KR960009295A - 반도체 레이저 다이오드와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것으로서 특히 자기정렬구조의 레이저 다이오드와 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은, 활성층을 포함한 다층의 결정층을 반도체 기판상에 형성하는 공정과, 상기 다층의 결정층의 최상면에 사각형의 릿지를 형성하는 공정과, 상기 릿지를 가진 다층의 결정층 위에 소정두께의 패시베이션층(Passivation layer)을 증착하는 공정과, 상기 패시베이션층 위에 포토레지스터를 도포하는 공정과, 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체, 또는 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체와 상기 릿지 벽면의 포토레지스터를 릿지 최상면에 수식한 방향으로 상당 깊이 노광하는 공정과, 상기 포토레지스터의 노광된 부분을 제거하는 공정과, 노출된 패시베이션층을 제거하는 공정과, 상기 릿지 양쪽에 전류하는 포토레지스터를 제거하는 공정과, 상기 구조의 최상면에 전류주입츠을 형성하는 공정을 포함한다.

Description

반도체 레이저 다이오드와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6A도 내지 제6L도는 본 발명의 제조 방법에 따른 본 발명 레이저 다이오드의 공정도이다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판상에 활성층을 가진 릿지형 레이저 다이오드를 제작함에 있어서, 활성층을 포함한 다층의 결정층을 반도체 기판상에 형성하는 공정과, 상기 다층의 결정층의 최상면에 사각형의 릿지를 형성하는 공정과, 상기 릿지를 가진 다층의 결정층 위에 소정두께의 패시베이션층(Passivation layer)을 증착하는 공정과, 상기 패시베이션층 위에 포토레지스터를 도포하는 공정과, 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체, 또는 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체와 상기 릿지 벽며의 포토레지스터를 릿지 최상면에 수식한 방향으로 상당 깊이 노광하는 공정과, 상기 포토레지스터의 노광된 부분을 제거하는 공정과, 노출된 패시베이션층을 제거하는 공정과, 상기 릿지 양쪽에 잔류하는 포토레지스터를 제거하는 공정과, 상기 구조의 최상면에 전류주입층을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 기판자체를 에칭하여 릿지를 형성하고 그 위에 활성층을 포함한 결정층을 릿지형태를 유지하는 적층을 형성하는 공정과, 소정두께의 패시베이션층(Passivation layer)을 상기 릿지형태를 유지하면서 증착하는 공정과, 상기 패시베이션층 위에 포토레지스터를 도포하는 공정과, 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체, 또는 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체와 상기 릿지 벽면의 포토레지스터를 릿지 최상명에 수직한 방향으로 상당 깊이 노광하는 공정과, 상기 포토레지스터의 노광된 부분을 제거하는 공정과, 노출된 패시베이션층을 제거하는 공정과, 상기 릿지 양쪽에 잔류하는 포토레지스터를 제거하는 공정과, 상기 누조의 최상면에 전류주입을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 반도체 기판상에 활성층을 가진 쌍 채널 릿지형 레이저 다이오드를 제작함에 있어서, 반도체 기판상에 활성층을 포함하는 결정층을 형성하는 공정과, 상기 다층의 결정층의 최상면에 쌍 채널 구조의 릿지를 형성하는 공정과, 상기 결정층 위에 소정두께의 패시베이션층(Passivation layer)을 증착하는 공정과, 상기 패시베이션층 위에 포토레지스터를 도포하는 공정과, 상기 구조 양 채널의 바깥부위에 있는 돌출부 주변은 노광되지 않도록 하면서 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체, 또는 상기 릿지 최상면의 포토레지스터 전체와 상기 릿지 벽며의 포토레지스터를 릿지 최상면에 수직한 방향으로 상당 깊이 노광하는 공정과, 상기 포토레스터의 노광된 부분을 제거하는 공정과, 노출된 패시베이션층을 제거하는 공정과, 상기 릿지 양쪽에 잔류하는 포토레지스터를 제거하는 공정과, 상기 구조의 최상면에 전류주입층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 제조방법.
  4. 활성층을 포함한 결정층에 릿지가 형성되어 있고 패시베이션층이 상기 릿지형태를 유지하면서 그 위에 형성되어 있으며, 전류주입층이 상기 릿지형태를 유지하면서 최상부에 형성된 릿지형 레이저 다이오드에 있어서, 상기 전류주입층과 상기 결정층간의 접촉면이 릿지 최상면과 릿지 옆 벽 부분에 걸쳐져 잇는 구조를 특징으로 하는 릿지형 레이저 다이오드.
  5. 상기 제4항에서 상기 패시베이션층이 Al2O3나 ZnSe로 이루어진 것을 특징으로 하는 릿지형 레이저 다이오드.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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