JP4680752B2 - 白金薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
上述したことにより生成されたプラズマは、磁気コイル210の発散磁場によりプラズマ生成室202より処理室201の側に放出される。
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 39.68 39.99 39.92
+800℃・3min 40.00 40.04 40.04
+800℃・3hour 40.04 40.04 40.04
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 76 140 226
+800℃・3min 115 187 314
+800℃・3hour 119 182 325
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 8.6 6.3 4.1
+800℃・3min 7.9 6.2 3.2
+800℃・3hour 7.9 6.2 3.2
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 1.53 1.41 2.38
+800℃・3min 1.09
+800℃・3hour 1.05
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 26.0 14.3 12.8
+800℃・3min 20.0 12.8 13.2
+800℃・3hour 18.3 13.1 13.1
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 5.9 8.7 3.3
+800℃・3min 8.6
+800℃・3hour 9.7
Claims (1)
- 基板の上に酸化シリコン層が形成された状態とする第1工程と、
不活性ガスからなるプラズマを生成し、白金から構成されたターゲットに負のバイアスを印加して前記プラズマより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する白金を前記酸化シリコン層の上に堆積することで、白金薄膜が前記酸化シリコン層の上に形成された状態とする第2工程と
を備え、
前記プラズマは、電子サイクロトロン共鳴により生成されて発散磁界により運動エネルギーが与えられて前記酸化シリコン層の表面に照射される電子サイクロトロン共鳴プラズマであり、
前記第2工程において、前記基板が300℃に加熱された状態とする
ことを特徴とする白金薄膜の形成方法。
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JP2005327115A JP4680752B2 (ja) | 2005-11-11 | 2005-11-11 | 白金薄膜の形成方法 |
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- 2005-11-11 JP JP2005327115A patent/JP4680752B2/ja not_active Expired - Fee Related
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