JPH06158275A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 貴金属（Ｐｔ）を有する層と遷移金属（Ｃ
ｏ）を有する層を交互に積層して成る交互積層膜を、透
光性の下地層（ＺｎＯ）を介して基板上に成膜して成る
光磁気記録媒体の保磁力を、高密度記録可能なように向
上させる。 【構成】 上記構成の交互積層膜の成膜後に、該交互積
層膜を加熱処理することを特徴とする光磁気記録媒体2
の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、白金（Ｐｔ）族／遷移
金属（Ｃｏ）の交互積層膜を記録磁性層として有する光
磁気記録媒体の製造方法に関する。詳しくは、高密度記
録に必要とされる保磁力の向上に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２に示す構造の光磁気記録媒体が提案
されている（電子情報通信学会技術研究報告，ＭＲ９１
−７８，１９９２）。これは、ガラス又はポリカ−ボネ
−トの基板7 上に、ＺｎＯ又はＳｉＮの下地層8 を成膜
し、その上に、記録磁性層として、Ｐｔ／Ｃｏの交互積
層膜を、各Ｃｏ層9 の厚さを5 Å，各Ｐｔ層10の厚さを
17Å程度に、合計9 層に形成して成るものである。な
お、Ｐｔ／Ｃｏの交互積層膜は、高密度記録に必要な短
波長側で比較的良好な磁気光学効果を奏するが、保磁力
の点で従前の希土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）アモルフ
ァス合金の記録磁性層よりも劣るという問題点があり、
その改善が望まれているものである。

【０００３】上記ＭＲ９１−７８の光磁気記録媒体で
は、Ｐｔ（１１１）面がＺｎＯ（００１）面に重なるよ
うに成膜されており、これにより、Ｐｔ（１１１）の配
向性が向上されて、保磁力が改善されている。なお、保
磁力は、ＺｎＯ層8 の膜厚の増加とともに増加している
が、垂直磁気異方性は、ＺｎＯ層8 の膜厚1000Å付近か
ら減少に転じており、さらに、膜厚2000Å付近からは急
激に減少している。このため、上記研究報告の光磁気記
録媒体では、ＺｎＯ層8 の膜厚の最適範囲は、800 〜20
00Å、好ましくは、1200〜1600Å程度とされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記ＭＲ９１−７８の
光磁気記録媒体の保磁力は、ＺｎＯ層8 の膜厚が上記の
最適範囲では２[KOe] に満たず、不十分である。本発明
は、高密度記録に必要な保磁力を、上記ＭＲ９１−７８
よりも、さらに向上させることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、貴金属を有す
る層と遷移金属を有する層を交互に積層して成る交互積
層膜を、透光性の下地層を介して基板上に成膜した後、
前記交互積層膜を加熱処理することを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法である。

【０００６】上記に於いて、交互積層膜としては、Ｐｔ
／Ｃｏ，ＰｔＰｄ／Ｃｏ，Ｐｔ／ＦｅＣｏ，Ｐｄ／Ｆｅ
Ｃｏ，Ｐｔ／Ｆｅ等を用いることができる。また、交互
積層膜の加熱処理は、成膜後の光磁気記録媒体の全体を
加熱槽内にセットして行ってもよく、レ−ザビ−ムによ
り交互層膜を走査して行ってもよい。加熱温度、加熱時
間の最適範囲については、実施例で詳述する。なお、光
磁気記録媒体の加熱処理については、特開昭59-34618号
公報、及び特開平4-21943 号公報でも言及されている
が、前者は、ＧｄＴｂＦｅを磁気光学薄膜として有する
光磁気記録媒体を、キュリ−点に近い温度に加熱するこ
とでＳＮ比を向上させるものである。また、後者は、希
土類−遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）アモルファス合金を磁性
薄膜として有する光磁気記録媒体を、比較的低温で加熱
することで上記磁性薄膜の構造を緩和して、記録・消去
・再生特性を安定化させるものである。即ち、本発明の
ように、貴金属／遷移金属の交互積層膜を記録磁性層と
して有する光磁気記録媒体の配向性を向上させるもので
はない。

【０００７】

【作用】加熱処理により、貴金属／遷移金属の交互積層
膜の貴金属（例：Ｐｔ）の配向性が向上して、保磁力が
増加する。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図２はＰ
ｔ／Ｃｏ交互積層膜をＺｎＯ下地層を介して基板（ガラ
ス又はポリカ−ボネ−ト）上に成膜して成る光磁気記録
媒体の断面構造を示す模式図、図３は基板上にＺｎＯ下
地層及びＰｔ／Ｃｏ交互積層膜を成膜して図２の光磁気
記録媒体を製造するためのスパッタリング装置の模式図
である。

【０００９】図３の装置は、真空槽11と、真空槽11内の
上方位置に支持軸18によって回転可能に支持された基板
ホルダ17と、真空槽11内の空間をタ−ゲット8a、9a、10
a に各々対応して区分する隔壁12、13と、上記各タ−ゲ
ット8a、9a、10a に各々接続される高周波電源19、20、
21とを備えており、基板7 は基板ホルダ17の下面側の軸
心から偏心した位置に取付けられている。なお、真空槽
11の吸気系・排気系等の他の公知の部材についての説明
は省略する。

【００１０】まず、所定のスパッタリング圧力に設定さ
れた真空槽11内で、基板ホルダ17を或る所定の速度で回
転させつつ、電源19をオンさせる。即ち、タ−ゲット8a
により基板7 の表面にＺｎＯの下地層8 を成膜する。次
に、基板ホルダ17を或る所定の速度で回転させつつ、電
源20、21をオンさせる。即ち、タ−ゲット9a、10a によ
り、ＺｎＯ下地層8 の表面にＣｏとＰｔとを交互に積層
する。ここに、下地層8 の膜厚は1200〜1600Åの範囲内
となるように、また、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜の総膜厚は
200 Å程度となるように、それぞれ設定した。また、各
Ｃｏ層9 の厚さは5 Å，各Ｐｔ層10の厚さは17Åとし
た。

【００１１】加熱方法１ 加熱方法１では、前記図２の光磁気記録媒体2 の全体
を、図１の加熱装置の真空炉1 内の回転ホルダ3 にセッ
トして、ヒ−タ−4 により均一に加熱する。加熱は、温
度，時間，雰囲気を種々変えて行った。各サンプルにつ
いて、保磁力ＨｃとＰｔ（１１１）の配向性とを調べ
た。その結果を、図４（保磁力）及び図５（配向性）に
示す。

【００１２】図４の（ａ）は、加熱時間を30分に固定し
て加熱温度を変えた場合である。なお、破線は大気中を
示し、実線は真空（５×１０^-4Torr以下）中を示す。図
４の（ａ）では、加熱温度が200 ℃以上で保磁力Ｈｃの
向上が観察され、300 〜400 ℃で、保磁力Ｈｃはより大
きくなっている。例えば、加熱無し（温度25℃のポイン
ト）の場合、保磁力Ｈｃは0.93[KOe] であるが、大気中
350 ℃での加熱後は、5.85[KOe] と約6 倍に向上してい
る。また、真空中300 ℃での加熱後には、1.91[KOe] と
約2 倍に向上している。

【００１３】図４の（ｂ）は、加熱温度を300 ℃と一定
にして、加熱時間を変えた場合である。なお、破線及び
実線は、図４の（ａ）と同様である。図４の（ｂ）から
は、大気中での加熱の場合は30分で、真空中での加熱の
場合は1 時間で、それぞれ保磁力Ｈｃが飽和することが
認められる。特に真空中の場合は、加熱時間が2 時間を
越えると、保磁力Ｈｃに若干の低下が認められる。

【００１４】図５の（ａ）は、加熱時間を30分に固定し
て加熱温度を変えた場合のＰｔ（１１１）配向性を示
す。なお、縦軸（配向性）の目盛は、加熱無し（温度25
℃のポイント）の場合を“１”として規格化されてい
る。図５の（ａ）からは、加熱温度の増加とともに、配
向性が向上していることが認められる。

【００１５】図５の（ｂ）は、加熱温度を300 ℃と一定
にして、加熱時間を変えた場合のＰｔ（１１１）配向性
を示す。なお、縦軸（配向性）の目盛は、図５の（ａ）
と同様に、加熱時間０を“１”として規格化されてい
る。図５の（ｂ）からは、加熱時間が30分程度で配向性
が最良となり、以後、徐々に低下していることが認めら
れる。なお、この図５の（ｂ）の傾向は、前記図４の
（ｂ）と類似している。

【００１６】加熱方法２ 加熱方法２では、図６に模式的に示すように、ホルダ5
により支持されて回転されている前記図２の光磁気記録
媒体2 のＰｔ／Ｃｏ交互積層膜を、レ−ザビ−ム6 によ
り照射して加熱する。加熱は、レ−ザビ−ムのパワ−を
種々変えて行い、ホルダ5 の回転速度（Ｐｔ／Ｃｏ交互
積層膜を照射するレ−ザビ−ム6 の線速度）は、5[m/se
c]とした。保磁力の測定結果を図７に示す。

【００１７】図７からは、レ−ザパワ−が5[mW] 以上
で、保磁力Ｈｃが向上していることが認められる。例え
ば、10[mW]では、保磁力は1.58[KOe] であり、これは、
照射無し（レ−ザパワ−０のポイント）の場合の約1.4
倍である。また、加熱方法２では、基板の加熱量が小さ
いため、ポリカ−ボネ−トのように熱に弱い基板の場合
でも、損傷の恐れが無い。

【００１８】上記では、Ｐｔ／Ｃｏ交互積層膜について
述べているが、Ｐｔ／Ｃｏ，ＰｔＰｄ／Ｃｏ，Ｐｔ／Ｆ
ｅＣｏ，Ｐｄ／ＦｅＣｏ，Ｐｔ／Ｆｅ等の交互積層膜に
ついても本発明を適用できる。また、上記では、ＺｎＯ
の下地層について述べているが、ＳｉＮの下地層につい
ても本発明を適用できる。

【００１９】

【発明の効果】以上、本発明の製法によると、加熱処理
によって貴金属／遷移金属交互積層膜の貴金属の配向性
が向上して保磁力が増加するため、高密度記録に適する
光磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の加熱方法１を実施する装置の模式図で
ある。

【図２】実施例で加熱されるべき光磁気記録媒体の断面
構造を示す模式図である。

【図３】図２の光磁気記録媒体を製造するスパッタリン
グ装置の模式図である。

【図４】図１の装置で加熱された光磁気記録媒体の保磁
力と加熱温度の関係を示す特性図と、保磁力と加熱時間
の関係を示す特性図である。

【図５】図１の装置で加熱された光磁気記録媒体のＰｔ
（１１１）の配向性と加熱温度の関係を示す特性図と、
上記配向性と加熱時間の関係を示す特性図である。

【図６】実施例の加熱方法２を示す模式図である。

【図７】図２の方法で加熱された光磁気記録媒体の保磁
力と加熱レ−ザパワ−の関係を示す特性図である。

【符号の説明】

１ 真空炉 ２ 加熱対象の光磁気記録媒体 ３ 回転ホルダ ４ ヒ−タ− ５ 回転ホルダ ６ レ−ザビ−ム ７ 基板 ８ ＺｎＯの下地層 ９ Ｃｏ層 １０ Ｐｔ層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貴金属を有する層と遷移金属を有する層
   を交互に積層して成る交互積層膜を、透光性の下地層を
   介して基板上に成膜した後、前記交互積層膜を加熱処理
   することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。