JP4913401B2 - 白金薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
以上に説明したように、従来では、<111>方向に配向し、平坦性に優れ、酸化シリコンとの密着性に優れるという要求を同時に満たした状態で、白金薄膜を形成する技術が提案されていない。
第1試料 第2試料
成膜処理のみ 39.88 39.6
真空加熱 40.04 40.04
酸素雰囲気加熱 40.04 40.00
Ar中加熱 40.00 39.96
第1試料 第2試料
成膜処理のみ 140 32
真空加熱 182 78
酸素雰囲気加熱 199 102
Ar中加熱 195 302
第1試料 第2試料
成膜処理のみ 6.2 9.3
真空加熱 6.2 8.2
酸素雰囲気加熱 6.0 7.0
Ar中加熱 6.1 2.8
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 1.26 1.06 6.29
真空加熱 1.05 1.88 5.67
酸素雰囲気加熱 1.28 2.56 6.20
Ar中加熱 1.29 1.52
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 14.3 22.5 13.3
真空加熱 13.1 12.8 14.6
酸素雰囲気加熱 13.1 12.6 14.3
Ar中加熱 13.1 11.9
第1試料 第2試料 第3試料
成膜処理のみ 8.7 110 67
真空加熱 9.7 7.0
酸素雰囲気加熱 91 91
Ar中加熱 9.7
成膜処理のみ ×
300℃酸素雰囲気加熱 ×
400℃酸素雰囲気加熱 ○
Claims (4)
- シリコン酸化物からなる酸化シリコン層の上に白金薄膜を形成する白金薄膜の形成方法において、
不活性ガスからなるプラズマを生成し、白金から構成されたターゲットに負のバイアスを印加して前記プラズマより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する白金を前記酸化シリコン層の上に堆積することで、前記白金薄膜が前記酸化シリコン層の上に形成された状態とする第1の工程と、
前記第1の工程後の後処理により、前記酸化シリコン層と前記白金薄膜との界面に、酸素と白金とから構成された遷移層が形成された状態とする第2の工程と
を備え、
前記第1の工程で生成する前記プラズマは、電子サイクロトロン共鳴により生成されて発散磁界により運動エネルギーが与えられて前記酸化シリコン層の表面に照射される電子サイクロトロン共鳴プラズマであり、
前記第2の工程では、前記酸化シリコン層の上に形成された前記白金薄膜を酸素雰囲気下で加熱することで前記白金薄膜に酸素分子を浸透させて、前記遷移層が形成された状態とする
ことを特徴とする白金薄膜の形成方法。 - 請求項1記載の白金薄膜の形成方法において、
前記第2の工程における前記加熱は、400〜900℃の範囲である
ことを特徴とする白金薄膜の形成方法。 - シリコン酸化物からなる酸化シリコン層の上に白金薄膜を形成する白金薄膜の形成方法において、
不活性ガスからなるプラズマを生成し、白金から構成されたターゲットに負のバイアスを印加して前記プラズマより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する白金を前記酸化シリコン層の上に堆積することで、前記白金薄膜が前記酸化シリコン層の上に形成された状態とする第1の工程と、
前記第1の工程後の後処理により、前記酸化シリコン層と前記白金薄膜との界面に、酸素と白金とから構成された遷移層が形成された状態とする第2の工程と
を備え、
前記第1の工程で生成する前記プラズマは、電子サイクロトロン共鳴により生成されて発散磁界により運動エネルギーが与えられて前記酸化シリコン層の表面に照射される電子サイクロトロン共鳴プラズマであり、
前記第1の工程では、前記プラズマが生成されている中に酸素ガスが導入された状態とし、
前記第2の工程では、前記酸化シリコン層の上に形成された前記白金薄膜を酸素雰囲気下で加熱することで前記白金薄膜に酸素分子を浸透させて、前記遷移層が形成された状態とする
ことを特徴とする白金薄膜の形成方法。 - 請求項3記載の白金薄膜の形成方法において、
前記第1の工程で導入する前記酸素ガスは、前記不活性ガスに対して4〜12%の範囲の流量比で導入し、
前記第2の工程における前記加熱は、400〜900℃の範囲とする
ことを特徴とする白金薄膜の形成方法。
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