JPS6021527A - パタ−ンのリフトオフ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）　産業上の利用分野 本発明は、半導体基板もしくはマスク基板（以下、本発
明に於いては単１こ基板と称す）上に微細な金属パター
ンを高精度に形成するのに適用されるパターンのリフト
オフ成形方法に関する。

幹）従来技術 半一体・集積回路＃ｊ年々微細化・高密度化され、微細
なパターンを精度良く形成する技術が不可欠となってい
る。特に微細線幅の金属パターンの形成においては、従
来のエツチング方法ではアンダーカットのために寸法精
度が劣化する４■が問題となって来た。そのためエツチ
ングに代るパターン形成技術として！Ｊ　７１−オフ法
が注目されている。

以下にす７トオフ法の主な工程を記す。

（Ｉ）基板」〕にレジスト膜を形成する。

〔１〕レジスト膜に、紫外線・荷電ビーム等でパターン
を露光する。

（１）Ｌ’Ｑスト膜を現像してレジストパターンを得る
。

（ｆｆ）レジストバター・ン全面に金属膜を堆積させる
。

（Ｖ）レジストを剥離すると同時１こレジスト膜上に堆
積した金属膜も持ち去り、レジストで覆われていない部
分Ｉこ金属膜パターンを残す。

（Ｖｌ）最終的に最初のレジストパターンと反転した金
属パターンが基板上に形成される。

この方法は、エツチングによるアンダーカットも無く、
レジストと基板の密着性・レジストのエツチング耐性等
に影響されないため、Ｘ線・市、子ビームなどあらゆる
寂光方法に適用可能でちゃ、金属パターンの微細化傾向
に応じてまずます適用範囲が広まるものと予想される。

ところが、このリフトオフ法においては、レジスト剥離
時に持ち去られたレジスト上の金属膜が基板に再付着す
る場合が多く、この再付着した金属膜は容易に除去出来
ないなめ、デバイスに対する欠陥となってしまう慣れが
あった。

（ハ）発明の目的 本発明は、このような問題点に鑑みて為されたものであ
って、レジスト剥離時に持ち去られた金属膜が基板に再
付着する事なく、金属パターンを形成するリフトオフ法
を提供する事を目的としている。

←）発明の構成 本発明は、密閉容器１月こ金属膜堆積後の基板をパター
ンを上にして保持し、容器下面又は側面よシレジスト剥
離液を導入し容器上面へ排出させてレジスト剥離を行う
事により、持ち去られた金属膜を基板に回付Ｍｌする串
なく、レジスト剥離液と共に排出するものである （１（）実施例 第１図〜第５図は４：発明に依るリフトオフ工程を１１
＠に示している。第１図において、半導体もしくけマス
ク基板（１）上にレジスト膜（２）を形成し、紫外線・
荷電ビーム＜　、Ｐ　＞　＜　Ｐ　＞　（Ｐ　＞により
パターンを躇光する。続いてレジストを現像する事によ
りレジストパターン（２ｒ（２ｒ（２１′を得る（第２
図）。

レジストパターン（２（（２１（２）′及び露出した基
板（１）全面に例えばアＭミ；−ウムの如き金属膜（３
）・・・を堆積させる（第５図）。次に第４図に示す如
く、密閉容器（４）中に上記金属膜（３）・・・堆積後
の基板を保持し、容器側面の吸入ＩＩ　（４１１（ａｌ
ｌよりレジスト剥離液（５）を導入し、容器下面の排出
［１（＠より排出させる。この時レジストパターン（２
（（２ｒ（２）′の剥離と同時にレジスト膜上に堆積し
た金属膜（３）も持ち去られ、レジスト剥離液（５）中
に剥離された金属膜（３）が浮遊する事はなくただちに
レジスト剥離液（５）と共に容器（４）上面より排出さ
れる。そして最終的にレジストパター　ン（２１’（２
１’（２１’トｔｉ転ｔ、７’ｅ金属ｚ（ター　ン（３
ｆｔ３ｒ（３）′カ形成される（第１灼。

次に具体例を記述する。

４インチ角ガラス基板（１）上にポジ型フオトレジス）
テ、ＴｈルＡ　Ｚ　−１５５０ＶシＸ　）（２１を約５
００ＯＡの厚さに塗布し、９０°Ｃで３０分のベーク後
紫外線により５秒間のパターン露光を行った。ＡＺ−３
５１現像液によりレジストを現像し、得られたレジスト
パターン（２蝕＋’＋２＋’及び露出基板（１）全面に
金属クロミウム膜（３）を堆積した。金属密閉容器（４
）中に基板を保持し、容器（４）側面よりレジスト剥離
液（５）であるアセトンを流速ＦＭ／分で導入し、容器
（４）上面より排出した。約６分でアセトンによるレジ
スト剥離を完了し、基板（１）を容器（４）よシ取り出
した。ガラス基板（１）上には金属クロミウムのパター
ン＋涌３＋ｆａ＋′が形成されており、クロミウム破片
（３）の基板（１）への再付随は皆無であった。

以上の説明に於いて目、レジスト剥離液（５）は、容器
（４）側面から導入され、容器（４）上面より導出され
る実施例を示したが、容器（４）下面に吸入口を設け、
レジスト剥離液（５）をこの下面の吸入口から導入する
事もできる。

（へ）発明の効果 本発明のパターンのリフトオフ形成方法は以上の説明か
ら明らかな如く、レジスト剥離の際、剥離液を基板が保
持された密閉容器から外部に排出させているので、剥離
された金属膜が基板に再付着する事なく金属パターンを
形成する事ができる。

従って、微細な金属パターンを高精度に、しかも無欠陥
で形成する事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明のパターンのりフトオフ形成方
法の一実施例を示す工程図である。 （１）・・・・・・基板、（２）・・・・・・レジスト
膜、（２）・・・・・・レジストパターン、　（３１・
・・・・・金Ｊ［、ｔａ）・・・・・・金属パターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）基板」二に塗布したレジスト膜にパターンを露光し
   、これを現像して得られるレジストパターン及びこれに
   依って露出した基板上に金属膜を一面に被着し、この状
   態の基板を密閉賽器中に金属膜を上にして保持し、該密
   閉宣器の下面方向又は側面方向からレジスト剥離液を導
   入し１ニーＷ而方向に該レジスト剥ｍ液を導出する事！
   こ依って、上記レジスト膜上の金属膜部分を上記レジス
   ト剥Ｍｅと共に密閉容器外へ排出して、所望の残存金属
   パターンを得る事を特徴としたパターンのリフトオフ形
   成力法。