RU2002130248A - Гравировальные пасты для неорганических поверхностей - Google Patents
Гравировальные пасты для неорганических поверхностейInfo
- Publication number
- RU2002130248A RU2002130248A RU2002130248/03A RU2002130248A RU2002130248A RU 2002130248 A RU2002130248 A RU 2002130248A RU 2002130248/03 A RU2002130248/03 A RU 2002130248/03A RU 2002130248 A RU2002130248 A RU 2002130248A RU 2002130248 A RU2002130248 A RU 2002130248A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- engraving
- tool according
- engraving tool
- acid
- glass
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
Claims (24)
1. Печатаемое, гомогенное, свободное от частиц гравировальное средство, обладающее неньютоновским характером течения, для гравировки неорганических, стеклоподобных или кристаллических поверхностей.
2. Печатаемое гравировальное средство по п.1 для поверхностей стекол, выбираемых из группы, состоящей из стекол, основанных на оксиде кремния, и стекол, основанных на нитриде кремния.
3. Печатаемое гравировальное средство по пп.1 и 2, для поверхностей стекол, включающих элементы, выбираемые из группы, состоящей из кальция, натрия, алюминия, свинца, лития, магния, бария, калия, бора, бериллия, фосфора, галлия, мышьяка, сурьмы, лантана, скандия, цинка, тория, меди, хрома, марганца, железа, кобальта, никеля, молибдена, ванадия, титана, золота, платины, палладия, серебра, церия, цезия, ниобия, тантала, циркония, иттрия, неодима и празеодима.
4. Печатаемое гравировальное средство по пп.1 - 3, отличающееся тем, что оно представляет собой гравировальную пасту, обладающую неньютоновским характером течения.
5. Печатаемое гравировальное средство по пп.1 - 4, отличающееся тем, что оно представляет собой гомогенную, свободную от частиц гравировальную пасту, которая включает а) по меньшей мере один гравировальный компонент для неорганических поверхностей, b) растворитель, с) сгуститель, d) при желании, органическую(ие) и/или неорганическую(ие) кислоту(ы), е) при желании, добавки, такие как противопенящие агенты, тиксотропные агенты, агенты для контроля над потоком, агенты деаэрации и промоторы адгезии; которое эффективно даже при температурах от 15 до 50°С или активируется, при необходимости вводом энергии.
6. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает, в качестве гравирующего компонента, по меньшей мере одно соединение, выбираемое из группы, состоящей из фторидов, бифторидов и тетрафтороборатов и, при желании, по меньшей мере одной неорганической и/или органической кислоты, причем гравировальный(е) компонент(ы) присутствуют в концентрации от 2 до 20 вес.%, предпочтительно от 5 до 15 вес.%, исходя из общего количества.
7. Гравировальное средство по пп.5 и 6, отличающееся тем, что оно включает, в качестве гравирующего компонента, по меньшей мере одно соединение фтора, выбираемое из группы, состоящей из фторидов аммиака, щелочных металлов и сурьмы, бифторидов аммиака, щелочных металлов и кальция и тетрафтороборатов алкилированного аммиака и калия и, при желании, по меньшей мере одной неорганической минеральной кислоты, выбираемой из группы, состоящей из соляной кислоты, фосфорной кислоты, серной кислоты и азотной кислоты и/или, при желании, по меньшей мере, одной органической кислоты, которая может содержать прямоцепочечный или разветвленный алкильный радикал, имеющий 1-10 атомов углерода, выбираемой из группы, состоящей из алкилкарбоновых кислот, гидроксикарбоновых кислот и дикарбоновых кислот.
8. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает органическую кислоту, выбираемую из группы, состоящей из муравьиной кислоты, уксусной кислоты, молочной кислоты и щавелевой кислоты.
9. Гравировальное средство по пп.5 - 8, отличающееся тем, что доля органических и/или неорганических кислот лежит в диапазоне концентраций от 0 до 80 вес.%, исходя из общего количества средства, каждая из добавленных кислот имеет значение рКа от 0 до 5.
10. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает, в качестве растворителя, воду, моноатомные или многоатомные спирты, такие как глицерин, 1,2-пропандиол, 1,4-бутандиол, 1,3-бутандиол, 1,5-пентандиол, 2-этил-1-гексанол, этиленгликоль, диэтиленгликоль и дипропиленгликоль, а также их простые эфиры, такие как этиленгликольмонобутиловый эфир, триэтиленгликольмонометиловый эфир, диэтиленгликольмонобутиловый эфир и дипропиленгликольмонометиловый эфир, и сложные эфиры, такие как [2,2-бутокси(этокси)]этилацетат, сложные эфиры угольной кислоты, такие как пропиленкарбонат, кетоны, такие как ацетофенон, метил-2-гексанон, 2-октанон, 4-гидрокси-4-метил-2-пентанон и 1-метил-2-пирролидон, как такие или в смеси, в количестве от 10 до 90 вес.%, предпочтительно в количестве от 15 до 85 вес.%, исходя из общего количества средства.
11. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает в качестве сгустителя от 0,5 до 25 вес.%, предпочтительно от 3 до 20 вес.%, исходя из общего количества гравировального средства, целлюлозы/производных целлюлозы, крахмала/производных крахмала и/или полимеров, основанных на акрилате или функционализированных виниловых звеньев.
12. Гравировальное средство по п.5, отличающееся тем, что оно включает от 0 до 5 вес.%, исходя из общего количества, добавок, выбираемых из группы, состоящей из противовспенивателей, тиксотропных агентов, агентов, контролирующих поток, агентов деаэрации и промоторов адгезии.
13. Применение гравировального средства по пп.1-12 в способе гравировки, при котором его наносят на поверхность, подвергающуюся гравировке и потом удаляют по прошествии времени выдержки в 1-15 мин.
14. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 в фотоэлектриках, полупроводниковой технологии, высокоточной электронике, минералогии или стекольной промышленности, а также для получения фотодиодов, обзорных стекол для клапанов или измерительного оборудования, стеклянных основ для наружного применения, для производства гравированных стеклянных поверхностей в медицинской, декоративной и гигиенической областях, для производства гравированных стеклянных контейнеров для косметической продукции, пищи и напитков, для получения маркировки или этикеток на контейнерах и при производстве плоского стекла.
15. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 при способах трафаретной печати, шелково-трафаретной печати, подушечной печати, печати при помощи штампов, струйной печати и ручной печати.
16. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для получения стеклянных основ для солнечных элементов или тепловых коллекторов.
17. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для гравировки стекол, содержащих SiO2- или нитрид кремния, в виде однородного полного, непористого или пористого твердых веществ или соответствующих непористых или пористых слоев стекла различной толщины, полученных на других субстратах.
18. Применение гравировального средства по пп.1-12 для гравирования однородных, твердых, непористых или пористых стекол, основанных на системах из оксида кремния или нитрида кремния, и слоев с различной толщиной из таких систем.
19. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для удаления слоев из оксида кремния/оксида кремния с добавками и нитрида кремния, для селективного открытия слоев пассивации из оксида кремния или нитрида кремния для генерирования двустадийных селективных излучателей и/или локальных областей задней поверхности p+ и для гравировки кромки солнечных элементов с покрытием из оксида кремния и нитрида кремния.
20. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для открытия слоев пассивации из оксида кремния и нитрида кремния в способе получения полупроводниковых компонентов и их контуров.
21. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для открытия слоев пассивации из оксида кремния и нитрида кремния в способе получения компонентов для высокоточной электроники.
22. Применение гравировального средства по пп.1 - 12 для минералогических, геологических и микроструктурных исследований.
23. Способ гравировки неорганических, стеклоподобных, кристаллических поверхностей, отличающийся тем, что гравировальное средство по пп.1-12 наносят на всю поверхность или конкретно, согласно структурной маске гравировки, только на точки, в которых гравировка является желаемой, и, после завершения гравировки, смывают при помощи растворителя или смеси растворителей или выжигают в печи.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что гравировальное средство смывают водой после завершения гравировки.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10020817 | 2000-04-28 | ||
DE10020817.7 | 2000-04-28 | ||
DE10101926A DE10101926A1 (de) | 2000-04-28 | 2001-01-16 | Ätzpasten für anorganische Oberflächen |
DE10101926.2 | 2001-01-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2002130248A true RU2002130248A (ru) | 2004-03-20 |
RU2274615C2 RU2274615C2 (ru) | 2006-04-20 |
Family
ID=26005499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2002130248/03A RU2274615C2 (ru) | 2000-04-28 | 2001-03-23 | Гравировальные пасты для неорганических поверхностей |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20030160026A1 (ru) |
EP (1) | EP1276701B1 (ru) |
JP (1) | JP2003531807A (ru) |
KR (1) | KR100812891B1 (ru) |
CN (1) | CN100343189C (ru) |
AU (2) | AU4251001A (ru) |
CA (1) | CA2407530C (ru) |
HK (1) | HK1053295A1 (ru) |
IL (1) | IL152497A0 (ru) |
MX (1) | MXPA02010634A (ru) |
PL (1) | PL207872B1 (ru) |
RU (1) | RU2274615C2 (ru) |
TW (1) | TWI243801B (ru) |
WO (1) | WO2001083391A1 (ru) |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10150040A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-17 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien |
ATE368302T1 (de) | 2001-11-26 | 2007-08-15 | Shell Solar Gmbh | Solarzelle mit rückseite-kontakt und herstellungsverfahren dazu |
EP1378947A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Semiconductor etching paste and the use thereof for localised etching of semiconductor substrates |
DE10239656A1 (de) * | 2002-08-26 | 2004-03-11 | Merck Patent Gmbh | Ätzpasten für Titanoxid-Oberflächen |
DE10241300A1 (de) * | 2002-09-04 | 2004-03-18 | Merck Patent Gmbh | Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten |
TWI282814B (en) * | 2002-09-13 | 2007-06-21 | Daikin Ind Ltd | Etchant and etching method |
KR20040042243A (ko) * | 2002-11-13 | 2004-05-20 | 박진국 | 유리표면의 반투명 처리용 부식액조성물과 이를 이용한저반사처리방법 |
US7388147B2 (en) * | 2003-04-10 | 2008-06-17 | Sunpower Corporation | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture |
US7339110B1 (en) | 2003-04-10 | 2008-03-04 | Sunpower Corporation | Solar cell and method of manufacture |
JP4549655B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-09-22 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 機能性塗料 |
KR100619449B1 (ko) * | 2004-07-10 | 2006-09-13 | 테크노세미켐 주식회사 | 박막트랜지스터 형성용 모든 전극을 위한 통합 식각액조성물 |
MXGT04000020A (es) * | 2004-12-10 | 2005-06-07 | Luis Rendon Granados Juan | Proceso quimico para satinado - mateado total o parcial de vidrio por inmersion en solucion acida para produccion simultanea y continua de una o varias piezas y/o laminas de vidrio de dimensiones estandares y variables. |
US20060151434A1 (en) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | The Boc Group, Inc. | Selective surface texturing through the use of random application of thixotropic etching agents |
DE102005007743A1 (de) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von Siliziumdioxid- und Siliziumnitridschichten |
DE102005031469A1 (de) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Merck Patent Gmbh | Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
DE102005032807A1 (de) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien für Siliziumdioxidschichten und darunter liegendes Silizium |
DE102005033724A1 (de) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | Merck Patent Gmbh | Druckfähige Ätzmedien für Siliziumdioxid-und Siliziumnitridschichten |
DE102005035255A1 (de) | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Merck Patent Gmbh | Ätzmedien für oxidische, transparente, leitfähige Schichten |
DE102005037335B4 (de) * | 2005-08-04 | 2008-12-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Rückstandsfrei abnehmbares Beizmittel |
KR101188425B1 (ko) * | 2005-08-24 | 2012-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 식각 테이프 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이기판의 제조 방법 |
JP4657068B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-03-23 | シャープ株式会社 | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
DE102006047579A1 (de) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit durch eine Ätzlösung lokal strukturierten Oberflächen |
DE102006051735A1 (de) | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Merck Patent Gmbh | Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten |
DE102006051952A1 (de) * | 2006-11-01 | 2008-05-08 | Merck Patent Gmbh | Partikelhaltige Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten |
US8608972B2 (en) * | 2006-12-05 | 2013-12-17 | Nano Terra Inc. | Method for patterning a surface |
US20080152835A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-26 | Nano Terra Inc. | Method for Patterning a Surface |
JP2008186927A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Sharp Corp | 裏面接合型太陽電池とその製造方法 |
JP5226255B2 (ja) * | 2007-07-13 | 2013-07-03 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
EP2207756B1 (en) * | 2007-09-24 | 2017-12-06 | Dip Tech. Ltd. | Liquid etching composition and etching method for drop on demand inkjet printing |
JP4947654B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-06-06 | シャープ株式会社 | 誘電体膜のパターニング方法 |
US20090092745A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | Luca Pavani | Dopant material for manufacturing solar cells |
US7888168B2 (en) * | 2007-11-19 | 2011-02-15 | Applied Materials, Inc. | Solar cell contact formation process using a patterned etchant material |
US20090139568A1 (en) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Crystalline Solar Cell Metallization Methods |
EP2224471A4 (en) * | 2007-12-20 | 2013-01-09 | Teoss Co Ltd | A THICKNESSED COATED COATING LIQUID AND METHOD FOR SELECTIVELY HEATING A SUNLIGHT POWER GENERATION ELEMENT SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL USING THE THICKNESSED COATING LIQUID |
KR20110020760A (ko) * | 2008-02-01 | 2011-03-03 | 뉴사우스 이노베이션즈 피티와이 리미티드 | 선택된 물질의 패턴 식각 방법 |
EP2291549A2 (en) | 2008-03-26 | 2011-03-09 | Merck Patent GmbH | Composition for manufacturing sio2 resist layers and method of its use |
KR20110093759A (ko) * | 2008-09-01 | 2011-08-18 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 에칭에 의한 박층 태양광 모듈의 에지 제거 |
GB0820126D0 (en) * | 2008-11-04 | 2008-12-10 | Conductive Inkjet Technology Ltd | Inkjet ink |
KR101000556B1 (ko) | 2008-12-23 | 2010-12-14 | 주식회사 효성 | 태양전지 및 그 제조방법 |
CN102449112B (zh) * | 2009-06-04 | 2014-09-24 | 默克专利股份有限公司 | 双组分蚀刻 |
WO2011050889A2 (de) * | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur herstellung von solarzellen mit selektivem emitter |
CN102088042A (zh) * | 2009-12-02 | 2011-06-08 | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 | 一种高效率晶体硅太阳能电池用浆料的制备方法和浆料 |
US8524524B2 (en) | 2010-04-22 | 2013-09-03 | General Electric Company | Methods for forming back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells |
US20130092657A1 (en) * | 2010-06-14 | 2013-04-18 | Nano Terra, Inc. | Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning |
WO2012019092A1 (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Promerus Llc | Polymer composition for microelectronic assembly |
US8393707B2 (en) | 2010-08-24 | 2013-03-12 | Sunpower Corporation | Apparatuses and methods for removal of ink buildup |
KR101917879B1 (ko) | 2010-12-06 | 2018-11-13 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 태양전지 및 태양전지 모듈 |
MY164543A (en) | 2010-12-06 | 2018-01-15 | Shinetsu Chemical Co | Solar cell and solar-cell module |
WO2012083082A1 (en) | 2010-12-15 | 2012-06-21 | Sun Chemical Corporation | Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film |
KR20120067198A (ko) * | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 에칭 페이스트, 그 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
JP2011124603A (ja) * | 2011-02-09 | 2011-06-23 | Sharp Corp | 裏面接合型太陽電池の製造方法 |
CN102775071A (zh) * | 2011-05-09 | 2012-11-14 | 代芳 | 一种表面粗化的玻璃纤维制造技术 |
EP2735216A1 (de) * | 2011-07-18 | 2014-05-28 | Merck Patent GmbH | Strukturierung von antistatischen und antireflektionsbeschichtungen und von entsprechenden stapelschichten |
CN102955596B (zh) * | 2011-08-20 | 2016-04-06 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 保护层处理方法及其装置 |
WO2013169884A1 (en) | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Corning Incorporated | Glass etching media and methods |
CN102800380A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-28 | 海南汉能光伏有限公司 | 浆料及其制备方法、太阳能电池边缘膜层的去除方法 |
WO2014061245A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2014-04-24 | 日立化成株式会社 | エッチング材 |
JP5888202B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2016-03-16 | 日立化成株式会社 | 液状組成物 |
CN105164078B (zh) * | 2012-11-02 | 2018-09-04 | 康宁股份有限公司 | 织构化不透明、有色和半透明材料的方法 |
KR20140086669A (ko) * | 2012-12-28 | 2014-07-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속 산화물막의 식각액 조성물 |
KR101536001B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2015-07-13 | 주식회사 지앤티 | 반투명 또는 불투명 유리 제조방법 |
CN104150782A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-11-19 | 张家港市德力特新材料有限公司 | 一种显示屏用玻璃的制备方法 |
TWI546371B (zh) * | 2014-11-10 | 2016-08-21 | 盟智科技股份有限公司 | 研磨組成物 |
JP2016086187A (ja) * | 2016-02-01 | 2016-05-19 | 日立化成株式会社 | SiN膜の除去方法 |
CN106242307A (zh) | 2016-08-11 | 2016-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 用于强化制品的边缘的方法、玻璃及显示装置 |
CN106630658B (zh) * | 2016-12-31 | 2018-11-20 | 江苏来德福汽车部件有限公司 | 液晶显示屏玻璃基板薄化工艺预处理组合物 |
CN106587649B (zh) * | 2016-12-31 | 2019-03-22 | 深圳迈辽技术转移中心有限公司 | Tft玻璃基板薄化工艺预处理剂 |
US10632783B1 (en) | 2017-04-25 | 2020-04-28 | Ysidro C. Chacon | Method for adhering embellishments to a glass substrate |
US11186771B2 (en) * | 2017-06-05 | 2021-11-30 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device |
US10870799B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-12-22 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for selectively removing tantalum nitride over titanium nitride during manufacture of a semiconductor device |
US11142830B2 (en) | 2019-02-08 | 2021-10-12 | The Boeing Company | Method of surface micro-texturing with a subtractive agent |
US11136673B2 (en) | 2019-02-08 | 2021-10-05 | The Boeing Company | Method of surface micro-texturing with a subtractive agent |
CN114620939B (zh) * | 2020-12-09 | 2023-03-14 | Oppo广东移动通信有限公司 | 壳体组件及其制备方法和电子设备 |
CN116040949B (zh) * | 2021-10-28 | 2024-06-18 | 比亚迪股份有限公司 | 一种玻璃刻蚀液、具有螺母图案的玻璃及其生产方法 |
CN116040952B (zh) * | 2021-10-28 | 2024-06-18 | 比亚迪股份有限公司 | 玻璃刻蚀液、具有晶耀图案的玻璃及其生产方法 |
CN115124249B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-01-23 | 佛山犀马精细化工有限公司 | 一种玻璃基材萤石状抗指纹印及闪光效果蚀刻成型工艺 |
CN115881969B (zh) * | 2023-02-07 | 2023-05-16 | 四川大学 | 一种硼氮掺杂多孔碳基负极活性材料及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US283423A (en) * | 1883-08-21 | Bekgke | ||
US1470772A (en) * | 1922-08-21 | 1923-10-16 | Henry L Greenbaum | Paste for etching glass |
US2067925A (en) * | 1934-03-07 | 1937-01-19 | Clayton-Kennedy Nance | Composition for etching and etching transfers |
US2903345A (en) * | 1957-11-15 | 1959-09-08 | American Cyanamid Co | Etching of barium glass |
US3810784A (en) * | 1969-10-09 | 1974-05-14 | Owens Corning Fiberglass Corp | Reversible shear thinning gel coated glass fiber strand |
DE2557079C2 (de) * | 1975-12-18 | 1984-05-24 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Herstellen einer Maskierungsschicht |
US4097309A (en) * | 1977-01-31 | 1978-06-27 | The Boeing Company | Thermally isolated solar cell construction |
DE2929589A1 (de) * | 1979-07-04 | 1981-01-22 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zur herstellung eines optisch transparenten und elektrisch leitfaehigen filmmusters |
DD153360A1 (de) * | 1980-10-01 | 1982-01-06 | Heinz Schicht | Mattierungspaste fuer glas |
US4376673A (en) * | 1981-02-19 | 1983-03-15 | Pennwalt Corporation | Method for etching dental porcelain |
JPS5888142A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-26 | Nissha Printing Co Ltd | 高温用ガラス腐触剤並びにそれを用いたガラスの腐触方法 |
JPS5888143A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-26 | Nissha Printing Co Ltd | 凹凸表面を有する着色ガラス製品の製造方法 |
US4578407A (en) * | 1982-03-31 | 1986-03-25 | Gaf Corporation | Thixotropic rust removal coating and process |
US4781792A (en) * | 1985-05-07 | 1988-11-01 | Hogan James V | Method for permanently marking glass |
DE3601834A1 (de) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Schering Ag | Verfahren zur haftfesten metallisierung von keramischen materialien |
US4761244A (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkyl polyaccharide surfactant |
DE3725346A1 (de) * | 1987-07-30 | 1989-02-09 | Nukem Gmbh | Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle |
US4921626A (en) * | 1989-08-23 | 1990-05-01 | Automark Corporation | Glass etching composition and method of making |
JP2890988B2 (ja) * | 1992-08-17 | 1999-05-17 | 日立化成工業株式会社 | 剥離用組成物及び剥離方法 |
US6084175A (en) * | 1993-05-20 | 2000-07-04 | Amoco/Enron Solar | Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts |
US6552414B1 (en) * | 1996-12-24 | 2003-04-22 | Imec Vzw | Semiconductor device with selectively diffused regions |
WO1998030652A1 (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-16 | Henkel Corporation | Acid deoxidizing/etching composition and process suitable for vertical aluminum surfaces |
US5965465A (en) * | 1997-09-18 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Etching of silicon nitride |
US6670281B2 (en) * | 1998-12-30 | 2003-12-30 | Honeywell International Inc. | HF etching and oxide scale removal |
US6337029B1 (en) * | 1999-01-21 | 2002-01-08 | Xim Products | Method and composition for etching glass ceramic and porcelain surfaces |
DE19910816A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-10-05 | Merck Patent Gmbh | Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern |
WO2000064828A1 (fr) * | 1999-04-27 | 2000-11-02 | Hiroshi Miwa | Composition de gravure du verre et procede de givrage utilisant cette composition |
-
2001
- 2001-03-23 AU AU4251001A patent/AU4251001A/xx active Pending
- 2001-03-23 JP JP2001580827A patent/JP2003531807A/ja active Pending
- 2001-03-23 MX MXPA02010634A patent/MXPA02010634A/es active IP Right Grant
- 2001-03-23 CN CNB018087086A patent/CN100343189C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-23 AU AU2001242510A patent/AU2001242510B2/en not_active Ceased
- 2001-03-23 PL PL358687A patent/PL207872B1/pl unknown
- 2001-03-23 US US10/258,747 patent/US20030160026A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-23 RU RU2002130248/03A patent/RU2274615C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-03-23 EP EP01915409A patent/EP1276701B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-23 CA CA2407530A patent/CA2407530C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-23 WO PCT/EP2001/003317 patent/WO2001083391A1/de active Application Filing
- 2001-03-23 IL IL15249701A patent/IL152497A0/xx unknown
- 2001-03-23 KR KR1020027014508A patent/KR100812891B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-04-20 TW TW090109529A patent/TWI243801B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-08-01 HK HK03105546A patent/HK1053295A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2001242510B2 (en) | 2006-02-23 |
CN1426381A (zh) | 2003-06-25 |
AU4251001A (en) | 2001-11-12 |
KR100812891B1 (ko) | 2008-03-11 |
MXPA02010634A (es) | 2003-03-10 |
TWI243801B (en) | 2005-11-21 |
HK1053295A1 (en) | 2003-10-17 |
PL207872B1 (pl) | 2011-02-28 |
EP1276701B1 (de) | 2012-12-05 |
EP1276701A1 (de) | 2003-01-22 |
IL152497A0 (en) | 2003-05-29 |
KR20030004377A (ko) | 2003-01-14 |
RU2274615C2 (ru) | 2006-04-20 |
PL358687A1 (en) | 2004-08-09 |
JP2003531807A (ja) | 2003-10-28 |
CN100343189C (zh) | 2007-10-17 |
WO2001083391A1 (de) | 2001-11-08 |
US20030160026A1 (en) | 2003-08-28 |
CA2407530C (en) | 2010-05-11 |
CA2407530A1 (en) | 2002-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2002130248A (ru) | Гравировальные пасты для неорганических поверхностей | |
JP5698897B2 (ja) | 二酸化ケイ素層および窒化ケイ素層のためのプリント可能なエッチング媒体 | |
US7837890B2 (en) | Printable medium for the etching of silicon dioxide and silicon nitride layers | |
TW492081B (en) | Dopant pastes for the production of p, p+ and n, n+ regions in semiconductors | |
JP2009501247A5 (ru) | ||
EP1535318B1 (de) | Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten | |
CA2712348C (en) | Glass frits | |
JP2009501436A (ja) | 二酸化シリコンおよび基礎のシリコンのためのエッチングとドーピング用の複合媒体 | |
JP2013063903A (ja) | 無機表面用エッチングペースト | |
WO2014101987A1 (de) | Druckbare diffusionsbarrieren für siliziumwafer | |
CN102357658B (zh) | 一种用于制备太阳光热转换吸收薄膜的水溶胶 | |
CN103290453B (zh) | Ctp版材封孔处理用封孔剂 | |
CN112420239A (zh) | 一种纳米低银高效晶硅太阳能用正银导体浆料的制备方法 | |
KR101130136B1 (ko) | 인쇄 가능한 에칭 페이스트 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180324 |