KR100854146B1 - 동적 백게이트 바이어싱과 단락을 방지하는 부트스트랩다이오드 에뮬레이터 - Google Patents
동적 백게이트 바이어싱과 단락을 방지하는 부트스트랩다이오드 에뮬레이터 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 각각이 게이트 노드를 구비하고, 토템폴 구성의 부하 노드에서 서로 연결된 상부 및 하부 트랜지스터; 적어도 한개 제어입력으로 제어가능하고, 상기 상부 및 하부 트랜지스터의 게이트 노드에 전기적으로 결합된 드라이버회로; 하부 공급 노드에 하부전압을 발생시키는 하부전압공급원; 및 상부 공급 노드와 부하 노드 사이에 결합된 부트스트랩 커패시터를 포함하는 하프 브리지 스위칭 회로를 이용하는 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로로서,게이트, 백게이트, 상부 공급 노드에 결합된 드레인, 및 하부 공급 노드에 결합된 소스를 구비하는 LDMOS 트랜지스터;적어도 하나의 제어 입력에 따라서 상기 LDMOS 트랜지스터를 턴온시킬 수 있도록 상기 LDMOS 트랜지스터의 게이트와 전기적으로 연결된 게이트 제어 회로;부하 노드에서 전압을 감지하고 상기 부하 전압이 저전압(DC-)이 아닐때에는 상기 LDMOS 트랜지스터의 턴온을 방지하며, 상기 제어 입력이 하이이고 상기 부하 전압이 고전압(DC+)이 되면 상기 LDMOS 트랜지스터를 턴오프시키는 상감지콤패레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부 및 상부 트랜지스터는 FET 장치 및 IGBT 장치 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 LDMOS 트랜지스터의 상기 백게이트에 전기적으로 결합된 동적 백게이트 바이어싱 회로를 더 포함하고,여기서, 상기 동적 백게이트 바이어싱 회로는, 상기 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전압보다 낮은 전압을 상기 LDMOS 트랜지스터의 상기 백게이트에 인가하여 LDMOS 를 턴온시킬때, 상기 LDMOS 트랜지스터의 상기 백게이트를 동적으로 바이어스 할 수 있는 것을 특징으로 하는 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로.
- 상부 공급 노드와 부하 노드 사이에 전기적으로 결합된 부트스트랩 커패시터와, 각각이 게이트 노드를 구비하고, 토템폴 구성의 부하 노드에서 서로 전기적으로 연결된 상부 및 하부 트랜지스터를 제어하는 하프 브리지 스위칭 회로로서,적어도 하나의 제어입력으로 제어가능하고, 상기 상부 및 하부 트랜지스터의 게이트 노드에 전기적으로 결합된 드라이버회로;하부 공급 노드에 하부전압을 발생시키는 하부전압공급원;상기 하부 공급 노드에 결합되고, 소스, 게이트, 및 백게이트 노드를 구비하고, 하부 드라이버가 동작할 때 상기 하부 공급 노드를 상기 상부 공급 노드에 연결시키도록 제어가능한 LDMOS 트랜지스터를 포함하는 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로; 및부하 노드에서 전압을 감지하고 상기 부하 전압이 저전압(DC-)이 아닐때에는 상기 LDMOS 트랜지스터의 턴온을 방지하며, 상기 제어 입력이 하이이고 상기 부하 전압이 고전압(DC+)이 되면 상기 LDMOS 트랜지스터를 턴오프시키는 상감지콤패레이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프 브리지 스위칭 회로.
- 제 4 항에 있어서,상기 하부 및 상부 트랜지스터는 FET 장치 및 IGBT 장치 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 하프브리지 스위칭 회로.
- 제 4 항에 있어서,상기 부트스트랩 에뮬레이터는 상기 LDMOS 트랜지스터의 백게이트에 상기 LDMOS 트랜지스터의 드레인 노드의 전압보다 낮은 전압을 인가함으로서 상기 LDMOS 트랜지스터의 백게이트의 노드를 동적으로 바이어스할수 있는 것을 특징으로 하는 하프브리지 스위칭 회로.
- 각각이 게이트 노드를 구비하고, 토템폴 구성의 부하 노드에서 서로 연결된 상부 및 하부 트랜지스터; 적어도 한개 제어입력으로 제어가능하고, 상기 상부 및 하부 트랜지스터의 게이트 노드에 전기적으로 결합된 드라이버회로; 하부 공급 노드에 하부전압을 발생시키는 하부전압공급원; 및 상부 공급 노드와 부하 노드 사이에 결합된 부트스트랩 커패시터를 포함하는 하프 브리지 스위칭 회로를 이용하는 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로의 동작방법으로서,상기 부트스트랩 다이오드 에뮬레이터 회로는게이트, 백게이트, 상부 공급 노드에 결합된 드레인, 및 하부 공급 노드에 결합된 소스를 구비하는 LDMOS 트랜지스터, 및 상기 LDMOS 트랜지스터의 게이트와 전기적으로 연결된 게이트 제어 회로를 포함하고,상기 동작 방법은적어도 하나의 제어 입력에 따라서 게이트 제어 회로를 동작시켜 상기 LDMOS 트랜지스터를 턴온시키는 단계;부하 노드에서의 전압을 감지하는 단계; 및상기 감지된 전압에 대응하여 상기 LDMOS 트랜지스터를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제어단계는 상기 부하전압이 저전압(DC-)이 아닐때 상기 LDMOS 트랜지스터의 턴온을 방지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제어단계는 상기 제어 입력이 하이인 동안에 상기 부하 전압이 고전압(DC+)이되면, 상기 LDMOS 트랜지스터를 턴오프시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 LDMOS 트랜지스터의 드레인 전압보다 낮은 전압을 상기 LDMOS 트랜지스터의 백게이트에 인가하여 상기 LDMOS 가 턴온될 때, 상기 LDMOS 트랜지스터의 백게이트를 동적으로 바이어스하기 위해 상기 LDMOS 의 백게이트에 전기적으로 결합된 동적 백게이트 바이어싱 회로를 동작시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 동작 방법.
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