KR950702759A - 반브리지 구동 회로 (Circuit for driving a half-bridge) - Google Patents

반브리지 구동 회로 (Circuit for driving a half-bridge) Download PDF

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Abstract

고전압 반브리지의 각각의 외부 상부 및 하부 전력 트랜지스터를 구동시키기 위해 하부 구동 모듈과 부동 상부 구동 모듈을 포함하는 반브리지 구동 회로는 상부 구동 모듈에 전력을 공급하는 외부 부우트스트랩 커패시터를 충전시키기 위한 온 칩부우트스트랩 다이오드 에뮬레이터를 포함하는 집적 회로 칩내에 들어있다. 상부 구동 모듈은 절연벽에 수용되며, 다이오드 에뮬레이터는 주 전류 운반 요소로서 벽 주변부를 따라 형성된 LDMOS 트랜지스터를 포함한다. LDMOS 트랜지스터는 하부 전력 트랜지스터가 도통 상태로 구동됨과 동시에 도통상태로 구동된다.

Description

반브리지 구동 회로 (Circuit for driving a half-bridge)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 집접 회로 칩을 구성하는 구성 소자들이 IC로 표시된 접선박스로 둘러싸인 본 발명의 구동 회로의 개략도.
제2도는 고전압 LDMOS(T3)가 형성된 긴 영역을 포함하는 제1도의 점선박스 IC에 대응하는 집적 회로 칩의 개략 평면도.

Claims (5)

  1. 출력 단자와 고전압 DC 전원의 각각의 하부 및 상부 레일 사이에 연결된 하부 및 상부 전력 트랜지스터로 구성된 반브리지를 구동시키면서 또한 상기 출력 단자에 연결된 제1단부와 제2단부를 갖는 부우트스트랩 커패시터를 충전시키는 반브리지 구동 회로에 있어서, 상기 각각의 하부 및 상부 전력 트랜지스터를 비동시적도통 상태로 구동하도록 명령하는 하부 및 상부 구동 명령 신호를 발생시키는 제어기 및 레벨 시프터 수단과; 상기 하부 레일에 대한 비교적 낮은 제어 전압을 전원 출력부에서 발생시키는 전원 수단과; 상기 비교적 낮은 제어 전압에 의해 전력을 공급 받도록 전원 출력부에 연결되고, 상기 하부 구동 명령 신호에 응답하여 하부 전력 트랜지스터의 제어 전극과 하부 레일간에 하부 구동 신호를 인가하는 수단을 포함하는 하부 구동 모듈과; 상기 부우트스트랩 커패시터에 걸리는 부우트스트랩 전압에 의해 전력을 공급받기 위해 상기 부우트스트랩 커패시터에 연결되고, 상기 상부 구동 명령 신호에 응답하여 상부 전력 트랜지스터의 제어 전극과 출력 단자간에 상부 구동 제어 신호를 인가하는 수단을 포함하는 상부 구동 모듈 및; 상기 부우트스트랩 커패시터를 상기 부우트스트랩 전압으로 충전시키며, 상기 전원 출력부에 연결된 고전류 제1전극과, 상기 부우트스트랩 커패시터의 제2단부에 연결되는 고전류 제2전극과, 상기 하부 구동 명령 신호로부터 상기 하부 전력 트랜지스터가 도통 상태로 구동될 때 또 다른 트랜지스터를 도통 상태로 구동시키기 위한 또 다른 제어 신호를 도출하는 수단에 접속된 제어 제3전극을 구비한 상기 또 따른 트랜지스터를 포함하는 부우트스트랩 다이오드 에뮬레이터 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반브리지 구동 회로.
  2. 제1항에 있어서, 단밀 모놀리드식 집적 회로칩으로 구성된 것을 특징으로 하는 반브리지 구동 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 상부 구동 모듈이 모놀리드식 집적 회로칩에 형성된 절연벽에 수용되구 상기 또 다른 트랜지스터가 상기벽의 주변부의 일부를 따라 형성된 긴 LDMOS트랜지스터이고, 상기 또 다른 트랜지스터의 제1, 제2 및 제3전극이 상기 LDMOS 트랜지스터의 소오스, 드레인 및 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 반브리지 구동 회로.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 구동 명령 신호로부터 상기 또 다른 제어 신호를 도출하는 수단을 더 포함하며, 상기 도출 수단은 상기 하부 구동 명령 신호가 공급되어 상기 하부 레일과 상기 비교적 낮은 공급 전압 사이의 전압 범위를 갖는 버퍼 출력 신호를 발생시키는 버퍼이고, 또한 상기 버퍼 출력 신호의 전압 범위를 상기 제어 제3전극에 접속된 지점과 상기 고전류 제1전극간의 전압차 범위로 변환시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반브리지 구동 회로.
  5. 전항 중 하나 또는 그 이상의 항중에 있어서, 상기 하부 구동 명령 신호로부터 상기 또 다른 제어 신호를 도출하는 상기 수단이 제2전극과 제3전극간에 접속된 상기 또 다른 트랜지스터의 밀러 커패시턴스에서 흐르는 변위 전류에 응답하여 상기 또 다른 트랜지스터의 상기 제3전극을 상기 제1전극으로 고정시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반브리지 구동 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5502632A (en) * 1993-05-07 1996-03-26 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a bootstrap diode emulator
US5666280A (en) * 1993-05-07 1997-09-09 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a jet to emulate a bootstrap diode
US5572096A (en) * 1994-05-27 1996-11-05 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method and circuit for clamping the recirculation current in stator windings
JP2896342B2 (ja) * 1995-05-04 1999-05-31 インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション 半波ブリッジ構成における複数のパワートランジスタを駆動し、かつ出力ノードの過度の負の振動を許容する方法及び回路、並びに上記回路を組み込む集積回路
US5502412A (en) * 1995-05-04 1996-03-26 International Rectifier Corporation Method and circuit for driving power transistors in a half bridge configuration from control signals referenced to any potential between the line voltage and the line voltage return and integrated circuit incorporating the circuit
EP0743752B1 (en) * 1995-05-17 2004-07-28 STMicroelectronics S.r.l. Charging of a bootstrap capacitance through an LDMOS transistor
DE69502093T2 (de) * 1995-06-30 1998-10-08 Sgs Thomson Microelectronics Versorgungsspannungsregler für Bootstrapleitung ohne Filterkondensator
US5680017A (en) * 1996-05-03 1997-10-21 Philips Electronics North America Corporation Driving scheme for minimizing ignition flash
US5742134A (en) * 1996-05-03 1998-04-21 Philips Electronics North America Corp. Inverter driving scheme
US5696431A (en) * 1996-05-03 1997-12-09 Philips Electronics North America Corporation Inverter driving scheme for capacitive mode protection
EP0887931A1 (en) * 1997-06-24 1998-12-30 STMicroelectronics S.r.l. Protection circuit for controlling the gate voltage of a high voltage LDMOS transistor
EP0887932A1 (en) * 1997-06-24 1998-12-30 STMicroelectronics S.r.l. Control of the body voltage of a high voltage LDMOS
EP0887933A1 (en) * 1997-06-24 1998-12-30 STMicroelectronics S.r.l. Turn off circuit for an LDMOS in presence of a reverse current
US5903142A (en) * 1997-06-27 1999-05-11 Cypress Semiconductor Corp. Low distortion level shifter
EP0978143B1 (en) * 1997-10-28 2010-07-14 Nxp B.V. Semiconductor device comprising a half-bridge circuit
DE19900153A1 (de) * 1998-01-05 1999-07-15 Int Rectifier Corp Integrierte Gate-Treiberschaltung
GB9907021D0 (en) * 1999-03-27 1999-05-19 Koninkl Philips Electronics Nv Switch circuit and semiconductor switch for battery-powered equipment
DE19917364A1 (de) * 1999-04-16 2000-10-19 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Schaltungsanordnung mit Halbbrücke
DE19929728B4 (de) * 1999-06-29 2015-08-06 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Motors
JP4397602B2 (ja) 2002-05-24 2010-01-13 三菱電機株式会社 半導体装置
US6643145B1 (en) * 2002-07-26 2003-11-04 Intersil Americas Inc. High resolution digital diode emulator for DC-DC converters
US6812782B2 (en) * 2002-10-25 2004-11-02 Texas Instruments Incorporated Switch mode converter that allows 100% duty cycle on gate driver
KR100894320B1 (ko) 2003-03-24 2009-04-24 페어차일드코리아반도체 주식회사 고전압 집적 회로에 의해 게이트가 구동되는 스위칭소자를 포함하는 인버터 회로
US7301370B1 (en) * 2003-05-22 2007-11-27 Cypress Semiconductor Corporation High-speed differential logic to CMOS translator architecture with low data-dependent jitter and duty cycle distortion
DE60335180D1 (de) * 2003-07-04 2011-01-13 Dialog Semiconductor Gmbh Hochspannungschnittstelle und Steuerschaltung dafür
US6781422B1 (en) * 2003-09-17 2004-08-24 System General Corp. Capacitive high-side switch driver for a power converter
US7215189B2 (en) * 2003-11-12 2007-05-08 International Rectifier Corporation Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing
US7205751B2 (en) * 2004-03-12 2007-04-17 Intersil America's Inc. Enable and disable of diode emulation in a DC/DC converter
JP4610941B2 (ja) * 2004-06-18 2011-01-12 三菱電機株式会社 半導体装置
US7106105B2 (en) * 2004-07-21 2006-09-12 Fairchild Semiconductor Corporation High voltage integrated circuit driver with a high voltage PMOS bootstrap diode emulator
US20060044051A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 International Rectifier Corporation Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing and short-circuit protection
US20070146020A1 (en) * 2005-11-29 2007-06-28 Advanced Analogic Technologies, Inc High Frequency Power MESFET Gate Drive Circuits
US7667491B2 (en) * 2006-02-24 2010-02-23 Freescale Semiconductor, Inc. Low voltage output buffer and method for buffering digital output data
US7456658B2 (en) * 2006-04-07 2008-11-25 International Rectifier Corporation Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator
DE102006034679A1 (de) * 2006-07-24 2008-01-31 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Leistungshalbleiterchip und passiven Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben
US7889002B2 (en) * 2006-10-20 2011-02-15 Nxp B.V. Power amplifier
US20080290841A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Richtek Technology Corporation Charging Circuit for Bootstrap Capacitor and Integrated Driver Circuit Using Same
FR2947976B1 (fr) * 2009-07-07 2011-07-22 Sagem Defense Securite Circuit d'excitation de capteurs a courant continu
US8154334B2 (en) * 2009-07-21 2012-04-10 Intersil America Inc. System and method for pre-charging a bootstrap capacitor in a switching regulator with high pre-bias voltage
JP5488256B2 (ja) * 2010-06-25 2014-05-14 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP5511594B2 (ja) 2010-08-31 2014-06-04 スパンション エルエルシー 出力スイッチング回路
JP5994939B2 (ja) 2013-06-14 2016-09-21 富士電機株式会社 半導体装置
CN104300784B (zh) * 2013-07-19 2017-06-09 力智电子股份有限公司 电源转换器的驱动器及其驱动控制方法
TWI509964B (zh) * 2013-07-19 2015-11-21 Upi Semiconductor Corp 電源轉換器的驅動器及其驅動控制方法
JP6228428B2 (ja) * 2013-10-30 2017-11-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US9667245B2 (en) 2014-10-10 2017-05-30 Efficient Power Conversion Corporation High voltage zero QRR bootstrap supply
US10629587B2 (en) * 2015-04-30 2020-04-21 Mitsubishi Electric Corporation Protection circuit and protection circuit system
ITUB20155707A1 (it) 2015-11-18 2017-05-18 St Microelectronics Srl Circuito di pilotaggio, circuito integrato e dispositivo corrispondenti
JP6646490B2 (ja) * 2016-03-23 2020-02-14 キヤノン株式会社 電源回路及び画像形成装置
JP6839280B2 (ja) * 2016-12-01 2021-03-03 エフィシエント パワー コンヴァーション コーポレーション ＧａＮトランジスタに基づく電力コンバータのためのブートストラップキャパシタ過電圧管理回路
DE102017117031A1 (de) * 2017-07-27 2019-01-31 Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft Nachladeschaltung für modulare Multilevelkonverter
JP2018022922A (ja) * 2017-10-13 2018-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US10536070B1 (en) 2018-08-01 2020-01-14 Infineon Technologies Ag Driver for switching gallium nitride (GaN) devices
US10924106B2 (en) * 2019-01-02 2021-02-16 General Electric Company Miller transition control gate drive circuit
DE102019200965A1 (de) * 2019-01-25 2020-07-30 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul, das eine aktive miller-clamp-funktion aufweist
JP7300968B2 (ja) * 2019-11-14 2023-06-30 三菱電機株式会社 半導体装置
JP7388317B2 (ja) * 2020-08-27 2023-11-29 三菱電機株式会社 駆動回路およびインバータ装置
CN114268219B (zh) * 2021-12-20 2023-09-12 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种驱动高边nmos管的自举电路
US20230387796A1 (en) * 2022-05-24 2023-11-30 Psemi Corporation Charging Circuit for Bootstrap Capacitors

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3031299A1 (de) * 1980-08-19 1982-03-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Treiberstufe fuer eine statische mos-halbleiter-digitalschaltung
US4443715A (en) * 1982-03-25 1984-04-17 Gte Laboratories Incorporated Driver circuit
US4633381A (en) * 1985-02-26 1986-12-30 Sundstrand Corporation Inverter shoot-through protection circuit
JPS61277223A (ja) * 1985-06-03 1986-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体モジユ−ル
US4685040A (en) * 1985-12-06 1987-08-04 General Electric Company Integrated circuit for controlling power converter by frequency modulation and pulse width modulation
US4740717A (en) * 1986-11-25 1988-04-26 North American Philips Corporation, Signetics Division Switching device with dynamic hysteresis
NL8702847A (nl) * 1987-11-27 1989-06-16 Philips Nv Dc-ac brugschakeling.
IT1227430B (it) * 1988-07-22 1991-04-11 Sgs Thomson Microelectronics Circuito a pompa di carica a induttanza e capacita' per il pilotaggio di ponti a transistori mos di potenza.
US4989127A (en) * 1989-05-09 1991-01-29 North American Philips Corporation Driver for high voltage half-bridge circuits
US4994955A (en) * 1989-12-29 1991-02-19 North American Philips Corporation Half-bridge driver which is insensitive to common mode currents
JP2773476B2 (ja) * 1991-07-23 1998-07-09 日産自動車株式会社 負荷制御電源装置
JP3025715B2 (ja) * 1991-07-31 2000-03-27 三洋電機株式会社 インバータ回路

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