KR100341702B1 - 반브리지구동회로 - Google Patents

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KR100341702B1
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라지제크하르 자야라만
아난드 야나스와미
아이호어 와칙
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

고전압 반브리지의 각각의 외부 상부 및 하부 전력 트랜지스터들을 구동하기 위한 하부 고동 모듈과 부동 상부 구동 모듈을 포함하는 반브리지 구동 회로는, 상부 구동 모듈에 전력을 공급하는 외부 부트스트랩 커래시터를 충전하기 위한 온-칩 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터를 포함하는 집적 회로 칩내에 포함된다. 상부 구동 모듈은 절연된 웰에 수용되며, 다이오드 에뮬레이터는 웰 주변부를 따라 형성된 LDMOS 트랜지스터를 주 전류 전달 소자로서 포함한다. LDMOS 트랜지스터는 하부 전력 트랜지스터가 도전 상태로 구동됨과 동시에 도전상태로 구동된다.

Description

반브리지 구동 회로{Circuit for driving a half-bridge}
상기 설명된 형태의 반브리지 구동 회로는(그 대부분은 고전압 집적 회로 (HVIC)에 수용되어 있음) 미국특허 제 4,989,127 호(1991. 1. 29 일자로 특허받음)에 공지되어 있다. 이 특허는 본 출원과 동일한 양수인에게 양도된 것으로 여기서 참조로서 통합되었다. 이 특허에는 하부 및 상부 전력 트랜지스터들을 각각 제어하기 위한 하부 및 상부 구동기들을 포함하는 구동회로의 일반적인 구조가 개시되어있다. 상부 구동기는 HVIC 내의 부동웰(floating well)에 위치한 CMOS 회로를 포함한다. 이 부동 CMOS 회로와 HVIC의 평형 사이의 적당한 항복 전압(breakdown voltage)은 달성되는데, 그 이유는 웰 주변부의 설계는 래터럴 확산형 금속 산화막 반도체(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor : LDMOS) 트랜지스터들을 형성하는데 이용된 것과 동등하기 때문이다. 상부 구동기는 부트스트랩 커패시터에 의해 전력을 공급받는다.
미국 특허 제 4,908,551 호에 대응하는 유럽 특허 출원 제 0 318 110 호는 반브리지 회로를 개시하고 있는데, 여기서, 이제는 종래의 것인바와같이, 상부 구동기에 전력을 공급하는 부트스트랩 커패시터는 저전압 전원 전압으로부터 다이오드를 거쳐서 충전된다. 이 저전압은 오프-칩(off-chip) 고전압 다이오드 양단에 형성된다.
여기서 고려된 형태의 현존하는 고전압 집적 회로 반브리지 구동 회로들에서, 부트스트랩 커패시터와 다이오드(그것을 통해서 부트스트랩 커패시터가 충전됨), 모두는 오프-칩으로 제공되는 개별 구성요소들이다. 그 이유는 부트스트랩 커패시터의 현재 필요한 커패시턴스 값이, 50 nf 를 초과하여, 너무 크므로, 칩상에서 적당하게 제조될 수가 없고, 또 부트스트랩 커패시터 충전 다이오드에 필요한 항복전압과 피크 전류 용량도, HVIC 내의 공간의 적당한 소비로 적당하게 수용될 수 있는 범위를 넘은 것으로 지금까지 생각되어 왔다.
이러한 개별 구성요소들은 값이 비싸고, HVIC 내에 통합될 경우에서와 같은 신뢰성이 없다.
본 발명은 고전압 DC 전원 장치에 걸쳐 직렬로 접속된, 하부 및 상부의 교대로 도전하는(conducting) 전력(power) 트랜지스터들 사이의 접합(junction)에 있는 출력 단자로부터 부하(load)의 한쪽 단부(one end)가 구동되는 고전압 반브리지 (half-bridge) 회로들에 관한 것이다. 특별한 측면들에서는, 본 발명은, 출력 단자에서의 전압상에서 부동하는(floating) 부트스트랩(bootstrap) 전원 전압을. 상부 트랜지스터의 상태를 제어하는 상부 구동 회로에 제공하는 부트스트랩 커패시터 충전 회로에 관한 것이다.
고전압 반브리지 회로들의 응용들은 기체 방전 램프용 전자식 안정기, 스위치 모드 전원 장치(switched mode power supplies), 모터 구동기, DC/AC 변환기들 등을 포함한다.
제 1 도는 집적 회로 칩에 포함된 구성요소들이 IC로 표시된 점선 박스로 둘러싸인 본 발명의 구동 회로의 개략도.
제 2 도는 고전압 LDMOS(T3)가 형성된 연장된 영역을 포함하는, 제 1 도의 점선박스 IC 에 대응하는 집적 회로칩의 개략 평면도.
본 발명의 목적은 적당한 항복전압과 전류 용량(capacity)의 다이오드(그것을 거쳐서 부트스트랩 커패시터가 충전됨)를 에뮬레이팅(emulating)하는 온-칩 회로를 포함하는 고전압 집적 회로 반브리지 구동 회로를 제공하는 것이다.
간단히 말해, 본 발명의 이 목적과 기타 다른 목적들은 모놀리식(monolithic ) 집적 회로칩내에 포함된 구동 회로에 의해 만족되는데, 이 구동 회로는, 출력 단자와 고전압 DC 전원의 각각의 하부 및 상부 레일(rail)들사이에 접속된 하부 및 상부 전력 트랜지스터들에 의해 형성된 반브리지를 구동하고, 상부 전력 트랜지스터를 제어하는 온-칩(on-chip) 상부 구동 모듈에 전력을 공급해주는, 오프-칩으로 제공된 부트스트랩 커패시터를 충전시킨다. 부트스트랩 커패시터는 반브리지의 출력 단자에 접속된 한쪽 단부를 갖는다. 본 발명에 따라서, 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터(emulator) 수단이 부트스트랩 커패시터를 부트스트랩 전압으로 충전하기 위해 온-칩(on-chip)으로 제공된다. 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 수단은 또다른 트랜지스터를 포함하고 있는데, 이 트랜지스터는, 온-칩으로 제공되는 상대적으로 저전압인 전원 출력에 접속된 고전류 제 1 전극과, 부트스트랩 커패시터의 다른쪽 단부에 접속되는 고전류 제 2 전극과, 하부 전력 트랜지스터가 도전 상태로 구동될 때 또다른 트랜지스터를 도전 상태로 구동하기 위해, 하부 구동 명령 신호로부터 온-칩으로 유도되는, 또다른 제어 신호에 연결된 제어 제 3 전극을 갖고 있다.
상부 구동 모듈은 모놀리식 집적 회로칩에 형성된 절연된 웰(insulatedwell)에 수용되고, 또다른 트랜지스터는 이 웰의 주변 일부를 따라 형성된, 연장 된(elongated) LDMOS 트랜지스터를 포함하며, 또다른 트랜지스터의 제 1, 제 2 및, 제 3 전극들은 각각 이 LDMOS 트랜지스터의 소스, 드레인 및, 게이트 전극들이다. LDMOS 트랜지스터를 통하는 전류는 웰의 주변부에 수직으로 흐르며, 웰 주변부를 따라 LDMOS의 충분한 길이를 선택하여 요구되는 전류 전달 용량(current carrying capacity)이 얻어지는 것을 가능케 한다. 부동웰(floating well)이, LDMOS 를 형성하는데 사용된 구조와 동일한 구조로 웰 주변부에 형성되므로, LDMOS 트랜지스터의 항복전압은 웰 주변부의 절연 성질에 의해 지배된다.
하부 전력 트랜지스터가 도전 상태로 구동될 때에만 LDMOS 트랜지스터를 도전 상태로 능동적으로 위치시키기 위해서, 또다른 제어 신호가, 하부 레일과 상대적으로 낮은 전원 전압 사이의 전압 범위를 가진 버퍼 출력 신호를 생성하도록, 하부 구동 명령 신호에 의해 공급된 버퍼에 의해서 유도된다. 버퍼 출력 신호의 전압범위를 LDMOS 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된 지점과 그 소스 전극 사이의 전압차의 범위로 변환시키기 위한 수단이 제공된다.
하부 전력 트랜지스터가 턴 오프될 때 발생되는 전압 스파이크(spike)에 응답하여 LDMOS 트랜지스터를 도전 상태로의 스퓨리어스 구동(spurious dirving)을 방지하는데 유용한, 본 발명의 다른 특징에 따라서, 드레인과 게이트 전극들 사이에 연결된 LDMOS 트랜지스터의 밀러 커패시턴스(Miller capacitance)에 흐르는 누설 전류에 기인한, 게이트 전극과 직렬 연결된 저항 양단에서 발전된 전압에 응답하여 게이트 전극을 LDMOS 트랜지스터의 소스 전극에 고정시키기 위해 또다른 트랜지스터가 제공된다.
본 발명의 다른 목적들, 특징들, 장점들은 첨부된 도면과 연결되었을 때 다음의 상세한 설명으로부터 분명해 질 것이다.
제 1 도를 언급하면, 본 발명에 따른 구동 회로가 도시되어 있는데, 이 회로는 모놀리식 고전압 집적 회로(IC) 내에 포함되어 있으며, 고전압(약 500 볼트까지) DC 전원 양단에서 직렬 접속된 전력 MOSFET(T1및 T2)에 의해 형성된 외부 반브리지를 구동하기 위해 접속되어 있다. 반브리지와 구동기의 일반적인 회로 구조는 상술한 미국 특허 제 4,989,127 호에 도시되고 서술되어 있는 것과, 본 발명에 따른 온 칩 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터(BDE)의 제공을 제외하고는 동일하다.
반브리지에서 전력 트랜지스터(T1)는 상부 트랜지스터라고 부르는데, 그 이유는 그 드레인 전극이, 전위(Vcc)에서와 같이 제 1 도에 표시된 DC 전원의 높은 측면 또는 상부 레일에 접속되기 때문이며, 전력 트랜지스터(T2)는 하부 트랜지스터라고 부르는데, 그 이유는 그 소스 전극이, 전력 접지 전위에서와 같이 도면에 표시된 DC 전원의 낮은 측 또는 하부 레일에 접속되기 때문이다. 상부 트랜지스터(T1)의 소스 전극과 하부 트랜지스터(T2)의 드레인 전극은, 부하(LD)의 한쪽 단부에 또한 접속되는, 반브리지의 출력 단자(OUT)에 결합된다. 기체 방전 램프들에 전력을 공급하는 것과 같은 전원 응용들에서, 부하의 다른쪽 단부는 DC 전원 양단에서 용량형 분압기(capacitive voltage divider)(도시되지 않음)의 중간점에 접속됨으로써 전원 전압의 절반 전위에서 유지될 수 있다. 잘 알려진 바와 같이, 트랜지스터들(T1및 T2)은 고주파(20KHz 보다 더 큰) 반복 싸이클, 예컨대 100KHz 정도에 대해서 스위치 모드로 동작되는데, 여기서 각 트랜지스터는 한 싸이클 동안 2 개의 시간 간격들 또는 위상들중 서로다른 시간 간격 또는 위상동안에 턴 온되며(즉, 도전 상태로 구동된다), 상기 2 개의 시간 간격들 또는 위상들은 약 500ns 정도에서 비교적 작은 데드 존(dead zone) 간격들에 의해서 서로 분리된다. 많은 응용들에 있어서, 부하(LD)는 약간의 유도성 임피던스(inductive impedance)를 갖기 때문에, 다이오드들(Dl및 D2)은 각각 (T1)과 (T2)의 보디(body) 다이오드들이다. 그러므로 다이오드들(Dl및 D2)은 명백히 필요한 것은 아니다. (Dl)은 하부 전력 트랜지스터 (T2)가 턴 오프될 때 출력 단자(OUT)에서 발생되는 포지티브 과도 전압(positive voltage transient)을 제한하기 위한 것이며, 다이오드(D2)는 상부 전력 트랜지스터 (T1)가 턴-오프될 때 출력단자에서 발생되는 네거티브 과도 전압을 제한하기 위한 것이다.
이들 싸이클들은 제어기(CON)에 의해 확립되며, 이 제어기는 외부 입력 신호(IN)에 응답하여, 하부 트랜지스터(T2)의 도전 상태를 제어하기 위한, 본질적으로 2 진수인 명령신호(INL)와 그 논리 반전신호(INNL)를 발생시키고, 레벨 시프터 (level shifter)(LS)를 거쳐서, 상부 트랜지스터(T1)의 도전 상태를 제어하기 위한, 펄스 명령 신호들(TON및 TOFF)을 발생시킨다. 명령 신호(INL)는 하부 트랜지스터(T2)가 도전 상태로 구동될 시간 간격 또는 위상동안에만 하나의 2 진 상태를 갖는다. 명령 신호들(TON, TOFF)은 잡음 및 과도 면역성(noise and transient immunity) 목적들을 위해서 펄스 형태로 제공되고, (TON)과 (TOFF)는 상부 트랜지스터(T1)가 각각 턴 온 및 턴 오프 될 순간들을 표시한다. 하부 트랜지스터 명령 신호들(INL,INNL)은, 하부 트랜지스터 명령 신호들에 의해 정의되는 위상 동안만 하부 트랜지스터를 턴 온시키도록, 그에 응답하여 하부 트랜지스터(T2)의 게이트(GL)를 구동하는 하부 구동 모듈(DL)에 제공된다. 유사한 방식으로, 명령신호들(TON및 TOFF)은, 상부 트랜지스터 명령 신호들에 의해 정해지는 위상 동안 상부 트랜지스터를 턴 온시키도록, 그에 응답하여 상부 트랜지스터(T1)의 게이트(GU)를 구동하는 상부 구동 모듈(DU)에 제공된다. 상부 구동 모듈(DU)내의 R/S 플립 플롭(도시되어 있지 않음)은 명령 신호들(TON및 TOFF)를 (INL및INNL)과 유사한 2 진수 형태로 변환시키므로, 상부 구동모듈의 평형(balance)은 하부 구동 모듈(DL)과 동일한 설계로 될 수 있다.
하부 구동 모듈(DL)은 비교적 낮은 전원 전압(Vdd), 예컨대 12 볼트로 전력이 공급되고, 상부 구동 모듈은 70 nf 정도의 커패시턴스를 가진 외부 부트스트랩 커패시터(C1) 양단의 전압(Vl)에 의해 전력이 공급되는데, 이 커패시터는 너무 커서 적당한 면적을 소비하며 집적 회로(IC)내에 제조될 수 없다. 부트스트랩 커패시터 (C1)의 다른쪽 단부는 온-칩 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터(BDE)를 거쳐서 전원 전압(Vdd)에 연결되므로, 하부 트랜지스터(T2)가 도전 상태에 있는 시간 동안 출력 단자(OUT)가 실질적으로 접지 전위에서 유지될 때, 충전 전류는 (C1)내에서 흐르게 되므로, (Vl)은 (BDE)와 (T2) 양단의 작은 전압 강하들보다 더 작은 임의의 전압(Vdd)으로 된다.
이제 제 2 도를 언급하면, 상부 구동 모듈(DU)은 집적 회로 칩(IC)내의, 예컨대, P 아이솔레이션(isolation)에 의해 둘러싸인 N 웰과 같은, 절연된 웰(WL)에 형성된 CMOS 회로를 포함한다. 따라서, 웰(WL)은 LDMOS 트랜지스터를 제조하는데 이용된 것과 유사한 구조에 의한 집적 회로의 평형(balance)과 절연된다. 고전압 다이오드는 접합 아이솔레이션 기법(junction isolation technologies)으로 집적될 수 없는데, 큰 기판 전류를 발생시키기 때문이다. 이것은 다른 회로의 동작을 방해할 수가 있다. 본 발명의 원리들에 따라서, 온-칩으로 제공된 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터는 웰(WL)의 주변부를 따라 형성된 LDMOS(T3)를 포함한다. LDMOS(T3)는 본질적으로 웰 아이솔레이션과 동일한 항복전압(500 볼트 이상)을 갖고 있으며, 그리고 전류는 웰 주변부에 수직으로 흐르기 때문에, 전류가 형성되는 웰 주변부의 범위를 선택함으로써 적당한 전류 전달 용량이 얻어질 수가 있다. 또한 LDMOS(T3)를 실행하는 것은 부가적인 영역을 더 필요하지 않지만, 집적 회로상의 작은 양의 부가적 영역은 회로가 (T2)를 구동하는데 필요하여, 그 영역은 하부 트랜지스터(T2)가 도전 상태로 구동될 때에만 도전 상태에 있게 된다.
제 1 도에 도시된 바와같이, LDMOS(T3)는 (Vdd)에 접속된 소스 전극(S)과 부트스트랩 커패시터(C1)의 고전압 단부에 접속된 드레인 전극(D)을 지닌 소스 폴로어구성(source follower configuration)에서 동작된다. (T3)가 턴 온 일때 드레인 전극은 Vdd로 상승한다. (T3)의 백게이트(backgate)(B)는 (Vdd)이하의 전압에서 3 개의 다이오드 강하들(diode drops)인 지점(point)에 접속된다. 이러한 바이어싱 (biasing)은 백게이트와 접지 사이로 향한 전류 싱크(current sink)(CS)에 의해 도전 상태로 유지되는 직렬 접속된 3 개의 다이오드들(D5내지 D7)에 의해 발생된다. 기생 다이오드(D3)는 또한, 도시된 바와같이, 백게이트(B)와 드레인 전극 사이에 발생된다. 백게이트의 바이어싱 결과, LDMOS 트랜지스터(T3)를 턴 온 시키는데는 게이트와 소스간 4V의 전압이 필요하다.
하부 전력 트랜지스터(T2)가 도전 상태로 구동될 때 LDMOS 트랜지스터(T3)를 턴온시키기 위해서, 하부 구동 명령 신호(INL)는, 하부 전력 트랜지스터(T2)가 도전상태로 구동될 때에는 전압(Vdd)에 있고, 그 외에는 0 볼트에 있는, 신호를 그 출력(OB)에서 발생시키는 버퍼 증폭기(BUF)에 인가된다. 이 전압은, 다른쪽 단부가, 지점(P)에서, 다이오드(D4)를 거쳐서 전원 전압(Vdd)에 연결되는, 상대적으로 작은 제 2 부트스트랩 커패시터(C2)의 한쪽 단부에 인가된다. 부트스트랩 커패시터(C2)는 트랜지스터(T3)의 게이트 용량(capacitance)의 적어도 5 배의 용량을 갖고 있다. 버퍼(BUF)는 출력 임피던스가 충분히 낮기 때문에 제 2 부트스트랩 커패시터(C2)는 다이오드(D4)를 거쳐서 전압(V2)으로 충전되며, 이 전압(V2)은 하나의 다이오드 강하보다 작은 (Vdd)와 동일하다. 이것은, 지점(P)과 LDMOS 트랜지스터(T3)의 소스 전극(S) 사이로 향하여 나타나도록, 버퍼 출력부(OB)에서의 전압 범위(하나의 다이오드 강하보다 더 큼)를 변환시키는 효과를 갖는다. 지점(P)은 약 5K 오옴의 저항(R)을 거쳐 트랜지스터(T3)의 게이트 전극(G)에 접속된다. 이 저항은 PNP 트랜지스터(T4)를 턴 온 시키는 전압을 발생시키는데 이용되며, PNP 트랜지스터(T4)의 에미터, 베이스 및, 컬렉터는 각각 (T3)의 게이트 전극, 지점(P) 및, (Vdd)에 접속된다. 출력(OUT)에서의 스위칭 과도들(transients)로 인한 LDMOS 트랜지스터(T3)의 스퓨리어스 턴 온(spurious turning on)을 방지하기 위해서, 트랜지스터(T4)는 (CGD)를 통하는 밀러(miller) 전류로 인한 저항(R) 양단의 전압에 응답하여트랜지스터(T3)의 게이트를 능동적으로 (Vdd)로 떨어뜨린다. 그렇지 않다면, 출력(OUT)에서의 출력전압이 0 볼트에서 (VCC)로 되고 LDMOS 트랜지스터(T3)의 드레인 전극이 대응범위 이상으로 될 때 전압에서의 큰 포지티브(positive) 변화 속도에 의해 생기는, 이 전류는 게이트 용량을 턴 온 레벨로 충전시킬 것이다. 결과적으로, 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터(BDE)는 부트스트랩 다이오드가 부트스트랩 커패시터(Cl)를 정확히 충전하도록 도전되었을 때에만 도전된다.
이상과 같은 설명으로부터 본 발명의 목적들은 모든 측면들에서 만족되었다는 것이 명백하다. 또한, 본 발명은 특별한 상세한 부분들에 관해서 설명하였지만, 그 원리들은 범용성이 있다는 것이 이해될 것이다. 결과적으로 본 발명의 의도된 사상과 범위 내에서 수많은 수정들이 주어진 상세한 부분들에서 가능하다.

Claims (5)

  1. 고전압 DC 전원의 각각의 하부 및 상부 레일들과 출력 단자 사이에 접속된 하부 및 상부 전력 트랜지스터들에 의해 형성된 반브리지를 구동하고, 제 1 및 제 2 단부들을 갖는 부트스트랩 커패시터를 충전하기 위한 회로로서, 상기 제 1 단부는 상기 출력 단자에 접속된, 상기 회로에 있어서,
    상기 각각의 하부 및 상부 전력 트랜지스터들을 비동시적(non-contemporaneous) 도전 상태들로 구동하는 것을 명령하기 위해 하부 및 상부 구동 명령 신호들을 발생시키기 위한 제어기 및 레벨 시프터 수단과,
    상기 하부 레일에 대해서 상대적으로 낮은 제어 전압을 전원 출력에서 발생시키기 위한 전원 수단과,
    상기 상대적으로 낮은 제어 전압에 의해 전력을 공급받기 위해 상기 전원 출력에 접속되고, 상기 하부 구동 명령 신호에 응답하여 상기 하부 전력 트랜지스터의 제어 전극과 상기 하부 레일 사이에 하부 구동 제어 신호를 인가하기 위한 수단을 포함하는, 하부 구동 모듈과,
    상기 부트스트랩 커패시터 양단의 부트스트랩 전압에 의해 전력을 공급받기 위해 상기 부트스트랩 커패시터에 접속되고, 상기 상부 구동 명령 신호에 응답하여 상기 상부 전력 트랜지스터의 제어 전극과 상기 출력 단자 사이에 상부 구동 제어 신호를 인가하기 위한 수단을 포함하는, 상부 구동모듈과,
    상기 부트스트랩 커패시터를 상기 부트스트랩 전압으로 충전하기 위한 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 수단으로서, 상기 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 수단은, 상기 전원 출력에 접속된 고전류 제 1 전극과, 상기 부트스트랩 커패시터의 제 2 단부에 접속된 고전류 제 2 전극과, 상기 하부 전력 트랜지스터가 도전 상태로 구동될 때 또다른 트랜지스터를 도전 상태로 구동하기 위해 상기 하부 구동 명령 신호로부터 또다른 제어 신호를 유도하기 위한 수단에 연결된 제어 제 3 전극을 갖는 상기 또다른 트랜지스터를 포함하는, 상기 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 수단을 포함하는, 반브리지 구동 및 부트스트랩 커패시터 충전회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    단일 모놀리식 집적 회로 칩에 포함되는, 반브리지 구동 및 부트스트랩 커패시터 충전 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 상부 구동 모듈은 상기 모놀리식 집적 회로내에 형성된 절연된 웰에 수용되고, 상기 또다른 트랜지스터는 상기 웰의 주변부의 일부분을 따라 형성된 연장된(elongated) LDMOS 트랜지스터를 포함하고, 상기 또다른 트랜지스터의 제 1, 제 2 및, 제 3 전극들은 상기 LDMOS 트랜지스터의 소스, 드레인 및, 게이트 전극들인, 반브리지 구동 및 부트스트랩 커패시터 충전 회로.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 구동 명령 신호로부터 상기 또다른 제어 신호를 유도하기 위한 수단으로서, 상기 하부 레일과 상기 상대적으로 낮은 전원 전압사이의 전압 범위를 갖는 버퍼 출력신호를 생성하도록 상기 하부 구동 명령 신호에 의해 공급된 버퍼를 포함하는, 상기 유도 수단과,
    상기 버퍼 출력 신호의 전압 범위를 상기 제어 제 3 전극에 연결된 지점과 상기 고전류 제 1 전극 사이의 전압차의 범위로 변환시키기 위한 수단을 더 포함하는, 반브리지 구동 및 부트스트랩 커패시터 충전 회로.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어시,
    상기 하부 구동 명령 신호로부터 상기 또다른 제어 신호를 유도하기 위한 상기 수단은, 상기 제 2 및 제 3 전극들 사이에 연결된 상기 또다른 트랜지스터의 밀러 커패시턴스에서 흐르는 변위(displacement) 전류에 응답하여 상기 제 3 전극을 상기 또다른 트랜지스터의 상기 제 1 전극에 고정시키기 위한 수단을 더 포함하는, 반브리지 구동 및 부트스트랩 커패시터 충전 회로.
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