RU2054747C1 - Способ получения рельефа в диэлектрической подложке - Google Patents
Способ получения рельефа в диэлектрической подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU2054747C1 RU2054747C1 SU5057885/25A SU5057885A RU2054747C1 RU 2054747 C1 RU2054747 C1 RU 2054747C1 SU 5057885/25 A SU5057885/25 A SU 5057885/25A SU 5057885 A SU5057885 A SU 5057885A RU 2054747 C1 RU2054747 C1 RU 2054747C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- yttrium
- copper
- substrate
- protective mask
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: в микроэлектронике для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.п. Сущность изобретения: способ включает нанесение на подложку металлической пленки и формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски. В качестве материала маски используют двухслойную пленку иттрий-медь, причем толщина нижнего слоя иттрия не менее 0,1 мкм, а толщина слоя меди не менее 1 мкм, между слоем иттрия и слоем меди формируют переходный слой из смеси этих металлов. 1 з. п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пъезоэлектрических подложках при изготовлении волноводов, микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д.
Известен способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку защитной пленки фоторезиста, формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски [1]
Однако данный способ характеризуется наличием локальных растрав в подложке под маской, возникающих из-за сквозных пор в защитном слое фоторезиста. Кроме того, при длительном травлении (в течение нескольких часов) пленки фоторезиста перестают маскировать поверхность подложки из-за отслаивания. Пленки фоторезиста также не выдерживают длительного воздействия растворов плавиковой кислоты, используемых при травлении подложек, содержащих в своем составе двуокись кремния.
Однако данный способ характеризуется наличием локальных растрав в подложке под маской, возникающих из-за сквозных пор в защитном слое фоторезиста. Кроме того, при длительном травлении (в течение нескольких часов) пленки фоторезиста перестают маскировать поверхность подложки из-за отслаивания. Пленки фоторезиста также не выдерживают длительного воздействия растворов плавиковой кислоты, используемых при травлении подложек, содержащих в своем составе двуокись кремния.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и совокупности признаков является способ получения рельефа в диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку металлической пленки молибдена [2] формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски.
Однако и данный способ не устраняет образование локальных растрав подложки под маской, возникающих из-за сквозных пор в защитной пленке молибдена. Пленки молибдена обладают низкой пластичностью и при релаксации механических напряжений (особенно при термообработках) в пленках возникают сквозные поры и микротрещины. В дальнейшем через эти дефекты травится диэлектрическая подложка, что приводит к снижению процента выхода годных приборов. Снижение дефектности пленок молибдена возможно путем увеличения толщины пленок. Однако получение достаточно толстых металлических пленок молибдена (более 1 мкм) является дорогой операцией, что ведет к удорожанию конечной продукции.
Задачами, на которые направлено изобретение, является увеличение процента выхода годных за счет исключения пор и разрывов в защитном проводящем слое и удешевление конечной продукции.
Решение поставленных задач заключается в том, что в конечном материале защитной маски используется двухслойная либо многослойная тонкопленочная система иттрий-медь.
Сопоставительный анализ показывает, что заявляемое техническое решение отличается от прототипа тем, что защитная маска представляет собой двухслойную либо многослойную тонкопленочную систему иттрий-медь. Поэтому данное техническое решение отвечает критерию "новизна".
Предлагаемый способ получения рельефа в диэлектрической подложке реализован следующим образом.
На поверхность диэлектрической подложки методом вакуумного осаждения (термическим или магнетронным) осаждали слой иттрия, затем на слой иттрия осаждали слой меди. Далее при помощи метода фотолитографии формировали заданную конфигурацию защитной маски. Конфигурацию защитной маски возможно формировать и в процессе осаждения слоя иттрий-медь при помощи свободных масок. Затем проводили травление диэлектрической подложки на необходимую глубину в травителе на основе плавиковой кислоты, после чего в азотной кислоте уделяли защитную металлическую маску. Эксперименты показали, что использование многослойных пленок иттрий-медь позволяет воспроизводимо получать качественные микромеханические преобразователи давления, вибродатчики и кварцевые резонаторы. При этом никакой другой проводящий материал, осаждаемый под слой меди, не обеспечивает из-за большой боковой подтравы необходимые размеры элементов на протяжении всего процесса травления, который иногда продолжается несколько часов. Выявлено, что отсутствие сквозных пор и разрывов в защитном слое обеспечивается при толщине нижнего слоя иттрия более 0,1 мкм и толщине слоя меди более 1 мкм. Поскольку в этом случае используются достаточно тонкие пленки иттрия, а медь дешевый и распространенный металл и технология осаждения пленок проста и дешева, то стоимость конечной продукции снижается. Для повышения химической устойчивости защитной маски при длительном химическом травлении диэлектрической подложки целесообразно создавать переходный слой между слоем иттрия и меди, создаваемый либо совместным испарением иттриевой и медной мишени методом электронно-лучевого испарения на установке типа Оратори-9, либо последовательным осаждением иттрия и меди на установке магнетронного распыления типа Катод. После осаждения переходного слоя осуществляли осаждение слоя меди необходимой толщины, формировали конфигурацию защитной маски, проводили травление диэлектрической подложки и затем удаляли защитную маску. Сформированные таким образом маски позволяют протравить диэлектрические подложки на глубину до 0,8 мм.
Таким образом, использование предлагаемой металлической проводящей защитной маски позволяет исключить наличие пор и микротрещин в защитной маске и удешевить конечную продукцию.
Claims (2)
1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий нанесение на подложку металлической пленки и формирование конфигурации защитной маски, травление подложки и удаление защитной маски, отличающийся тем, что в качестве маски используют слои иттрия и меди, причем толщина нижнего слоя иттрия не менее 0,1 мкм, а толщина слоя меди - не менее 1 мкм.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что между слоем иттрия и слоем меди формируют переходной слой из смеси этих металлов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5057885/25A RU2054747C1 (ru) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU5057885/25A RU2054747C1 (ru) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2054747C1 true RU2054747C1 (ru) | 1996-02-20 |
Family
ID=21611171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU5057885/25A RU2054747C1 (ru) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2054747C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2623681C1 (ru) * | 2016-09-22 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита |
RU2687299C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-05-13 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
-
1992
- 1992-08-06 RU SU5057885/25A patent/RU2054747C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Энергия, 1973, с.49-50. 2. Мокеев О.К., Романов А.С. Химическая обработка и фотолитография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1986, с.246. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2623681C1 (ru) * | 2016-09-22 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ получения периодических профилей на поверхности кристаллов парателлурита |
RU2687299C1 (ru) * | 2018-08-17 | 2019-05-13 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5348617A (en) | Selective etching process | |
US4119483A (en) | Method of structuring thin layers | |
US20030016116A1 (en) | Method of depositing a thin metallic film and related apparatus | |
US4132586A (en) | Selective dry etching of substrates | |
US3945902A (en) | Metallized device and method of fabrication | |
KR100442700B1 (ko) | 유전체 박막 패턴의 형성 방법 및 유전체 박막과 도체박막으로 구성된 적층 패턴의 형성 방법 | |
US6424075B1 (en) | Surface acoustic wave device and production method thereof | |
RU2054747C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
JPH04263490A (ja) | 薄膜回路の製造方法 | |
JP2002508583A (ja) | 広範囲メンブランマスクを製造する方法 | |
RU2079865C1 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
RU2318268C2 (ru) | Способ получения рельефа в диэлектрической подложке | |
JP2952575B2 (ja) | ダイヤモンド微細加工方法 | |
US5672282A (en) | Process to preserve silver metal while forming integrated circuits | |
JP3271390B2 (ja) | 荷電ビーム露光用透過マスク及びその製造方法 | |
US6743731B1 (en) | Method for making a radio frequency component and component produced thereby | |
SU1064352A1 (ru) | Способ изготовлени шаблона | |
US5352331A (en) | Cermet etch technique for integrated circuits | |
JPS5816545A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08306871A (ja) | 誘電体キャパシタの製造方法 | |
JP2001351840A (ja) | 転写マスクの製造方法及び転写マスク | |
JPH08186115A (ja) | 金属膜の形成方法 | |
JP2543546B2 (ja) | X線露光用マスクの製造方法 | |
JPH04269832A (ja) | X線リソグラフィ−用マスクの製造方法 | |
JP3104727B2 (ja) | アパーチャの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20060807 |