JPS6261420A - 充電ポンプ回路 - Google Patents
充電ポンプ回路Info
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- JPS6261420A JPS6261420A JP61210517A JP21051786A JPS6261420A JP S6261420 A JPS6261420 A JP S6261420A JP 61210517 A JP61210517 A JP 61210517A JP 21051786 A JP21051786 A JP 21051786A JP S6261420 A JPS6261420 A JP S6261420A
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- terminal
- mos transistor
- whose
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- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
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- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6874—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor in a symmetrical configuration
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- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
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- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
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- Electronic Switches (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はNチャネルMOS)ランジスタを駆動するた
めの充電ポンプ回路に関するものである。
めの充電ポンプ回路に関するものである。
周知のように、モータカーにおいて、または一般には産
業分野において負荷を駆動するためには、電力要素であ
ってもなくてもよいが、効果的な態様で動作すべき、駆
動要素を有する必要がある。
業分野において負荷を駆動するためには、電力要素であ
ってもなくてもよいが、効果的な態様で動作すべき、駆
動要素を有する必要がある。
今日、駆動要素としては、類似のPチャネル素子よりも
より小さな集積面積を必要とするのでNチャネルMOS
)ランジスタが好ましい。周知のように、これらのNチ
ャネルMOS)ランジスタはそれらのドレインが正の供
給源に接続され、それ゛らのソースが負荷に接続される
ように設計され、一方それらのゲートはMOSトランジ
スタの効果的な、そして低消散動作を確実にするために
、供給源よりも高い電圧で維持されなければならない。
より小さな集積面積を必要とするのでNチャネルMOS
)ランジスタが好ましい。周知のように、これらのNチ
ャネルMOS)ランジスタはそれらのドレインが正の供
給源に接続され、それ゛らのソースが負荷に接続される
ように設計され、一方それらのゲートはMOSトランジ
スタの効果的な、そして低消散動作を確実にするために
、供給源よりも高い電圧で維持されなければならない。
さらにDCモードでは、システムの迅速な応答(すなわ
ちMOSトラジスタの迅速なターンオン)を確実にする
ために、MOSトランジスタのゲートの迅速な充電が必
要とされる。この狙いのために、MOSトランジスタゲ
ートの容量の迅速な充電を得るために接地に関連した充
電ポンプが周知である。しかしながら、これらの充電ポ
ンプは両方の要求を同時に満たすには不十分であること
が示されてきた。
ちMOSトラジスタの迅速なターンオン)を確実にする
ために、MOSトランジスタのゲートの迅速な充電が必
要とされる。この狙いのために、MOSトランジスタゲ
ートの容量の迅速な充電を得るために接地に関連した充
電ポンプが周知である。しかしながら、これらの充電ポ
ンプは両方の要求を同時に満たすには不十分であること
が示されてきた。
したがって、この発明の狙いは先行技術によって示され
た不利な点を解決することができる充電ポンプ回路を提
供することにある。
た不利な点を解決することができる充電ポンプ回路を提
供することにある。
この発明の特定の目的は、DCモードに負荷を十分に供
給し、そして動作の間、低い消散を存することが可能な
充電ポンプ回路を提供することである。
給し、そして動作の間、低い消散を存することが可能な
充電ポンプ回路を提供することである。
この発明のさらに別の目的は、MOS)ランジスタのゲ
ート容量の迅速な充電を可能にし、そして回路の迅速な
活性化時間を可能にする充電ポンプ回路を提供すること
である。
ート容量の迅速な充電を可能にし、そして回路の迅速な
活性化時間を可能にする充電ポンプ回路を提供すること
である。
この発明の少なからぬ目的は、低い製作費用となるよう
に、周知の技術に従って1つの構造で集積されることが
できる、概念的には単純な要素を含む充電ポンプ回路を
提供することである。
に、周知の技術に従って1つの構造で集積されることが
できる、概念的には単純な要素を含む充電ポンプ回路を
提供することである。
上記の狙いおよび目的はこれからより良く認められるで
あろうその他と同様に、ドレイン電極が供給電圧ライン
に接続され、ソース電極が負荷およびゲート電極に接続
されているNチャネルMOSトランジスタへの接続のた
めに、NチャネルMOSトランジスタを駆動するための
この発明に従った充電ポンプ回路によって達成され、そ
れはそのff1lの端子が第1のスイッチ要素を介して
基準電圧ラインに接続され、そしてその第2の端子が前
記供給電圧ラインと接地ラインの間に配置された切換セ
クションに接続され、前記コンデンサの前記第2の端子
を前記供給電圧ラインと前記接地ラインに交互にそして
選択的に接続するように制御されるコンデンサを含み、
前記コンデンサの前記第1の端子はさらに前記Nチャネ
ルMO3)ランジスタの前記ゲート電極に接続されるこ
とを特徴とする。
あろうその他と同様に、ドレイン電極が供給電圧ライン
に接続され、ソース電極が負荷およびゲート電極に接続
されているNチャネルMOSトランジスタへの接続のた
めに、NチャネルMOSトランジスタを駆動するための
この発明に従った充電ポンプ回路によって達成され、そ
れはそのff1lの端子が第1のスイッチ要素を介して
基準電圧ラインに接続され、そしてその第2の端子が前
記供給電圧ラインと接地ラインの間に配置された切換セ
クションに接続され、前記コンデンサの前記第2の端子
を前記供給電圧ラインと前記接地ラインに交互にそして
選択的に接続するように制御されるコンデンサを含み、
前記コンデンサの前記第1の端子はさらに前記Nチャネ
ルMO3)ランジスタの前記ゲート電極に接続されるこ
とを特徴とする。
さらに別の特徴および利点は、添付の図面の非制限的な
具体例によって与えられた、この発明の、好ましいが、
余すところないわけではない実施例の説明からより明ら
かとなるであろう。
具体例によって与えられた、この発明の、好ましいが、
余すところないわけではない実施例の説明からより明ら
かとなるであろう。
第1図を参照すると、MOS)ランジスタゲートの等価
容量は27で示され、そのような容量は、関連したMO
Sトランジスタのターンオン時間を縮小しおよびそれの
効果的な動作を得るように、迅速な充電が望ましく、供
給源よりも高い電圧で保持されなくてはならない要素で
ある。
容量は27で示され、そのような容量は、関連したMO
Sトランジスタのターンオン時間を縮小しおよびそれの
効果的な動作を得るように、迅速な充電が望ましく、供
給源よりも高い電圧で保持されなくてはならない要素で
ある。
詳細には、この発明に従った充電ポンプ回路はDC供給
源VCCと接地22の間に置かれる1対のスイッチ20
および21からなり、そして端子23上に供給される振
動信号によって(たとえば、500キロヘルツの周波数
で)開閉に関して制御される。スイッチ20および21
に与えられる制御信号は適切には、180度位相シフト
され、そのため一方のスイッチが開いているときは他方
が閉じており、そしてまた逆も同様である。そのような
位相の逆はたとえば、論理インバータ28によって得ら
れるか、またはスイッチが振動信号の逆の位相によって
オンに切換えられた素子によって実現されてもよい。回
路は、端子がスイッチ20と21の中間地点に接続され
、そしてその他方の端子がダイオード25を介してDC
供給電圧(たとえば12ボルト)に接続されるコンデン
サ24をさらに含む。さらに他のダイオード26はその
アノードがダイオード25のカソードとコンデンサ24
の間の接続点に接続され、そしてそのカソードはコンデ
ンサ27(MOSトラジスタの容量を表わす)と、ダイ
オード10のカソードとに接続され、そしてそのアノー
ドは供給電圧v0Cに接続される。
源VCCと接地22の間に置かれる1対のスイッチ20
および21からなり、そして端子23上に供給される振
動信号によって(たとえば、500キロヘルツの周波数
で)開閉に関して制御される。スイッチ20および21
に与えられる制御信号は適切には、180度位相シフト
され、そのため一方のスイッチが開いているときは他方
が閉じており、そしてまた逆も同様である。そのような
位相の逆はたとえば、論理インバータ28によって得ら
れるか、またはスイッチが振動信号の逆の位相によって
オンに切換えられた素子によって実現されてもよい。回
路は、端子がスイッチ20と21の中間地点に接続され
、そしてその他方の端子がダイオード25を介してDC
供給電圧(たとえば12ボルト)に接続されるコンデン
サ24をさらに含む。さらに他のダイオード26はその
アノードがダイオード25のカソードとコンデンサ24
の間の接続点に接続され、そしてそのカソードはコンデ
ンサ27(MOSトラジスタの容量を表わす)と、ダイ
オード10のカソードとに接続され、そしてそのアノー
ドは供給電圧v0Cに接続される。
第1図に従った充電ポンプ回路は以下のように動作する
。回路の安定した状態では、コンデンサ27上の電圧降
下は、コンデンサ24によって、はぼ12ボルト(すな
わちライン29上の電圧)に維持され、コンデンサ24
は1対のスイッチ20および21とダイオード25を介
して、500キロヘルツの周波数で12ボルトの電圧に
継続的に充電される。
。回路の安定した状態では、コンデンサ27上の電圧降
下は、コンデンサ24によって、はぼ12ボルト(すな
わちライン29上の電圧)に維持され、コンデンサ24
は1対のスイッチ20および21とダイオード25を介
して、500キロヘルツの周波数で12ボルトの電圧に
継続的に充電される。
第2図はこの発明に従った電荷ポンプを、負荷を駆動す
るためにMOSトランジスタに応用する具体例を示す。
るためにMOSトランジスタに応用する具体例を示す。
この図面では、充電ポンプの構成要素は第1図と同様の
参照番号で示されているが、コンデンサ27はMo3)
ランジスタ2のゲートに固有のものであるので、ここで
は無視されている。こうして、回路はそのドレインが供
給電圧V。。に接続され、そのゲートがダイオード26
のカソードに接続され、そしてそのソースが正の供給源
への接続を確実にする機能を有する回路に接続される、
駆動トランジスタ2を含み、そのような回路はそのアノ
ードが供給電圧に接続され、そしてそのカソードがトラ
ンジスタ6を介して、MOSトランジスタ2のゲートと
、電流源7と、ダイオード8に接続されるダイオード1
0を含む。
参照番号で示されているが、コンデンサ27はMo3)
ランジスタ2のゲートに固有のものであるので、ここで
は無視されている。こうして、回路はそのドレインが供
給電圧V。。に接続され、そのゲートがダイオード26
のカソードに接続され、そしてそのソースが正の供給源
への接続を確実にする機能を有する回路に接続される、
駆動トランジスタ2を含み、そのような回路はそのアノ
ードが供給電圧に接続され、そしてそのカソードがトラ
ンジスタ6を介して、MOSトランジスタ2のゲートと
、電流源7と、ダイオード8に接続されるダイオード1
0を含む。
回路は12ボルトでダイオード25のアノードと基準電
圧ライン29の間に配置されたMOSトランジスタ35
をさらに含む。図において、寄生ダイオード37もまた
示され、これはMOSトランジスタ35のソースとドレ
インの間に形成される。
圧ライン29の間に配置されたMOSトランジスタ35
をさらに含む。図において、寄生ダイオード37もまた
示され、これはMOSトランジスタ35のソースとドレ
インの間に形成される。
トランジスタ35のゲートは充電ポンプ回路のターンオ
ンまたはターンオフを制御するめに制御信号VINがさ
らに供給される。
ンまたはターンオフを制御するめに制御信号VINがさ
らに供給される。
第2図に従った回路は以下のように動作する。
供給電圧に接続されるダイオード10によって、MOS
トランジスタ2のゲートは素早く供給電圧で充電され、
それから(トランジスタ35のゲートに、同じトランジ
スタ35のターンオンを引き起こすようなレベルの制御
信号VINが供給され、基準電圧ライン29へのダイオ
ード25の接続を可能にするとき)充電ポンプはオンに
切換えられ、そして順にトラジスタ2のゲート電圧の上
昇を与え、それによってターンオン時間を短くシ、そし
てトランジスタ2自身の適切な動作を可能にする。
トランジスタ2のゲートは素早く供給電圧で充電され、
それから(トランジスタ35のゲートに、同じトランジ
スタ35のターンオンを引き起こすようなレベルの制御
信号VINが供給され、基準電圧ライン29へのダイオ
ード25の接続を可能にするとき)充電ポンプはオンに
切換えられ、そして順にトラジスタ2のゲート電圧の上
昇を与え、それによってターンオン時間を短くシ、そし
てトランジスタ2自身の適切な動作を可能にする。
それゆえ、説明されたように、この発明に従った充電ポ
ンプ回路は簡単に集積されそして非常に信頼性のある、
単純な要素を介して、負荷、特に誘導負荷を駆動するた
めに、Mo8)ランジスタの効果的な動作および迅速な
ターンオンを可能にする。
ンプ回路は簡単に集積されそして非常に信頼性のある、
単純な要素を介して、負荷、特に誘導負荷を駆動するた
めに、Mo8)ランジスタの効果的な動作および迅速な
ターンオンを可能にする。
こうしてこのように考えられた発明は発明の範囲から逸
脱することなしにいくつかの修正および変形が可能であ
る。特に、すべての要素は他の技術的に同等物によって
取換えられてもよい。
脱することなしにいくつかの修正および変形が可能であ
る。特に、すべての要素は他の技術的に同等物によって
取換えられてもよい。
第1図はこの発明に従った充電ポンプ回路の等価電気回
路図である。 第2図はこの発明に従った充電ポンプを含む、負荷駆動
素子の等価電気回路図である。 図において、2はMo8)ランジスタ、4は負荷、6は
トランジスタ、7は電流源、8および10はダイオード
、2Gおよび21はスイッチ、22は接地、23は端子
、24および27はコンデ。 ンサ、25および26はダイオード、29はライン、3
5はトランジスタ、37はダイオードであ。 る。
路図である。 第2図はこの発明に従った充電ポンプを含む、負荷駆動
素子の等価電気回路図である。 図において、2はMo8)ランジスタ、4は負荷、6は
トランジスタ、7は電流源、8および10はダイオード
、2Gおよび21はスイッチ、22は接地、23は端子
、24および27はコンデ。 ンサ、25および26はダイオード、29はライン、3
5はトランジスタ、37はダイオードであ。 る。
Claims (5)
- (1)ドレイン電極が供給電圧ライン(V_c_c)に
接続され、ソース電極が負荷(4)およびゲート電極に
接続されるNチャネルMOSトランジスタ(2)への接
続のために、NチャネルMOSトランジスタを駆動する
ための充電ポンプ回路であって、その第1の端子が第1
のスイッチ要素(25)を介して基準電圧ラインに接続
され、そしてそれの第2の端子が前記供給電圧ラインと
接地ライン(22)の間に配置された切換セクションに
接続されるコンデンサ(24)を含み、それは前記コン
デンサ(24)の前記第2の端子を前記供給電圧ライン
および前記接地ラインに交互にそして選択的に接続する
ように制御され、前記コンデンサの前記第1の端子は前
記NチャネルMOSトランジスタ(2)の前記ゲート電
極にさらに接続されることを特徴とする、回路。 - (2)前記第1のスイッチ要素が、ソース電極が前記基
準電圧ラインに接続され、ドレイン電極が前記コンデン
サ(24)の前記第1の端子に接続され、そしてゲート
が前記充電ポンプ回路のオンおよびオフの切換えを制御
する入力信号(V_I_N)を受取る、MOSトランジ
スタ(35)をさらに含むことを特徴とする、特許請求
の範囲第1項に記載の回路。 - (3)前記コンデンサ(24)の前記第1の端子が第2
のスイッチ要素(26)を介して前記MOSトランジス
タ(2)の前記ゲート電極に接続されることを特徴とす
る、特許請求の範囲第1項に記載の回路。 - (4)前記第2のスイッチ要素(26)が、そのアノー
ド電極が前記コンデンサ(24)に接続され、そしてそ
のカソード電極が前記ゲート電極に接続されるダイオー
ドであることを特徴とする、特許請求の範囲第3項に記
載の回路。 - (5)前記第1のスイッチ要素が、そのアノードが前記
さらに他のMOSトランジスタ(35)の前記ドレイン
電極に接続され、そしてそのカソードが前記コンデンサ
(24)の前記第1の端子に接続されるダイオード(2
5)をさらに含むことを特徴とする、特許請求の範囲第
2項に記載の回路。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT22105A/85 | 1985-09-10 | ||
IT8522105A IT1215309B (it) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | Circuito per il pilotaggio in continua ed in alternata di transistori mos di potenza a canale n di standi push-pull a bassa dissipazione. |
IT19817A/86 | 1986-03-20 | ||
IT8619817A IT1228634B (it) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | Circuito a pompa di carica per il pilotaggio di transistori mos a canale n |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6261420A true JPS6261420A (ja) | 1987-03-18 |
JP2609852B2 JP2609852B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=26327318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61210517A Expired - Lifetime JP2609852B2 (ja) | 1985-09-10 | 1986-09-05 | 充電ポンプ回路 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4736121A (ja) |
JP (1) | JP2609852B2 (ja) |
DE (1) | DE3629383C2 (ja) |
FR (1) | FR2587156B1 (ja) |
GB (1) | GB2180423B (ja) |
NL (1) | NL8602230A (ja) |
SE (1) | SE467853B (ja) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5185721A (en) * | 1988-10-31 | 1993-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Charge-retaining signal boosting circuit and method |
US5036229A (en) * | 1989-07-18 | 1991-07-30 | Gazelle Microcircuits, Inc. | Low ripple bias voltage generator |
JP2780365B2 (ja) * | 1989-08-14 | 1998-07-30 | 日本電気株式会社 | 基板電位発生回路 |
JP2910859B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1999-06-23 | 株式会社東芝 | 半導体素子の駆動回路 |
US5023474A (en) * | 1989-11-08 | 1991-06-11 | National Semiconductor Corp. | Adaptive gate charge circuit for power FETs |
IT1251011B (it) * | 1991-02-18 | 1995-04-28 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo di controllo di corrente particolarmente per circuiti di potenza in tecnologia mos |
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