发明内容
本发明的目的是提供一种制作微元件的方法。该方法使用常规试剂提高了环氧基负性光刻胶与基底的附着力,避免出现环氧基负性光刻胶在基底表面的龟裂和剥离,并且使环氧基负性光刻胶易于去除,全部加工温度可以在较低的温度下进行。
本发明提供了两种制作微元件的方法,其中一个方法包括如下步骤:
1)在基底表面制作环化橡胶负性光刻胶层;
2)在所述环化橡胶负性光刻胶层上制作环氧基负性光刻胶层;
3)进行光刻,得到微元件。
其中,所述步骤3)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层和所述环化橡胶负性光刻胶层。
上述方法中,在所述步骤1)和步骤2)之间还可包括光刻所述环化橡胶负性光刻胶的步骤。在该光刻所述环化橡胶负性光刻胶的过程中,可使用光刻掩膜版也可进行无掩膜曝光。当使用光刻掩膜版光刻环化橡胶负性光刻胶时,需要去除未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶,此时,所述步骤3)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层,其中需要去除的是未曝光区域的环氧基负性光刻胶。
当对所述环化橡胶负性光刻胶层进行无掩膜光刻时,所述步骤3)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层,光刻中需要去除未曝光区域的环氧基负性光刻胶和未被所述环氧基负性光刻胶覆盖的曝光的环化橡胶负性光刻胶。
所述方法中,还可包括将所述微元件在150-200℃加热0.5-2小时的步骤,该步骤可提高环化橡胶负性光刻胶和环氧基负性光刻胶的结合力。
本发明提供的另一种制作微元件的方法,包括如下步骤:
i)先在基底表面沉积电镀金属层;
ii)在所述金属层表面制作环化橡胶负性光刻胶层;
iii)在所述环化橡胶负性光刻胶层上制作环氧基负性光刻胶层;
iv)光刻,得到具有三维微结构的器件;
v)在所述具有三维微结构的器件上镀金属;
vi)去除剩余的环氧基负性光刻胶和环化橡胶负性光刻胶,得到微元件。
其中,所述电镀金属为铜、镍、铁、金、银、铂镍钴合金或钴钨合金。所述步骤iv)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层和所述环化橡胶负性光刻胶层。
上述方法中,在所述步骤ii)和步骤iii)之间还包括光刻所述环化橡胶负性光刻胶的步骤。在该光刻所述环化橡胶负性光刻胶的过程中,可使用光刻掩膜版也可进行无掩膜曝光。当使用光刻掩膜版光刻环化橡胶负性光刻胶时,需要去除未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶,此时,所述步骤iv)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层,其中需要去除的是未曝光区域的环氧基负性光刻胶。
上述方法中所有光刻过程中的环化橡胶负性光刻胶的刻蚀,最好方法是采用等离子干法刻蚀。
当对所述环化橡胶负性光刻胶层进行无掩膜光刻时,所述步骤iv)的光刻为光刻所述环氧基负性光刻胶层,光刻中需要去除未曝光区域的环氧基负性光刻胶和未被所述环氧基负性光刻胶覆盖的曝光的环化橡胶负性光刻胶。
上述两种方法中,所述基底均可由硅、玻璃、金属、塑料和陶瓷中的至少一种材料制成。所述环氧基负性光刻胶均可为SU-8光刻胶。所述环化橡胶负性光刻胶均可由如下成分组成:环化聚异物二烯、光敏剂、增感剂和溶剂。所有的环化橡胶负性光刻胶都可用于本发明,如北京华科微电子材料有限公司生产的KMP—BN系列紫外负型光刻胶、苏州瑞红生产的RFJ-210系列负型光刻胶或RFJ-220系列负型光刻胶等等。
本发明的制作微元件的方法中使用环化橡胶负性光刻胶,由于环化橡胶负性光刻胶与基片附着力强,与环氧基负性光刻胶有很强的结合力,避免出现环氧基负性光刻胶薄膜在基底表面的龟裂和剥离;环化橡胶负性光刻胶能够有效地提高环氧基负性光刻胶与基片粘附力,使产品保持了环氧基负性光刻胶的优良的成型能力,扩大了产品的使用范围。其次,环化橡胶负性光刻胶具有很强的抗蚀能力,具有良好的化学稳定性,能够和玻璃、硅,以及各种金属的清洁表面牢固结合,而不需要进行表面处理。另外,环化橡胶负性光刻胶是所有光刻胶中最廉价的光刻胶,已经在微电子工业中广泛使用,价格低廉,来源方便。本发明的制作微元件的方法中加工温度可在110℃以下或甚至更低的温度下进行。
具体实施方式
本发明所述的环化橡胶负性光刻胶层和环氧基负性光刻胶层,可通过多种方法制作。如旋涂法制作环化橡胶负性光刻胶层:可通过调节旋涂仪的速度、时间以及胶的粘度,制备不同厚度的环化橡胶负性光刻胶层,如旋涂的速度在1000-6000rpm,旋涂时间在20-60秒。如滚涂或胶辊法制作环氧基负性光刻胶层:通过滚涂将环氧基负性光刻胶涂敷在基片上或通过贴膜方式将预先制好的环氧基负性光刻胶薄膜以滚压的方式粘贴在基片上。
本发明所述光刻工艺中可使用光刻掩膜版,也可在无光刻掩膜版下进行整体曝光。可根据需要对环化橡胶负性光刻胶层或环氧基负性光刻胶层分别曝光,如对于紫外透明的基片,如需要对环化橡胶负性光刻胶层进行光刻,可从基片背面对环化橡胶负性光刻胶进行曝光,对于不透明的芯片,如需要对环化橡胶负性光刻胶层进行光刻,可从正面进行曝光,将环氧基负性光刻胶层和环化橡胶负性光刻胶层一起曝光。
环化橡胶负性光刻胶和环氧基负性光刻胶可用多种现有方法去除。如对未曝光的环化橡胶负性光刻胶可通过环化橡胶负性光刻胶显影剂去除,对已经曝光的环化橡胶负性光刻胶采用干法刻蚀的方式去除。对未曝光的环氧基负性光刻胶可用丙二醇甲醚醋酸酯去除。对曝光的环氧基负性光刻胶可用负型光刻胶去膜剂或负胶剥离液去除。
下述实施例用来具体阐明本发明的制作微元件的方法。
实施例1、制作微元件
微元件的制备方法如下:
1、制作环化橡胶负性光刻胶层
北京华科微电子材料有限公司生产的KMP—BN303紫外负型光刻胶,用旋涂仪在清洗好的玻璃基片上,以3000rpm、30秒进行旋涂,制备厚度为1微米的环化橡胶负性光刻胶层,形成图1所示的结构。将带有环化橡胶负性光刻胶层的基片在热板上,90℃,放置2分钟。
2、制作SU-8光刻胶层
在步骤1制备的带有环化橡胶负性光刻胶层的基片上,旋涂SU-82050,转速3000rpm,时间30秒,胶厚度50微米,制作SU-8光刻胶层,形成图2所示的结构。将带有SU-82050光刻胶层的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
3、光刻SU-8光刻胶层和环化橡胶负性光刻胶层
1)曝光SU-8光刻胶层和环化橡胶负性光刻胶层
将步骤2的基片在奥地利公司生产的EV620光刻机中用一块掩模,光能量密度15.3mw/cm2,曝光25秒。将曝光后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。将SU-8层以及下面的KMP—BN303层完全曝光。
2)去除未曝光区域的SU-8光刻胶和环化橡胶负性光刻胶
用丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA显影6分钟,去除未曝光的SU-8光刻胶,异丙醇冲洗干净定影,氮气吹干,形成图3所示的结构;定影后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶可用如下两种方法去除:
1)用环己烷、二甲苯或甲苯溶液显影1分钟,乙酸丁酯从洗干净,氮气吹干,形成图4所示结构的微元件。
2)用北京中科院微电子学研究所生产的磁增强ME-3A型RIE反应离子刻蚀机刻蚀(氧流量30sccm,功率100瓦,偏压210V,时间1分钟)将未被环氧基负性光刻胶覆盖的未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶刻蚀掉,形成图4所示结构的微元件。
4、将加工好的微元件放在热板上,150℃烘1小时。
实施例2、制作微元件
微元件的制备方法如下:
1、制作环化橡胶负性光刻胶层
苏州瑞红电子化学品有限公司生产的RFJ-210系列负型光刻胶,用旋涂仪在清洗好的玻璃基片上,以3000rpm、30秒进行旋涂,制备厚度为1微米的环化橡胶负性光刻胶层,形成图1所示的结构。将涂有环化橡胶负性光刻胶层的基片在热板上,90℃,放置2分钟。
2、光刻环化橡胶负性光刻胶层
奥地利公司生产的EV620光刻机对环化橡胶负性光刻胶层进行无掩模全面曝光,15.3mw/cm2,曝光25秒。
3、制作SU-8光刻胶层
在步骤2的环化橡胶负性光刻胶层上,旋涂SU-82050,转速3000rpm,时间30秒,胶厚度50微米,形成图2所示的结构。将带有SU-82050光刻胶层的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
4、光刻SU-8光刻胶层
1)曝光SU-8光刻胶层
将步骤3的基片在奥地利公司生产的EV620光刻机中同一掩模15.3mw/cm2,曝光25秒。将曝光后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘6分钟。
2)去除未曝光区域的SU-8光刻胶和环化橡胶负性光刻胶
用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)显影4分钟,去除未曝光的SU-8光刻胶,异丙醇冲洗干净定影,氮气吹干,形成图3所示的结构;定影后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
用北京中科院微电子学研究所生产的磁增强ME-3A型RIE反应离子刻蚀机刻蚀(氧流量30sccm,功率100瓦,偏压210V,时间1分钟)将环化橡胶负性光刻胶未曝光区刻蚀掉,形成图4所示结构的微元件。
5、将步骤4的微元件放在热板上,150℃烘1小时。
实施例3、制作微元件
制作微元件的方法包括如下步骤:
1、制作环化橡胶负性光刻胶层
苏州瑞红电子化学品有限公司生产的RFJ-210系列负型光刻胶,用旋涂仪在清洗好的玻璃基片上,以3000rpm、30秒进行旋涂,制备厚度为1微米的环化橡胶负性光刻胶层,形成图1所示的结构。将涂有环化橡胶负性光刻胶层的基片在热板上,90℃,放置2分钟。
2、光刻环化橡胶负性光刻胶层
1)曝光环化橡胶负性光刻胶层
奥地利公司生产的EV620光刻机用一掩模光刻环化橡胶负性光刻胶层,15.3mw/cm2,曝光25秒。
2)去除未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶
未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶用环己烷或二甲苯或甲苯清洗1分钟,乙酸丁脂漂洗定影,形成图5所示的结构。定影后的基片置于90-110℃,烘2分钟。
3、制作SU-8光刻胶层
在具有图5所示的结构的基片的环化橡胶负性光刻胶上,旋涂SU-82050,转速3000rpm,时间30秒,胶厚度50微米,形成图6所示的结构。将涂SU-82050光刻胶层的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
4、光刻SU-8光刻胶层
1)曝光SU-8光刻胶层
将步骤3的基片在奥地利公司生产的EV620光刻机上,用与步骤2相同的掩模进行曝光,并套刻步骤2图形。15.3mw/cm2,曝光25秒。将曝光后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘6分钟。
2)去除未曝光的SU-8光刻胶
用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)显影4分钟,去除未曝光的SU-8光刻胶,异丙醇冲洗干净定影,氮气吹干;形成图4所示结构的微元件。
5、将步骤4的微元件放在热板上,150℃烘1小时。
实施例4、制作微元件
制作微元件的方法包括如下步骤:
1、在基片上蒸发2000
的Ni单层,形成图7所示的结构;
2、制作环化橡胶负性光刻胶层
苏州瑞红电子化学品有限公司生产的RFJ-220系列负型光刻胶,用旋涂仪在清洗好的玻璃基片上,以3000rpm、30秒进行旋涂,制备厚度为1微米的环化橡胶负性光刻胶层,形成图8所示的结构。将涂有环化橡胶负性光刻胶层的基片在热板上,90℃,放置2分钟。
3、制作SU-8光刻胶层
在步骤2)制备的带有环化橡胶负性光刻胶层的基片上,旋涂SU-82050,转速3000rpm,时间30秒,胶厚度50微米,制作SU-8光刻胶层,形成图9所示的结构。将带有SU-82050光刻胶层的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
4、光刻SU-8光刻胶层和环化橡胶负性光刻胶层
1)曝光SU-8光刻胶层和环化橡胶负性光刻胶层
将步骤3的基片在奥地利公司生产的EV620光刻机上,用掩膜进行曝光,15.3mw/cm2,曝光25秒。将曝光后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘6分钟。
2)去除未曝光的SU-8光刻胶和未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶
用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)显影4分钟,去除未曝光的SU-8光刻胶,异丙醇冲洗干净定影,氮气吹干,形成图10所示的结构。
用北京中科院微电子学研究所生产的磁增强ME-3A型RIE反应离子刻蚀机刻蚀(氧流量30sccm,功率100瓦,偏压210V,时间1分钟)将环化橡胶负性光刻胶未曝光区刻蚀掉,形成图11所示三维结构的器件。
5、将具有图11所示三维结构的器件放在热板上,150℃烘1小时。
6、在具有图11所示三维结构的器件上电镀一层结构金属层,形成图12所示的结构。
7、去除曝光区域的SU-8光刻胶和环化橡胶负性光刻胶
将具有图12所示的结构的器件浸入负胶剥离液(苏州瑞红电子化学品有限公司)中,90℃,浸泡16小时,去除曝光区域的SU-8光刻胶和环化橡胶负性光刻胶,获得图13所示结构的微元件。
实施例5、制作微元件
制作微元件的方法包括如下步骤:
1、在基片上蒸发2000
的Ni单层,形成图7所示的结构;
2、制作环化橡胶负性光刻胶层
北京化学试剂研究所生产的BN310紫外负型光刻胶,用旋涂仪在清洗好的玻璃基片上,以3000rpm、30秒进行旋涂,制备厚度为1微米的环化橡胶负性光刻胶层,形成图8所示的结构。将涂有环化橡胶负性光刻胶层的基片在热板上,90℃,放置2分钟。
3、光刻环化橡胶负性光刻胶层
1)曝光环化橡胶负性光刻胶层
奥地利公司生产的EV620光刻机上,用一掩模光刻环化橡胶负性光刻胶层,15.3mw/cm2,曝光1秒。
2)去除未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶
未曝光区域的环化橡胶负性光刻胶用环己烷或二甲苯或甲苯清洗1分钟,乙酸丁脂漂洗定影,形成图14所示的结构。定影后的基片置于90-110℃,烘2分钟。
4、制作SU-8光刻胶层
在具有图14所示的结构的基片的环化橡胶负性光刻胶上,旋涂SU-82050,转速3000rpm,时间30秒,胶厚度50微米,形成图15所示的结构。将涂SU-82050光刻胶层的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘15分钟。
5、光刻SU-8光刻胶层
1)曝光SU-8光刻胶层
将步骤4的基片在奥地利公司生产的EV620光刻机中同一掩膜15.3mw/cm2,曝光15秒。将曝光后的基片置于65℃,烘3分钟,然后置于95℃,烘6分钟。
2)去除未曝光的SU-8光刻胶
用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)显影4分钟,去除未曝光的SU-8光刻胶,异丙醇冲洗干净定影,氮气吹干;形成图11所示三维结构的器件。
6、将具有图11所示的三维结构的器件放在热板上烘30分钟。
7、在具有图11所示的三维结构的器件上电镀一层结构金属层,形成图12所示的结构。
8、去除曝光区域的SU-8光刻胶和环化橡胶负性光刻胶
将具有图12所示结构的器件浸入负型光刻胶去膜剂(北京华科微电子材料有限公司),90℃,浸泡16小时,去除曝光区域的SU-8光刻胶和环化橡胶负性光刻胶,获得图13所示结构的微元件。