KR970051323A - 낸드형 플래쉬 메모리 소자 및 그 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 불 휘발성 메모리 및 그 사용방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 불 휘발성 메모리는 워드라인과 소오스라인 사이에 소오스 선택라인을 구비하고 있다.
따라서 본 발명에 의한 불 휘발성 메모리는 상기 소오스라인을 선택적으로 바이어스 함으로써, 상기 워드라인을 구성하는 선택된 셀트랜지스터를 프로그램할 경우 비 선택된 셀 트랜지스터가 프로그램되는 것을 막을 수 있다. 또한 1개의 비트라인 및 소오스라인을 2개의 스프링이 공유하고 워드라인과 소오스라인 사이에 서로 특성이 다른 트랜지스터로 구성된 소오스 선택라인을 더 구비함으로써 비트라인을 형성하는데 있어서, 종래와는 달리 충분한 콘택마이진 확보가 가능하다. 따라서 메모리 제조공정이 용이하다.

Description

낸드형 플래쉬 메모리 소자 및 그 구동방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 제3도의 등가회로도이다.
제5도는 본 발명에 의한 불 휘발성 메모리의 셀 어레이부의 블럭도이다.

Claims (7)

  1. 비트라인 콘택과 소오스 라인사이에 직렬로 연결된 복수개의 스트링 선택 및 셀 트랜지스터로 구성된 스트링을 구비하는 불 휘발성 메모리에 있어서, 상기 스트링은 상기 비트라인 콘택과 소오스 라인사이에 서로 다른 특성을 갖는 복수개의 소오스 선택 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 "서로 다른 특성을 갖는 복수개의 트랜지스터"는 증가형 트랜지스터(enhancement Tr.) 및 공핍형 트랜지스터(depletion Tr.)로 구성된 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소오스 선택 트랜지스터는 상기 스트링과 인접한 스트링의 다른 소오스 선택 트랜지스터와 직렬로 연결되어 소오스 선택라인을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리
  4. 비트라인 콘택과 소오스 라인사이에 직렬로 연결된 복수개의 스트링 선택 및 셀 트랜지스터로 구성된 스트링을 구비하는 불 휘발성 메모리를 사용하는 방법에 있어서 상기 비트라인 콘택과 소오스라인 사이에 형성된 서로 다른 특성을 갖는 복수개의 트랜지스터로 구성되고 인접 스트링의 트랜지스터와 직렬로 연결돠는 복수개의 소오스 선택라인을 선택적으로 바이어스 하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 사용방법
  5. 제4항에 있어서, 상기 워드라인을 구성하는 셀 트랜지스터중 선택된 셀 트랜지스터에 저장된 정보를 읽을 경우 상기 소오스라인에는 0V전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 사용방법
  6. 제4항에 있어서 상기 워드라인을 구성하는 셀 트랜지스터중 선택된 셀 트랜지스터를 프로그램하는 경우 상기소오스라인에 Vcc이상의 프로그램 금지전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 메모리 사용방법
  7. 제4항에 있어서 상기 스트링의 선택과 비 선택을 위해 상기 스트링 선택 라인 및 소오스 선택라인을 구성하는 각 트랜지스터를 제어하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 사용방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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