RU2724291C1 - Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию - Google Patents
Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию Download PDFInfo
- Publication number
- RU2724291C1 RU2724291C1 RU2019135040A RU2019135040A RU2724291C1 RU 2724291 C1 RU2724291 C1 RU 2724291C1 RU 2019135040 A RU2019135040 A RU 2019135040A RU 2019135040 A RU2019135040 A RU 2019135040A RU 2724291 C1 RU2724291 C1 RU 2724291C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metallization
- layer
- ceramics
- substrate
- aluminum nitride
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical group [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- KPZUWETZTXCDED-UHFFFAOYSA-N [V].[Cu] Chemical compound [V].[Cu] KPZUWETZTXCDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100013847 Spinacia oleracea PGIC gene Proteins 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к подготовке поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкопленочную металлизацию. Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п. элементов методами, используемыми традиционными методами для керамики на основе оксида алюминия. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе тонкоплёночной металлизации подложек из алюмонитридной керамики, включающем очистку подложки, нанесение на нее вакуумным осаждением системы металлизации, первым слоем которой является металл, химически взаимодействующий с оксидом алюминия, а вторым медь, непосредственно перед напылением металлов, плазменной обработкой на поверхности подложки формируют слой α-AlO. Первым слоем металлизации предпочтительно выбирать ванадий, ниобий или тантал. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Использование подложек из керамики на основе нитрида алюминия в полупроводниковых приборах требует решения ряда вопросов, связанных с её металлизацией вакуумным осаждением металлов.
Основными требованиями, предъявляемыми к металлизации, являются:
- высокая адгезия к подложке из алюмонитридной керамики;
- возможность пайки высокотемпературными припоями, как в вакууме, так и в среде водорода.
При вакуумном осаждении металлов на керамические подложки, высокую адгезию металлизации к керамике можно получить при условии химического взаимодействия материала керамического материала с осаждаемым металлом. Чтобы химическая реакция между напыляемым металлом и материалом диэлектрика имела место, необходимо, чтобы она была возможной с точки зрения термодинамики [1]. Реакция между напыляемым металлом и материалом диэлектрика термодинамически возможна в том случае, если величина изменения теплосодержания ΔH образования, например, окисла материала диэлектрика, менее отрицательна, чем величина ΔН образования окисла напыляемого металла. Только в этом случае напыляемый металл будет отнимать кислород от окисла материала диэлектрика и могут образовываться промежуточные фазовые слои.
Применяя вышеизложенные рассуждения при металлизации керамики из нитрида алюминия, следует, что для формирования на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п. элементов методами, используемыми для алюмооксидной керамики, на поверхности подложки необходимо создавать слой оксида алюминия.
Для обеспечения высокой адгезии металлизации к керамике, следует учитывать, что загрязнение на подложке с толщиной всего в несколько атомных слоев, может воспрепятствовать хорошему сцеплению, т.е. образованию хорошего переходного слоя и сильно ослабить адгезию [2]. То есть, важное значение имеет качество подготовки поверхности подложек, предназначенных для нанесения на них тонкоплёночной металлизации. Учитывая вышеизложенное, можно сделать следующий вывод: для металлизации вакуумным осаждением металлов, используя традиционные методы металлизации алюмооксидной керамики, необходимо на тщательно очищенной поверхности алюмонитридной керамики сформировать слой оксида алюминия.
Известен ряд исследований по окислению алюмонитридной керамики, например, методами масс-спектрометрии вторичных ионов и рентгеновской дифракции [3] исследован процесс окисления керамической подложки AlN на воздухе (850-1100°C). Но в данном исследовании не сообщается о связи полученных данных с металлизацией керамики.
Известен способ очистки подложек, включающий обработку в водном растворе с поверхностно активным веществом, обработку в химически-активной среде, ультразвуковую промывку в демонизированной воде и сушку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества очистки, после обработки в химически-активной среде подложки отжигают и подвергают ультразвуковой очистке в водном растворе с поверхностно-активным веществом [4].
Данный способ предназначен для металлизации подложек, например, из стекла, но не может быть использован для подготовки для металлизации алюмонитридной керамики, т.к. химически активная среда может нарушить её морфологическую поверхность, что существенно снизит адгезию металлизации к керамике. Кроме того, при этом поверхность алюмонитридной керамики не окисляется, что не позволяет её металлизировать традиционными методами, используемыми при металлизации алюмооксидной керамики, например, поликора.
Известен способ обработки керамических поцложек перед металлизацией, преимущественно изготовленных из поликора, включающий травление керамических подложек в ортофосфорной кислоте [5]. Данный способ предназначен для металлизации подложек из алюмооксидной керамики, но не может быть использован для металлизации алюмонитридной керамики поскольку поверхность алюмонитридной керамики не окисляется, что не позволяет её металлизировать традиционными методами, используемыми при металлизации, например поликора. Кроме того, травление в ортофосфорной кислоте может нарушить её морфологическую поверхность, что существенно снизит адгезию металлизации к керамике.
Ближайшим аналогом изобретения является очистка в плазме тлеющего разряда после предварительной химической очистки подложек [6].
Основным недостатком данного способа подготовки тонкоплёночной металлизацией является то, что данный способ не направлен на формирование на поверхности алюмонитридной керамики плотного слоя оксида алюминия, что необходимо для металлизации подложек из керамики на основе ннитрида алюминия традиционными методами, используемыми при металлизации алюмооксидной керамики, например поликора.
Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п. элементов методами, используемыми традиционными методами для керамики на основе оксида алюминия. Например, получение высокой адгезии при напылении системы металлизации ванадий медь на алюмонитридную керамику.
Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе тонкоплёночной металлизации подложек из алюмонитридной керамики, включающем очистку подложки, нанесение на нее вакуумным осаждением системы металлизации, первым слоем которой является металл, химически взаимодействующий с оксидом алюминия а вторым медь, отличающийся тем, что непосредственно перед напылением металлов, плазменной обработкой на поверхности подложки формируют слой α-Al2O3. Первым слоем металлизации предпочтительно выбирать ванадий, ниобий или тантал.
Полученный технический результат объясняется созданием на поверхности из сформированного оксидного слоя активных центров адсорбции и адгезии осаждаемого металла. Плазменная обработка поверхности подложек перед нанесением покрытий в вакууме не только удаляет поверхностные загрязнения, но и формирует слой оксида алюминия - α-Al2O3, модифицирует свойства его поверхности в направлении повышения её адсорбционной и адгезионной активности, т.е. к созданию на поверхности подложки активных центров адсорбции и адгезии распылённых частиц. При очистке поверхности в тлеющем разряде её активность по отношению к парам металла может сохраняться после разгерметизации камеры [7].
Перед металлизацией такие подложки можно хранить на воздухе некоторое время. При последующем напылении без какой-либо очистки адгезия покрытий достаточно высока. Определение наличия слоя оксида алюминия - α-Al2O3, сформированного на поверхности подложки из алюмонитридной керамики, проводили с помощью рентгеновского дифрактометра ХМD-300. Дифрактограмма поверхности подложки из алюмонитридной керамики со слоем α-Al2O3, сформированного плазменной обработкой, представлена на Фиг. 1. Были изготовлены образцы подложек алюмонитридной керамики с тонкоплёночной металлизацией ванадий-медь, осаждённой на установке магнетронного напыления PVD 250 с безмаслянной откачкой. Напыление металлизации на все образцы проводили в одном процессе. После металлизации к образцам припаивали припоем ПСр-72 штырьки диаметром 1 мм и измеряли адгезию металлизации к керамике. На подложке без сформированного слоя оксида алюминия адгезия металлизации к керамике составила 0,7 кг/мм2. На подложке с сформированным слоем оксида алюминия Al2O3 адгезия металлизации к керамике составила 3,2 кг/мм2. На подложке с сформированным слоем оксида алюминия α-Al2O3, адгезия металлизации к керамике составила 8,7 кг/мм2. Существенно меньшая адгезия на подложке с алюмооксидным слоем Al2O3 по сравнению с подложкой со слоем α-Al2O3 объясняется тем, что слой Al2O3 является промежуточной, несколько рыхлой фазой, которая при дальнейшем формировании слоя Al2O3 переходит в плотный и сплошной слой оксида алюминия α-Al2O3.
Литература:
1. Третьяков, Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю.Д. Третьяков. – М.: Химия, 1978. – 359 с.
2. Шмаков, М. Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек / М. Шмаков, В. Паршин, А. Смирнов // Технологии в электронной промышленности – 2008. – №5. – С. 77-78
3. Yue Ruifeng, Wang Yan, Wang Youxiang, Chen Chunhua, SIMS study on the initial oxidation process of AlN ceramic substrate in the air. Appl. Surface Sci. 1999. 148, N 1-2, с. 73-78
4. Авторское свидетельство СССР №1033467, опубликовано 07.08.1983
5. Авторское свидетельство СССР № 732219, МПК: С03С15/00, опубл. 05.05.1980
6. Лучкин А.Г., Лучкин Г.С. Очистка поверхности подложек для нанесения покрытий вакуумно-плазменными методами // Вестник Казанского технологического университета. 2002. – Том 15. – №15. – С. 208-210
7. Лучкин А.Г., Лучкин Г.С. Очистка поверхности подложек для нанесения покрытий вакуумно-плазменными методами // Вестник Казанского технологического университета. – 2002. – Том 15. – №15. – С. 208-210
Claims (2)
1. Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики, включающий очистку подложки, нанесение на нее вакуумным осаждением системы металлизации, первым слоем которой является металл, химически взаимодействующий с оксидом алюминия, а вторым медь, отличающийся тем, что непосредственно перед напылением металлов плазменной обработкой на поверхности подложки формируют слой α-Al2O3.
2. Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики по п.1, отличающийся тем, что первым слоем системы металлизации является ванадий, ниобий или тантал.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135040A RU2724291C1 (ru) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019135040A RU2724291C1 (ru) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2724291C1 true RU2724291C1 (ru) | 2020-06-22 |
Family
ID=71136010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019135040A RU2724291C1 (ru) | 2019-10-31 | 2019-10-31 | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2724291C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112609148A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-06 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司柳州局 | 一种新型输电铁塔用材Ni-Cu-AT13涂层的制备方法及Ni-Cu-AT13涂层 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU732219A1 (ru) * | 1975-11-18 | 1980-05-05 | Уральский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им.С.М.Кирова | Способ обработки керамических подложек перед металлизацией |
| US6066219A (en) * | 1996-02-02 | 2000-05-23 | Curamik Electronics Gmbh | Process for producing a ceramic substrate and a ceramic substrate |
| RU2558323C1 (ru) * | 2014-04-18 | 2015-07-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
| RU2559160C1 (ru) * | 2014-03-19 | 2015-08-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Способ металлизации алюмонитридной керамики |
| RU159460U1 (ru) * | 2015-07-06 | 2016-02-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Подложка из алюмонитридной керамики |
-
2019
- 2019-10-31 RU RU2019135040A patent/RU2724291C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU732219A1 (ru) * | 1975-11-18 | 1980-05-05 | Уральский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им.С.М.Кирова | Способ обработки керамических подложек перед металлизацией |
| US6066219A (en) * | 1996-02-02 | 2000-05-23 | Curamik Electronics Gmbh | Process for producing a ceramic substrate and a ceramic substrate |
| RU2559160C1 (ru) * | 2014-03-19 | 2015-08-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Способ металлизации алюмонитридной керамики |
| RU2558323C1 (ru) * | 2014-04-18 | 2015-07-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
| RU159460U1 (ru) * | 2015-07-06 | 2016-02-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Подложка из алюмонитридной керамики |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112609148A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-04-06 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司柳州局 | 一种新型输电铁塔用材Ni-Cu-AT13涂层的制备方法及Ni-Cu-AT13涂层 |
| CN112609148B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-11-01 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司柳州局 | 一种新型输电铁塔用材Ni-Cu-AT13涂层的制备方法及Ni-Cu-AT13涂层 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4813115B2 (ja) | 半導体製造装置用部材及びその洗浄方法 | |
| TWI545650B (zh) | A method for manufacturing a gas sprinkler for a plasma processing chamber and a method for forming the same | |
| US20150311043A1 (en) | Chamber component with fluorinated thin film coating | |
| TW201417151A (zh) | 用於半導體裝置性能改善的塗層 | |
| US5217589A (en) | Method of adherent metal coating for aluminum nitride surfaces | |
| KR101234492B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
| RU2724291C1 (ru) | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию | |
| JPS61170050A (ja) | 低抵抗接点の形成方法 | |
| JP2018515685A (ja) | 成膜装置の洗浄方法 | |
| US20220186354A1 (en) | Surface coating treatment | |
| US11760694B2 (en) | Alumina sintered body and manufacturing method therefor | |
| TWI411023B (zh) | 整修加工反應室組件的方法 | |
| JP2017091779A (ja) | プラズマ処理装置用部材及びプラズマ処理装置 | |
| RU2052540C1 (ru) | Способ нанесения пленочного покрытия | |
| JP2006294848A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| US5028306A (en) | Process for forming a ceramic-metal adduct | |
| TW200535926A (en) | Process for producing semi-conductor coated substrate | |
| JP2020050536A (ja) | アルミナ質焼結体 | |
| US4980197A (en) | Method of producing metallic structures on inorganic non-conductors | |
| JP4394666B2 (ja) | 半導体製造装置用治具の構成部材およびその製造方法 | |
| JP6595658B1 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPH1065294A (ja) | セラミックス配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0669032B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2004346374A (ja) | 溶射膜の剥離方法及び溶射膜で被覆された部材の製造方法 | |
| JPH02164784A (ja) | セラミック回路基板の製造方法 |