KR960019528A - 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법, 그 방법에 의하여 제조된 실리콘 기판 및 그 기판을 이용한 반도체 소자 - Google Patents

실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법, 그 방법에 의하여 제조된 실리콘 기판 및 그 기판을 이용한 반도체 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법으로서, 절연산화물이 형성된 실리콘 웨이퍼를 산화 분위기에서 백금을 증착함으로써 백금, 백금 산화물 및 백금 입자에 흡착된 산소로 이루어진 혼합물 박막(즉, “산소가 포함된 백금 박막”)을 형성하고, 완전 불활성 분위기중에서 상기 산소가 포함된 백금 박막상에 원하는 두께의 순수 백금 박막을 증착한후, 상기 산소가 포함된 백금 박막층중에 독자적으로, 혹은 백금 산화물 형태로서 존재하는 산소의 제거와 함께 백금 박막 전체의 안정화를 목적으로 상기 기판을 400~1300℃의 온도로서 열처리하는 단계들을 포함한다.
본 발명의 방법에 의하면, 산소가 포함된 백금 박막층은 불활성 분위기하에서 그 위에 증착되는 순수한 백금과 실리콘 기판(SiO2/Si) 사이에서 일시적으로서 접착층의 기능을 하고, 열처리 단계후에 산소가 빠져 나가면서 결과적으로 순수 백금 박막으로 전환되며, 이에 따라 형성된 실리콘 기판은 백금 박막과 절연 산화물간에 실질적으로 접착층이 존재하지 않게 된다.

Description

실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법, 그 방법에 의하여 제조된 실리콘 기판 및 그 기판을 이용한 반도체 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1B도는 본 발명의 실시예에 따른 제조 공정 모식도.

Claims (10)

  1. 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법으로서, i) 실리콘 웨이퍼를 제공하는 단계와, ii) 상기 웨이퍼 표면에 절연 산화물을 형성하는 단계와, iii) 산화 분위기중에서 상기 절연 산화물상에 백금을 증착함으로써 백금, 백금 산화물 및 백금 입자에 흡착된 산소로 이루어진 혼합물 박막(이하, “산소가 포함된 백금 박막”이라 칭함)을 형성하는 단계와, iv) 완전 불활성 분위기중에서 상기 산소가 포함된 백금 박막상에 원하는 두께의 순수 백금 박막을 증착하는 단계와, v) 상기 산소가 포함된 백금 박막층중에 독자적으로, 혹은 백금 산화물 형태로서 존재하는 산소의 제거와 함께 백금 박막 전체의 안정화를 목적으로 상기 기판을 400~1300℃의 온도로서 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 iii) 단계에서 형성된 백금 박막은 상기 v) 단계 실시 후에는 실질적으로 산소를 포함하지 않는 순수 백금 박막으로 전환되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 ii) 단계에서 웨이퍼에 형성된 산화물은 SiO2Al2O3, 또는 MgO중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 iii) 단계에서 산화 분위기는 산소 또는 산소와 불활성 가스로 이루어진 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산소가 포함된 백금층을 형성하는 iii) 단계가 DC/RF 마그네트론 스퍼터링법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 산소가 포함된 백금층을 형성하는 iii) 단계가 진공 증발법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 산소가 포함된 백금층을 형성하는 iii) 단계가 MOCVD 법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 산소가 포함된 백금층을 혀성하는 iii) 단계가 이온 도금법(ion plating)으로 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법.
  8. 실리콘 웨이퍼상의 절연 산화물 및 그 절연 산화물상의 백금 박막 전극을 구비하며, 절연 산화물과 백금 박막 사이에 접착층이 존재하는 않는 반도체 소자 제조 방법으로서, i) 웨이퍼를 제공하는 단계와, ii) 상기 웨이퍼 표면상 SiO2, Al2O3및 MgO로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 절연 산화물을 형성하는 단계와, iii) 산화 분위기중에서 상기 절연 산화물 박막상에 백금을 증착함으로써, 백금, 백금 산화물 및 백급 입자에 흡착된 산소로 이루어진 혼합물 박막(이하, “산소가 포함된 백금 박막”이라 칭함)을 형성하는 단계와, iv) 완전 불활성 가스 분위기중에서 상기 산소가 포함된 백금 박막상에 원하는 두께의 순수 백금 박막을 증착하는 단계와, v) 상기 산소가 포함된 백금 박막층에 독자적으로, 혹은 백금 산화물 형태로서 존재하는 산소의 제거와 함께 백금 박막 전체의 안정화를 목적으로 상기 기판을 400~1300℃의 온도로서 열처리하는 단계와, vi) 백금 박막 표면상에 실리콘 집적 회로용 박막, 강유전성 박막, 자성체 박막, 압전체 박막, 유전체 박막중 어느 하나 이상의 박막을 형성하는 단계와, vii) 상기 vi) 단계에서 형성된 박막 및 백금 박막을 식각하여 원하는 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 강유전성 박막은 BT(BaTiO3), PT(PbTiO3), PZT(PbZr1-xTixO3), PLZT(Pb1-xLaxZr1-yTiyO3), BST(Ba1-xSrxTiO3), Yl등으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 백금 박막을 구비하는 실리콘 기판으로서, 절연 산화물 박막과 백금 박막 사이에 접착층이 존재하는 않는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950040450A 1994-11-26 1995-11-09 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법, 그 방법에 의하여 제조된 실리콘 기판 및 그 기판을 이용한 반도체 소자 KR0174594B1 (ko)

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