RU2002130248A - Гравировальные пасты для неорганических поверхностей - Google Patents

Гравировальные пасты для неорганических поверхностей

Info

Publication number
RU2002130248A
RU2002130248A RU2002130248/03A RU2002130248A RU2002130248A RU 2002130248 A RU2002130248 A RU 2002130248A RU 2002130248/03 A RU2002130248/03 A RU 2002130248/03A RU 2002130248 A RU2002130248 A RU 2002130248A RU 2002130248 A RU2002130248 A RU 2002130248A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
engraving
tool according
engraving tool
acid
glass
Prior art date
Application number
RU2002130248/03A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2274615C2 (ru
Inventor
Зильке КЛАЙН (DE)
Зильке КЛАЙН
Лилиа ХАЙДЕР (DE)
Лилиа ХАЙДЕР
Клаудиа ЦИЛИНСКИ (DE)
Клаудиа ЦИЛИНСКИ
Армин КЮБЕЛЬБЕКК (DE)
Армин Кюбельбекк
Вернер ШТОККУМ (DE)
Вернер ШТОККУМ
Original Assignee
Мерк Патент ГмбХ (DE)
Мерк Патент Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE10101926A external-priority patent/DE10101926A1/de
Application filed by Мерк Патент ГмбХ (DE), Мерк Патент Гмбх filed Critical Мерк Патент ГмбХ (DE)
Publication of RU2002130248A publication Critical patent/RU2002130248A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2274615C2 publication Critical patent/RU2274615C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)

Claims (24)

1. Печатаемое, гомогенное, свободное от частиц гравировальное средство, обладающее неньютоновским характером течения, для гравировки неорганических, стеклоподобных или кристаллических поверхностей.
2. Печатаемое гравировальное средство по п.1 для поверхностей стекол, выбираемых из группы, состоящей из стекол, основанных на оксиде кремния, и стекол, основанных на нитриде кремния.
3. Печатаемое гравировальное средство по пп.1 и 2, для поверхностей стекол, включающих элементы, выбираемые из группы, состоящей из кальция, натрия, алюминия, свинца, лития, магния, бария, калия, бора, бериллия, фосфора, галлия, мышьяка, сурьмы, лантана, скандия, цинка, тория, меди, хрома, марганца, железа, кобальта, никеля, молибдена, ванадия, титана, золота, платины, палладия, серебра, церия, цезия, ниобия, тантала, циркония, иттрия, неодима и празеодима.
4. Печатаемое гравировальное средство по пп.1 - 3, отличающееся тем, что оно представляет собой гравировальную пасту, обладающую неньютоновским характером течения.
5. Печатаемое гравировальное средство по пп.1 - 4, отличающееся тем, что оно представляет собой гомогенную, свободную от частиц гравировальную пасту, которая включает а) по меньшей мере один гравировальный компонент для неорганических поверхностей, b) растворитель, с) сгуститель, d) при желании, органическую(ие) и/или неорганическую(ие) кислоту(ы), е) при желании, добавки, такие как противопенящие агенты, тиксотропные агенты, агенты для контроля над потоком, агенты деаэрации и промоторы адгезии; которое эффективно даже при температурах от 15 до 50°С или активируется, при необходимости вводом энергии.
6. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает, в качестве гравирующего компонента, по меньшей мере одно соединение, выбираемое из группы, состоящей из фторидов, бифторидов и тетрафтороборатов и, при желании, по меньшей мере одной неорганической и/или органической кислоты, причем гравировальный(е) компонент(ы) присутствуют в концентрации от 2 до 20 вес.%, предпочтительно от 5 до 15 вес.%, исходя из общего количества.
7. Гравировальное средство по пп.5 и 6, отличающееся тем, что оно включает, в качестве гравирующего компонента, по меньшей мере одно соединение фтора, выбираемое из группы, состоящей из фторидов аммиака, щелочных металлов и сурьмы, бифторидов аммиака, щелочных металлов и кальция и тетрафтороборатов алкилированного аммиака и калия и, при желании, по меньшей мере одной неорганической минеральной кислоты, выбираемой из группы, состоящей из соляной кислоты, фосфорной кислоты, серной кислоты и азотной кислоты и/или, при желании, по меньшей мере, одной органической кислоты, которая может содержать прямоцепочечный или разветвленный алкильный радикал, имеющий 1-10 атомов углерода, выбираемой из группы, состоящей из алкилкарбоновых кислот, гидроксикарбоновых кислот и дикарбоновых кислот.
8. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает органическую кислоту, выбираемую из группы, состоящей из муравьиной кислоты, уксусной кислоты, молочной кислоты и щавелевой кислоты.
9. Гравировальное средство по пп.5 - 8, отличающееся тем, что доля органических и/или неорганических кислот лежит в диапазоне концентраций от 0 до 80 вес.%, исходя из общего количества средства, каждая из добавленных кислот имеет значение рКа от 0 до 5.
10. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает, в качестве растворителя, воду, моноатомные или многоатомные спирты, такие как глицерин, 1,2-пропандиол, 1,4-бутандиол, 1,3-бутандиол, 1,5-пентандиол, 2-этил-1-гексанол, этиленгликоль, диэтиленгликоль и дипропиленгликоль, а также их простые эфиры, такие как этиленгликольмонобутиловый эфир, триэтиленгликольмонометиловый эфир, диэтиленгликольмонобутиловый эфир и дипропиленгликольмонометиловый эфир, и сложные эфиры, такие как [2,2-бутокси(этокси)]этилацетат, сложные эфиры угольной кислоты, такие как пропиленкарбонат, кетоны, такие как ацетофенон, метил-2-гексанон, 2-октанон, 4-гидрокси-4-метил-2-пентанон и 1-метил-2-пирролидон, как такие или в смеси, в количестве от 10 до 90 вес.%, предпочтительно в количестве от 15 до 85 вес.%, исходя из общего количества средства.
11. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает в качестве сгустителя от 0,5 до 25 вес.%, предпочтительно от 3 до 20 вес.%, исходя из общего количества гравировального средства, целлюлозы/производных целлюлозы, крахмала/производных крахмала и/или полимеров, основанных на акрилате или функционализированных виниловых звеньев.
12. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает от 0 до 5 вес.%, исходя из общего количества, добавок, выбираемых из группы, состоящей из противовспенивателей, тиксотропных агентов, агентов, контролирующих поток, агентов деаэрации и промоторов адгезии.
13. Применение гравировального средства по пп.1-12 в способе гравировки, при котором его наносят на поверхность, подвергающуюся гравировке и потом удаляют по прошествии времени выдержки в 1-15 мин.
14. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 в фотоэлектриках, полупроводниковой технологии, высокоточной электронике, минералогии или стекольной промышленности, а также для получения фотодиодов, обзорных стекол для клапанов или измерительного оборудования, стеклянных основ для наружного применения, для производства гравированных стеклянных поверхностей в медицинской, декоративной и гигиенической областях, для производства гравированных стеклянных контейнеров для косметической продукции, пищи и напитков, для получения маркировки или этикеток на контейнерах и при производстве плоского стекла.
15. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 при способах трафаретной печати, шелково-трафаретной печати, подушечной печати, печати при помощи штампов, струйной печати и ручной печати.
16. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для получения стеклянных основ для солнечных элементов или тепловых коллекторов.
17. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для гравировки стекол, содержащих SiO2- или нитрид кремния, в виде однородного полного, непористого или пористого твердых веществ или соответствующих непористых или пористых слоев стекла различной толщины, полученных на других субстратах.
18. Применение гравировального средства по пп.1-12 для гравирования однородных, твердых, непористых или пористых стекол, основанных на системах из оксида кремния или нитрида кремния, и слоев с различной толщиной из таких систем.
19. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для удаления слоев из оксида кремния/оксида кремния с добавками и нитрида кремния, для селективного открытия слоев пассивации из оксида кремния или нитрида кремния для генерирования двустадийных селективных излучателей и/или локальных областей задней поверхности p+ и для гравировки кромки солнечных элементов с покрытием из оксида кремния и нитрида кремния.
20. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для открытия слоев пассивации из оксида кремния и нитрида кремния в способе получения полупроводниковых компонентов и их контуров.
21. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для открытия слоев пассивации из оксида кремния и нитрида кремния в способе получения компонентов для высокоточной электроники.
22. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для минералогических, геологических и микроструктурных исследований.
23. Способ гравировки неорганических, стеклоподобных, кристаллических поверхностей, отличающийся тем, что гравировальное средство по пп.1-12 наносят на всю поверхность или конкретно, согласно структурной маске гравировки, только на точки, в которых гравировка является желаемой, и, после завершения гравировки, смывают при помощи растворителя или смеси растворителей или выжигают в печи.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что гравировальное средство смывают водой после завершения гравировки.
RU2002130248/03A 2000-04-28 2001-03-23 Гравировальные пасты для неорганических поверхностей RU2274615C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10020817 2000-04-28
DE10020817.7 2000-04-28
DE10101926A DE10101926A1 (de) 2000-04-28 2001-01-16 Ätzpasten für anorganische Oberflächen
DE10101926.2 2001-01-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002130248A true RU2002130248A (ru) 2004-03-20
RU2274615C2 RU2274615C2 (ru) 2006-04-20

Family

ID=26005499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002130248/03A RU2274615C2 (ru) 2000-04-28 2001-03-23 Гравировальные пасты для неорганических поверхностей

Country Status (14)

Country Link
US (1) US20030160026A1 (ru)
EP (1) EP1276701B1 (ru)
JP (1) JP2003531807A (ru)
KR (1) KR100812891B1 (ru)
CN (1) CN100343189C (ru)
AU (2) AU4251001A (ru)
CA (1) CA2407530C (ru)
HK (1) HK1053295A1 (ru)
IL (1) IL152497A0 (ru)
MX (1) MXPA02010634A (ru)
PL (1) PL207872B1 (ru)
RU (1) RU2274615C2 (ru)
TW (1) TWI243801B (ru)
WO (1) WO2001083391A1 (ru)

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10150040A1 (de) * 2001-10-10 2003-04-17 Merck Patent Gmbh Kombinierte Ätz- und Dotiermedien
ATE368302T1 (de) 2001-11-26 2007-08-15 Shell Solar Gmbh Solarzelle mit rückseite-kontakt und herstellungsverfahren dazu
EP1378947A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates
DE10239656A1 (de) * 2002-08-26 2004-03-11 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für Titanoxid-Oberflächen
DE10241300A1 (de) * 2002-09-04 2004-03-18 Merck Patent Gmbh Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
TWI282814B (en) * 2002-09-13 2007-06-21 Daikin Ind Ltd Etchant and etching method
KR20040042243A (ko) * 2002-11-13 2004-05-20 박진국 유리표면의 반투명 처리용 부식액조성물과 이를 이용한저반사처리방법
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US7339110B1 (en) 2003-04-10 2008-03-04 Sunpower Corporation Solar cell and method of manufacture
JP4549655B2 (ja) * 2003-11-18 2010-09-22 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 機能性塗料
KR100619449B1 (ko) * 2004-07-10 2006-09-13 테크노세미켐 주식회사 박막트랜지스터 형성용 모든 전극을 위한 통합 식각액조성물
MXGT04000020A (es) * 2004-12-10 2005-06-07 Luis Rendon Granados Juan Proceso quimico para satinado - mateado total o parcial de vidrio por inmersion en solucion acida para produccion simultanea y continua de una o varias piezas y/o laminas de vidrio de dimensiones estandares y variables.
US20060151434A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 The Boc Group, Inc. Selective surface texturing through the use of random application of thixotropic etching agents
DE102005007743A1 (de) * 2005-01-11 2006-07-20 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten
DE102005031469A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-11 Merck Patent Gmbh Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
DE102005032807A1 (de) * 2005-07-12 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium
DE102005033724A1 (de) * 2005-07-15 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten
DE102005035255A1 (de) 2005-07-25 2007-02-01 Merck Patent Gmbh Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten
DE102005037335B4 (de) * 2005-08-04 2008-12-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Rückstandsfrei abnehmbares Beizmittel
KR101188425B1 (ko) * 2005-08-24 2012-10-05 엘지디스플레이 주식회사 식각 테이프 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이기판의 제조 방법
JP4657068B2 (ja) * 2005-09-22 2011-03-23 シャープ株式会社 裏面接合型太陽電池の製造方法
DE102006047579A1 (de) * 2006-10-05 2008-04-17 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit durch eine Ätzlösung lokal strukturierten Oberflächen
DE102006051735A1 (de) 2006-10-30 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
DE102006051952A1 (de) * 2006-11-01 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Partikelhaltige Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten
US8608972B2 (en) * 2006-12-05 2013-12-17 Nano Terra Inc. Method for patterning a surface
US20080152835A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-26 Nano Terra Inc. Method for Patterning a Surface
JP2008186927A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Sharp Corp 裏面接合型太陽電池とその製造方法
JP5226255B2 (ja) * 2007-07-13 2013-07-03 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
EP2207756B1 (en) * 2007-09-24 2017-12-06 Dip Tech. Ltd. Liquid etching composition and etching method for drop on demand inkjet printing
JP4947654B2 (ja) * 2007-09-28 2012-06-06 シャープ株式会社 誘電体膜のパターニング方法
US20090092745A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Luca Pavani Dopant material for manufacturing solar cells
US7888168B2 (en) * 2007-11-19 2011-02-15 Applied Materials, Inc. Solar cell contact formation process using a patterned etchant material
US20090139568A1 (en) * 2007-11-19 2009-06-04 Applied Materials, Inc. Crystalline Solar Cell Metallization Methods
EP2224471A4 (en) * 2007-12-20 2013-01-09 Teoss Co Ltd A THICKNESSED COATED COATING LIQUID AND METHOD FOR SELECTIVELY HEATING A SUNLIGHT POWER GENERATION ELEMENT SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL USING THE THICKNESSED COATING LIQUID
KR20110020760A (ko) * 2008-02-01 2011-03-03 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드 선택된 물질의 패턴 식각 방법
EP2291549A2 (en) 2008-03-26 2011-03-09 Merck Patent GmbH Composition for manufacturing sio2 resist layers and method of its use
KR20110093759A (ko) * 2008-09-01 2011-08-18 메르크 파텐트 게엠베하 에칭에 의한 박층 태양광 모듈의 에지 제거
GB0820126D0 (en) * 2008-11-04 2008-12-10 Conductive Inkjet Technology Ltd Inkjet ink
KR101000556B1 (ko) 2008-12-23 2010-12-14 주식회사 효성 태양전지 및 그 제조방법
CN102449112B (zh) * 2009-06-04 2014-09-24 默克专利股份有限公司 双组分蚀刻
WO2011050889A2 (de) * 2009-10-30 2011-05-05 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von solarzellen mit selektivem emitter
CN102088042A (zh) * 2009-12-02 2011-06-08 上海交大泰阳绿色能源有限公司 一种高效率晶体硅太阳能电池用浆料的制备方法和浆料
US8524524B2 (en) 2010-04-22 2013-09-03 General Electric Company Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
US20130092657A1 (en) * 2010-06-14 2013-04-18 Nano Terra, Inc. Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning
WO2012019092A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Promerus Llc Polymer composition for microelectronic assembly
US8393707B2 (en) 2010-08-24 2013-03-12 Sunpower Corporation Apparatuses and methods for removal of ink buildup
KR101917879B1 (ko) 2010-12-06 2018-11-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 태양전지 및 태양전지 모듈
MY164543A (en) 2010-12-06 2018-01-15 Shinetsu Chemical Co Solar cell and solar-cell module
WO2012083082A1 (en) 2010-12-15 2012-06-21 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
KR20120067198A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법
JP2011124603A (ja) * 2011-02-09 2011-06-23 Sharp Corp 裏面接合型太陽電池の製造方法
CN102775071A (zh) * 2011-05-09 2012-11-14 代芳 一种表面粗化的玻璃纤维制造技术
EP2735216A1 (de) * 2011-07-18 2014-05-28 Merck Patent GmbH Strukturierung von antistatischen und antireflektionsbeschichtungen und von entsprechenden stapelschichten
CN102955596B (zh) * 2011-08-20 2016-04-06 宸鸿科技(厦门)有限公司 保护层处理方法及其装置
WO2013169884A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Corning Incorporated Glass etching media and methods
CN102800380A (zh) * 2012-08-21 2012-11-28 海南汉能光伏有限公司 浆料及其制备方法、太阳能电池边缘膜层的去除方法
WO2014061245A1 (ja) * 2012-10-16 2014-04-24 日立化成株式会社 エッチング材
JP5888202B2 (ja) * 2012-10-16 2016-03-16 日立化成株式会社 液状組成物
CN105164078B (zh) * 2012-11-02 2018-09-04 康宁股份有限公司 织构化不透明、有色和半透明材料的方法
KR20140086669A (ko) * 2012-12-28 2014-07-08 동우 화인켐 주식회사 금속 산화물막의 식각액 조성물
KR101536001B1 (ko) * 2014-04-30 2015-07-13 주식회사 지앤티 반투명 또는 불투명 유리 제조방법
CN104150782A (zh) * 2014-07-18 2014-11-19 张家港市德力特新材料有限公司 一种显示屏用玻璃的制备方法
TWI546371B (zh) * 2014-11-10 2016-08-21 盟智科技股份有限公司 研磨組成物
JP2016086187A (ja) * 2016-02-01 2016-05-19 日立化成株式会社 SiN膜の除去方法
CN106242307A (zh) 2016-08-11 2016-12-21 京东方科技集团股份有限公司 用于强化制品的边缘的方法、玻璃及显示装置
CN106630658B (zh) * 2016-12-31 2018-11-20 江苏来德福汽车部件有限公司 液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物
CN106587649B (zh) * 2016-12-31 2019-03-22 深圳迈辽技术转移中心有限公司 Tft玻璃基板薄化工艺预处理剂
US10632783B1 (en) 2017-04-25 2020-04-28 Ysidro C. Chacon Method for adhering embellishments to a glass substrate
US11186771B2 (en) * 2017-06-05 2021-11-30 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device
US10870799B2 (en) * 2017-08-25 2020-12-22 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device
US11142830B2 (en) 2019-02-08 2021-10-12 The Boeing Company Method of surface micro-texturing with a subtractive agent
US11136673B2 (en) 2019-02-08 2021-10-05 The Boeing Company Method of surface micro-texturing with a subtractive agent
CN114620939B (zh) * 2020-12-09 2023-03-14 Oppo广东移动通信有限公司 壳体组件及其制备方法和电子设备
CN116040949B (zh) * 2021-10-28 2024-06-18 比亚迪股份有限公司 一种玻璃刻蚀液、具有螺母图案的玻璃及其生产方法
CN116040952B (zh) * 2021-10-28 2024-06-18 比亚迪股份有限公司 玻璃刻蚀液、具有晶耀图案的玻璃及其生产方法
CN115124249B (zh) * 2022-01-20 2024-01-23 佛山犀马精细化工有限公司 一种玻璃基材萤石状抗指纹印及闪光效果蚀刻成型工艺
CN115881969B (zh) * 2023-02-07 2023-05-16 四川大学 一种硼氮掺杂多孔碳基负极活性材料及其制备方法与应用

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US283423A (en) * 1883-08-21 Bekgke
US1470772A (en) * 1922-08-21 1923-10-16 Henry L Greenbaum Paste for etching glass
US2067925A (en) * 1934-03-07 1937-01-19 Clayton-Kennedy Nance Composition for etching and etching transfers
US2903345A (en) * 1957-11-15 1959-09-08 American Cyanamid Co Etching of barium glass
US3810784A (en) * 1969-10-09 1974-05-14 Owens Corning Fiberglass Corp Reversible shear thinning gel coated glass fiber strand
DE2557079C2 (de) * 1975-12-18 1984-05-24 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen einer Maskierungsschicht
US4097309A (en) * 1977-01-31 1978-06-27 The Boeing Company Thermally isolated solar cell construction
DE2929589A1 (de) * 1979-07-04 1981-01-22 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters
DD153360A1 (de) * 1980-10-01 1982-01-06 Heinz Schicht Mattierungspaste fuer glas
US4376673A (en) * 1981-02-19 1983-03-15 Pennwalt Corporation Method for etching dental porcelain
JPS5888142A (ja) * 1981-11-20 1983-05-26 Nissha Printing Co Ltd 高温用ガラス腐触剤並びにそれを用いたガラスの腐触方法
JPS5888143A (ja) * 1981-11-20 1983-05-26 Nissha Printing Co Ltd 凹凸表面を有する着色ガラス製品の製造方法
US4578407A (en) * 1982-03-31 1986-03-25 Gaf Corporation Thixotropic rust removal coating and process
US4781792A (en) * 1985-05-07 1988-11-01 Hogan James V Method for permanently marking glass
DE3601834A1 (de) * 1986-01-20 1987-07-23 Schering Ag Verfahren zur haftfesten metallisierung von keramischen materialien
US4761244A (en) * 1987-01-27 1988-08-02 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkyl polyaccharide surfactant
DE3725346A1 (de) * 1987-07-30 1989-02-09 Nukem Gmbh Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle
US4921626A (en) * 1989-08-23 1990-05-01 Automark Corporation Glass etching composition and method of making
JP2890988B2 (ja) * 1992-08-17 1999-05-17 日立化成工業株式会社 剥離用組成物及び剥離方法
US6084175A (en) * 1993-05-20 2000-07-04 Amoco/Enron Solar Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts
US6552414B1 (en) * 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
WO1998030652A1 (en) * 1997-01-09 1998-07-16 Henkel Corporation Acid deoxidizing/etching composition and process suitable for vertical aluminum surfaces
US5965465A (en) * 1997-09-18 1999-10-12 International Business Machines Corporation Etching of silicon nitride
US6670281B2 (en) * 1998-12-30 2003-12-30 Honeywell International Inc. HF etching and oxide scale removal
US6337029B1 (en) * 1999-01-21 2002-01-08 Xim Products Method and composition for etching glass ceramic and porcelain surfaces
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
WO2000064828A1 (fr) * 1999-04-27 2000-11-02 Hiroshi Miwa Composition de gravure du verre et procede de givrage utilisant cette composition

Also Published As

Publication number Publication date
AU2001242510B2 (en) 2006-02-23
CN1426381A (zh) 2003-06-25
AU4251001A (en) 2001-11-12
KR100812891B1 (ko) 2008-03-11
MXPA02010634A (es) 2003-03-10
TWI243801B (en) 2005-11-21
HK1053295A1 (en) 2003-10-17
PL207872B1 (pl) 2011-02-28
EP1276701B1 (de) 2012-12-05
EP1276701A1 (de) 2003-01-22
IL152497A0 (en) 2003-05-29
KR20030004377A (ko) 2003-01-14
RU2274615C2 (ru) 2006-04-20
PL358687A1 (en) 2004-08-09
JP2003531807A (ja) 2003-10-28
CN100343189C (zh) 2007-10-17
WO2001083391A1 (de) 2001-11-08
US20030160026A1 (en) 2003-08-28
CA2407530C (en) 2010-05-11
CA2407530A1 (en) 2002-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2002130248A (ru) Гравировальные пасты для неорганических поверхностей
JP5698897B2 (ja) 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体
US7837890B2 (en) Printable medium for the etching of silicon dioxide and silicon nitride layers
TW492081B (en) Dopant pastes for the production of p, p+ and n, n+ regions in semiconductors
JP2009501247A5 (ru)
EP1535318B1 (de) Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten
CA2712348C (en) Glass frits
JP2009501436A (ja) 二酸化シリコンおよび基礎のシリコンのためのエッチングとドーピング用の複合媒体
JP2013063903A (ja) 無機表面用エッチングペースト
WO2014101987A1 (de) Druckbare diffusionsbarrieren für siliziumwafer
CN102357658B (zh) 一种用于制备太阳光热转换吸收薄膜的水溶胶
CN103290453B (zh) Ctp版材封孔处理用封孔剂
CN112420239A (zh) 一种纳米低银高效晶硅太阳能用正银导体浆料的制备方法
KR101130136B1 (ko) 인쇄 가능한 에칭 페이스트

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180324