RU2318268C2 - Способ получения рельефа в диэлектрической подложке - Google Patents
Способ получения рельефа в диэлектрической подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU2318268C2 RU2318268C2 RU2005103379/28A RU2005103379A RU2318268C2 RU 2318268 C2 RU2318268 C2 RU 2318268C2 RU 2005103379/28 A RU2005103379/28 A RU 2005103379/28A RU 2005103379 A RU2005103379 A RU 2005103379A RU 2318268 C2 RU2318268 C2 RU 2318268C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- yttrium
- layer
- shielding mask
- yttrium oxide
- dielectric substrate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках, содержащих в своем составе двуокись кремния, при изготовлении микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д. Сущность изобретения: в способе получения рельефа в диэлектрической подложке, включающем нанесение на подложку защитной маски в виде многослойной тонкопленочной системы двух материалов и формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски, в качестве маски используется многослойная тонкопленочная система иттрий-оксид иттрия, полученная напылением в вакууме, причем толщина слоя иттрия не менее 1 мкм, а толщина слоя оксида иттрия не менее 0,05 мкм. Между слоем иттрия и слоем оксида иттрия может быть сформирован переходной слой из смеси этих материалов. Изобретение позволяет увеличить процент выхода годных за счет исключения пор и разрывов в защитном слое, а также позволяет удешевить конечную продукцию. 1 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках, содержащих в своем составе двуокись кремния, при изготовлении микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д.
Известен способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку защитной пленки иттрия, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [1]. Пленки иттрия медленно взаимодействуют с плавиковой кислотой и травителями на основе растворов плавиковой кислоты благодаря образующейся естественным образом на поверхности иттрия тонкой пассивирующей пленки оксида иттрия толщиной 3-5 нм. Недостатком известного способа является образование локальных растрав в подложке под маской при длительном травлении (в течение нескольких часов) в растворах плавиковой кислоты за счет повреждения пассивирующего слоя оксида иттрия и его утонения на микронеровностях диэлектрической подложки.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и совокупности признаков является способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку защитной маски в виде тонкопленочной системы иттрий-медь, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [2]. Пленки меди слабо реагируют с растворами плавиковой кислоты, что позволяет уменьшить локальные растравы и увеличить время травления.
Недостатками известного способа являются: 1 - необходимость двух источников для получения многослойной системы иттрий-медь, что усложняет технологию и увеличивает стоимость продукции; 2 - при длительном травлении пленка меди частично растворяется, переходит в травящий раствор и осаждается на поверхности диэлектрической подложки, что приводит к необходимости проведения дополнительных операций для ее удаления. Все это ведет к удорожанию конечной продукции.
Задачами, на которые направлено изобретение, являются увеличение процента выхода годных за счет исключения пор и разрывов в защитном слое и удешевление конечной продукции.
Решение поставленных задач заключается в том, что в конечном материале защитной маски используется двухслойная либо многослойная тонкопленочная система иттрий-оксид иттрия, полученная напылением в вакууме.
Сопоставительный анализ показывает, что заявляемое техническое решение отличается от прототипа тем, что защитная маска представляет многослойную систему иттрий-оксид иттрия. Поэтому данное техническое решение отвечает критерию "новизна".
Предлагаемый способ получения рельефа в диэлектрической подложке реализован следующим образом.
На поверхность диэлектрической подложки методом вакуумного осаждения (термическим или магнетронным) осаждали слой иттрия, затем на слой иттрия осаждали слой оксида иттрия. Причем слой оксида иттрия осаждается путем добавления в вакуумную камеру кислорода в процессе осаждения иттрия на диэлектрическую подложку. При этом на диэлектрической подложке образуется слой оксида иттрия. Иттрий и оксид иттрия осаждаются из одного источника, например одной распыляемой мишени, что упрощает технологию и удешевляет конечную продукцию. Для увеличения адгезии между слоем иттрия и слоем оксида иттрия может формироваться переходной слой из смеси этих материалов путем регулирования парциального давления кислорода в камере в процессе распыления иттрия. Далее при помощи метода фотолитографии формировали заданную конфигурацию защитной маски. Конфигурацию защитной маски возможно формировать и в процессе осаждения тонкопленочной системы иттрий-оксид иттрия при помощи свободных масок. Затем проводили травление диэлектрической подложки на необходимую глубину в травителе на основе плавиковой кислоты, после чего в растворе азотной кислоты удаляли защитную маску. Эксперименты показали, что использование многослойных пленок иттрий-оксид иттрия позволяет получать качественные кварцевые резонаторы с обратной мезаструктурой. Выявлено, что отсутствие сквозных пор и разрывов в защитном слое обеспечивается при толщине слоя иттрия не менее 1 мкм и толщине слоя оксида иттрия не менее 0.05 мкм. Сформированные таким образом защитные маски позволяют протравливать диэлектрические и пьезоэлектрические подложки из кварца на глубину до 1 мкм. В табл.1 и табл.2 приведены результаты получения рельефа в кварцевых подложках толщиной 1 мм при химическом травлении в растворе плавиковой кислоты.
Таблица 1. Результаты травления кварца |
|||
Материал маски | Толщина слоя иттрия, мкм | Толщина слоя оксида иттрия, мкм | Результаты травления кварцевых подложек |
Y-Y2O3 | Менее 1 мкм | Менее 0.05 мкм | Маска не выдерживает длительного времени травления - образуются поры и протравы |
Y-Y2O3 | Более 1 мкм | Менее 0.05 мкм | Маска не выдерживает длительного времени травления - образуются поры и протравы |
Y-Y2O3 | Менее 1 мкм | Более 0.05 мкм | Маска не выдерживает длительного времени травления - образуются поры и протравы |
Y-Y2O3 | Более 1 мкм | Более 0.05 мкм | Маска выдерживает длительное время травления без образования пор и протрав |
Пленочные структуры Y-Y2O3 и Y-переходной слой (Y-Y2O3)-Y2O3 получались напылением в вакууме методом ВЧ магнетронного распыления на установке Катод-2М. При напылении структуры Y-Y2O3 вначале напылялись пленки иттрия толщиной более 1 мкм в атмосфере аргона при давлении 5·10-3 мм рт. ст., после чего производилось напыление оксида иттрия толщиной не менее 0.05 мкм путем ВЧ магнетронного распыления иттрия в атмосфере из смеси аргона и кислорода (50% кислорода) при давлении 5·10-3 мм рт. ст. При напылении структуры Y-переходной слой (Y-Y2О3)-Y2О3 кислород добавлялся постепенно от 0 до 50%, что способствовало образованию переходного слоя Y-Y2O3, после чего проводилось напыление оксида иттрия толщиной не менее 0.05 мкм.
Источники информации
1. Н.И.Алексеева, В.Н.Желобецкий, А.М.Ярош. Технологические аспекты получения защитных покрытий для селективного травления кварца при изготовлении резонаторов высокочастотного и сверхвысокочастотного диапазонов. // Техника радиосвязи. - 1994 г. - вып.1, с.67.
2. Патент РФ №2054747, кл. H01L 21/312. Способ получения рельефа в диэлектрической подложке. Бюлл. №5, 20.02.1996 г. (прототип).
Claims (2)
1. Способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку защитной маски в виде многослойной тонкопленочной системы двух материалов и формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски, отличающийся тем, что в качестве маски используется многослойная система иттрий-оксид иттрия, полученная напылением в вакууме, причем толщина слоя иттрия не менее 1 мкм, а толщина слоя оксида иттрия не менее 0,05 мкм.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что между слоем иттрия и слоем оксида иттрия формируют переходный слой из смеси этих материалов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005103379/28A RU2318268C2 (ru) | 2005-02-09 | 2005-02-09 | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2005103379/28A RU2318268C2 (ru) | 2005-02-09 | 2005-02-09 | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2005103379A RU2005103379A (ru) | 2006-07-20 |
RU2318268C2 true RU2318268C2 (ru) | 2008-02-27 |
Family
ID=37028385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2005103379/28A RU2318268C2 (ru) | 2005-02-09 | 2005-02-09 | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2318268C2 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2687299C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-05-13 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
-
2005
- 2005-02-09 RU RU2005103379/28A patent/RU2318268C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2687299C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-05-13 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2005103379A (ru) | 2006-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960019528A (ko) | 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법, 그 방법에 의하여 제조된 실리콘 기판 및 그 기판을 이용한 반도체 소자 | |
JP5644671B2 (ja) | 圧電膜素子の製造方法 | |
US3945902A (en) | Metallized device and method of fabrication | |
KR20090123844A (ko) | 커패시터용 동시소성 전극을 갖는 박막 유전체 및 그의 제조 방법 | |
US5347696A (en) | Method for manufacturing a multi-layer capacitor | |
JP2015153850A (ja) | 圧電体薄膜素子、その製造方法、および該圧電体薄膜素子を用いた電子デバイス | |
RU2318268C2 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
KR100932763B1 (ko) | 시료의 플라즈마 에칭방법 | |
RU2054747C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
CN112436815B (zh) | 温度补偿型声表面波器件及其制造方法 | |
RU2724291C1 (ru) | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию | |
RU2079865C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
US5198158A (en) | Method of manufacturing free standing perovskite lead scandium tantalate film | |
RU2687299C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
US7005385B2 (en) | Method for removing a resist mask with high selectivity to a carbon hard mask used for semiconductor structuring | |
KR101456930B1 (ko) | 식각액 조성물 | |
WO2024157710A1 (ja) | 接合体および接合体の製造方法 | |
JP2002004034A (ja) | 蒸着用マスクおよびその製造方法 | |
US5672282A (en) | Process to preserve silver metal while forming integrated circuits | |
US7157381B2 (en) | Method for providing whisker-free aluminum metal lines or aluminum alloy lines in integrated circuits | |
US3997380A (en) | Method of engraving a conductive layer | |
KR20080098180A (ko) | 식각액 조성물 | |
RU2211505C2 (ru) | СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ SiC-Si3N4 | |
JPH06260478A (ja) | 薄膜パターン形成方法 | |
JPS6124236A (ja) | スパツタ膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090210 |