KR920013458A - 차동감지 증폭회로 - Google Patents

차동감지 증폭회로 Download PDF

Info

Publication number
KR920013458A
KR920013458A KR1019900020393A KR900020393A KR920013458A KR 920013458 A KR920013458 A KR 920013458A KR 1019900020393 A KR1019900020393 A KR 1019900020393A KR 900020393 A KR900020393 A KR 900020393A KR 920013458 A KR920013458 A KR 920013458A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
output
terminal
pair
output terminal
voltage terminal
Prior art date
Application number
KR1019900020393A
Other languages
English (en)
Inventor
이정렬
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019900020393A priority Critical patent/KR920013458A/ko
Priority to US07/642,872 priority patent/US5162681A/en
Priority to FR9101047A priority patent/FR2670632B1/fr
Priority to NL9100170A priority patent/NL192646C/nl
Priority to DE4105268A priority patent/DE4105268C2/de
Priority to SU4894619A priority patent/RU2119243C1/ru
Priority to ITRM910136A priority patent/IT1244933B/it
Priority to GB9104169A priority patent/GB2250842B/en
Priority to JP3034128A priority patent/JPH06302192A/ja
Priority to CN91101326A priority patent/CN1023531C/zh
Publication of KR920013458A publication Critical patent/KR920013458A/ko
Priority to HK28297A priority patent/HK28297A/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356—Bistable circuits
    • H03K3/356104—Bistable circuits using complementary field-effect transistors
    • H03K3/356113—Bistable circuits using complementary field-effect transistors using additional transistors in the input circuit
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/062—Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
    • G11C2207/063—Current sense amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

차동감지 증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 차동감지 증폭회로도, 제7도 내지 제8도는 본 발명의 가능한 실시예들을 도시한다

Claims (15)

  1. 한쌍의 입력신호의 미세한 전압차를 감지증폭하는 회로에 있어서, 한쌍의 입력신호에 각각 응답하여 상기 한쌍의 입력신호의 전위가 포함된 전위영역을 결정하는 서로다른 상태의 신호를 각각 출력하는 한쌍의 제1상보구동 수단과, 상기 제1상보구동 수단의 출력에 각각 접속된 한쌍의 출력단과, 상기 한쌍의 출력단 사이에 접속되고 상기 제1상보 구동수단의 서로다른 상태의 출력에 각각 응답하는 한쌍의 제2상보 구동 수단을 구비함을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1상보구동 수단의 최소한 서로다른 전위영역에서 동작하는 두개의 직렬연결된 절연게이트 트랜지스터를 구비하여 이루어진 것임을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 한쌍의 제1상보구동 수단이 전원전압단과 접지전압단에 연결되고, 적어도 상기 접지 전압단과의 사이에 소정의 제어신호에 따라 동작하는 수단을 구비함을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 한쌍의 제1상보 구동수단과 전원전압단 사이에 소정의 제어신호에 따라 스위칭하는 수단이 연결되어 있음을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 한쌍의 제2상보 구동수단이 상호간의 입력과 출력, 또는 출력과 입력을 공용하며, 상기 입력과 출력, 또는 출력과 입력이 상기 한쌍의 출력단 사이에 연결되어 있음을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 한쌍의 제2상보 구동 수단이 최소한 서로 다른 전위영역에서 동작하는 두개의 직렬 연결된 절연게이트 트랜지스터로 각각 구성됨을 특징으로하는 차동감지 증폭회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 한쌍의 제2상보 구동수단이 적어도 전원전압단과 접지전압단 사이에 연결되어 있음을 특징으로 하는 차동 감지 증폭회로.
  8. 한쌍의 제1및 제2출력단을 가지는 차동 감지 증폭회로에 있어서, 상기 제1출력단의 전위에 응답하여 동작하고 상기 제2출력단과 접지전위단 사이에 연결된 하나의 풀다운 수단과, 상기 제2출력단의 전위에 응답하여 동작하고 상기 제1출력단과 접지전압단 사이에 연결된 다른 하나의 풀다운 수단으로 구성된 정궤환 수단을 구비함을 특징으로하는 차동 감지 증폭회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 하나 또는 다른 하나의 풀 다운 수단이 엔형 절연 게이트 전계효과 트랜지스터로 이루어질 수 있음을 특징으로하는 차동감지 증폭회로.
  10. 제8항에 있어서, 전원전압단과 상기 제1출력단 사이에 채널이 연결되고 게이트가 상기 제1출력단에 접속된 하나의 피모오스 트랜지스터와, 전원전압단과 상기 제2출력단 사이에 채널이 연결되고 상기 제1출력단에 게이트가 접속된 다른 하나의피모오스 트랜지스터와, 상기 제1출력단과 접지 전압단 사이에 채널이 연결되고 게이트로외부로 입력신호를 받는 하나의 엔모오스 트랜지스터와, 상기 제2출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결되고 게이트로 외부의 또다른 입력신호를 받는 다른 하나의 엔모스트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 차동감지증폭회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 입력용 엔모오스 트랜지스터의 채널과 접지전압단 사이에 소정의 제어신호에 응답하여 상기 채널과 접지전압단을 연결하는 수단이 더 구비함을 특징으로하는 차동 감지 증폭회로.
  12. 한쌍의 제1및 제2출력단을 가지는 차동감지 증폭회로에 있어서, 상기 제1출력단 및 제2출력단 접지전압단 사이에 연결되고 상기 제1및 제2출력단의 전위 상태에 따라 응답하는 제1궤환수단과, 전원전압단과 상기 제1및 제2출력단 사이에 연결되고 상기 제1및 제2출력단의 전위상태에 따라 응답하는 제2궤환수단을 구비함을 특징으로 차동감지 증폭회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1궤환수단은 상기 제1출력단과 접지 전압단 사이에 연결되고 상기 제2출력단의 전위 상태에 동작하는 제1풀다운 수단과, 상기 제2출력단과 접지전압단 사이에 연결되고 상기 제1출력단의 전위 상태에 따라 동작하는 제2풀다운수단으로 구성됨을 특징으로 하는 차동 감지 증폭회로.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2궤환수단은 전원전압단과 상기 제1출력단사이에 연결되고 상기 제2출력단의 전위 상태에 따라 동작하는 제1풀업수단과, 전원전압단과 상기 제2출력단 사이에 연결되고 상기 제1출력단의 전위상태에 따라 동작하는 제2풀업수단으로 구성됨을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
  15. 제12항에 있어서, 전원전압단과 상기 제1출력단사이에 채널이 연결되고 게이트가 상기 제1출력단에 접속된 하나의 피모오스 트랜지스터와, 전원전압단과 상기 제2출력단 사이에 채널이 연결되고 상기 제1출력단에 게이트가 접속된 다른 하나의 피모오스 트랜지스터와, 상기 제1출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결되고 게이트로 외부의 입력신호를 받는 하나의 엔모오스 트랜지스터와, 상기 제2출력단과 접지전압단 사이에 채널이 연결되고 게이트로 외부의 또다른 입력신호를 받는 다른 하나의 엔모스트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 차동감지 증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900020393A 1990-12-12 1990-12-12 차동감지 증폭회로 KR920013458A (ko)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900020393A KR920013458A (ko) 1990-12-12 1990-12-12 차동감지 증폭회로
US07/642,872 US5162681A (en) 1990-12-12 1991-01-18 Differential sense amplifier
FR9101047A FR2670632B1 (fr) 1990-12-12 1991-01-30 Amplificateur differentiel de detection.
NL9100170A NL192646C (nl) 1990-12-12 1991-01-31 Differentieelaftastversterker.
DE4105268A DE4105268C2 (de) 1990-12-12 1991-02-20 Differentieller Leseverstärker
SU4894619A RU2119243C1 (ru) 1990-12-12 1991-02-27 Дифференциальный усилитель считывания
ITRM910136A IT1244933B (it) 1990-12-12 1991-02-27 Amplificatore di percezione differenziale
GB9104169A GB2250842B (en) 1990-12-12 1991-02-27 Differential sense amplifier
JP3034128A JPH06302192A (ja) 1990-12-12 1991-02-28 差動感知増幅回路
CN91101326A CN1023531C (zh) 1990-12-12 1991-02-28 差分读出放大器
HK28297A HK28297A (en) 1990-12-12 1997-03-13 Differential sense amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900020393A KR920013458A (ko) 1990-12-12 1990-12-12 차동감지 증폭회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920013458A true KR920013458A (ko) 1992-07-29

Family

ID=19307388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900020393A KR920013458A (ko) 1990-12-12 1990-12-12 차동감지 증폭회로

Country Status (11)

Country Link
US (1) US5162681A (ko)
JP (1) JPH06302192A (ko)
KR (1) KR920013458A (ko)
CN (1) CN1023531C (ko)
DE (1) DE4105268C2 (ko)
FR (1) FR2670632B1 (ko)
GB (1) GB2250842B (ko)
HK (1) HK28297A (ko)
IT (1) IT1244933B (ko)
NL (1) NL192646C (ko)
RU (1) RU2119243C1 (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950014256B1 (ko) * 1993-04-06 1995-11-23 삼성전자주식회사 낮은 전원전압을 사용하는 반도체 메모리장치
KR960009956B1 (ko) * 1994-02-16 1996-07-25 현대전자산업 주식회사 반도체 소자의 감지 증폭기
US5438287A (en) * 1994-06-01 1995-08-01 United Memories Inc. High speed differential current sense amplifier with positive feedback
US5585747A (en) * 1994-10-11 1996-12-17 Townsend & Townsend & Crew Llp High speed low power sense amplifier
US5546026A (en) * 1995-03-01 1996-08-13 Cirrus Logic, Inc. Low-voltage high-performance dual-feedback dynamic sense amplifier
KR0164385B1 (ko) * 1995-05-20 1999-02-18 김광호 센스앰프회로
US5859548A (en) * 1996-07-24 1999-01-12 Lg Semicon Co., Ltd. Charge recycling differential logic (CRDL) circuit and devices using the same
US5903169A (en) * 1996-07-24 1999-05-11 Lg Semicon Co., Ltd. Charge recycling differential logic (CRDL) circuit and storage elements and devices using the same
US6037890A (en) * 1997-09-30 2000-03-14 Intel Corporation Ultra high speed, low power, flash A/D converter utilizing a current mode regenerative comparator
KR100272163B1 (ko) * 1997-12-30 2000-11-15 윤종용 대기용어레이전압발생기를갖는반도체메모리장치
DE69931121T8 (de) * 1998-10-23 2007-05-03 Nippon Telegraph And Telephone Corp. Spannungsvergleicher
US6169424B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-02 Intel Corporation Self-biasing sense amplifier
JP4030213B2 (ja) * 1999-02-22 2008-01-09 株式会社ルネサステクノロジ 半導体回路装置
US6741104B2 (en) * 1999-05-26 2004-05-25 Micron Technology, Inc. DRAM sense amplifier for low voltages
US6259643B1 (en) * 1999-05-28 2001-07-10 Systems Integration Inc. Single event upset (SEU) hardened static random access memory cell
KR100299522B1 (ko) 1999-06-28 2001-11-01 박종섭 고속 센스 증폭기
US6791370B1 (en) * 1999-07-16 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for adjusting clock skew
JP3813400B2 (ja) * 1999-11-29 2006-08-23 富士通株式会社 半導体記憶装置
US6744653B1 (en) * 2001-10-04 2004-06-01 Xiaohua Huang CAM cells and differential sense circuits for content addressable memory (CAM)
US6501697B1 (en) * 2001-10-11 2002-12-31 Hewlett-Packard Company High density memory sense amplifier
US6768348B2 (en) * 2001-11-30 2004-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sense amplifier and electronic apparatus using the same
DE10219649C1 (de) * 2002-05-02 2003-11-27 Infineon Technologies Ag Differentielle Strombewerterschaltung und Leseverstärkerschaltung zum Bewerten eines Speicherzustands einer SRAM-Halbleiterspeicherzelle
JP4736313B2 (ja) * 2002-09-10 2011-07-27 日本電気株式会社 薄膜半導体装置
KR100577566B1 (ko) * 2004-12-28 2006-05-08 삼성전자주식회사 입력버퍼회로
US7813201B2 (en) * 2008-07-08 2010-10-12 Atmel Corporation Differential sense amplifier
CN102457263A (zh) * 2010-11-01 2012-05-16 天钰科技股份有限公司 改良位准移位器的电路及方法
JP5838650B2 (ja) * 2011-08-16 2016-01-06 株式会社ソシオネクスト 出力回路
CN103166576B (zh) * 2011-12-16 2016-05-18 中国科学院微电子研究所 一种抗单粒子翻转的Latch型灵敏放大器
US9343146B2 (en) * 2012-01-10 2016-05-17 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for low power current mode sense amplification
US8829942B2 (en) * 2012-11-13 2014-09-09 University Of Macau Comparator and calibration thereof
US9356408B1 (en) * 2013-01-15 2016-05-31 Amazon Technologies, Inc. Extensible ports for electronic devices
US9577637B2 (en) * 2014-02-19 2017-02-21 Altera Corporation Stability-enhanced physically unclonable function circuitry
US9373388B1 (en) * 2015-04-29 2016-06-21 Qualcomm Incorporated Sense amplifier with pulsed control for pull-up transistors
US10230361B2 (en) * 2015-08-28 2019-03-12 Perceptia Devices Australia Pty Ltd High-speed clocked comparators
RU2679970C1 (ru) * 2018-06-07 2019-02-14 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляемым напряжением ограничения проходной характеристики
US20200244256A1 (en) * 2019-01-29 2020-07-30 Julian Jenkins Low-Power Sense Amplifier

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4103345A (en) * 1975-04-28 1978-07-25 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Semiconductor memory with data detection circuit
US4247791A (en) * 1978-04-03 1981-01-27 Rockwell International Corporation CMOS Memory sense amplifier
JPS5589982A (en) * 1978-12-27 1980-07-08 Hitachi Ltd Output circuitry
JPS5616992A (en) * 1979-07-20 1981-02-18 Hitachi Ltd Signal readout circuit
JPS58100291A (ja) * 1981-12-09 1983-06-14 Ricoh Co Ltd センスアンプ回路
JPS58100292A (ja) * 1981-12-09 1983-06-14 Ricoh Co Ltd センスアンプ
JPS6010495A (ja) * 1983-06-30 1985-01-19 Fujitsu Ltd センスアンプ
JPS61224192A (ja) * 1985-03-29 1986-10-04 Sony Corp 読出し増幅器
JPS6246489A (ja) * 1985-08-23 1987-02-28 Nippon Texas Instr Kk ダイナミツク型差動増幅器
JPS62192997A (ja) * 1986-02-20 1987-08-24 Toshiba Corp カレントミラ−型センスアンプ
FR2603414B1 (fr) * 1986-08-29 1988-10-28 Bull Sa Amplificateur de lecture
CA1260080A (en) * 1986-09-10 1989-09-26 Akira Yukawa Operational amplifier circuit having wide operating range
JPH01105389A (ja) * 1987-10-19 1989-04-21 Hitachi Ltd データラッチ回路
KR0141494B1 (ko) * 1988-01-28 1998-07-15 미다 가쓰시게 레벨시프트회로를 사용한 고속센스 방식의 반도체장치
US5053652A (en) * 1988-01-28 1991-10-01 Hitachi, Ltd. High speed sensor system using a level shift circuit
JPH0246595A (ja) * 1988-08-09 1990-02-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd センスアンプ
KR910008101B1 (ko) * 1988-12-30 1991-10-07 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 소자의 피드백형 데이타 출력 회로
US5017815A (en) * 1989-12-20 1991-05-21 At&T Bell Laboratories Sense amplifier with selective pull up

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06302192A (ja) 1994-10-28
CN1023531C (zh) 1994-01-12
ITRM910136A0 (it) 1991-02-27
FR2670632A1 (fr) 1992-06-19
NL192646C (nl) 1997-11-04
IT1244933B (it) 1994-09-13
US5162681A (en) 1992-11-10
NL192646B (nl) 1997-07-01
ITRM910136A1 (it) 1992-08-27
GB2250842B (en) 1995-06-21
DE4105268A1 (de) 1992-06-17
CN1062246A (zh) 1992-06-24
NL9100170A (nl) 1992-07-01
FR2670632B1 (fr) 1997-11-07
GB9104169D0 (en) 1991-04-17
HK28297A (en) 1997-03-21
RU2119243C1 (ru) 1998-09-20
GB2250842A (en) 1992-06-17
DE4105268C2 (de) 1995-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920013458A (ko) 차동감지 증폭회로
US4697112A (en) Current-mirror type sense amplifier
KR930003523A (ko) 스위치-캐패시터 차동 증폭기
KR870011616A (ko) 센스 앰프
JPS5775022A (en) Comparator
KR890013862A (ko) 전압레벨 변환회로
GB1467297A (en) Complementary field-effect transistor differential amplifier
KR920001825A (ko) 선형 cmos출력단
KR880012009A (ko) BiMOS 논리회로
KR870007510A (ko) 반도체 메모리 소자의 데이타 판독회로
KR900013718A (ko) 수직 퓨즈 어레이용 고속 ecl입력 버퍼
EP0403174A3 (en) Differential amplifying circuit operable at high speed
GB1486401A (en) Differential amplifier employing field effect transistors
JPS62159905A (ja) 半導体差動増幅器
DE59008031D1 (de) Breitbandsignal-Koppeleinrichtung.
KR890008975A (ko) 이중 버스 라인용 집적 회로 장치
JPH0567950A (ja) コンパレータ
KR910007268A (ko) 출력회로
KR100422820B1 (ko) 반도체 메모리 소자의 감지 증폭기
KR950005094Y1 (ko) 데이타 감지 증폭기 회로
JP2514988B2 (ja) センスアンプ回路
KR970023402A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
KR870003623A (ko) 슈미트 회로
KR100291188B1 (ko) 반도체 메모리장치의 센스앰프
KR0117117Y1 (ko) 와이어드 오아 로직 게이트 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL