KR960027367A - 저항기 스트링을 갖고 있는 디지탈/아날로그 변환기 - Google Patents

저항기 스트링을 갖고 있는 디지탈/아날로그 변환기 Download PDF

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Abstract

반도체 디바이스는 제2부분과 분리된 제1부분과 제2부분을 갖는 기판을 갖고 있는데, 상기 제1부분에 형성되는 다수의 노드를 통해 서로 직렬로 접속되고 사행으로 형성되어 있고; 노드들 중 한 노드를 선택하고 상기 선택된 노드의 전압을 상기 출력 단자로 출력하기 위해 제2부분에 형성된 출력 단자와 상기 노드들 중 한 노드사이에 접속되는 직렬 회로를 갖고 있다.

Description

저항기 스트링을 갖고 있는 디지탈/아날로그 변환기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 DA 변환기의 실시예의 레이아웃을 도시한 도면, 제2도는 본 발명의 DA 변환기의 실시예의 등가 회로를 도시한 도면.

Claims (12)

  1. 제1부분과 상기 제1부분으로부터 분리되어 형성된 제2부분을 갖는 기판과; 제1전압을공급하는 제1단자와 제1노드 사이에 접속되어 있고, 상기 제1단자와 상기 제1노드 사이에 직렬로 접속되어 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제1스트링(string)을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속 되어 있으며; 제2노드와 제3노드 사이에 접속되어 있고, 상기 제2노드와 상기 제3노드 상기에 직렬로 접속되어상기 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제2스트링을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며 상기 제2스트링은 상기 제1스트링에 병렬로 형성되어 있고; 제4노드와 제5노드사이에 접속되어 있고, 상기 제4노드와 상기 제5노드 사이에 직렬로 접속되어 상기 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제3스트링을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며 상기 제3스트링은 상기 제1스트링 및 제2스트링에 병렬로 형성되어 있고; 제6노드와 제2전압을 공급하는 제2단자에 접속되어 있고, 상기 제6노드와 상기 제2노드 사이에 직렬로 접속되어 상기 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제4스트링을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며 상기 제4스트링은 상기 제1스트링, 상기 제2스트링 및 상기 제3스티링에 병렬로 형성되어 있고, 상기 제1노드를 상기 제2노드에, 상기 제3노드를 상기 제4노드에 및 상기 제5노드를 상기 제6노드에 각각 접속하는 제1접속수단을 포함하되, 상기 스트링들은 사행(serpentine)으로 서로 접속되어 있으며, 상기 노드들 중 하나를 선택하여 상기 선택된 노드의 전압을 상기 출력 단자로 출력하기 위해 상기 각각의 노드와 상기 제2부분에 형성된 출력 단자 사이에 접속되는 선택 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1스트링은 상기 제1단자와 제7노드 사이에 접속된 제1저항기, 상기 제7노드와 제8노드 사이에 접속된 제2저항기, 상기 제8노드와 제9노드 사이에 접속된 제3저항기 및 상기 제9노드와 상기 제1노드 사이에 접속된 제4저항기를 가지며, 상기 제2스트링은 상기 제2노드와 제10노드 사이에 접속된 제5저항기, 상기 제10노드와 제11노드 사이에 접속된 제6저항기, 상기 제11노드와 제12노드 사이에 접속된 제7저항기 및 상기 제12노드와 상기 제3노드 사이에 접속된 제8저항기를 가지며, 상기 제3스트링은 상기 제4노드와 제13노드 사이에 접속된 제9저항기, 상기 제13노드와 제14노드 사이에 접속된 제10저항기, 상기 제14노드와 제15노드 사이에 접속된 제11저항기 및 상기 제15노드와 상기 제5노드 사이에 접속된 제12저항기를 가지며, 상기 제4스트링은 상기 제6노드와 제16노드 사이에 접속된 제13저항기, 상기 제16노드와 제17노드 사이에 접속된 제14저항기, 상기 제17노드와 제18노드 사이에 접속된 제15저항기 및 상기 제18노드와 상기 제2단자 사이에 접속된 제16저항기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 선택 수단은 상기 제7노드와 제1출력 노드 사이에 접속된 제1스위칭 소자, 상기 제8노드와 제2출력 노드 사이에 접속된 제2스위칭 소자, 상기 제9노드와 제3출력 노드 사이에 접속된 제3스위칭 소자, 상기 제2노드와 제4출력 노드 사이에 접속된 제4스위칭 소자, 상기 제10노드와 상기 제3노드 사이에 접속된 제5스위칭 소자, 상기 제11노드와 상기 제2출력 노드 사이에 접속된 제6스위칭 소자, 상기 제12노드와 제1출력 노드 사이에 접속된 제7스위칭 소자, 상기 제4노드와 상기 제4출력 노드 사이에 접속된 제8스위칭 소자, 상기 제13노드와 상기 제1출력 노드 사이에 접속된 제9스위칭 소자, 상기 제14노드와 상기 제2출력 노드 사이에 접속된 제10스위칭 소자, 상기 제5노드와 상기 제3출력 노드 사이에 접속된 제11스위칭 소자, 상기 제6노드와 상기 제4출력노드 사이에 접속된 제12스위칭 소자, 상기 제16노드와 제3출력노드 사이에 접속된 제13스위칭 소자, 상기 제17노드와 제2출력 노드 사이에 접속된 제14스위칭 소자, 상기 제18노드와 상기 제1출력 노드 사이에 접속된 제15스위칭 소자, 상기 제1출력 노드와 상기 출력 단자 사이에 접속된 제1출력 스위칭 소자, 상기 제2출력 노드와 상기 출력 단자 사이에 접속된 제2출력 스위칭 소자, 상기 제3출력 노드와 상기출력 단자 사이에 접속된 제3출력 스위칭 소자 및 상기 제4출력 노드와 상기 출력 단자 사이에 접속된 제4출력스위칭 소자를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 각각의 저항기는 확산 저항기(diffused resistor)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항 있어서, 상기 각각의 저항기는 폴리실로콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제1항 있어서, 상기 각각의 스위칭 소자는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1부분, 제2부분과 제3부분을 가지며, 상기 제2부분은 상기 제1부분 및 상기 제3부분으로부터 분리되어 형성되어 있고, 상기 제3부분은 상기 제1부분 및 상기 제2부분으로부터 분리되어 형성되어 있으며, 상기 제2부분은 상기 제1부분으로부터 제1방향으로 형성되어 있고 상기 제3부분은 상기 제1부분으로부터 상기 제1방향과는 다른 제2방향으로 형성되어 있는 기판과; 제1전압을 공급하는 제1단자와 제1노드 사이에 접속되어 있고, 상기 제1단자와 상기 제1노드 사이에 직렬로 접속되어 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제1스트링(string) 을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며; 제2노드와 제3노드 사이에 접속되어 있고, 상기 제2노드와 상기 제3노드 사이에 직렬로 접속되어 상기 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제2스트링을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며 상기 제2스트링은 상기 제1스트링에 병렬로 형성되어 있고; 제4노드와 제5노드 사이에 접속되어 있고, 상기 제4노드와 상기 제5노드 사이에 직렬로 접속되어 상기 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제3스트링을 포함하되, 상기 저항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며 상기 제3스트링은 상기 제1스트링 및 상기 제2스트링에 병렬로 형성되어 있고; 제6노드와 제2전압을 공급하는 제2단자 사이에 접속되어 있고, 상기 제6노드와 사이 제2노드 사이에 직렬로 접속되어 상기 제1방향으로 형성되어 있는 다수의 저항기들을 갖는 제4스트링을 포함하되, 상기 제항기들은 다수의 노드를 통해 서로 접속되어 있으며 상기 제4스트링은 상기 제1스트링, 상기 제2스트링 및 상기 제3스트링에 병렬로 형성되어 있고; 상기 제1노드를 상기 제2노드에, 상기 제3노드를 상기 제4노드에 및 상기 제5노드를 상기 제6노드에 각각 접속하는 제1접속 수단을 포함하되, 상기 스트링들은 사행으로 서로 접속되어 있으며; 상기 제1스트링과 제2스트링의 상기 각각의 노드와 상기 제2부분에 형성된 출력 단자 사이에 접속된 제1선택 수단 및 상기 제3스트링과 제4스트링의 상기 각각의 노드와 상기 제3부분에 형성된 출력 단자 사이에 접속된 제2선택 수단을 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1스트링은 상기 제1단자와 제7노드 사이에 접속된 제1저항기, 상기 제7노드와 제8노드 사이에 접속된 제2저항기, 상기 제8노드와 제9노드에 접속된 제3저항기 및 상기 제9노드와 상기 제1노드 사이에 접속된 제4저항기를 가지며, 상기 제2스트링은 상기 제2노드와 제10노드 사이에 접속된 제5저항기, 상기 제10노드와 제11노드 사이에 접속된 제6저항기, 상기 제11노드와 제12노드 사이에 접속된 제7저항기 및
    상기 제12노드와 상기 제13노드 사이에 접속된 제8저항기를 가지며, 상기 제3스트링은 상기 제4노드와 제13노드사이에 접속된 제9저항기, 상기 제13노드와 제14노드 사이에 접속된 제10저항기, 상기 제14노드와 제15노드 사이에 접속된 제11저항기 및 상기 제15노드와 상기 제5노드 사이에 접속된 제 12저항기를 가지며, 상기 제4스트링은 상기 제6노드와 제16노드 사이에 접속된 제13저항기, 상기 제16노드와 제17노드 사이에 접속된 제14저항기, 상기 제17노드와 제18노드 사이에 접속된 제15저항기 및 상기 제18노드와 제2단자 사이에 접속된 제16저항기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 선택 수단은 상기 제7노드와 제1출력 노드 사이에 접속된 제1스위칭 소자, 상기 제8노드와 제2출력 노드 사이에 접속된 제2스위칭 소자, 상기 제9노드와 제3출력 노드 사이에 접속된 제3스위칭 소자, 상기 제2노드와 제4출력 노드 사이에 접속된 제4스위칭 소자, 상기 제10노드와 상기 제3노드 사이에 접속된 제5스위칭 소자, 상기 제11노드와 상기 제2출력 노드 사이에 접속된 제6스위칭 소자, 상기 제12노드와 상기 제1출력 노드 사이에 접속된 제7스위칭 소자, 상기 제4노드와 상기 제4출력 노드 사이에 접속된 제8스위칭\ 소자, 상기 제13노드와 상기 제1출력 노드 사이에 접속된 제9스위칭 소자, 상기 제14노드와 상기 제2출력노드 사이에 접속된 제10스위칭 소자, 상기 제5노드와 제3출력 노드 사이에 접속된 제11스위칭 소자, 상기 제6노드와 제4출력 노드 사이에 접속된 제12스위칭 소자, 상기 제16노드와 상기 제3출력 노드 사이에 접속된 제13스위칭 소자, 상기 제17노드와 제2출력 노드 사이에 접속된 제14스위칭 소자, 상기 제18노드와 상기 제1출력 노드 사이에 접속된 제15스위칭 소자, 상기 제1출력 노드와 상기 출력 단자 사이에 접속된 제1출력 스위칭 소자, 상기 제2출력 노드와 상기 출력 단자 사이에 접속된 제2출력 스위칭 소자, 상기 제3출력 노드와 상기 출력단자 사이에 접속된 제3출력 스위칭 소자 및 상기 제4출력 노드와 상기 출력 단자 사이에 접속된 제4출력 스위칭 소자를 포함하고 있으며, 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5, 제6, 제7스위칭 소자는 상기 제2부분에 형성되어 있고, 상기 제8, 제9, 제10, 제11, 제12, 제13, 제14, 제15스위칭 소자는 상기 제3부분에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 각각의 저항기는 확산 저항기(diffused resistor)를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 각각의 저항기는 폴리실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 각각의 스위칭 소자는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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