NL192646C - Differentieelaftastversterker. - Google Patents

Description

1 192646

Differentieelaftastversterker

De uitvinding heeft betrekking op een differentieelaftastversterker voor het versterken van een spanningsverschil tussen twee ingangsaansluitingen, omvattende een eerste en teen tweede ingangsinvertor, die elk 5 twee in serie verbonden transistors van complementair type omvatten, en met een paar datalijnen verbonden uitgangsaansluitingen voor het uitvoeren van het versterkte spanningsverschil.

Een versterker van deze soort is bekend uit het artikel ”A Sense System” van J. Geschwendtner e.a. uit IBM Disclosure Bulletin 16, no. 12, mei 1974, blz. 3960-3961. De bekende versterker omvat voor elke bitlijn van twee bitlijnen een invertor van twee complementaire MOS-aandrijftransistors en verder vier, met de 10 paren complementaire transistors verbonden niet-complementaire MOS-transistors. Bij de bekende versterker is elke bitlijn met de poort van één van de twee in serie verbonden transistors van complementair type van een bijbehorende ingangsinvertor en met de andere transistor van de andere ingangsinvertor verbonden. De bekende versterker vergroot de neertreksnelheid om daarmee de aftastsnelheid te vergroten. De bekende versterker heeft als bezwaar dat deze in rusttoestand relatief veel energie opneemt.

15 De uitvinding beoogt het bezwaar van de bekende versterker op te heffen.

De differentieelaftastversterker van de in de aanhef genoemde soort heeft daartoe volgens de uitvinding als kenmerk, dal de versterker een buffervergrendelketen omvat die zodanig tussen het paar datalijnen verbonden is dat het spanningsverschil van de uitgangsaansluitingen van de eerst en tweede complementaire ingangsinvertors versterkt wordt. Hierdoor wordt een versterker verkregen die in rusttoestand geen 20 energie opneemt en die een relatief grote aftastsnelheid heeft.

De uitvinding wordt toegelicht aan de hand van de tekening. Hierin is: figuur 1 het schema van een gebruikelijke differentieelaftastversterker; figuur 2 het schema van een gebruikelijke keten; 25 figuur 3 het schema van een andere uitvoeringsvorm van de gebruikelijke keten; figuur 4 het schema van een verbeterde differentieelaftastversterker; figuur 5 een afbeelding van golfvormen optredend in de versterker volgens figuur 4; figuur 6 toont een aantal krommen waarmee de karakteristieken van de verbeterde keten worden vergeleken met die van de gebruikelijke keten; en de figuur 7 t/m 12 zijn schema’s van andere uitvoerings-30 vormen.

Een halfgeleïdergeheugen vergt, voor het uitlezen van de in geheugencellen opgeslagen data, een keten voor het decoderen van adressen om een serie geheugencellen te adresseren, een versterker voor het versterken van de uit de gekozen geheugencellen uitgelezen data en een keten voor het aan een uitgang 35 leveren van de versterkte data. Bij de vervaardiging van een hoog geïntegreerde halfgeleïdergeheugen met een hoge snelheid moet in het bijzonder aandacht worden besteed aan de verbetering van de betrouwbaarheid en aan een laag opgenomen vermogen.

Bij verdere integratie van een halfgeleidergeheugeninrichting dalen zowel het werkspanningsniveau van de geheugeninrichting als het spanningsverschil tussen de datalijnen zodat een aftastversterker nodig is 40 voor het zeker waarnemen van het lagere spanningsverschil. De voornaamste in een halfgeleidergeheugeninrichting gebruikte versterkers, in het bijzonder in een statisch willekeurig toegankelijk geheugen (SRAM) zijn differentieelaftastversterkers die het kleine spanningsverschil tussen de beide ingangsaansluitingen van een paar datalijnen (of bitlijnen) versterken.

Figuur 1 toont een gebruikelijke keten met een aftastversterker. De keten versterkt het verschil tussen de 45 spanningen die worden aangelegd aan eerste en tweede ingangsaansluitingen 1 en 2, en welke spanningen worden geleverd aan de uitgang aan de eerste en tweede uitgangsaansluitingen 3 en 4. Daar er geen spanningsverschil optreedt tussen de poort en de afvoer van een PMOS transistor 6, dat deze zijn doorverbonden, zal de spanning aan de eerste uitgangsaansluiting 3 ondanks een variatie van het ingangssignaalniveau geen merkbare verandering ondergaan.

50 Het effectieve uitgangssignaal wordt uitsluitend verkregen aan de tweede uitgangsaansluiting 4, zodat de keten dan ook een keten met enkele uitgang is. Een praktische geheugeninrichting gebruikt twee dergelijke ketens met enkele uitgang met stroomspiegelversterkers, zoals in figuur 2 aangegeven.

In de figuren 1 en 2 is een NMOS transistor 11 met de bron verbonden met de massaspanning Vss aanwezig om te voorkomen dat vermogen wordt opgenomen in responsie op een aftastversterkerbesturings-55 signaal 10 dat de logische ’’lage” toestand heeft en wordt ontvangen door de poort wanneer de aftastversterker niet wordt gestuurd.

Het gelijkmakingssignaal 12, aangelegd aaneen gelijkmakingstransmissiepoort 13 welke is opgenomen 192646 2 tussen een paar bitlijnen (of datalijnen) 15 en 16, maakt de bitlijnen 15 en 16 voor en na de werking van de aftastversterker gelijk, terwijl zij logisch ’’hoog” worden zodat het uitgangssignaal van de aftastversterker tijdens bedrijf optreedt in de bitlijnen of datalijnen.

Het gebruik van bovbenomschreven aftastversterker van de stroomspiegelsoort leidt tot de volgende 5 problemen:

Wanneer het spanningniveau van de ingangssignalen betrekkelijk laag of hoog is wordt de versterking van de uitgangsspanningen klein. De oorzaak hiervan is dat, hoewel geen problemen zouden worden veroorzaakt wanneer er een spanningsverschil zou zijn tussen de ingangsspanningen inclusief de drempel-spanningen van de NMOS transistors 8 en 9 (figuur 1) welke de ingangsspanningen ontvangen, het 10 spanningsverschil tussen de eerste en tweede uitgangsaansluiting 3 en 4 zeer klein wordt omdat NMOS transistors vrijwel gelijke geleidbaarheid hebben wanneer de niveaus van de twee ingangssignalen over een waarde kleiner of groter dan de drempelspanning van elkaar verschillen.

In de tweede plaats is de werksnelheid zeer laag. De oorzaak hiervan is dat wanneer het signaal ontvangen via de eerste aansluiting 1 een hoger niveau heeft dan het signaal ontvangen via de tweede 15 ingangsaansluiting 2 de NMOS transistor 8 vergeleken met de normale toestand sneller in de geleidende toestand komt, waardoor de spanning van de eerste uitgangsaansluiting 3 daalt. Bijgevolg brengt de PMOS transistor 7 de tweede uitgangsaansluiting 4 op de voedingsspanning Vcc zodat een variatie in de uitgangsspanningen wordt teweeggebracht. De tijd nodig voor de spanningsvariatie hangt af van de geleidende toestand van de transistor zelf, zodat het effectieve uitgangssignaal betrekkelijk langzaam 20 optreedt.

Teneinde de stroomspiegelaftastversterker te verbeteren is een andere, op zich bekende, aftastversterker voorgesteld en wel die afgebeeld in figuur 3.

De vergrendelaftastversterker volgens figuur 3 heeft eerste en tweede uitgangsaansluitingen 53 en 54 die kruislings zijn gekoppeld met de poorten van de PMOS transistors 57 en 56.

25 Deze structuur dient voor het compenseren van het onvoldoende positieve terugkoppeleffect optredend bij de stand der techniek veroorzaakt door de PMOS transistor 6, 7 gekoppeld met de voeding in de ketens volgens figuur 1 en 2 en in het verzadigingsgebied werkend. De aftastversterker in figuur 3 vertoont echter ook een daling van de uitgangsspanningsversterking bij een laag of een hoog niveau van het ingangssignaal.

30 Uit de grafiek volgens figuur 6 zal het duidelijk zijn dat de spanningsversterkingskrommen 61 en 63, die respectievelijk de spanningsversterkingskarakteristieken van de ketens 2 en 3 representeren, snel dalen wanneer het niveau van de ingangsspanning daalt tot beneden 2V of stijgt tot boven 3V. De oorzaak daarvan is dat, omdat de componenten welke de ingangsspanningen in de ketens 2 en 3 ontvangen NMOS transistors zijn, de spanningniveauzone (of bandbreedte) waarin een hoge uitgangsspanningversterking 35 wordt gehandhaafd slechts smal is.

In de gebruikelijke ketens volgens de figuren 1 of 3 zal, wanneer het aftastversterkerbesturingssignaal 10 logisch ’’laag" wordt om, wanneer de aftastversterker niet wordt gebruikt, stroomopname te voorkomen de NMOS transistor 11 geblokkeerd zijn waardoor de stromen vloeiend door de NMOS transistoren 8, 9 of 58, 59 worden afgeschakeld en de spanningen van de eerste en tweede uitgangsaansluitingen 3, 4 of 53, 54 40 toenemen totdat de PMOS transistoren 6, 7 of 56, 57 zijn geblokkeerd.

Aldus krijgen de spanningsniveau’s van de beide uitgangsaanluitingen dezelfde waarde zodat het oorspronkelijk effectief uitgangssignaal van de aftastversterker verloren zal gaan. Teneinde dit probleem te ondervangen kan als extra een grendelketen worden toegevoegd tussen de eerste en tweede uitgangsaan-sluitigen 3, 4 of 53, 54.

45 Volgens figuur 4 omvat een differentieelaftastversterker 100 een eerste complementaire ingangsinvertor 124 met een eerste ingangsaansluiting 101, en een tweede complementaire ingangsinvertor 125 met een tweede ingangsaansluiting 102. De eerste complementaire ingangsinvertor 124 bestaat uit een in serie geschakelde PMOS transistor 105 en een NMOS transistor 106. De tweede complementaire ingangsinvertor 125 bestaat uit een in serie geschakelde PMOS transistor 107 en een NMOS transistor 108. Van de eerste 50 complementaire ingangsinvertor 124 is een uitgang verbonden met een eerste uitgangsaansluiting 103

welke is gekoppeld met de uitgang van een eerste complementaire invertor 126 en de ingang van een tweede complementaire invertor 127. De tweede complementaire ingangsinvertor 125 heeft een uitgang verbonden met een tweede uitgangsaansluiting 104, en welke tevens is verbonden met de uitgang van de tweede complementaire ingangsinvertor 127 en de ingang van de eerste complementaire invertor 126. De 55 eerste invertor 126 bestaat uit een PMOS transistor 110 in serie met een NMOS transistor 111. De tweede complementaire invertor 127 bestaat uit de in serie geschakelde PMOS transistor 112 en NMOS transistor 113. De voedingsspanning Vcc wordt geleverd aan de gemeenschappelijke bronnen van de PMOS

3 192646 transistor 105 en 107 van de eerste respectievelijk tweede complementaire ingangsinvertors 124 respectievelijk 125 via het kanaal van een PMOS transistor 109 waarbij de poort een negatief aftastversterkerbestu-ringssignaal SAE toegevoerd krijgt. Tussen de gemeenschappelijke bronnen van de NMOS transistors 106 en 108 van de eerste en tweede complementaire ingangsinvertors 124 en 125 en de massaspanning Vss is 5 het kanaal van een NMOS transistor 115 opgenomen waarvan de poort een positief aftastversterkerbestu-ringssignaal SAE toegevoerd krijgt. De eerste en tweede uitgangsaansluitingen 103 respectievelijk 104 zijn verbonden met een paar datalijnen 119 respectievelijk 120. Een gelijkmakingsketen 123 is verbonden tussen de datalijnen 119 en 120 en heeft dezelfde functies als die uit de figuren 1, 2 en 3.

De PMOS en NMOS transistors 109 respectievelijk 115, die zijn verbonden met respectievelijk de 10 voedingsspanning Vcc en de massaspanning Vss, worden uitgeschakeld in responsie op het positieve aftastversterkerbesturingssignaal SAE van de logische ’’laag” toestand (of het negatieve aftastversterkerbes-turingssignaal SAE van de logische ’’hoog" toestand) om te voorkomen dat de aftastversterker stroom opneemt wanneer deze niet gestuurd wordt (de stand-by toestand). Bovendien fungeren de eerste en tweede complementaire invertors 126 en 127 als grendelketens.

15 In figuur 5, die de tijdens bedrijf optredende golfvormen van de aftastversterker volgens figuur 4 toont geeft A aan het adressignaal, B het niveau van het ingangssignaal, C het gelijkmakingssignaal EQ aangelegd aan de gelijkmakingsketen 123 voor het gelijkmaken van het datalijnpaar, D het positieve aftastversterkerbesturingssignaal SAE en E het uitgangssignaal.

In de grafische voorstelling volgens figuur 6 welke de resultaten toont van de vergelijking tussen de 20 conventionele aftastversterkers van de figuren 2 en 3 enerzijds, en de aftastversterker volgens figuur 4 anderzijds is langs de y-as uitgezet de spanningsversterking van de aftastversterker en langs de x-as het niveau van de ingangsspanning. De kromme 61, 63 en 65 representeren de resultaten verkregen met de aftastversterkers volgens de figuren 2, 3 en 4. Deze resultaten werden verkregen met onderling gelijke voedingspanningen.

25 Figuur 7 toont een andere uitvoeringsvorm die daarin van de uitvoeringsvorm volgens figuur 4 verschilt dat de eerste en tweede complementaire invertors 126 en 127 van figuur 7 via NMOS transistors 115 zijn verbonden met de massaspanning tezamen met de eerste en tweede complementaire ingangsinvertors 124 en 125. De werking van de twee ketens zijn in hoofdzaak gelijk.

Figuur 8 toont een andere uitvoeringsvorm die de conventionele stroomspiegelaftastversterker combi-30 neert met een grendelketen 170 met twee NMOS transistors 166 en 167. Van de NMOS transistor 166 is het kanaal verbonden tussen de eerste uitgangsaansluiting 161 en de massaspanning Vss en is de poort verbonden met de tweede uitgangsaansluiting 162. Van de andere NMOS transistor 167 is het kanaal verbonden tussen de tweede uitgangsaansluiting 162 en de massaspanning Vss en is de poort verbonden met de eerste uitgangsaansluiting 161.

35 De aftastversterker volgens figuur 9 verschilt van die volgens figuur 8 daarin dat de bronnen van de NMOS transistors 166 en 167 afgebeeld in figuur 9 via de NMOS transistor 115 (waarvan uitsluitend de aansluiting is aangegeven) zijn verbonden met de massaspanning Vss.

Figuur 10 toont de schakeling van een andere uitvoeringsvorm, een modificatie van die volgens figuur 9. De aftastversterker uit figuur 10 is verkregen door aan de schakeling volgens figuur 9 twee PMOS 40 transistoren 184 en 187 toe te voegen. Het kanaal van de PMOS transistor 184 is verbonden tussen de voedingsspanning Vcc en de afvoer van de ingangs NMOS transistor 168 waarvan de poort is verbonden met de eerste ingangsaansluiting 101, en de poort daarvan is verbonden met de tweede uitgangsaansluiting 162, terwijl het kanaal van de andere PMOS transistor 187 is verbonden tussen de voedingsspanning Vcc en de afvoer van de andere ingangs NMOS transistor 169 welks poort is verbonden met de tweede 45 ingangsaansluiting 102, en de poort van de transistor 167 is verbonden met de eerste uitgangsaansluiting 161. Aldus wordt het positieve terugkoppeleffect versterkt zodat de uitgangsspanningsversterking wordt verhoogd.

De schakeling volgens figuur 11 verschilt van die volgens figuur 10 in het feit dat de bronnen van de twee NMOS transistors 166 en 167, die de grendelketen vormen, gemeenschappelijk zijn verbonden met de 50 afvoer van de met massa verbonden NMOS transistor 115 (waarvan slechts de aansluiting is getekend) tezamen met de bronnen van de ingangs NMOS transistoren 168 en 169.

In feite is dus de uitvoeringsvorm volgens figuur 4 in hoofdzaak dezelfde als die volgens figuur 7 (met uitzondering van de massaverbinding) terwijl de schakeling volgens figuur 8 in hoofdzaak overeenkomt met die volgens figuur 9 en de schakeling volgens figuur 10 in hoofdzaak overeenkomt met die volgens figuur 55 11.

De ketens van de schakelingen volgens de figuren 4 t/m 7 ontvangen de ingangssignalen via CMOS invertorketens (de complementaire ingangsinvertors 124,125), terwijl de schakeling volgens de figuren 8 en 192646 4 9 een grendelketen omvat gevormd uit twee NMOS transistoren 166 en 167 tussen de beide uitgangs-aansluitingen van de gebruikelijke stroomspiegelaftastversterker terwijl de ketens volgens de figuren 10 en 11 een positieve terugkoppellus omvat gevormd door de twee NMOS transistoren 184 en 187 die zijn verbonden met de voedingsspanning.

5 Figuur 12 heeft betrekking op een andere uitvoeringsvorm van de aftastversterker waarbij, in tegenstelling tot de ketens 4 t/m 7, geen PMOS transistor 109 wordt gebruikt voor de verbinding met voedingsspanning.

Aan de hand van de figuren 4 en 5 zal de werking van de bedreven aftastversterker worden toegelicht.

Voordat de aftastversterker 100 in bedrijf komt maakt het gelijkmakingssignaal (EQ) C in de logische 10 ’’laag” toestand het de gelijkmakingsketen 123 mogelijk de datalijnen 119 en 120 op een bepaald niveau te brengen. In het geval van SRAM is het gelijke niveau van de datalijnen in het algemeen het niveau van de voedingsspanning Vcc, of weinig daarvan verschillend.

Wanneer de datalijnen gelijk zijn gemaakt, maakt het aftastversterkerbesturingssignaal (SAE) D in de logische ’’hoog” toestand het de versterker 100 mogelijk de aftastfunctie te verrichten.

15 Aangenomen wordt nu dat het signaalniveau van de eerste ingangsaansluiting 101 hoger is dan dat van de tweede ingangsaansluiting 102, waarbij de uitgang van de eerste ingangsinvertor 124 geleidelijk op een laag niveau komt terwijl de uitgang van de tweede ingangsinvertor 125 een hoger niveau bereikt dan de uitgang van de eerste ingangsinvertor 124. De NMOS transistor 106 van de eerste ingangsinvertor 124 geleidt meer stroom naar massa via de NMOS transistor 115, terwijl de NMOS transistor 108 van de tweede 20 ingangsinvertor 125 via de NMOS transistor 115 meer stroom naar massa afvoert dan de NMOS transistor 106.

Daarna wordt het spanningniveau van de eerste uitgangsaansluiting 103 lager dan dat van de tweede uitgangsaansluiting 104, waardoor de uitgang van de tweede invertor 127 als gevolg van de positieve terugkoppeling naar een ’’hogere” toestand gaat. Daar de uitgang van de tweede invertor 127 is gekoppeld 25 met de ingang van de eerste invertor 126 zal de uitgang van de eerste invertor 126 meer en meer in de logische “lage” toestand komen. Het resultaat is dat de aanwezige toestand stabiel wordt gehouden zolang de spanningniveau’s van de eerste en tweede ingangsaansluiting 101 en 102 niet veranderen.

Wanneer het spanningsniveau van de eerste uitgangsaansluiting 103 afneemt en dat van de tweede uitgangsaansluiting 104 toeneemt worden de NMOS transistor 113 van de tweede invertor 127 en de PMOS 30 transistor 110 van de eerste invertor 126 geblokkeerd zodat voorkomen wordt dat via de eerste en tweede invertors 126 respectievelijk 127 gelijkstroom wordt opgenomen. Wanneer het spanningsniveau van de eerste ingangsaansluiting 101 lager is dan dat van de tweede ingangsaansluiting 102 treedt hetzelfde effect op.

Het voldoend versterkte uitgangssignaal E wordt aldus afgevoerd in het paar bit- of datalijnen 119 en 120 35 via de eerste en tweede uitgangsaansluitingen 103 en 104. De uitgangsspanningsversterking van de aftastversterker volgens figuur 4 wordt zonder merkbare wijziging van de ingangsspanning zelfs op hoog en laag niveau (lager dan ongeveer 2V of hoger dan ongeveer 3V) stabiel gehouden, zoals de kromme 65 in figuur 6 toont.

De aftastversterker volgens figuur 7 werkt in hoofdzaak op dezelfde wijze als die volgens figuur 4 40 uitgezonderd de massaverbinding van de eerste en tweede invertors 126 en 127.

De aftastversterker volgens figuur 8 gebruikt niet de eerste en tweede ingangsinvertors 124 en 125 zoals in de figuren 4 en 7. In plaats daarvan levert de grendelketen 170 opgebouwd uit de twee NMOS transistors 166 en 167 het positieve terugkoppeleffect waarmee een stabiele uitgangsspanningsversterking wordt verkregen overeenkomstig die gerepresenteerd door de kromme 65 in figuur 6.

45 Wanneer het spanningniveau van de eerste ingangsaansluiting 101 hoger is dan dat van de tweede ingangsaansluiting 102 daalt het spanningniveau van de eerste uitgangsaansluiting 161 sneller dan het spanningniveau van de tweede uitgangsaansluiting 162 zodat de NMOS transistor 167 wordt uitgeschakeld omdat zijn poort is verbonden met de eerste uitgangsaansluiting 161. Intussen worden de twee PMOS transistors 164 en 165 ingeschakeld als gevolg van het lage spanningniveau van de eerste uitgangs-50 aansluiting 161 zodat op de uitgangsaansluitingen de voedingsspanning Vcc wordt opgedrukt. Daar van de PMOS transistor 164 de poort en de bron zijn doorverbonden werkend in het verzadigingsgebied wordt vergeleken met de PMOS transistor 165 met de afvoer verbonden met de tweede uitgangsaansluiting 162 nauwelijks spanning opgedrukt. Bijgevolg wordt het spanningsniveau van de tweede uitgangsaansluiting 162 hoog waardoor de NMOS transistor 166 geleidend wordt. Bijgevolg gaat het spanningniveau van de 55 uitgangsaansluiting 161 logisch ’’laag” terwijl het spanningniveau van de tweede uitgangsaansluiting 162 logisch ’’hoog” blijft. Aldus wordt de uitgangsspanningstoestand E volgens figuur 5 verkregen.

Bovendien geleidt de PMOS transistor 164 nauwelijks de gelijkstroom van de voeding als gevolg van de

Claims (4)

5 192646 werking in het verzadigingsgebied en de andere PMOS transistor 165 kan via zijn kanaal geen stroom geleiden als gevolg van de hoge spanning op de tweede uitgangsaansluiting 162 waardoor wordt voorkomen dat gelijkstroom wordt opgenomen. In de aftastversterker volgens figuur 10 reageren, aannemend dat het spanningniveau van de eerste 5 ingangsaansluiting 101 hoger is dan dat van de tweede ingangsaansluiting 102 der PMOS transistors 187 en 184 op de ”!age” spanning van de eerste uitgangsaansluiting 161 en de ’’hoge” spanning van de tweede uitgangsaansluiting 162 zodat het positieve terugkoppeleffect wordt versterkt, en de responsiesnelheid der uitgangsspanning wordt verhoogd. De ’’hoge” spanning van de tweede uitgangsaansluiting 162 blokkeert de PMOS transistor 184 terwijl de ’’lage” spanning van de eerste uitgangsaansluiting 161 de andere PMOS 10 transistor 187 geleidend maakt zodat de tweede uitgangsaansluiting 162 sneller naar het niveau van de voedingsspanning Vcc kan worden gebracht. Wanneer daarentegen het spanningniveau van de eerste ingangsaansluiting 101 lager is dan dat van de tweede ingangsaansluiting 102 brengt de PMOS transistor 184 de eerste uitgangsaansluiting 161 sneller op het niveau van de voedingsspanning. 15 Uit bovengegeven beschrijvingen van uitvoeringsvormen is het duidelijk dat de aftastversterker volgens figuur 11 op in hoofdzaak dezelfde wijze werkt als die volgens figuur 10. De aftastversterker volgens figuur 12 werkt in hoofdzaak op dezelfde wijze als die volgens de figuren 4 en 7. De aftastversterker maakt gebruik van de CMOS invertorketens voor het ontvangen van de ingangssignalen en versterkt het spanningsverschil tussen de ingangssignalen waardoor het effectieve werkgebied 20 van de aftastversterker wordt vergroot. De versterker reageert op de spanningsniveau’s van de beide uitgangsaansluitingen zodat een stabiel uitgangssignaal wordt verkregen gepaard aan een grote versterking en een snellere werking. Voorts wordt een schakeling verkregen waarin wordt voorkomen dat, wanneer de aftastversterker niet werkzaam is, stroom vloeit tussen de voedingsspanningbron en massa, zodat minder vermogen wordt 25 opgenomen.

1. Differentieelaftastversterker voor het versterken van een spanningsverschil tussen twee ingangs-aansluitingen, omvattende een eerste en een tweede ingangsinvertor, die elk twee in serie verbonden transistors van complementair type omvatten, en met een paar datalijnen verbonden uitgangsaansluitingen voor het uitvoeren van het versterkte spanningsverschil, met het kenmerk, dat de versterker (100) een buffervergrendelketen (126, 127, 166,167) omvat die zodanig tussen het paar datalijnen (119,120) 35 verbonden is dat het spanningsverschil van de uitgangsaansluitingen (103, 104) van de eerste en tweede complementaire ingangsinvertors (124, 125) versterkt wordt.

2. Aftastversterker volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de bufferketen een eerste en tweede terugkoppelmiddel (126,127,166,167) omvat waarvan de ingangsaansluitingen en uitgangsaansluitingen gekruist met elkaar gekoppeld zijn en de eerste en tweede terugkoppelmiddelen elke twee in serie 40 verbonden transistors (110-113) van complementair type omvatten.

3. Aftastversterker volgens één van de conclusies 1 of 2, met het kenmerk, dat de ingangsaansluiting (101, 102) van de ingangsinvertors (124,125) verbonden zijn met de poortelectroden van de in serie verbonden transistors (105, 106,107, 108) van de complementaire soort.

4. Aftastversterker volgens één van de conclusies 1 of 2, met het kenmerk, dat de ingangsaansluitingen 45 (101,102) van de ingangsinvertors verbonden zijn met de poortelectroden van slechts één van de in serie verbonden complementaire transistors, terwijl de uitgangsaansluitingen van de ingangsinvertors met de poortelectroden van de andere in serie verbonden transistors van de complementaire soort verbonden zijn. Hierbij 9 bladen tekening