重合し、不溶解性となる場合に「ネガティブ」と称される。
ステップ１４１（図１５）では、窓３２が嵌められた第１のマスク３１を使ってネガティブフォトレジストの膜３０に紫外（ＵＶ）線を放射する露光工程が実行される。窓３２は、エッチング部１２と、この回りのマージン領域、例えば数十μｍ幅との上方に延在する。ネガティブであるフォトレジストは、窓３２に対応し、従ってＵＶ放射により照射される領域２７で重合する。その一方で、それは、マスク３１の不透明部分により隠された領域では解重合されたままとなっている。

次のステップ１４２では、既知の技術に係るネガティブフォトレジストの膜３０の現像工程が実行される。この技術は、溶媒を使って、解重合された領域のみの膜を除去する（図１６）。領域２７に対応して、カバー部３３は、エッチング部１２を覆うフランク部３４により境界付けられたままとなっている。ＵＶ放射の回折及び反射の現象のために、膜３０の重合は、ｘ−ｙ平面に平行に、ダイの面１１の近傍ではより大きい程度で、膜の表面３５の近傍ではより小さい程度で発生する。従って、フランク部３４は、ｚ軸には平行ではなく、図１６に示された記号の約束に従って負であるテーパー角度γを有する。

ステップ１７１では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７１に類似して、図１７の断面図に示されるように、例えば０．５乃至６□ｍの厚さを有するＭｉｃｒｏ−Ｃｈｅｍ社によるＬＯＲ（Ｒ）シリーズのリフトオフレジストの層１６１がダイ５５上に塗布される。リフトオフレジストは、例えばスピナーコーティングとして知られたプロセスを使って、流体状態で塗布される。

カバー３３のテーパー角度γは、リフトオフレジストのより良好な塗布を促進し、それのより良好な平坦化も促進する。
ステップ１７２では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７２に類似して、図１７の断面図に示されるように、例えば０．５乃至２０□ｍの厚さを有する従来のポジティブフォトレジストの層１６０がリフトオフレジスト１６１上に塗布される。ポジティブフォトレジストも、例えばスピナーコーティングとして知られたプロセスを使って、通常、流体状態で塗布される。

番号１１４で指し示されているものは、面１１及びｘ−ｙ平面に略平行である、フォトレジストの層１６０の上側表面である。
この方法によれば、カバー３３の存在のために、上側表面１１４は、既知の技術における表面１４よりも規則的であり、従って、エッチング部の近傍においてさえも、制御された寸法の空洞部を作ることを可能にしている。

ステップ１７４では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７４に類似して、ポジティブフォトレジストの紫外線（ＵＶ）放射による露光工程が、窓１２２が設けられたマスク１３を用いて実行される（図１８）。ポジティブであるフォトレジストは、窓１２２に対応し、従ってＵＶ放射により照射される領域２６で解重合される。その一方で、それは、マスク３１の不透明部分により隠された領域では不溶性のままとなっている。

次の工程１７５（図１９）では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７４に類似して、フォトレジストの層１６０は、既知の技術に従って現像される。この技術は、溶媒を使って、窓１２２を通る紫外線（ＵＶ）放射により解重合された領域２６においてのみフォトレジストを除去する。かくして、エッジ２５により境界付けされた空洞部６４が作られる（図６）。

同じ溶媒は、フォトレジスト１６０よりも大きい程度に下層のリフトオフレジスト１６１を侵食し、これによりサブエッチング部２２を生成する。
この場合には再び、図２０に示された第１の単層の代替例が存在する。図２０によれば、フォトレジスト１６０の単層が生成される。空洞部６４’は、この場合には壁１５により境界付けられ、既に言及されたＵＶ放射の回折及び反射のために、図２０で示された記号の約束に従って正であるアンダーカットβを与える。

図２０を援用して再び示された、第２の単層の代替例も存在している。この例によれば、フォトレジストの層１６０のみが生成され、この層は、例えばトルエン等の表面改質剤で処理され、上側表面１１４の溶媒に対する耐性をより向上させている。現像に続き、同じフォトレジスト１６０において、サブエッチング部が形成され又はより強められた正のアンダーカットの角度βを備えた壁１５が、このようにして生成される。

図２１を援用して示された、ステップ１７６では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７６に類似して、例えば金属の真空蒸着が、無傷のまま残っている表面１１４と、該表面がステップ１７５に記載された現像の効果を通して露呈された面１１と、に実行される。蒸着は、例えば両者とも既知のものである「スパッタリング」プロセス又は「電子ビーム」プロセスを使って実行され、その結果は、サブアッセンブリ２４である。該サブアッセンブリは、空洞部６４と同じ形状を呈して外側パッド５２と内側パッド５４とを有効に構成する第１の蒸着層（５２，５４）と、表面１１４に接着された更なる蒸着層１１６と、を備える。他方、サブエッチング部２２には、層が蒸着されていない。

単層技術が採用されたときでさえ、層は、もしあるとすれば正のアンダーカットβ及びサブエッチング部のために、壁１５には沈着されない。
蒸着層５２，５４及び１１６は、金属であってもよく、或いは、例えば酸化物、窒化物、炭化物等々の非金属材料から作られていてもよい。

蒸着層５２、５４及び１１６が金属から作られる場合、これらは、外側パッド５２若しくは内側パッド５４を生成するため非反応性のチタニウム、金又はプラチナを使用することができ、半田を生成するため金／スズ８０／２０合金を使用することができる。これらの合金は、構成要素の金属の代替層において、既知の技術に従って、通常、蒸着される。様々な層は、合金、一般には共晶の正しい組成を与えるため厚さ間で適切な比率を備えて作られ、例えば５μｍまでの全体厚さを呈することができる。

ステップ１７７では、従来技術に関連して既に説明されたステップ７７に類似して、図２２を援用して示されるように、ポジティブフォトレジストの層１６０と、リフトオフレジストの層１６１とは、リフトオフプロセスを使って除去される。サブアッセンブリ２４は、例えばアセトン、又は、より好ましくはＭｉｃｒｏ−Ｃｈｅｍ社による除去剤ＰＧの溶媒３６に浸漬される。該溶媒は、蒸着層が存在しないエッジ２５及びサブエッチング部２２を介して、層１６０及び１６１を通り抜け、矢印２１により示される方向に進行しながら、それらを溶解し、それらを完全に消滅させて、鋳造側にある更なる蒸着層１１６を遊離させる。作業は、例えば超音波洗浄等の機械的作用により、容易にされる。

単層技術が選択された場合、このステップ１７７は、同じ仕方で実施される。溶媒が、蒸着層が存在しない、壁１５を通って貫通することができるからである。
ステップ１４３では、ネガティブフォトレジストのカバー３３が、例えば既知のプラズマの作用を用いて除去される。

ステップ１４３の終わりでは、サブアッセンブリ２４が、図２３に示されるように、ダイ５５、エッチング部１２、外側パッド５２及び内側パッド５４を備えるように仕上げられる。

図１は、光電子デバイスの等軸射影図を表す。 図２は、既知の技術に係る、図１の光電子デバイスの製造プロセスの一部の流れ図を示す。 図３は、ダイがまだ分離されていない半導体材料のウェーハを表す。 図４は、リフトオフレジストの層及びポジティブフォトレジストの層を載せているエッチング無しのダイの断面図である。 図５は、ダイ上のポジティブフォトレジストの層の露光工程を表す。 図６は、フォトレジストの同じ層の現像工程を表す。 図７は、単層技術におけるフォトレジストの層の現像工程を表す。 図８は、フォトレジスト上の空洞部内の蒸着層を表す。 図９は、フォトレジストの層のリフトオフを表す。 図１０は、説明されたプロセスの終了時におけるサブアッセンブリを表す。 図１１は、エッチング部が形成され、且つ、既知の技術に係るリフトオフレジストの層及びポジティブフォトレジストの層を載せているダイの断面図を表す。 図１２は、本発明に係るエッチング部が形成された光電子デバイスの製造プロセスの流れ図を示す。 図１３は、エッチング部が形成されたダイを備える半導体材料のウェーハを表す。 図１４は、エッチング部が形成され、且つ、ネガティブフォトレジストの膜を載せたダイを表す。 図１５は、ネガティブフォトレジストの膜の露光工程を表す。 図１６は、ネガティブフォトレジストの膜の現像工程を表す。 図１７は、リフトオフレジストの層及びポジティブレジストの層の塗布を表す。 図１８は、ポジティブフォトレジストの層の露光工程を表す。 図１９は、フォトレジストの同じ層の現像工程を表す。 図２０は、単層技術におけるフォトレジスト層の現像工程を表す。 図２１は、フォトレジストの層上で空洞部内の蒸着層を表す。 図２２は、フォトレジストの層のリフトオフを表す。 図２３は、本発明に係る、説明されたプロセスの終了時におけるサブアッセンブリを表す。

Claims (20)

1. 少なくとも１つのエッチング部（１２）が形成される上側面（１１）を有するダイ（５５）の微細加工表面を選択的に覆うための方法であって、
   ネガティブフォトレジストの膜（３０）を、前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆うように前記上側面（１１）に配置する工程（１４０）と、
   前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）を紫外放射（ＵＶ）にさらし、前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆う領域（２７）の第１のマスク（３１）を使って、前記膜（３０）が前記領域（２７）に対応したところで重合されるようにする、工程（１４１）と、
   前記領域（２７）と対応したところで、カバー（３３）が前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆ったままとなった状態で、前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）の重合されていない部分を除去する工程（１４２）と、
   前記ダイ（５５）の前記上側面（１１）と前記カバー（３３）とにリフトオフレジストの層（１６１）を形成する工程（１７１）と、
   前記リフトオフレジストの層（１６１）にポジティブフォトレジストの層（１６０）を形成する工程（１７２）と、
   を備えることを特徴とする、方法。
2. 少なくとも１つの窓（１２２）を備えるマスク（１３）を使って、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）が前記窓（１２２）と対応したところで解重合するように、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）を紫外放射（ＵＶ）にさらす工程（１７４）と、
   少なくとも１つの空洞部（６４）が得られるように、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）の解重合された部分を除去する工程（１７５）と、
   を更に備えることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記少なくとも１つの空洞部（６４）は、エッジ（２４）と、サブエッチング（２２）と、を備え、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）は、上側表面（１１４）を備え、
   前記上側面（１１）に第１の蒸着層（５２，５４）を、前記上側表面（１１４）に更なる蒸着層（１１６）を適用する工程（１７６）と、
   前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）と前記リフトオフレジストの層（１６１）とを、前記エッジ（２４）及び前記サブエッチング（２２）を介して作用する溶媒を使って除去し、前記更なる蒸着層（１１６）の側で鋳造する、工程（１７７）と、
   前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）を除去する工程（１４３）と、
   を備えることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記第１の蒸着層（５２、５４）及び前記更なる蒸着層（１１６）は金属であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
5. 前記第１の蒸着層（５２、５４）及び前記更なる蒸着層（１１６）は、金、チタニウム又はプラチナの少なくとも１つの層を備えることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
6. 前記第１の蒸着層（５２、５４）及び前記更なる蒸着層（１１６）は、金／スズ合金の少なくとも１つの層を備えることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
7. 前記蒸着層（１１６）及び前記更なる蒸着層（５２，５４）は、非金属材料を含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
8. 前記非金属材料は、酸化物を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
9. 前記非金属材料は、炭化物を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
10. 前記非金属材料は、窒化物を含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
11. 少なくとも１つのエッチング部（１２）が形成される上側面（１１）を有するダイ（５５）の微細加工表面を選択的に覆うための方法であって、
    ネガティブフォトレジストの膜（３０）を、前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆うように前記上側面（１１）に配置する工程（１４０）と、
    前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）を紫外放射（ＵＶ）にさらし、前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆う領域（２７）の第１のマスク（３１）を使って、前記膜（３０）が前記領域（２７）に対応したところで重合されるようにする、工程（１４１）と、
    前記領域（２７）と対応したところで、カバー（３３）が前記少なくとも１つのエッチング部（１２）を覆ったままとなった状態で、前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）の重合されていない部分を除去する工程（１４２）と、
    前記ダイ（５５）の前記上側面（１１）と前記カバー（３３）とにポジティブフォトレジストの層（１６０）を形成する工程（１７２）と、
    を備えることを特徴とする、方法。
12. 少なくとも１つの窓（１２２）を備えるマスク（１３）を使って、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）が前記窓（１２２）と対応したところで解重合するように、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）を紫外放射（ＵＶ）にさらす工程（１７４）と、
    少なくとも１つの空洞部（６４’）が得られるように、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）の解重合された部分を除去する工程（１７５）と、
    を更に備えることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
13. 前記少なくとも１つの空洞部（６４’）は、壁（１５）を備え、前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）は、上側表面（１１４）を備え、
    前記上側面（１１）に第１の蒸着層（５２，５４）を、前記上側表面（１１４）に更なる蒸着層（１１６）を適用する工程（１７６）と、
    前記ポジティブフォトレジストの層（１６０）を、前記壁（１５）を介して作用する溶媒を使って除去し、前記更なる蒸着層（１１６）の側で鋳造する、工程（１７７）と、
    前記ネガティブフォトレジストの膜（３０）を除去する工程（１４３）と、
    を備えることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１の蒸着層（５２、５４）及び前記更なる蒸着層（１１６）は金属であることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
15. 前記第１の蒸着層（５２、５４）及び前記更なる蒸着層（１１６）は、金、チタニウム又はプラチナの少なくとも１つの層を備えることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
16. 前記第１の蒸着層（５２、５４）及び前記更なる蒸着層（１１６）は、金／スズ合金の少なくとも１つの層を備えることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
17. 前記蒸着層（１１６）及び前記更なる蒸着層（５２，５４）は、非金属材料を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
18. 前記非金属材料は、酸化物を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
19. 前記非金属材料は、炭化物を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
20. 前記非金属材料は、窒化物を含むことを特徴とする、請求項１７に記載の方法。

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