KR970030779A - 반도체 소자 캐패시터 형성방법 - Google Patents

반도체 소자 캐패시터 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 콘택플러그를 형성하고 전체표면상부에 티타늄막/티타늄질화막을 일정두께 형성한 다음, 그 상부에 백금-루테늄막을 일정두께 형성하고 상기 백금-루테늄막 표면을 산화시켜 백금-루테늄산화막을 형성한 다음, 저장 전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 백금-루테늄산화막, 백금-루테늄막, 티타늄질화막 및 티타늄막을 순차적으로 식각하여 하부전극, 즉 저장전극을 형성하고 전체 표면상부에 고유전율을 갖는 유전체막을 형성한 다음, 상기 유전체막 상부에 공지의 기술로 플레이트전극을 형성함으로써 공정을 단수화시키면서 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자 캐패시터 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1a도 내지 제 1g도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (26)

  1. 반도체기판 상부에 하부절연층이 형성되는 공정과, 캐패시터 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀이 형성되는 공정과, 상기 예정된 부분에 접속되는 콘택플러그가 형성되는 공정과, 전체표면상부에 티타늄막이 일정두께 형성되는 공정과, 상기 티타늄막 상부에 티타늄질화막이 일정두께 형성되는 공정과, 상기 티타늄질화막 상부에 백금-루테늄막이 형성하는 공정과, 열공정으로 상기 백금-루테늄막 표면에 백금-루테늄막이 형성되는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 백금-루테늄산화막, 백금-루테늄막, 티타늄질화막 및 티타늄막을 순차적으로 식각함으로써 저장전극이 형성되는 공정과, 전체표면상부에 유전체막이 일정두께 형성되는 공정과, 상기 유전체막 상부에 플레이트전극이 형성되는 공정이 포함되는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 하부절연층은 BPSG와 같이 유동성이 우수한 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 콘택플러그는 다결정실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 티타늄막은 100 내지 300Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 티타늄질화막은 200 내지 400Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 백금-루테늄막은 백금과 루테늄을 타겟으로한 스퍼터링공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  7. 제 1항 또는 제 6항에 있어서, 상기 백금-루테늄막은 일정조건하의 DC스퍼터링으로 일정시간 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 일정조건은 기판온도가 상온 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 일정조건은 증착압력이 1mTorr 내지 100Torr인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 일정조건은 전력이 50 내지 5000와트인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 일정조건은 스퍼터 기체로 질소가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 일정조건은 스퍼터 기체로 아르곤가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  13. 제 7항에 있어서, 상기 일정조건은 스퍼터 기체로 산소가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  14. 제 7항에 있어서, 상기 일정시간은 1내지 10분인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  15. 제 1항 또는 제 6항에 있어서, 상기 백금-루테늄막은 일정조건하의 RF스퍼터링으로 실시되는 것을 특징으로 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 일정조건은 기판온도가 상온 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 일정조건은 증착압력이 1mTorr 내지 100Torr인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 일정조건은 전력이 50 내지 5000와트인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 일정조건은 스퍼터 기체로 질소가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  20. 제 15항에 있어서, 상기 일정조건은 스퍼터 기체로 아르곤가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  21. 제 15항에 있어서, 상기 일정조건은 스퍼터 기체로 산소가스가 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  22. 제 1항에 있어서, 상기 열공정은 500 내지 850℃에서 일정시간 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  23. 제 21항에 있어서, 상기 일정시간은 30분 내지 2시간인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  24. 제 1항에 있어서, 상기 유전체막은 BST로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  25. 제 1항에 있어서, 상기 유전체막은 PZT로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
  26. 제 1항에 있어서, 상기 유전체막은 300 내지 600Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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TW085114568A TW454294B (en) 1995-11-30 1996-11-26 Method for fabricating a capacitor of a semiconductor device and the structure of the same
US08/757,246 US5714402A (en) 1995-11-30 1996-11-27 Method for fabricating a capacitor of a semiconductor device and the structure of the same
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CN96120755A CN1065658C (zh) 1995-11-30 1996-11-28 用于制造半导体器件的电容器的方法及电容器
DE19649670A DE19649670C2 (de) 1995-11-30 1996-11-29 Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleitervorrichtung und auf diese Weise hergestellter Kondensator
JP8321927A JP2820930B2 (ja) 1995-11-30 1996-12-02 半導体素子のキャパシタ製造方法

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6243691B1 (en) * 1996-03-29 2001-06-05 Onsale, Inc. Method and system for processing and transmitting electronic auction information
US5930584A (en) * 1996-04-10 1999-07-27 United Microelectronics Corp. Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films
JP3452763B2 (ja) * 1996-12-06 2003-09-29 シャープ株式会社 半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法
KR100244251B1 (ko) * 1997-06-19 2000-02-01 김영환 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
JP3484324B2 (ja) 1997-07-29 2004-01-06 シャープ株式会社 半導体メモリ素子
JP3319994B2 (ja) * 1997-09-29 2002-09-03 シャープ株式会社 半導体記憶素子
US6911371B2 (en) 1997-12-19 2005-06-28 Micron Technology, Inc. Capacitor forming methods with barrier layers to threshold voltage shift inducing material
US6165833A (en) * 1997-12-19 2000-12-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing method of forming a capacitor
KR19990057857A (ko) * 1997-12-30 1999-07-15 김영환 반도체 장치의 캐패시터 형성 방법
US6025624A (en) * 1998-06-19 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Shared length cell for improved capacitance
KR100301371B1 (ko) * 1998-07-03 2001-10-27 윤종용 반도체메모리장치및그의제조방법
US6323081B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Diffusion barrier layers and methods of forming same
DE19858357A1 (de) * 1998-12-17 2000-06-29 Siemens Ag Mikroelektronische Struktur sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE19959711A1 (de) 1999-12-10 2001-06-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Metallschicht
US6214661B1 (en) * 2000-01-21 2001-04-10 Infineon Technologoies North America Corp. Method to prevent oxygen out-diffusion from BSTO containing micro-electronic device
US6727140B2 (en) * 2001-07-11 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Capacitor with high dielectric constant materials and method of making
KR20030025671A (ko) * 2001-09-22 2003-03-29 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 제조방법
US7655556B2 (en) * 2007-03-23 2010-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structures for semiconductor devices

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0478799B1 (en) * 1990-04-24 1996-12-04 Ramtron International Corporation Semiconductor device having ferroelectric material and method of producing the same
JPH0485878A (ja) * 1990-07-26 1992-03-18 Seiko Epson Corp 半導体装置
WO1992006498A1 (en) * 1990-09-28 1992-04-16 Seiko Epson Corporation Semiconductor device
EP0490288A3 (en) * 1990-12-11 1992-09-02 Ramtron Corporation Process for fabricating pzt capacitors as integrated circuit memory elements and a capacitor storage element
EP0514149B1 (en) * 1991-05-16 1995-09-27 Nec Corporation Thin film capacitor
JP2690821B2 (ja) * 1991-05-28 1997-12-17 シャープ株式会社 半導体装置
US5142437A (en) * 1991-06-13 1992-08-25 Ramtron Corporation Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method
US5254217A (en) * 1992-07-27 1993-10-19 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor device having a conductive metal oxide
US5335138A (en) * 1993-02-12 1994-08-02 Micron Semiconductor, Inc. High dielectric constant capacitor and method of manufacture
US5381302A (en) * 1993-04-02 1995-01-10 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same
US5407855A (en) * 1993-06-07 1995-04-18 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material
JPH0730077A (ja) * 1993-06-23 1995-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3319869B2 (ja) * 1993-06-24 2002-09-03 三菱電機株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2682392B2 (ja) * 1993-09-01 1997-11-26 日本電気株式会社 薄膜キャパシタおよびその製造方法
JPH0794680A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5489548A (en) * 1994-08-01 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers
US5554564A (en) * 1994-08-01 1996-09-10 Texas Instruments Incorporated Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes
US5566045A (en) * 1994-08-01 1996-10-15 Texas Instruments, Inc. High-dielectric-constant material electrodes comprising thin platinum layers
US5622893A (en) * 1994-08-01 1997-04-22 Texas Instruments Incorporated Method of forming conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes
EP0737364B1 (en) * 1994-10-04 1999-03-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier
US5555486A (en) * 1994-12-29 1996-09-10 North Carolina State University Hybrid metal/metal oxide electrodes for ferroelectric capacitors
KR0144932B1 (ko) * 1995-01-26 1998-07-01 김광호 반도체 장치의 캐패시터 및 그 제조방법
US5573979A (en) * 1995-02-13 1996-11-12 Texas Instruments Incorporated Sloped storage node for a 3-D dram cell structure
KR100199346B1 (ko) * 1995-04-04 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법
KR0147640B1 (ko) * 1995-05-30 1998-08-01 김광호 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법
JPH09102591A (ja) * 1995-07-28 1997-04-15 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法

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Publication number Publication date
US5714402A (en) 1998-02-03
DE19649670A1 (de) 1997-06-05
CN1158498A (zh) 1997-09-03
JPH09199687A (ja) 1997-07-31
GB9624828D0 (en) 1997-01-15
DE19649670C2 (de) 2002-09-05
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