JP2002004034A - 蒸着用マスクおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】マスク取り外し時に発生する蒸着パターンの変
形や欠落を防止することが可能な蒸着用マスクを提供す
る。 【解決手段】マスク層３を含むマスク基板１０と、その
マスク層３に形成され、蒸着源に向かって先細りした形
状のマスク開口部５を有するマスクパターン４とを備え
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、蒸着用マスクお
よびその製造方法に関し、より特定的には、有機ＥＬ膜
などの蒸着材料を基板に蒸着する際に用いる蒸着用マス
クおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、蒸着材料を基板に蒸着する際に用
いる蒸着用マスクが知られている。このような蒸着用マ
スクは、例えば、カラー表示の有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイの製造プ
ロセスにおいて、発光層である有機ＥＬ膜の形成時に有
機ＥＬ膜を蒸着する際に用いられる。図１５は、従来の
有機ＥＬ膜の蒸着の際に用いられる蒸着用マスクを示し
た断面図である。また、図１６および１７は、図１５に
示した従来の蒸着用マスクを用いて有機ＥＬ膜を蒸着す
る際のプロセスを示した模式図である。

【０００３】図１５を参照して、従来の蒸着用マスクで
は、金属からなるマスク基板１０１にマスク開口部１０
２が複数個設けられている。このような金属からなるマ
スク基板１０１を用いて蒸着を行う場合には、まず、図
１６に示すように、被蒸着基板１３０の蒸着側表面にマ
スク基板１０１をセットする。そして、蒸着源１５０か
ら被蒸着基板１３０に向かって蒸着粒子１５０ａを飛散
させる。これにより、蒸着粒子１５０ａは、マスク基板
１０１のマスク開口部１０２内の被蒸着基板１３０上に
蒸着されて蒸着物１５１となる。また、蒸着粒子１５０
ａは、マスク基板１０１上にも蒸着されて蒸着物１５２
となる。

【０００４】上記のような蒸着を行った後、図１７に示
すように、マスク基板１０１を取り外すことによって、
被蒸着基板１３０上に蒸着物１５１からなる蒸着パター
ンが形成された構造が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のマスク
基板１０１を用いて蒸着を行う方法では、図１６に示し
たように、被蒸着基板１３０上に形成される蒸着物１５
１は、マスク基板１０１のマスク開口部１０２の側壁に
も接触および固着して蒸着される。このため、図１７に
示したように、マスク基板１０１を取り外す際に、蒸着
物１５１の一部１５１ａが同時に除去されてしまうとい
う不都合があった。その結果、マスク基板１０１の取り
外し時に、蒸着物１５１からなる蒸着パターンの変形や
欠落が発生するという問題点があった。このため、従来
のマスク基板１０１では、設計通りの蒸着パターンを得
ることが困難であった。

【０００６】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の一つの目的は、
マスク基板の取り外し時に発生する蒸着パターンの変形
や欠落を防止することが可能な蒸着用マスクを提供する
ことである。

【０００７】この発明のもう一つの目的は、上記のよう
な蒸着用マスクを容易に製造することが可能な蒸着用マ
スクの製造方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１における蒸着用
マスクは、蒸着材料を基板に蒸着する際に用いる蒸着用
マスクであって、マスク層を含むマスク基板と、そのマ
スク層に形成され、蒸着源の方向に向かって先細りした
形状のマスク開口部を有するマスクパターンとを備えて
いる。請求項１では、このように構成することによっ
て、蒸着用マスクを用いて基板に蒸着物を蒸着する際
に、マスク開口部内に形成される蒸着物がマスク開口部
の側壁に接触または固着するのが防止される。これによ
り、蒸着後に、蒸着用マスクを取り外す際に、蒸着物に
変形や欠落が発生するのを有効に防止することができ
る。その結果、設計どおりの蒸着パターンを得ることが
できる。

【０００９】請求項２における蒸着用マスクでは、請求
項１の構成において、マスク開口部は、マスク層をドラ
イエッチングすることによって形成されたテーパ形状の
貫通穴を含む。請求項２では、このように構成すること
によって、ドライエッチングの条件を調節することによ
り容易にテーパ形状の貫通穴を形成することができる。
また、ドライエッチングを用いることにより、マスクパ
ターンを高精度に形成することが可能となる。

【００１０】請求項３における蒸着用マスクでは、請求
項１または２の構成において、マスク基板は、さらに、
マスク層の支持部となる支持層と、支持層とマスク層と
の間に形成されたエッチングストッパ層とを含む。請求
項３では、このように構成することによって、エッチン
グストッパ層をエッチングストッパとして、マスク層を
選択的にドライエッチングすることができるとともに、
支持層を選択的にエッチングすることができる。その結
果、容易に、マスク層にマスクパターンを形成すること
ができるとともに、支持層に裏面開口部を形成すること
ができる。

【００１１】請求項４における蒸着用マスクでは、請求
項３の構成において、エッチングストッパ層は、マスク
層をドライエッチングする際のエッチングストッパとな
る。請求項４では、このように構成することにより、容
易にマスク層をドライエッチングすることができ、その
結果、エッチング条件を調節すれば、テーパ形状のマス
ク開口部を有する高精度なマスクパターンを得ることが
できる。

【００１２】請求項５における蒸着用マスクでは、請求
項１〜４のいずれかの構成において、マスク層のマスク
パターンが形成される領域に対応する支持層およびエッ
チングストッパ層の領域には、マスクパターンに達する
裏面開口部が形成されている。請求項３では、このよう
にマスクパターンに達する裏面開口部を設けることによ
って、容易にマスクパターン部分の厚みを薄く形成する
ことができる。これにより、微細化に適した蒸着用マス
クを得ることができる。

【００１３】請求項６における蒸着用マスクでは、請求
項５の構成において、エッチングストッパ層は、裏面開
口部の形成時に支持層をエッチングする際のエッチング
ストッパとなる。請求項６では、このように構成するこ
とによって、支持層をエッチングにより選択的に除去す
ることができる。その結果、容易に支持層に裏面開口部
を形成することができる。

【００１４】請求項７における蒸着用マスクの製造方法
は、マスク層と、エッチングストッパ層と、支持層とを
含む蒸着用マスクの製造方法であって、支持層上にエッ
チングストッパ層を介してマスク層を形成する工程と、
エッチングストッパ層をエッチングストッパとして、マ
スク層をドライエッチングすることによって、蒸着源の
方向に向かって先細りしたテーパ形状のマスク開口部を
有するマスクパターンを形成する工程と、エッチングス
トッパ層をエッチングストッパとして、マスクパターン
を形成した領域に対応する支持層の領域をエッチングに
より除去した後、マスクパターンを形成した領域に対応
するエッチングストッパ層の領域を除去することによっ
て、マスクパターンに達する裏面開口部を形成する工程
とを備えている。請求項７では、このように構成するこ
とによって、エッチングストッパ層を用いて、テーパ形
状のマスク開口部を有するマスクパターンと、マスクパ
ターンに達する裏面開口部とを容易に形成することがで
きる。これにより、蒸着時に、基板の蒸着物がマスク開
口部の側壁に接触または固着するのを防止することが可
能な蒸着用マスクを容易に製造することができる。

【００１５】請求項８における蒸着用マスクの製造方法
では、請求項７の構成において、エッチングストッパ層
をエッチングストッパとして支持層をエッチングする工
程は、エッチングストッパ層と支持層とで大きなエッチ
ングレートの差を有するエッチング溶液を用いてエッチ
ングする工程を含む。請求項８では、このように構成す
ることによって、支持層を容易に選択的にエッチングす
ることができる。

【００１６】請求項９における蒸着用マスクの製造方法
では、請求項７または８の構成において、エッチングス
トッパ層をエッチングストッパとして支持層をエッチン
グする工程は、支持層をエッチング速度の速いエッチン
グ溶液で途中までエッチングする工程と、その後、エッ
チングストッパ層と支持層とで大きなエッチングレート
の差を有するエッチング溶液に切り替えて支持層の残り
の部分をエッチングする工程とを含む。請求項９では、
このようにエッチング速度の速いエッチング溶液で支持
層を途中までエッチングした後、エッチングストッパ層
と支持層とで大きなエッチングレートの差を有するエッ
チング溶液に切り替えて支持層の残りの部分をエッチン
グすることによって、エッチングによる支持層の除去時
間を短縮することができる。その結果、エッチング工程
に要する時間を短縮することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施形
態を図面に基づいて説明する。

【００１８】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態による蒸着用マスクを示した断面図であり、図２
は、図１に示した第１実施形態による蒸着用マスクの上
面図である。また、図３は、図１および図２に示した第
１実施形態の蒸着用マスクを用いて蒸着を行う場合のプ
ロセスを説明するための模式図である。

【００１９】まず、図１および図２を参照して、この第
１実施形態による蒸着用マスクでは、マスク基板１０
は、シリコンからなる支持層１と、シリコン酸化膜から
なるエッチングストッパ層２と、シリコンからなるマス
ク層３との３層構造を有する。支持層１は、マスク基板
１０全体の機械的強度を保持するためのものであり、約
１００μｍ〜約８００μｍの膜厚を有する。また、支持
層１は、（１００）面を持つＮタイプの単結晶シリコン
からなる。

【００２０】また、エッチングストッパ層２は、約１μ
ｍ〜約１０μｍの膜厚を有し、マスク製造時にエッチン
グストッパとしての役割を果たす。このエッチングスト
ッパ層２は、マスク層３の加工精度を向上させる機能も
有する。マスク層３は、マスクパターン４が形成される
部分であり、約１０μｍ〜約１００μｍの膜厚を有す
る。このマスク層３は、（１００）面を持つＮタイプの
単結晶シリコンからなる。

【００２１】ここで、第１実施形態による蒸着用マスク
のマスク基板１０では、マスク層３に設けられたマスク
開口部５がテーパ形状を有している。このマスク開口部
５のテーパ形状は、蒸着プロセスの際に、蒸着源の方向
に向かって先細りするテーパ形状である。また、マスク
層３のマスクパターン４が形成される領域に対応する支
持層１およびエッチングストッパ層２の領域には、裏面
開口部６が形成されている。

【００２２】また、第１実施形態による蒸着マスクで
は、図２に示すように、中央部分に、周囲の梁部分より
遙かに薄いマスクパターン４が存在する。そして、その
マスクパターン４中にテーパ形状を有するマスク開口部
５が複数形成されている。

【００２３】次に、図３を参照して、第１実施形態によ
るマスク基板１０を使用して蒸着する際のプロセスにつ
いて説明する。まず、被蒸着基板３０の表面に、マスク
基板１０をセットする。この状態で、蒸着源５０から被
蒸着基板３０に向かって蒸着粒子５０ａを飛散させる。
これにより、マスク層３のマスク開口部５内の被蒸着基
板３０の表面上に蒸着物５１が形成される。また、マス
ク層３の裏面および支持層１の裏面にも蒸着物５２が形
成される。この後、マスク基板１０を被蒸着基板３０か
ら取り外すことによって、その表面に蒸着物５１からな
る蒸着パターンが形成された被蒸着基板３０を得ること
ができる。

【００２４】第１実施形態では、上記のように、蒸着源
の方向に向かって先細りしたテーパ形状のマスク開口部
５を設けることによって、そのマスク開口部５の側壁に
被蒸着物５１が接触または固着するのを防止することが
できる。その結果、マスク基板１０を取り外す際に、被
蒸着基板３０上に形成された蒸着物５１に変形や欠落が
発生するのを有効に防止することができる。

【００２５】また、マスク基板１０をエッチングストッ
パ層２を含むように構成することにより、後述するマス
ク基板１０の製造プロセスにおいて、そのエッチングス
トッパ層２をエッチングストッパとして、マスク層３を
ドライエッチングすることができる。その結果、エッチ
ング条件を調節することにより容易にテーパ形状のマス
ク開口部５を形成することができる。また、シリコンか
らなるマスク層３をドライエッチングすることによっ
て、マスクパターン４を高精度に形成することが可能と
なる。

【００２６】さらに、エッチングストッパ層２が、裏面
開口部６の形成時に支持層１をエッチングする際のエッ
チングストッパとなるので、支持層１をエッチングによ
り選択的に除去することができる。その結果、容易に支
持層１に裏面開口部６を形成することができる。

【００２７】図４〜図１０は、図１に示した第１実施形
態による蒸着用マスクの製造プロセスを説明するための
断面図である。図４〜図１０を参照して、次に、第１実
施形態による蒸着用マスクの製造プロセスについて説明
する。

【００２８】まず、図４に示すように、シリコンからな
る支持層１上に、シリコン酸化膜からなるエッチングス
トッパ層２を介して、シリコンからなるマスク層３を形
成する。これにより、３層構造のマスク基板１０が得ら
れる。なお、図４に示した３層構造のマスク基板１０
は、一般に、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ）と呼ばれており、その作成方法については
既によく知られているので、ここでは詳細は省略する。

【００２９】次に、図５に示すように、マスク層３上
に、プラズマＣＶＤ法などを用いて、シリコン酸化膜７
を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術とドライ
エッチング技術とを用いて、シリコン酸化膜７に、テー
パ形状の開口部９を有するパターン８を形成する。この
場合、シリコン酸化膜７のエッチングを、例えば、プラ
ズマ出力：５００Ｗ、圧力：９Ｐａ、基板温度：２０
℃、ガス比率をＣＦ₄：Ａｒ：Ｏ₂＝３：６：１の条件下
で行うと、約１０度のテーパ角度を有する開口部９が形
成される。

【００３０】このテーパ角度は、ガス比率を変えること
により容易に変更することができる。具体的には、Ｏ₂
を増加し、Ａｒを少なくすることによって、テーパ角度
を大きくすることができる。開口部９のテーパ角度は、
５度〜５０度の範囲内で調整する。

【００３１】次に、図６に示すように、シリコン酸化膜
７のパターン８をマスクとして、シリコンからなるマス
ク層３をドライエッチング（異方性エッチング）するこ
とによって、シリコン酸化膜７の開口部９のテーパ形状
を反映したテーパ形状を有するマスク開口部５が形成さ
れる。この場合のエッチング条件としては、プラズマ出
力：２００Ｗ、圧力：１３Ｐａ、基板温度：２０℃、ガ
ス比率 ＨＢｒ：Ｃｌ ₂＝１：３である。このマスク開
口部５の形成時のドライエッチングにおいて、エッチン
グストッパ層２は、エッチングストッパとして働く。こ
のようにして、テーパ形状のマスク開口部５を有するマ
スクパターン４を形成することができる。この後、シリ
コン酸化膜７を除去する。

【００３２】次に、図７に示すように、マスク層３の表
面を覆うように表面保護用シート１１を形成するととも
に、支持層１の裏面の一部に、裏面エッチング用マスク
１２を形成する。表面保護用シート１１および裏面エッ
チング用マスク１２は、ＰＶＣ（ポリビニルクロライ
ド）系の材料からなり、後述するフッ酸／硝酸／水の混
合液からなるエッチング溶液に対して、ほとんどエッチ
ングされない。なお、裏面エッチング用マスク１２を支
持層１の裏面に貼り付ける際には、パターンが大きく比
較的精度が要求されないので、あらかじめパターンを形
成したシートを貼り付ける程度で、精度的には十分であ
る。

【００３３】次に、図８に示すように、裏面エッチング
用マスク１２をマスクとして、フッ酸／硝酸／水の混合
液からなるエッチング溶液を用いて、シリコンからなる
支持層１の裏面をウェットエッチングする。このフッ酸
／硝酸／水の混合液による支持層１のエッチングは、等
方的に進行するので、エッチングされた領域は、図８に
示すような断面形状となる。フッ酸／硝酸／水の混合比
は、１：４：１であり、このときのシリコンのエッチン
グレートは約６μｍ／分であり、大きなエッチングレー
トを有する。これにより、シリコンからなる支持層１の
裏面エッチングを迅速に行うことができる。

【００３４】ここで、このフッ酸／硝酸／水の混合液か
らなるエッチング溶液は、シリコン酸化膜からなるエッ
チングストッパ層２に対してもエッチングレートが大き
いため、このエッチング溶液を用いる場合には、シリコ
ン酸化膜からなるエッチングストッパ層２をエッチング
ストッパとして機能させることが困難である。したがっ
て、支持層１が薄く残った状態（１μｍ〜１００μｍ程
度）で上記したフッ酸／硝酸／水の混合液によるウェッ
トエッチングを終了し、後述するように、ＫＯＨによる
ウェットエッチングに切り替える。なお、フッ酸／硝酸
／水の混合液によるウェットエッチングを終了した後、
表面保護用シート１１および裏面エッチング用マスク１
２をアセトンなどの有機系溶剤によって除去する。

【００３５】次に、図９に示すように、マスク層３上
に、アピエゾンワックス１３を介してガラス板１４を貼
り付けるとともに、支持層１のエッチングされていない
部分にもアピエゾンワックス１５を塗布する。ガラス板
１４は、機械的強度を保つために設けられており、約１
００μｍ〜約８００μｍの厚みを有する。なお、ガラス
板１４は、機械的強度を保持でき、かつ、後述する裏面
エッチング時にシリコンよりも十分にエッチングレート
が低い材料であれば他の材料であってもよく、例えば、
セラミックスや石英などでもよい。

【００３６】アピエゾンワックス１３および１５は、Ｋ
ＯＨに対するエッチング耐性が強く、比較的低い温度で
粘性が低くなる特性を有している。支持層１の裏面に形
成されるアピエゾンワックス１５は、支持層１の梁部分
をＫＯＨのエッチングから保護する目的で塗布する。す
なわち、ガラス板１４の装着後に、支持層１の開口部６
をシート状のマスクなどでマスキングした後、全体にア
ピエゾンワックス１５を塗布する。そして、マスキング
を取り除くことによって、マスキングした部分以外にア
ピエゾンワックス１５が形成された形状が得られる。こ
の場合、裏面開口部６は大きいので、表面側のマスク層
３の加工精度と比べて裏面開口部６の加工精度が低くて
も問題はない。したがって、上記したマスキングのよう
な手法でも加工精度的に十分機能を果たすことができ
る。

【００３７】図９に示したアピエゾンワックス１５をマ
スクとして、ＫＯＨによって支持層１の残りの部分をウ
ェットエッチングすることによって、図１０に示される
ような形状が得られる。なお、ＫＯＨによるシリコン酸
化膜のエッチング速度は遅いため、シリコン酸化膜から
なるエッチングストッパ層２は、エッチングストッパと
しての役割を果たすことが可能となる。この後、ガラス
板１４およびアピエゾンワックス１３および１５を有機
溶剤を用いて除去するとともに、エッチングストッパと
して用いてきた開口部６に位置する部分のエッチングス
トッパ層２をフッ酸を用いたウェットエッチングにより
除去する。これにより、図１に示したような第１実施形
態のマスク基板１０が完成される。

【００３８】（第２実施形態）図１１〜図１３は、本発
明の第２実施形態による蒸着用マスクの製造プロセスを
示した断面図である。図１１〜図１３を参照して、以下
に第２実施形態による蒸着用マスクの製造プロセスにつ
いて説明する。

【００３９】まず、図１１に示した工程以前の工程は、
図４〜図６に示した第１実施形態による製造プロセスと
同様である。そして、図６に示した工程の後、この第２
実施形態による製造プロセスでは、マスク層３のマスク
パターン４を形成する際のエッチングマスクとして使用
したシリコン酸化膜７を除去する。そして、図１１に示
すように、マスク基板１０の表面と裏面とにアピエゾン
ワックス２３および２５をそれぞれ塗布する。

【００４０】そして、図１２に示すように、アピエゾン
ワックス２３および２５をマスクとして、シリコンから
なる支持層１をＫＯＨを用いてウェットエッチングす
る。ここで、ＫＯＨは、シリコンの結晶方向によってエ
ッチング速度が大きく異なり、支持層１のシリコンが
（１００）の結晶方向を有する場合、形成される裏面開
口部６の側壁は（１１１）面が現れる。また、ＫＯＨは
シリコン酸化膜に対するエッチング速度も遅いため、シ
リコン酸化膜からなるエッチングストッパ層２は、エッ
チングストッパとしての役割を果たすことができる。

【００４１】この第２実施形態によるプロセスでは、ア
ピエゾンワックス２３および２５をマスクとして、ＫＯ
Ｈによってシリコンからなる支持層１をウェットエッチ
ングすることによって、一度のエッチング工程で、支持
層１に裏面開口部６を形成する。この後、アピエゾンワ
ックス２３および２５を有機溶剤により除去する。

【００４２】そして、裏面開口部６に位置するシリコン
酸化膜からなるエッチングストッパ層２をフッ酸により
ウェットエッチングすることによって除去する。これに
より、図１３に示されるような第２実施形態による蒸着
用マスクが得られる。

【００４３】（第３実施形態）図１４は、本発明の第３
実施形態による蒸着用マスクの製造プロセスを説明する
ための断面図である。図１４を参照して、この第３実施
形態による製造プロセスでは、図１４に示した工程以前
の工程は、図４〜図６に示した第１実施形態による製造
プロセスと同様である。そして、この第３実施形態で
は、図６で説明した工程の後、マスク層３のマスクパタ
ーン４を形成するために用いたエッチングマスクとして
のシリコン酸化膜７を除去する。

【００４４】そして、図１４に示すように、マスク基板
１０の表面および裏面に、ＬＰＣＶＤ法を用いて、シリ
コン酸化膜３１を１μｍ〜２μｍ程度の膜厚で形成す
る。その後、裏面側に設けたシリコン酸化膜３１をパタ
ーンニングする。そして、このパターンニングされたシ
リコン酸化膜３１をマスクとして、シリコンからなる支
持層１を、ＫＯＨを用いてウェットエッチングする。こ
れにより、第２実施形態の製造プロセスと同様、図１２
に示されるような裏面開口部６を形成する。この後の工
程は第２実施形態の製造プロセスと同様である。

【００４５】この第３実施形態においても、第２実施形
態と同様、ＫＯＨによるウェットエッチングを用いて１
回のエッチング工程で支持層１に裏面開口部６を形成す
ることができる。

【００４６】なお、今回開示された実施形態は、すべて
の点で例示であって制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明
ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請
求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が
含まれる。

【００４７】例えば、上記実施形態では、マスク基板１
０として、シリコンからなる支持層１、シリコン酸化膜
からなるエッチングストッパ層２およびシリコンからな
るマスク層３の３層構造の基板を用いたが、本発明はこ
れに限らず、他の材料からなるマスク基板を用いてもよ
い。例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの半導体基板や各種セ
ラミックス基板、Ａｌ、Ｎｉなどの各種金属および金属
合金基板を用いてもよい。さらに、これらの材料の単層
構造および２層以上の複合基板を用いてもよい。

【００４８】また、上記実施形態では、テーパ形状のマ
スク開口部５を形成する際に、まずテーパ形状のシリコ
ン酸化膜７からなるマスクパターン８を形成した後、こ
れをマスクとしてマスク層３をドライエッチングするこ
とによって、テーパ形状のマスク開口部５を形成した
が、本発明はこれに限らず、マスク層３の上に直接レジ
ストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスク
としてドライエッチングすることによりマスク層３にテ
ーパ形状のマスク開口部５を設けるようにしてもよい。

【００４９】また、上記実施形態では、ドライエッチン
グを用いて形成したテーパ形状のマスク開口部５を用い
たが、本発明はこれに限らず、蒸着源に向かって先細り
した形状の貫通穴であれば、他の方法で形成したマスク
開口部であってもよい。例えば、ウェットエッチングに
より形成した蒸着源に向かって先細りした形状のマスク
開口部であってもよい。

【００５０】また、上記実施形態では、蒸着源として有
機ＥＬ膜を用いる例を示したが、本発明はこれに限ら
ず、他の蒸着源を用いる場合にも同様に適用可能であ
る。

【００５１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、マスク
開口部を蒸着源に向かって先細りした形状に形成するこ
とによって、蒸着用マスクの取り外し時に発生する蒸着
パターンの変形や欠落を有効に防止することができる。
また、このような蒸着用マスクを容易に製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクを示
した断面図である。

【図２】図１に示した第１実施形態による蒸着用マスク
の上面図である。

【図３】第１実施形態による蒸着用マスクを用いて蒸着
を行う際のプロセスを説明するための模式図である。

【図４】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの製
造プロセスを説明するための断面図である。

【図５】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの製
造プロセスを説明するための断面図である。

【図６】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの製
造プロセスを説明するための断面図である。

【図７】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの製
造プロセスを説明するための断面図である。

【図８】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの製
造プロセスを説明するための断面図である。

【図９】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの製
造プロセスを説明するための断面図である。

【図１０】本発明の第１実施形態による蒸着用マスクの
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１１】本発明の第２実施形態による蒸着用マスクの
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１２】本発明の第２実施形態による蒸着用マスクの
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１３】本発明の第２実施形態による蒸着用マスクの
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１４】本発明の第３実施形態による蒸着用マスクの
製造プロセスを説明するための断面図である。

【図１５】従来の蒸着用マスクを示した断面図である。

【図１６】従来の蒸着用マスクを用いて蒸着する際のプ
ロセスを説明するための模式図である。

【図１７】従来の蒸着用マスクを用いた場合の問題点を
説明するための模式図である。

【符号の説明】

１ 支持層 ２ エッチングストッパ層 ３ マスク層 ４ マスクパターン ５ マスク開口部 ６ 裏面開口部 １０ マスク基板 ３０ 被蒸着基板（基板） ５０ 蒸着源 ５０ａ 蒸着粒子 ５１、５２ 蒸着物

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 蒸着材料を基板に蒸着する際に用いる蒸
   着用マスクであって、 マスク層を含むマスク基板と、 前記マスク層に形成され、蒸着源の方向に向かって先細
   りした形状のマスク開口部を有するマスクパターンとを
   備えた、蒸着用マスク。
2. 【請求項２】 前記マスク開口部は、前記マスク層をド
   ライエッチングすることによって形成されたテーパ形状
   の貫通穴を含む、請求項１に記載の蒸着用マスク。
3. 【請求項３】 前記マスク基板は、さらに、 前記マスク層の支持部となる支持層と、 前記支持層と前記マスク層との間に形成されたエッチン
   グストッパ層とを含む、請求項１または２に記載の蒸着
   用マスク。
4. 【請求項４】 前記エッチングストッパ層は、前記マス
   ク層をドライエッチングする際のエッチングストッパと
   なる、請求項３に記載の蒸着用マスク。
5. 【請求項５】 前記マスク層のマスクパターンが形成さ
   れる領域に対応する前記支持層および前記エッチングス
   トッパ層の領域には、前記マスクパターンに達する裏面
   開口部が形成されている、請求項１〜４のいずれか１項
   に記載の蒸着用マスク。
6. 【請求項６】 前記エッチングストッパ層は、前記裏面
   開口部の形成時に前記支持層をエッチングする際のエッ
   チングストッパとなる、請求項５に記載の蒸着用マス
   ク。
7. 【請求項７】 マスク層と、エッチングストッパ層と、
   支持層とを含む蒸着用マスクの製造方法であって、 前記支持層上に前記エッチングストッパ層を介して前記
   マスク層を形成する工程と、 前記エッチングストッパ層をエッチングストッパとし
   て、前記マスク層をドライエッチングすることによっ
   て、蒸着源の方向に向かって先細りしたテーパ形状のマ
   スク開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、 前記エッチングストッパ層をエッチングストッパとし
   て、前記マスクパターンを形成した領域に対応する前記
   支持層の領域をエッチングにより除去した後、前記マス
   クパターンを形成した領域に対応する前記エッチングス
   トッパ層の領域を除去することによって、前記マスクパ
   ターンに達する裏面開口部を形成する工程とを備えた、
   蒸着用マスクの製造方法。
8. 【請求項８】 前記エッチングストッパ層をエッチング
   ストッパとして前記支持層をエッチングする工程は、 前記エッチングストッパ層と前記支持層とで大きなエッ
   チングレートの差を有するエッチング溶液を用いてエッ
   チングする工程を含む、請求項７に記載の蒸着用マスク
   の製造方法。
9. 【請求項９】 前記エッチングストッパ層をエッチング
   ストッパとして前記支持層をエッチングする工程は、 前記支持層に対してエッチング速度の速いエッチング溶
   液を用いて前記支持層を途中までエッチングする工程
   と、 その後、前記エッチングストッパ層と前記支持層とで大
   きなエッチングレートの差を有するエッチング溶液に切
   り替えて前記支持層の残りの部分をエッチングする工程
   とを含む、請求項７または８に記載の蒸着用マスクの製
   造方法。