KR20030013893A - 압전박막 공진기 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 44
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 79
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
Description
Claims (12)
- 기판 위에 형성되고 기판과 소정의 간격으로 공진공간을 두고 형성되는 직선부와 상기한 직선부로부터 기판쪽으로 연장되는 경사부로 이루어지는 아치형상으로 형성되는 압전박막과,상기한 압전박막과 기판 사이에 형성되고 상기한 압전박막의 형상에 대응하는 아치형상으로 이루어지고 기판과 공진공간을 사이에 두고 위치하는 하부전극과,상기한 압전박막 위에 형성되고 상기한 압전박막의 형상에 대응하는 아치형상으로 이루어지는 상부전극을 포함하는 압전박막 공진기.
- 제1항에 있어서, 상기한 압전박막과 하부전극 및 상부전극의 아치형상 및 공진공간은 상기한 기판에 소정의 두께와 패턴으로 포토레지스트를 도포하고,도포된 포토레지스트의 측면이 일부 용융되어 완만한 경사면으로 기판과 연결되면서 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성하는 과정에서 제거되지 않도록 열처리하는 것에 의하여 희생층을 형성하고,순차적으로 희생층 위에 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성한 다음,희생층을 제거하여 형성하는 압전박막 공진기.
- 제1항에 있어서, 상기한 압전박막과 하부전극 및 상부전극의 아치형상 및 공진공간은 기판에 공진홈을 형성하고,상기한 공진홈에 포토레지스트를 채운 상태에서 포토레지스트의 측면이 일부 용융되어 완만한 경사면으로 기판과 연결되면서 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성하는 과정에서 제거되지 않도록 열처리하는 것에 의하여 희생층을 형성하고,순차적으로 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성한 다음,상기한 공진홈에 채워진 희생층을 제거하여 형성하는 압전박막 공진기.
- 제3항에 있어서, 상기한 공진홈은 상기한 기판을 식각하여 형성하거나 상기한 기판에 소정의 높이로 언덕층을 형성한 다음 소정의 패턴으로 언덕층을 식각하여 형성하는 압전박막 공진기.
- 제1항에 있어서, 상기한 하부전극 및 상부전극의 아치형상 한쪽 모서리는 상기한 기판에 연결되지 않도록 형성하는 압전박막 공진기.
- 기판에 소정의 두께와 패턴으로 포토레지스트를 도포하여 희생층을 형성하는 희생층형성공정과,기판 및 상기한 희생층 위에 소정의 패턴으로 도전재료를 도포하여 하부전극을 형성하는 하부전극형성공정과,상기한 하부전극과 희생층 및 기판 위에 소정의 패턴으로 압전재료를 도포하여 압전박막을 형성하는 압전박막형성공정과,상기한 압전박막 위에 소정의 패턴으로 도전재료를 도포하여 상부전극을 형성하는 상부전극형성공정과,상기한 희생층을 제거하여 공진공간을 형성하는 희생층제거공정으로 이루어지는 압전박막 공진기 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기한 희생층형성공정은 기판에 소정의 두께와 패턴으로 포토레지스트를 도포하고, 도포된 포토레지스의 측면이 일부 용융되어 완만한 경사면으로 기판과 연결되면서 상기한 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성하는 공정에서 포토레지스트가 제거되지 않도록 열처리하는 것에 의하여 희생층을 형성하는 과정을 포함하는 압전박막 공진기 제조방법.
- 기판에 공진홈을 형성하는 홈형성공정과,상기한 홈형성공정에서 형성한 공진홈에 포토레지스트를 도포하여 희생층을 형성하는 희생층형성공정과,기판 및 상기한 희생층 위에 소정의 패턴으로 도전재료를 도포하여 하부전극을 형성하는 하부전극형성공정과,상기한 하부전극과 희생층 및 기판 위에 소정의 패턴으로 압전재료를 도포하여 압전박막을 형성하는 압전박막형성공정과,상기한 압전박막 위에 소정의 패턴으로 도전재료를 도포하여 상부전극을 형성하는 상부전극형성공정과,상기한 희생층을 제거하여 공진홈을 노출시키는 것에 의하여 공진공간을 형성하는 희생층제거공정으로 이루어지는 압전박막 공진기 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기한 홈형성공정은 기판에 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트도포공정과,도포된 포토레지스트에 소정의 패턴을 갖는 마스크와 광원을 이용하여 노광을 행하는 노광공정과,노광된 포토레지스트를 식각하여 설정된 패턴으로 제거한 다음 포토레지스트가 제거된 부분의 기판을 소정의 깊이로 식각하여 제거하는 것에 의하여 공진홈을 형성하는 식각공정과,남겨진 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트제거공정으로 이루어지는 압전박막 공진기 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기한 홈형성공정이 기판에 언덕층을 도포하는 언덕층도포공정과,상기한 언덕층 위에 포토레지시트를 도포하는 포토레지스트도포공정과,도포된 포토레지스트에 소정의 패턴을 갖는 마스크와 광원을 이용하여 노광을 행하는 노광공정과,노광된 포토레지스트를 식각하여 설정된 패턴으로 제거한 다음 포토레지스트가 제거된 부분의 언덕층을 소정의 깊이로 식각하여 제거하는 것에 의하여 공진홈을 형성하는 식각공정과,남겨진 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트제거공정으로 이루어지는 압전박막 공진기 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기한 공진홈은 깊이가 2∼3㎛로 설정되어 형성하는 압전박막 공진기 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기한 희생층형성공정은 기판에 공진홈을 채우도록 소정의 두께와 패턴으로 포토레지스트를 도포하고, 도포된 포토레지스트에 대하여 열처리를 행하여 기판과 연결되는 측면을 완만한 경사면으로 형성하고 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성하는 공정에서 제거되지 않도록 경화시켜 희생층을 형성하는 과정으로 이루어지는 압전박막 공진기 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0048144A KR100518103B1 (ko) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | 압전박막 공진기 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0048144A KR100518103B1 (ko) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | 압전박막 공진기 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030013893A true KR20030013893A (ko) | 2003-02-15 |
KR100518103B1 KR100518103B1 (ko) | 2005-10-04 |
Family
ID=27718610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0048144A KR100518103B1 (ko) | 2001-08-10 | 2001-08-10 | 압전박막 공진기 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100518103B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
KR100768513B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-10-18 | 주식회사 아이노바 | 향상된 변위를 제공하는 선형 압전 모터 |
KR100819669B1 (ko) * | 2005-10-27 | 2008-04-04 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 압전 박막 공진기 및 필터 |
CN110166014A (zh) * | 2018-02-11 | 2019-08-23 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法 |
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2001
- 2001-08-10 KR KR10-2001-0048144A patent/KR100518103B1/ko active IP Right Grant
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7281304B2 (en) | 2003-04-22 | 2007-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating a film bulk acoustic resonator |
KR100819669B1 (ko) * | 2005-10-27 | 2008-04-04 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 압전 박막 공진기 및 필터 |
US7482738B2 (en) | 2005-10-27 | 2009-01-27 | Fujitsu Media Devices Limited | Piezoelectric thin-film resonator and filter |
KR100768513B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-10-18 | 주식회사 아이노바 | 향상된 변위를 제공하는 선형 압전 모터 |
WO2007119960A1 (en) * | 2006-04-17 | 2007-10-25 | Inova, Inc. | Piezoelectric linear motor offering enhanced displacement |
CN110166014A (zh) * | 2018-02-11 | 2019-08-23 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法 |
CN110166014B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-09-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法 |
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---|---|
KR100518103B1 (ko) | 2005-10-04 |
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A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
J301 | Trial decision |
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