KR950021120A - 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법에 관한 것으로, 서로 다른 단차비를 갖는 콘택을 형성한 후 제1, 제2 및 제3 금속박막을 순차적으로 증착시킨 다은 상기 제3 금속박막을 식각하고 경사진 부분에 잔류하는 상기 제3금속박막을 감광막을 사용하여 부분 식각으로 모두 제거한 후 제4, 제5및 제6 금속박막을 순차적으로 증착시키므로써 충덮힘(Step Coverage)을 향상시키는 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법에 관해 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 1e도는 본 발명에 따른 반도체 소지자의 다층 금속박막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 도면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 접합층(2), 산화막(3) 및 다결정 실리콘 박막(4)을 순차적으로 형성한 다음 마스크공정 및 사진 식각공정에 의해 서로 다른 단차비를 갖는 콘택(20Ａ,20Ｂ)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상부 전체면에 제1, 제2 및 제3 금속박막(5, 6 및 7)을 순차적으로 형성한 다음 상기 제3 금속박막을 전면 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 잔류하는 제3 금속박막(7Ｃ)을 감광막(8)을 사용하여 일정시간 평면 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 감광막(8)을 모두 제거한 후 상부 전체면에 제4, 제5 및 제6 금속박막(9, 10 및 11)을 순차적으로 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3 금속박막(5, 6 및 7)은 티타늄, 티타늄나이트라이드 및 텅스텐을 각각 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다층 금속박막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4 금속박막(9)은 티타늄, 티타늄나이트라이드 또는 티타늄 텅스텐으로 형성되고 제5 금속박막(10)은 알루미늄 합금 또는 구리박막으로 형성되며 제6 금속박막(11)은 탄소(Ｃ), 티타늄, 티타늄나이트라이드 또는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다층 금속막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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