RU2079865C1 - Способ получения рельефа в диэлектрической подложке - Google Patents

Способ получения рельефа в диэлектрической подложке Download PDF

Info

Publication number
RU2079865C1
RU2079865C1 RU94017322A RU94017322A RU2079865C1 RU 2079865 C1 RU2079865 C1 RU 2079865C1 RU 94017322 A RU94017322 A RU 94017322A RU 94017322 A RU94017322 A RU 94017322A RU 2079865 C1 RU2079865 C1 RU 2079865C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
dielectric
substrate
mask
monoaluminate
neodymium
Prior art date
Application number
RU94017322A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94017322A (ru
Inventor
И.А. Корж
Original Assignee
Омский научно-исследовательский институт приборостроения
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Омский научно-исследовательский институт приборостроения filed Critical Омский научно-исследовательский институт приборостроения
Priority to RU94017322A priority Critical patent/RU2079865C1/ru
Publication of RU94017322A publication Critical patent/RU94017322A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2079865C1 publication Critical patent/RU2079865C1/ru

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.п. Сущность изобретения: на подложку наносят диэлектрическую пленку, и формируют конфигурацию защитной маски, после чего проводят травление подложки. В качестве материала маски используется диэлектрическая пленка моноалюмината неодима толщиной не менее 1 мкм.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д.
Известен способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку защитной металлической пленки, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [1]
Однако данный способ имеет существенные недостатки. При осаждении металлической маски возможно проникновение материала маски в подложку и ухудшение при этом работоспобности изготавливаемых приборов. Кроме того, в ряде случаев материал маски не должен убираться, и в то же время он не должен шунтировать электрические цепи приборов. Поэтому металлическую маску необходимо удалять после получения рельефа, что увеличивает трудоемкость изготовления приборов.
Наиболее близким по технической сущности и совокупности признаков является способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку диэлектрического слоя оксида кремния, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [2] При этом возможно при изготовлении ряда приборов диэлектрическую маску не удалять с поверхности подложки.
Однако данный способ не пригоден для получения глубокого рельефа в подложках на основе стекол, содержащих двуокись кремния из-за травления маски в травителях на основе плавиковой кислоты.
Задачами, на которые направлено изобретение, являются увеличение процента выхода годных приборов за счет устранения влияния травителей на основе плавиковой кислоты на диэлектрическую маску и удешевление конечной продукции за счет устранения операции удаления диэлектрической маски.
Решение поставленных задач заключается в том, что в качестве материала защитной маски используется диэлектрическая пленка моноалюмината неодима.
Сопоставительный анализ показывает, что заявляемое техническое решение отличается от прототипа тем, что защитная маска представляет собой диэлектрическую пленку моноалюмината неодима.
Предлагаемый способ получения рельефа в диэлектрической подложке реализован следующим образом. На поверхность диэлектрической подложки методом вакуумного осаждения (термическим или магнетронным) осаждали слой моноалюмината неодима. Затем методом фотолитографии формировали заданную конфигурацию защитной маски. Конфигурацию защитной маски возможно формировать и в процессе осаждения слоя моноалюмината при помощи свободных масок. Затем проводили травление диэлектрической подложки на необходимую глубину в травителе на основе плавиковой кислоты. Диэлектрическую пленку после травления не убирали.
Результаты экспериментов показали, что использование пленок моноалюмината неодима позволяет воспроизводимо получать качественные микромеханические преобразователи давления, вибродатчики и кварцевые резонаторы. При этом пленки моноалюмината неодима способны выдерживать травление в течение нескольких часов в агрессивном травителе на основе плавиковой кислоты.
При этом выявлено, что отсутствие сквозных пор и разрывов в защитном слое обеспечивается при толщине пленок моноалюмината неодима не менее 1 мкм.
Сформированные таким образом маски позволяют протравить диэлектрические подложки на глубину до 1 мм.
Таким образом, использование предлагаемой диэлектрической защитной маски позволяет проводить травление стеклянных подложек, содержащих двуокись кремния, в растворах плавиковой кислоты на большую глубину.

Claims (1)

  1. Способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку диэлектрической пленки и формирование в диэлектрической пленке конфигурации защитной маски, травление подложки, отличающийся тем, что в качестве материала диэлектрической пленки используют пленку моноалюмината неодима, толщиной не менее 1 мкм.
RU94017322A 1994-05-11 1994-05-11 Способ получения рельефа в диэлектрической подложке RU2079865C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94017322A RU2079865C1 (ru) 1994-05-11 1994-05-11 Способ получения рельефа в диэлектрической подложке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94017322A RU2079865C1 (ru) 1994-05-11 1994-05-11 Способ получения рельефа в диэлектрической подложке

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94017322A RU94017322A (ru) 1997-03-20
RU2079865C1 true RU2079865C1 (ru) 1997-05-20

Family

ID=20155797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94017322A RU2079865C1 (ru) 1994-05-11 1994-05-11 Способ получения рельефа в диэлектрической подложке

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2079865C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2687299C1 (ru) * 2018-08-17 2019-05-13 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ получения рельефа в диэлектрической подложке

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Мокеев О.К. и др. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Высшая школа, 1979, с. 223. 2. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Энергия, 1978, с. 49 - 50. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2687299C1 (ru) * 2018-08-17 2019-05-13 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" Способ получения рельефа в диэлектрической подложке

Also Published As

Publication number Publication date
RU94017322A (ru) 1997-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6714102B2 (en) Method of fabricating thin film bulk acoustic resonator (FBAR) and FBAR structure embodying the method
JP3970943B2 (ja) 薄膜の上に集積部品を製造する方法
US3951707A (en) Method for fabricating glass-backed transducers and glass-backed structures
JP3989545B2 (ja) 加速度センサの製造法
EP2306498A1 (en) Method for manufacturing multistep substrate
EP1156132B1 (en) Method of forming electrode film
US20030016116A1 (en) Method of depositing a thin metallic film and related apparatus
CA2433738A1 (en) Method for microfabricating structures using silicon-on-insulator material
KR20050107477A (ko) 박막 압전 공진자의 제조 방법, 박막 압전 공진자의 제조장치, 박막 압전 공진자 및 전자 부품
JP3194594B2 (ja) 構造体の製造方法
KR20000067571A (ko) 에칭 방법
JP2008030189A (ja) Memsデバイスに関するシリコン−オン−金属
RU2079865C1 (ru) Способ получения рельефа в диэлектрической подложке
US6306313B1 (en) Selective etching of thin films
US6815243B2 (en) Method of fabricating a microelectromechanical system (MEMS) device using a pre-patterned substrate
RU2054747C1 (ru) Способ получения рельефа в диэлектрической подложке
KR100327336B1 (ko) 미세 구조물 제조에 사용되는 물질층 식각 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법
US6743731B1 (en) Method for making a radio frequency component and component produced thereby
JP2006032716A (ja) メンブレンチップ製造方法
US10662058B1 (en) Wet etch patterning of an aluminum nitride film
RU2318268C2 (ru) Способ получения рельефа в диэлектрической подложке
KR20030013893A (ko) 압전박막 공진기 및 그 제조방법
US5352331A (en) Cermet etch technique for integrated circuits
JPH05832A (ja) ガラス系素材のエツチング加工方法
KR100530773B1 (ko) 실리콘 기판상의 진공 캐비티 미세구조체 형성방법