JPH05275803A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH05275803A JPH05275803A JP7155792A JP7155792A JPH05275803A JP H05275803 A JPH05275803 A JP H05275803A JP 7155792 A JP7155792 A JP 7155792A JP 7155792 A JP7155792 A JP 7155792A JP H05275803 A JPH05275803 A JP H05275803A
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- JP
- Japan
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- layer
- mixed crystal
- gaas substrate
- semiconductor laser
- crystal layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、レーザ光発光の際の省電力化を図
れるとともに、放熱特性も良好な半導体レーザを提供す
る。 【構成】 本発明は、ｐ型ＧａＡｓ基板１０上に、ｐ−
Ｃｄx Ｚｎ1-x ＳからなるII−VI族混晶の第１のクラッ
ド層１１，活性層１２，II−VI族混晶の第２のクラッド
層１３，コンタクト層１４及び電極層１５をエピタキシ
ーした半導体レーザ１において、ｐ型ＧａＡｓ基板１０
と第１のクラッド層１１との間に、これら両者のバンド
ギャップの間の値のバンドギャップを有し、熱伝導率が
これら両者よりも大きい混晶層２を設けた。この構成に
より、ｐ型ＧａＡｓ基板１０と第１のクラッド層１１と
のヘトロ障壁が段階的となり、活性層へ注入される電流
が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値電流を小
さなり、かつ、ｐ型ＧａＡｓ基板１０と第１のクラッド
層１１との間の放熱特性も良好となる。
れるとともに、放熱特性も良好な半導体レーザを提供す
る。 【構成】 本発明は、ｐ型ＧａＡｓ基板１０上に、ｐ−
Ｃｄx Ｚｎ1-x ＳからなるII−VI族混晶の第１のクラッ
ド層１１，活性層１２，II−VI族混晶の第２のクラッド
層１３，コンタクト層１４及び電極層１５をエピタキシ
ーした半導体レーザ１において、ｐ型ＧａＡｓ基板１０
と第１のクラッド層１１との間に、これら両者のバンド
ギャップの間の値のバンドギャップを有し、熱伝導率が
これら両者よりも大きい混晶層２を設けた。この構成に
より、ｐ型ＧａＡｓ基板１０と第１のクラッド層１１と
のヘトロ障壁が段階的となり、活性層へ注入される電流
が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値電流を小
さなり、かつ、ｐ型ＧａＡｓ基板１０と第１のクラッド
層１１との間の放熱特性も良好となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザの改良に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光を発光する半導体レーザが種々
提案され実用化されているが、その一例として、図５に
示すII−VI族半導体レーザ２０がある。
提案され実用化されているが、その一例として、図５に
示すII−VI族半導体レーザ２０がある。
【０００３】このII−VI族半導体レーザ２０は、ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板（又はｐ−ＧａＡｓバッファー層を積層した
ｐ−ＧａＡｓ基板）１０上に、ｐ−Ｃｄ0.57Ｚｎ0.43Ｓ
からなるII−VI族混晶の第１のクラッド層１１、ｐ−Ｚ
ｎＳ0.09Ｓｅ0.91からなる活性層１２、ｎ−Ｃｄ0.57Ｚ
ｎ0.43ＳからなるII−VI族混晶の第２のクラッド層１
３、ｎ−ＧａＡｓからなるコンタクト層１４及びＡｕか
らなる電極層１５をエピタキシーした構造となってい
る。
ａＡｓ基板（又はｐ−ＧａＡｓバッファー層を積層した
ｐ−ＧａＡｓ基板）１０上に、ｐ−Ｃｄ0.57Ｚｎ0.43Ｓ
からなるII−VI族混晶の第１のクラッド層１１、ｐ−Ｚ
ｎＳ0.09Ｓｅ0.91からなる活性層１２、ｎ−Ｃｄ0.57Ｚ
ｎ0.43ＳからなるII−VI族混晶の第２のクラッド層１
３、ｎ−ＧａＡｓからなるコンタクト層１４及びＡｕか
らなる電極層１５をエピタキシーした構造となってい
る。
【０００４】また、ｐ−ＧａＡｓ基板１０の代りに、ｎ
−ＧａＡｓ基板（又はｎ−ＧａＡｓバッファー層を積層
したｎ−ＧａＡｓ基板）を用い、II−VI族混晶のクラッ
ド層，活性層，コンタクト層及び電極層をエピタキシー
した構造のもの製造されている。
−ＧａＡｓ基板（又はｎ−ＧａＡｓバッファー層を積層
したｎ−ＧａＡｓ基板）を用い、II−VI族混晶のクラッ
ド層，活性層，コンタクト層及び電極層をエピタキシー
した構造のもの製造されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１０を用いたII−VI族半導体レーザの場合、
図６に示すように、ｐ−ＧａＡｓ基板１０とII−VI族混
晶の第１のクラッド層１１との界面における価電子帯の
ヘテロ障壁Ｊが大きいため、正孔電流が流れにくくレー
ザ光発光の際の立上がりの閾値電流が大きくなり省電力
化を図れないという問題があった。
ａＡｓ基板１０を用いたII−VI族半導体レーザの場合、
図６に示すように、ｐ−ＧａＡｓ基板１０とII−VI族混
晶の第１のクラッド層１１との界面における価電子帯の
ヘテロ障壁Ｊが大きいため、正孔電流が流れにくくレー
ザ光発光の際の立上がりの閾値電流が大きくなり省電力
化を図れないという問題があった。
【０００６】また、II−VI族混晶の第１のクラッド層１
１の熱伝導率が小さいため、ｐ−ＧａＡｓ基板１０とII
−VI族混晶の第１のクラッド層１１との界面での放熱特
性が悪いという問題があった。
１の熱伝導率が小さいため、ｐ−ＧａＡｓ基板１０とII
−VI族混晶の第１のクラッド層１１との界面での放熱特
性が悪いという問題があった。
【０００７】他方、ｎ−ＧａＡｓ基板を用いたII−VI族
半導体レーザにおいても、上述した場合と同様、ｎ−Ｇ
ａＡｓ基板とII−VI族混晶のクラッド層との界面におけ
る価電子帯のヘテロ障壁が大きく、やはりレーザ光発光
の際の立上がりの閾値電流が大きくなり省電力化を図れ
ないという問題があった。また、このII−VI族半導体レ
ーザにおいても、上述した場合と同様、ｎ−ＧａＡｓ基
板とII−VI族混晶のクラッド層との界面での放熱特性が
悪いという問題があった。
半導体レーザにおいても、上述した場合と同様、ｎ−Ｇ
ａＡｓ基板とII−VI族混晶のクラッド層との界面におけ
る価電子帯のヘテロ障壁が大きく、やはりレーザ光発光
の際の立上がりの閾値電流が大きくなり省電力化を図れ
ないという問題があった。また、このII−VI族半導体レ
ーザにおいても、上述した場合と同様、ｎ−ＧａＡｓ基
板とII−VI族混晶のクラッド層との界面での放熱特性が
悪いという問題があった。
【０００８】そこで、本発明は、レーザ光発光の際の立
上がりの閾値電流が小さく省電力化を図れるとともに、
放熱特性も良好な半導体レーザを提供することを目的と
するものである。
上がりの閾値電流が小さく省電力化を図れるとともに、
放熱特性も良好な半導体レーザを提供することを目的と
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ｐ型ＧａＡｓ
基板上に、ｐ−Ｃｄx Ｚｎ1-x ＳからなるII−VI族混晶
の第１のクラッド層，活性層，II−VI族混晶の第２のク
ラッド層，コンタクト層及び電極層をエピタキシーした
半導体レーザにおいて、前記ｐ型ＧａＡｓ基板と第１の
クラッド層との間に、これら両者のバンドギャップの間
の値のバンドギャップを有し、熱伝導率がこれら両者よ
りも大きい混晶層を設けたものである。
基板上に、ｐ−Ｃｄx Ｚｎ1-x ＳからなるII−VI族混晶
の第１のクラッド層，活性層，II−VI族混晶の第２のク
ラッド層，コンタクト層及び電極層をエピタキシーした
半導体レーザにおいて、前記ｐ型ＧａＡｓ基板と第１の
クラッド層との間に、これら両者のバンドギャップの間
の値のバンドギャップを有し、熱伝導率がこれら両者よ
りも大きい混晶層を設けたものである。
【００１０】前記混晶層は、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐの混
晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ−（Ａ
ｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜
１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層又は両者を
積層したものである。
晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ−（Ａ
ｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜
１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層又は両者を
積層したものである。
【００１１】
【作用】上述した構成の半導体レーザによれば、ｐ型Ｇ
ａＡｓ基板と第１のクラッド層との間に、これら両者の
バンドギャップの間の値のバンドギャップをもつ混晶層
を設けたので、ｐ型ＧａＡｓ基板と第１のクラッド層と
のヘトロ障壁が段階的となり、所定のバアイアス条件下
での正孔電流を増加させることができ、活性層へ注入さ
れる電流が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値
電流を小さくすることが可能となる。
ａＡｓ基板と第１のクラッド層との間に、これら両者の
バンドギャップの間の値のバンドギャップをもつ混晶層
を設けたので、ｐ型ＧａＡｓ基板と第１のクラッド層と
のヘトロ障壁が段階的となり、所定のバアイアス条件下
での正孔電流を増加させることができ、活性層へ注入さ
れる電流が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値
電流を小さくすることが可能となる。
【００１２】また、混晶層の熱伝導率が、ｐ型ＧａＡｓ
基板、第１のクラッド層の熱伝導率よりも大きいので、
ｐ型ＧａＡｓ基板、第１のクラッド層間の熱抵抗が小さ
くなり、良好な放熱特性を発揮させることができる。
基板、第１のクラッド層の熱伝導率よりも大きいので、
ｐ型ＧａＡｓ基板、第１のクラッド層間の熱抵抗が小さ
くなり、良好な放熱特性を発揮させることができる。
【００１３】前記混晶層は、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐの混
晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ−（Ａ
ｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜
１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層又は両者を
積層した構造とすることで、上述した作用を実現でき
る。
晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ−（Ａ
ｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜
１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層又は両者を
積層した構造とすることで、上述した作用を実現でき
る。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１５】図１に示す半導体レーザ１は、ｐ−ＧａＡ
ｓ基板１０上に、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1- x Ｐからなる第１の
混晶層３とｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐからなる第２の混晶層
４との２層の混晶層２をエピタキシーし、さらに、混晶
層２上にｐ−Ｃｄ0.57Ｚｎ0. 43ＳからなるII−VI族混晶
の第１のクラッド層１１、ｐ−ＺｎＳ0.09Ｓｅ0.91から
なる活性層１２、ｎ−Ｃｄ0.57Ｚｎ0.43ＳからなるII−
VI族混晶の第２のクラッド層１３、ｎ−ＧａＡｓからな
るコンタクト層１４及びＡｕからなる電極層１５をエピ
タキシーした構造となっている。
ｓ基板１０上に、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1- x Ｐからなる第１の
混晶層３とｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐからなる第２の混晶層
４との２層の混晶層２をエピタキシーし、さらに、混晶
層２上にｐ−Ｃｄ0.57Ｚｎ0. 43ＳからなるII−VI族混晶
の第１のクラッド層１１、ｐ−ＺｎＳ0.09Ｓｅ0.91から
なる活性層１２、ｎ−Ｃｄ0.57Ｚｎ0.43ＳからなるII−
VI族混晶の第２のクラッド層１３、ｎ−ＧａＡｓからな
るコンタクト層１４及びＡｕからなる電極層１５をエピ
タキシーした構造となっている。
【００１６】前記混晶層２を構成する第１の混晶層３の
ＧａとＩｎとの配合割合ｘは、０．４５＜ｘ＜０．５５
とし、正孔濃度を制御することで、この第１の混晶層３
の価電子帯のエネルギー準位を図２に示すように、前記
ｐ−ＧａＡｓ基板１０の価電子帯のエネルギー準位より
も低く、第２の混晶層４の価電子帯のエネルギー準位よ
りも高くすることができる。
ＧａとＩｎとの配合割合ｘは、０．４５＜ｘ＜０．５５
とし、正孔濃度を制御することで、この第１の混晶層３
の価電子帯のエネルギー準位を図２に示すように、前記
ｐ−ＧａＡｓ基板１０の価電子帯のエネルギー準位より
も低く、第２の混晶層４の価電子帯のエネルギー準位よ
りも高くすることができる。
【００１７】また、混晶層２を構成する第２の混晶層４
のＡｌとＩｎとの配合割合ｙは、０．４５＜ｙ＜０．５
５とし、正孔濃度を制御することで、この第２の混晶層
４の価電子帯のエネルギー順位を図２に示すように、第
１の混晶層３の価電子帯のエネルギー準位よりも低く、
第１のクラッド層１１の価電子帯のエネルギー準位より
も高くすることができる。
のＡｌとＩｎとの配合割合ｙは、０．４５＜ｙ＜０．５
５とし、正孔濃度を制御することで、この第２の混晶層
４の価電子帯のエネルギー順位を図２に示すように、第
１の混晶層３の価電子帯のエネルギー準位よりも低く、
第１のクラッド層１１の価電子帯のエネルギー準位より
も高くすることができる。
【００１８】即ち、前記第１の混晶層３及び第２の混晶
層４を設けることで、前記ｐ−ＧａＡｓ基板１０から第
１のクラッド層１１に至るヘテロ障壁は段階的となり、
所定のバアイアス条件下での正孔電流を増加させること
ができ、活性層１２へ注入される電流が増大する。
層４を設けることで、前記ｐ−ＧａＡｓ基板１０から第
１のクラッド層１１に至るヘテロ障壁は段階的となり、
所定のバアイアス条件下での正孔電流を増加させること
ができ、活性層１２へ注入される電流が増大する。
【００１９】尚、例えば、ｐ−ＧａＡｓ基板１０の正孔
濃度を１×１０18／ｃｍ3 、第１の混晶層３の正孔濃度
を１×１０17／ｃｍ3 、第２の混晶層４の正孔濃度を１
×１０15／ｃｍ3 、第１のクラッド層１１の正孔濃度を
１×１０17／ｃｍ3 としたとき、前記ｐ−ＧａＡｓ基板
１０の価電子帯のフェルミレベルＥｆからのエネルギー
準位の差α1 は、０．０５５ｅＶ、第１の混晶層３の価
電子帯のフェルミレベルＥｆからのエネルギー準位の差
α2 は、０．１２４ｅＶ、第２の混晶層４の価電子帯の
フェルミレベルＥｆからのエネルギー準位の差α3 は、
０．３８０ｅＶ、第１のクラッド層１１の価電子帯のフ
ェルミレベルＥｆからのエネルギー準位の差α4 は、
０．４７０ｅＶである。
濃度を１×１０18／ｃｍ3 、第１の混晶層３の正孔濃度
を１×１０17／ｃｍ3 、第２の混晶層４の正孔濃度を１
×１０15／ｃｍ3 、第１のクラッド層１１の正孔濃度を
１×１０17／ｃｍ3 としたとき、前記ｐ−ＧａＡｓ基板
１０の価電子帯のフェルミレベルＥｆからのエネルギー
準位の差α1 は、０．０５５ｅＶ、第１の混晶層３の価
電子帯のフェルミレベルＥｆからのエネルギー準位の差
α2 は、０．１２４ｅＶ、第２の混晶層４の価電子帯の
フェルミレベルＥｆからのエネルギー準位の差α3 は、
０．３８０ｅＶ、第１のクラッド層１１の価電子帯のフ
ェルミレベルＥｆからのエネルギー準位の差α4 は、
０．４７０ｅＶである。
【００２０】この結果、図４に示すように、レーザ光発
光の際の閾値電流Ｉ0 の立上がり値（約４０ｍＡ）を、
点線で示す従来例の閾値電流Ｉ1 の立上がり値（約６０
ｍＡ）より小さくすることが可能となる。
光の際の閾値電流Ｉ0 の立上がり値（約４０ｍＡ）を、
点線で示す従来例の閾値電流Ｉ1 の立上がり値（約６０
ｍＡ）より小さくすることが可能となる。
【００２１】また、前記ｐ−ＧａＡｓ基板１０、ｐ−Ｃ
ｄ0.57Ｚｎ0.43ＳからなるII−VI族混晶の第１のクラッ
ド層１１、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐからなる第１の混晶層
３、ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐからなる第２の混晶層４の各
熱伝導率の値は、図３に示すとおりであり、第１の混晶
層３，第２の混晶層４の各熱伝導率は、ｐ−ＧａＡｓ基
板１０，第１のクラッド層１１の各熱伝導率よりも２倍
近く大きいので、ｐ−ＧａＡｓ基板１０，第１のクラッ
ド層１１間の熱抵抗が小さくなり、良好な放熱特性を発
揮させることができる。
ｄ0.57Ｚｎ0.43ＳからなるII−VI族混晶の第１のクラッ
ド層１１、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐからなる第１の混晶層
３、ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐからなる第２の混晶層４の各
熱伝導率の値は、図３に示すとおりであり、第１の混晶
層３，第２の混晶層４の各熱伝導率は、ｐ−ＧａＡｓ基
板１０，第１のクラッド層１１の各熱伝導率よりも２倍
近く大きいので、ｐ−ＧａＡｓ基板１０，第１のクラッ
ド層１１間の熱抵抗が小さくなり、良好な放熱特性を発
揮させることができる。
【００２２】本発明は、上述した実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
【００２３】例えば、上述した実施例では、混晶層を、
ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐの混晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐ
の混晶層の２層とした場合について説明したが、これら
に、Ｐ−（Ａｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐを加えたいず
れか一層若しくはいずれか二層又は三層全てを用いても
実施可能である。
ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐの混晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐ
の混晶層の２層とした場合について説明したが、これら
に、Ｐ−（Ａｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐを加えたいず
れか一層若しくはいずれか二層又は三層全てを用いても
実施可能である。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、上述した
構成としたので、ｐ型ＧａＡｓ基板と第１のクラッド層
とのヘトロ障壁が段階的となり、活性層へ注入される電
流が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値電流を
小さくすることが可能であるとともに、ｐ型ＧａＡｓ基
板と第１のクラッド層との間の放熱特性も良好な半導体
レーザを提供することができる。
構成としたので、ｐ型ＧａＡｓ基板と第１のクラッド層
とのヘトロ障壁が段階的となり、活性層へ注入される電
流が増大してレーザ光発光の際の立上がりの閾値電流を
小さくすることが可能であるとともに、ｐ型ＧａＡｓ基
板と第１のクラッド層との間の放熱特性も良好な半導体
レーザを提供することができる。
【００２５】また、前記混晶層を、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x
Ｐの混晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ
−（Ａｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜
ｙ＜１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層若しく
はいずれ二層又は三層全てを積層した構造とすること
で、上述した効果を奏する半導体レーザを提供すること
ができる。
Ｐの混晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ
−（Ａｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜
ｙ＜１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層若しく
はいずれ二層又は三層全てを積層した構造とすること
で、上述した効果を奏する半導体レーザを提供すること
ができる。
【図１】本発明の実施例としての半導体レーザを示す断
面図
面図
【図２】本実施例の半導体レーザにおけるｐ−ＧａＡｓ
基板、混晶層、第１のクラッド層のエネルギー帯を示す
説明図
基板、混晶層、第１のクラッド層のエネルギー帯を示す
説明図
【図３】本実施例の半導体レーザにおけるｐ−ＧａＡｓ
基板、混晶層、第１のクラッド層の各熱伝導率を示す表
基板、混晶層、第１のクラッド層の各熱伝導率を示す表
【図４】本実施例の半導体レーザにおける閾値電流と光
出力との関係を示すグラフ
出力との関係を示すグラフ
【図５】従来の半導体レーザを示す断面図
【図６】従来の半導体レーザのｐ−ＧａＡｓ基板、第１
のクラッド層のエネルギー帯を示す説明図
のクラッド層のエネルギー帯を示す説明図
１ 半導体レーザ ２ 混晶層 ３ 第１の混晶層 ４ 第２の混晶層 １０ ｐ−ＧａＡｓ基板 １１ 第１のクラッド層 １２ 活性層 １３ 第２のクラッド層 １４ コンタクト層 １５ 電極層
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型ＧａＡｓ基板上に、ｐ−Ｃｄx Ｚｎ
1-x ＳからなるII−VI族混晶の第１のクラッド層，活性
層，II−VI族混晶の第２のクラッド層，コンタクト層及
び電極層をエピタキシーした半導体レーザにおいて、前
記ｐ型ＧａＡｓ基板と第１のクラッド層との間に、これ
ら両者のバンドギャップの間の値のバンドギャップを有
し、熱伝導率がこれら両者よりも大きい混晶層を設けた
ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記混晶層は、ｐ−Ｇａx Ｉｎ1-x Ｐの
混晶層，ｐ−Ａｌy Ｉｎ1-y Ｐの混晶層、又は、Ｐ−
（Ａｌa Ｇａ1-a ）y Ｉｎ1-y Ｐ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ
＜１，０＜ａ＜１）から選ばれるいずれか一層又は両者
を積層したものである請求項１記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7155792A JPH05275803A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7155792A JPH05275803A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275803A true JPH05275803A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13464150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7155792A Pending JPH05275803A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275803A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432810A (en) * | 1993-06-18 | 1995-07-11 | Sony Corporation | Semiconductor layer having first and second cladding layers and an active layer formed of a II-VI group compound and a current confinement layer comprising a metal oxide |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP7155792A patent/JPH05275803A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432810A (en) * | 1993-06-18 | 1995-07-11 | Sony Corporation | Semiconductor layer having first and second cladding layers and an active layer formed of a II-VI group compound and a current confinement layer comprising a metal oxide |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010529 |