JP3453787B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3453787B2 JP3453787B2 JP14795793A JP14795793A JP3453787B2 JP 3453787 B2 JP3453787 B2 JP 3453787B2 JP 14795793 A JP14795793 A JP 14795793A JP 14795793 A JP14795793 A JP 14795793A JP 3453787 B2 JP3453787 B2 JP 3453787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- metal oxide
- group compound
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ特に少な
くとも活性層がII−VI族化合物半導体材料より成る半導
体レーザ及びその製造方法に係わる。
くとも活性層がII−VI族化合物半導体材料より成る半導
体レーザ及びその製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】ＺｎＳｅ系等のII−VI族化合物半導体材
料を用いる半導体レーザは、良好なｐ側のオーミックコ
ンタクトを得ることが難しく、従来コンタクト部での発
熱による電極劣化を招いたり、素子の温度上昇によって
長時間動作が困難となるなどの不都合を有する。
料を用いる半導体レーザは、良好なｐ側のオーミックコ
ンタクトを得ることが難しく、従来コンタクト部での発
熱による電極劣化を招いたり、素子の温度上昇によって
長時間動作が困難となるなどの不都合を有する。
【０００３】一例としてＺｎＳｅ系の半導体レーザの構
成を、その製造工程を示す図４Ａ〜Ｃを参照して説明す
る。この場合、先ず図４Ａに示すように、ｎ型のＧａＡ
ｓ等より成る基板１の上に、ｎ型のＺｎＭｇＳＳｅ等よ
り成る第１のクラッド層２、ノンドープのＺｎＣｄＳｅ
等より成る活性層３、ｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ等より成る
第２のクラッド層４、ｐ型ＺｎＳｅ等より成るバッファ
層５、更に例えばｐ型のＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子構造
のコンタクト層６を順次エピタキシャル成長させる。そ
してこのコンタクト層６の上にフォトレジスト１０を塗
布し、これを電流ストライプ通路を形成すべき領域の上
を覆うようにストライプ状にパターン露光、現像により
パターニングし、これをレジストマスクとして、化学的
エッチング等によりコンタクト層６をストライプ状にパ
ターニングする。このときコンタクト層６の両側のバッ
ファ層５の一部が除去されるまでそのエッチングを行
う。
成を、その製造工程を示す図４Ａ〜Ｃを参照して説明す
る。この場合、先ず図４Ａに示すように、ｎ型のＧａＡ
ｓ等より成る基板１の上に、ｎ型のＺｎＭｇＳＳｅ等よ
り成る第１のクラッド層２、ノンドープのＺｎＣｄＳｅ
等より成る活性層３、ｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ等より成る
第２のクラッド層４、ｐ型ＺｎＳｅ等より成るバッファ
層５、更に例えばｐ型のＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子構造
のコンタクト層６を順次エピタキシャル成長させる。そ
してこのコンタクト層６の上にフォトレジスト１０を塗
布し、これを電流ストライプ通路を形成すべき領域の上
を覆うようにストライプ状にパターン露光、現像により
パターニングし、これをレジストマスクとして、化学的
エッチング等によりコンタクト層６をストライプ状にパ
ターニングする。このときコンタクト層６の両側のバッ
ファ層５の一部が除去されるまでそのエッチングを行
う。
【０００４】そしてフォトレジストを除去してからこの
上にポリイミド１１を全面的に塗布した後、図４Ｂに示
すように、適当なフォトリソグラフィ技術によってコン
タクト層６のみを露出させる。次に図４Ｃに示すよう
に、ポリイミド１１及びコンタクト層６の上を覆って全
面的にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ多層膜等より成る電極８を真空
蒸着等により形成する。９は例えば予め基板１の裏面に
塗布等により形成されるＩｎ等より成る電極を示す。
上にポリイミド１１を全面的に塗布した後、図４Ｂに示
すように、適当なフォトリソグラフィ技術によってコン
タクト層６のみを露出させる。次に図４Ｃに示すよう
に、ポリイミド１１及びコンタクト層６の上を覆って全
面的にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ多層膜等より成る電極８を真空
蒸着等により形成する。９は例えば予め基板１の裏面に
塗布等により形成されるＩｎ等より成る電極を示す。
【０００５】このようにして、ポリイミド１１によって
電流が阻止され、このポリイミド１１に挟まれた領域を
ストライプ状の電流通路とし、利得導波型の半導体レー
ザが構成される。
電流が阻止され、このポリイミド１１に挟まれた領域を
ストライプ状の電流通路とし、利得導波型の半導体レー
ザが構成される。
【０００６】このポリイミド１１はＺｎＳｅやｐ側の電
極との密着性に優れ、また比較的低温のプロセスでの成
膜が可能であり、他部の結晶性を損ねることがないとい
う利点を有する。
極との密着性に優れ、また比較的低温のプロセスでの成
膜が可能であり、他部の結晶性を損ねることがないとい
う利点を有する。
【０００７】ところが上述の利得導波型の半導体レーザ
では、コンタクト抵抗の大きい電極直下で最も注入電流
が集中することから、この電極付近で発生したジュール
熱によって電極部の劣化やレーザ素子全体の温度上昇が
避けられないという不都合を有する。
では、コンタクト抵抗の大きい電極直下で最も注入電流
が集中することから、この電極付近で発生したジュール
熱によって電極部の劣化やレーザ素子全体の温度上昇が
避けられないという不都合を有する。
【０００８】これに対し、例えば素子の温度上昇を抑制
するためにｐ側の電極を下にして熱伝導率の極めて高い
ヒートシンクにマウントする方法が考えられるが、上述
したようにポリイミド１１がｐ側電極とクラッド層との
間の比較的大きい面積に設けられるため、熱を効果的に
排出できないという問題がある。
するためにｐ側の電極を下にして熱伝導率の極めて高い
ヒートシンクにマウントする方法が考えられるが、上述
したようにポリイミド１１がｐ側電極とクラッド層との
間の比較的大きい面積に設けられるため、熱を効果的に
排出できないという問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、特にＺｎＳ
ｅ系等のII−VI族化合物半導体レーザにおいて放熱特性
を改善し、長時間動作を可能とする。またその製造の簡
易化をはかって生産性の向上をはかる。
ｅ系等のII−VI族化合物半導体レーザにおいて放熱特性
を改善し、長時間動作を可能とする。またその製造の簡
易化をはかって生産性の向上をはかる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に、少
なくとも第１のクラッド層と、II-VI 族化合物半導体材
料より成る活性層と、第２のクラッド層とが順次積層さ
れて成る半導体レーザにあって、第２のクラッド層の電
流ストライプ通路上に、少なくともII-VI 族化合物半導
体材料より成るコンタクト層を設け、少なくとも電流ス
トライプ通路のコンタクト層を挟んでその両側に、熱伝
導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物
より成る電流狭窄層と、シリコン層とをこの順に積層し
て設ける構成とする。
なくとも第１のクラッド層と、II-VI 族化合物半導体材
料より成る活性層と、第２のクラッド層とが順次積層さ
れて成る半導体レーザにあって、第２のクラッド層の電
流ストライプ通路上に、少なくともII-VI 族化合物半導
体材料より成るコンタクト層を設け、少なくとも電流ス
トライプ通路のコンタクト層を挟んでその両側に、熱伝
導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物
より成る電流狭窄層と、シリコン層とをこの順に積層し
て設ける構成とする。
【００１１】また本発明は、金属酸化物を、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯまたはＢｅＯのうち１種の材料より構成
する。
2 Ｏ3 、ＭｇＯまたはＢｅＯのうち１種の材料より構成
する。
【００１２】更に本発明は、基板上に、少なくとも第１
のクラッド層と、II-VI 族化合物半導体材料より成る活
性層と、第２のクラッド層とが順次積層されて成る半導
体レーザの製造方法にあって、第２のクラッド層の電流
ストライプ通路上に、少なくともII-VI 族化合物半導体
材料より成るコンタクト層を形成し、このコンタクト層
上のレジストをマスクとして、熱伝導率が０．０１ｃａ
ｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物より成る電流狭窄層
及びシリコン層を自己整合的に形成する。
のクラッド層と、II-VI 族化合物半導体材料より成る活
性層と、第２のクラッド層とが順次積層されて成る半導
体レーザの製造方法にあって、第２のクラッド層の電流
ストライプ通路上に、少なくともII-VI 族化合物半導体
材料より成るコンタクト層を形成し、このコンタクト層
上のレジストをマスクとして、熱伝導率が０．０１ｃａ
ｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物より成る電流狭窄層
及びシリコン層を自己整合的に形成する。
【００１３】また本発明は、金属酸化物を、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯまたはＢｅＯのうち１種の材料より形成
する。
2 Ｏ3 、ＭｇＯまたはＢｅＯのうち１種の材料より形成
する。
【００１４】
【作用】II−VI族化合物半導体レーザを構成するにあた
って特にその電流狭窄層７の材料として、特に１００℃
での熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の熱
伝導率の良好な金属酸化物を用いることによって充分な
放熱特性が得られ、素子の長時間動作が可能となること
が本発明者の鋭意考察研究の結果判明した。
って特にその電流狭窄層７の材料として、特に１００℃
での熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の熱
伝導率の良好な金属酸化物を用いることによって充分な
放熱特性が得られ、素子の長時間動作が可能となること
が本発明者の鋭意考察研究の結果判明した。
【００１５】また、このような金属酸化物より成る電流
狭窄層７と、この上の電極８との間にシリコン層を設け
ることによって、金属酸化物より成る電流狭窄層７と電
極８との密着性を改善し、剥れ等の発生を回避して信頼
性の高い半導体レーザを提供することができる。
狭窄層７と、この上の電極８との間にシリコン層を設け
ることによって、金属酸化物より成る電流狭窄層７と電
極８との密着性を改善し、剥れ等の発生を回避して信頼
性の高い半導体レーザを提供することができる。
【００１６】またこのような電流狭窄層７を、図２Ａ〜
Ｃにその一例の製造工程を示すように、電流ストライプ
通路上のレジスト１０をマスクとして自己整合的に形成
することによって、コンタクト層６との位置ずれを抑え
ると共に製造工程数の低減化、生産性の向上をはかるこ
とができる。
Ｃにその一例の製造工程を示すように、電流ストライプ
通路上のレジスト１０をマスクとして自己整合的に形成
することによって、コンタクト層６との位置ずれを抑え
ると共に製造工程数の低減化、生産性の向上をはかるこ
とができる。
【００１７】
【実施例】先ず本発明の実施例に先立って、図１に示す
参考例を、図２Ａ〜Ｃの製造工程図を参照して詳細に説
明する。この例においては、ＧａＡｓ基板上に、ＺｎＳ
ｅ系の化合物半導体レーザを構成する場合で、先ずその
製造方法を、図２Ａ〜Ｃを参照して詳細に説明する。
参考例を、図２Ａ〜Ｃの製造工程図を参照して詳細に説
明する。この例においては、ＧａＡｓ基板上に、ＺｎＳ
ｅ系の化合物半導体レーザを構成する場合で、先ずその
製造方法を、図２Ａ〜Ｃを参照して詳細に説明する。
【００１８】図２Ａにおいて１は例えばｎ型のＧａＡｓ
より成る基板で、その裏面側には例えばｎ側電極として
Ｉｎ等より成る電極９が塗布されて成り、この後の結晶
成長過程で加熱溶融されて形成されて成る。そして基板
１の上に、ｎ型のＺｎＭｇＳＳｅ等より成る第１のクラ
ッド層２、ノンドープのＺｎＣｄＳｅ等より成る活性層
３、ｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ等より成る第２のクラッド層
４、ｐ型ＺｎＳｅ等より成るバッファ層５、更に例えば
ｐ型のＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子構造とされたコンタク
ト層６を順次ＭＯＣＶＤ（有機金属による化学的気相成
長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）等によりエピ
タキシャル成長させる。
より成る基板で、その裏面側には例えばｎ側電極として
Ｉｎ等より成る電極９が塗布されて成り、この後の結晶
成長過程で加熱溶融されて形成されて成る。そして基板
１の上に、ｎ型のＺｎＭｇＳＳｅ等より成る第１のクラ
ッド層２、ノンドープのＺｎＣｄＳｅ等より成る活性層
３、ｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ等より成る第２のクラッド層
４、ｐ型ＺｎＳｅ等より成るバッファ層５、更に例えば
ｐ型のＺｎＳｅ／ＺｎＴｅ超格子構造とされたコンタク
ト層６を順次ＭＯＣＶＤ（有機金属による化学的気相成
長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）等によりエピ
タキシャル成長させる。
【００１９】次にこのコンタクト層６の上にフォトレジ
スト１０を塗布し、これを電流ストライプ通路を形成す
べき領域を覆うようにストライプ状にパターン露光、現
像によりパターニングし、これをレジストマスクとし
て、化学的エッチング等によりコンタクト層６をストラ
イプ状にパターニングする。このときコンタクト層６の
両側のバッファ層５の一部が除去されるまでそのエッチ
ングを行う。
スト１０を塗布し、これを電流ストライプ通路を形成す
べき領域を覆うようにストライプ状にパターン露光、現
像によりパターニングし、これをレジストマスクとし
て、化学的エッチング等によりコンタクト層６をストラ
イプ状にパターニングする。このときコンタクト層６の
両側のバッファ層５の一部が除去されるまでそのエッチ
ングを行う。
【００２０】次に図２Ｂに示すように、このレジスト１
０を残したままでこの上に１００℃での熱伝導率が０．
０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物、例えば熱
伝導率が０．０７ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃（１００℃にお
ける値、以下の本明細書において熱伝導率は１００℃に
おける値を示す）のＡｌ2 Ｏ3 より成る電流狭窄層７を
真空蒸着等により全面的に被着する。
０を残したままでこの上に１００℃での熱伝導率が０．
０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物、例えば熱
伝導率が０．０７ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃（１００℃にお
ける値、以下の本明細書において熱伝導率は１００℃に
おける値を示す）のＡｌ2 Ｏ3 より成る電流狭窄層７を
真空蒸着等により全面的に被着する。
【００２１】そして図２Ｃに示すように、レジストとそ
の上のＡｌ 2 Ｏ 3 を除去してコンタクト層６を露出させ
た後、図１に示すように、この上に全面的にＰｄ／Ｐｔ
／Ａｕ多層膜等より成る電極８を真空蒸着等により形成
する。このようにして、上述の金属酸化物より成る電流
狭窄層７によって挟まれた領域をストライプ状の電流通
路とする利得導波型の半導体レーザが構成される。
の上のＡｌ 2 Ｏ 3 を除去してコンタクト層６を露出させ
た後、図１に示すように、この上に全面的にＰｄ／Ｐｔ
／Ａｕ多層膜等より成る電極８を真空蒸着等により形成
する。このようにして、上述の金属酸化物より成る電流
狭窄層７によって挟まれた領域をストライプ状の電流通
路とする利得導波型の半導体レーザが構成される。
【００２２】この場合フォトリソグラフィ工程が１回と
なり、コンタクト層６のパターニングと同時に電流狭窄
層７を自己整合的に形成することができて、コンタクト
層６と電流狭窄層７との位置ずれを抑制することができ
る。
なり、コンタクト層６のパターニングと同時に電流狭窄
層７を自己整合的に形成することができて、コンタクト
層６と電流狭窄層７との位置ずれを抑制することができ
る。
【００２３】即ち従来ｐ型半導体層上の電流狭窄層とし
てポリイミドを用いる場合には、その製造工程を前述の
図４Ａ〜Ｃにおいて説明したように２回のフォトリソグ
ラフィを必要としたものであるが、上述したように本発
明によれば、フォトリソグラフィ工程を１回とすること
ができて、製造工程数の低減化をはかることができ、ひ
いては生産性の向上をはかることができる。
てポリイミドを用いる場合には、その製造工程を前述の
図４Ａ〜Ｃにおいて説明したように２回のフォトリソグ
ラフィを必要としたものであるが、上述したように本発
明によれば、フォトリソグラフィ工程を１回とすること
ができて、製造工程数の低減化をはかることができ、ひ
いては生産性の向上をはかることができる。
【００２４】そして、本発明においては、図３に示すよ
うに、電流狭窄層７と電極８との間に、シリコン層１２
を設けることによって、この部分の密着性を充分大とす
ることができる。このシリコン層１２の形成方法は、例
えば上述の図２Ｂの工程において、金属酸化物より成る
電流狭窄層７の蒸着に続いて全面的にシリコン層１２の
蒸着を行い、同様にレジスト除去によって自己整合的に
形成することができる。シリコンはＡｌ2 Ｏ3 等の金属
酸化物に比し熱伝導率が高く、金属酸化物のみを用いる
場合に比し放熱特性が著しく劣化することを回避でき
る。
うに、電流狭窄層７と電極８との間に、シリコン層１２
を設けることによって、この部分の密着性を充分大とす
ることができる。このシリコン層１２の形成方法は、例
えば上述の図２Ｂの工程において、金属酸化物より成る
電流狭窄層７の蒸着に続いて全面的にシリコン層１２の
蒸着を行い、同様にレジスト除去によって自己整合的に
形成することができる。シリコンはＡｌ2 Ｏ3 等の金属
酸化物に比し熱伝導率が高く、金属酸化物のみを用いる
場合に比し放熱特性が著しく劣化することを回避でき
る。
【００２５】尚、電流狭窄層７の材料としては上述のＡ
ｌ2 Ｏ3 の他、熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・
℃以上であれば良く、特に自己整合を可能とし、即ち真
空蒸着が可能な材料としては、熱伝導率がそれぞれ０．
０９ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃のＭｇＯ、０．５３ｃａｌ／
ｃｍ・ｓ・℃のＢｅＯ等の材料を用いることができる。
ｌ2 Ｏ3 の他、熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・
℃以上であれば良く、特に自己整合を可能とし、即ち真
空蒸着が可能な材料としては、熱伝導率がそれぞれ０．
０９ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃のＭｇＯ、０．５３ｃａｌ／
ｃｍ・ｓ・℃のＢｅＯ等の材料を用いることができる。
【００２６】また、ポリイミドの熱伝導率は０．０００
３〜０．０００５ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃、これより熱伝
導率の高い絶縁材料として例えばＳｉＯ2 があるが、そ
の熱伝導率は０．００５ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃であり、
これを上述のII−VI族化合物半導体より成る活性層を有
する半導体レーザの電流狭窄層として用いた場合は充分
な放熱特性が得られなかった。従って本発明において
は、熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金
属酸化物を用いるものである。
３〜０．０００５ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃、これより熱伝
導率の高い絶縁材料として例えばＳｉＯ2 があるが、そ
の熱伝導率は０．００５ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃であり、
これを上述のII−VI族化合物半導体より成る活性層を有
する半導体レーザの電流狭窄層として用いた場合は充分
な放熱特性が得られなかった。従って本発明において
は、熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金
属酸化物を用いるものである。
【００２７】また更に本発明は、上述の実施例に限定さ
れることなく、本発明構成を逸脱しない範囲で種々の変
形変更が可能であることはいうまでもない。
れることなく、本発明構成を逸脱しない範囲で種々の変
形変更が可能であることはいうまでもない。
【００２８】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、ＺｎＳ
ｅ系等のII−VI族化合物半導体より成る半導体レーザに
おいてその放熱特性を改善し、長時間動作を可能とする
ことができる。
ｅ系等のII−VI族化合物半導体より成る半導体レーザに
おいてその放熱特性を改善し、長時間動作を可能とする
ことができる。
【００２９】またその製造にあたってリソグラフィ工程
を１回とすることができることから、製造工程数の低減
化をはかり、生産性の向上をはかることができる。
を１回とすることができることから、製造工程数の低減
化をはかり、生産性の向上をはかることができる。
【００３０】更にまた、電流狭窄層と電極との間にシリ
コン層を設けることによって密着性を改善させ、より信
頼性の高い半導体レーザを提供することができる。
コン層を設けることによって密着性を改善させ、より信
頼性の高い半導体レーザを提供することができる。
【図１】参考例の略線的拡大断面図である。
【図２】半導体レーザの一例の製造工程図である。
【図３】本発明の他の実施例の略線的拡大断面図であ
る。
る。
【図４】従来の半導体レーザの一例の製造工程図であ
る。
る。
１ 基板
２ 第１のクラッド層
３ 活性層
４ 第２のクラッド層
５ バッファ層
６ コンタクト層
７ 電流狭窄層
８ 電極
９ 電極
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも第１のクラッド層
と、II-VI 族化合物半導体材料より成る活性層と、第２
のクラッド層とが順次積層されて成る半導体レーザにあ
って、 上記第２のクラッド層の電流ストライプ通路上に、少な
くともII-VI 族化合物半導体材料より成るコンタクト層
が設けられ、 少なくとも電流ストライプ通路の上記コンタクト層を挟
んでその両側に、熱伝導率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ
・℃以上の金属酸化物より成る電流狭窄層と、シリコン
層とがこの順に積層されて設けられてなることを特徴と
する半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記金属酸化物が、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ
またはＢｅＯのうち１種の材料よりなることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】 基板上に、少なくとも第１のクラッド層
と、II-VI 族化合物半導体材料より成る活性層と、第２
のクラッド層とが順次積層されて成る半導体レーザの製
造方法にあって、 上記第２のクラッド層の電流ストライプ通路上に、少な
くともII-VI 族化合物半導体材料より成るコンタクト層
を形成し、 上記コンタクト層上のレジストをマスクとして、熱伝導
率が０．０１ｃａｌ／ｃｍ・ｓ・℃以上の金属酸化物よ
り成る電流狭窄層及びシリコン層を自己整合的に形成す
ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 上記金属酸化物を、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ
またはＢｅＯのうち１種の材料より形成することを特徴
とする請求項３に記載の半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14795793A JP3453787B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| TW083105419A TW274646B (ja) | 1993-06-18 | 1994-06-15 | |
| EP94109205A EP0630084B1 (en) | 1993-06-18 | 1994-06-15 | Semiconductor laser |
| DE69402115T DE69402115T2 (de) | 1993-06-18 | 1994-06-15 | Halbleiterlaser |
| KR1019940013559A KR100277398B1 (ko) | 1993-06-18 | 1994-06-16 | 반도체레이저 |
| US08/261,195 US5432810A (en) | 1993-06-18 | 1994-06-16 | Semiconductor layer having first and second cladding layers and an active layer formed of a II-VI group compound and a current confinement layer comprising a metal oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14795793A JP3453787B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077220A JPH077220A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3453787B2 true JP3453787B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=15441912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14795793A Expired - Lifetime JP3453787B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5432810A (ja) |
| EP (1) | EP0630084B1 (ja) |
| JP (1) | JP3453787B2 (ja) |
| KR (1) | KR100277398B1 (ja) |
| DE (1) | DE69402115T2 (ja) |
| TW (1) | TW274646B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100303279B1 (ko) * | 1994-08-27 | 2001-12-01 | 윤종용 | 반도체레이저다이오드와그제조방법 |
| JP3193976B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2001-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 高電圧ノイズフィルタ及びマグネトロン装置 |
| US5732103A (en) * | 1996-12-09 | 1998-03-24 | Motorola, Inc. | Long wavelength VCSEL |
| JP2006012899A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
| DE102018123019A1 (de) * | 2018-09-19 | 2020-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gewinngeführter halbleiterlaser und herstellungsverfahren hierfür |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955031A (en) * | 1988-07-12 | 1990-09-04 | University Of Connecticut | Metal insulator semiconductor heterostructure lasers |
| US5029175A (en) * | 1988-12-08 | 1991-07-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JPH03237785A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-23 | Omron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100247682B1 (ko) * | 1991-05-15 | 2000-03-15 | 스프레이그 로버트 월터 | 블루-그린 레이저다이오드 |
| JPH05275803A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Tdk Corp | 半導体レーザ |
| JPH0621572A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-01-28 | Nec Corp | 半導体レーザ |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP14795793A patent/JP3453787B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-15 TW TW083105419A patent/TW274646B/zh active
- 1994-06-15 DE DE69402115T patent/DE69402115T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-15 EP EP94109205A patent/EP0630084B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-16 KR KR1019940013559A patent/KR100277398B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-06-16 US US08/261,195 patent/US5432810A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW274646B (ja) | 1996-04-21 |
| EP0630084B1 (en) | 1997-03-19 |
| EP0630084A1 (en) | 1994-12-21 |
| DE69402115D1 (de) | 1997-04-24 |
| DE69402115T2 (de) | 1997-11-13 |
| US5432810A (en) | 1995-07-11 |
| KR100277398B1 (ko) | 2001-02-01 |
| JPH077220A (ja) | 1995-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6743702B2 (en) | Nitride-based semiconductor laser device and method of forming the same | |
| US5658823A (en) | Semiconductor laser diode and manufacturing method therefor | |
| EP1047120A1 (en) | Method of manufacturing an electrode in a semiconductor device | |
| JP4313628B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US6928096B2 (en) | Nitride-based semiconductor laser device and method of fabricating the same | |
| JP2000058981A (ja) | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3453787B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2000133877A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2950028B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| EP0133996B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP4056717B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US5563094A (en) | Buried reverse bias junction configurations in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth and device structures utilizing the same | |
| JPH04252083A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2675692B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP2833962B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
| JPS63164374A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JP3075824B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JP3143105B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH09321388A (ja) | 構造基板の製造方法 | |
| JP2975745B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置とその製造方法 | |
| JP3033664B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH06326413A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05243667A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0653605A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH04192486A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |