KR950701264A - 표면 연마 및 편평화 처리용 조성물 및 방법 - Google Patents

Abstract

약 30 내지 약 50%의 산화세륨, 약 8 내지 약 20%의 열분해성 실리카 및 약 15 내지 약 45%의 침강 실리카를 포함하는, 가공물(work piece)표면의 연마 또는 편평화 처리용 연마제 조성물이 제공된다. 가공물 표면을 연마 또는 편평화 시키는 조성물을 사용하는 방법외에도 이러한 방법에 의해 제조된 제품도 또한 제공된다.

Description

표면 연마 및 편평화 처리용 조성물 및 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (26)

1. 약 30 내지 약 50%의 산화세륨, 약 8 내지 약 20%의 열분해성 실리카 및 약 15 내지 약 45%의 침강 실리카를 포함하는, 가공물(work piece)표면의 연마 또는 편평화 처리용 연마제 조성물.
2. 제1항에 있어서, 약 42.5 내지 약 48.0%의 산화세륨, 약 17 내지 약 19%의 열분해법 실리카 및 약 35 내지 약 39%의 침강 실리카를 포함하는 조성물.
3. 제1항에 있어서, 약 45%의 산화세륨, 약 18%의 열분해법 실리카 및 약 37%의 침강 실리카를 포함하는 조성물.
4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 산화세륨의 입자 크기가 약 100nm 내지 약 2,000nm이고 열분해법 실리카의 입자 크기가 약 10nm 내지 약 1,200nm이며, 침강 실리카의 입자 크기가 약 25 내지 약 4,000nm인 조성물.
5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 산화세륨의 입자 크기가 약 100nm 내지 약 500nm이고 열분해법 실리카의 입자 크기가 약 7nm 내지 약 40nm이며 침강 실리카의 입자 크기가 약 50 내지 약 2,000nm인 조성물.
6. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 산화세륨의 입자 크기가 약 100nm 내지 약 300nm이고 열분해법 실리카의 입자 크기가 약 10nm 내지 약 30nm이며 침강 실리카의 입자 크기가 약 100 내지 약 300nm인 조성물.
7. 물과 제1항에 따르는 연마제 조성물 약 5 내지 약 20중량%를 포함하는, 가공물의 연마 또는 평평화 처리용 수성 슬러리.
8. 제7항에 있어서, 산화세륨의 입자 크기가 약 100nm 내지 약 2.000nm이고 열분해성 실리카의 입자 크기가 약 10 내지 약 1,200nm이며 침강 실리카의 입자 크기가 약 25nm 내지 약 4,000nm인 수성 슬러리.
9. 제8항에 있어서, 약 0.01 내지 약 2.0%의 계면활성제를 추가로 포함하는 수성 슬러리.
10. 제9항에 있어서, 계면활성제가 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 약쪽성 계면활성제 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 수성 슬러리.
11. 제10항에 있어서, 계면활성제가 옥틸페닐에틸렌 옥사이드, 노닐페닐에틸옥사이드, 옥틸페녹시폴리에톡시에탄올, 폴리옥시에틸렌(10) 옥틸페놀 에테르, 노닐 페롤 폴리에테르, 폴리옥시 에틸렌(20) 소르비탄모노 올레이트, 폴리(옥시-1,2-에탄디일)-알파(노닐페닐)오메가-하이드록시, 지방족 에톡실 레이트, 카복실산 폴리아민 아미드의 염, 음이온성 또는 이온성 특성을 갖는 중합체의 알킬암모늄염, 폴리카복실산, 아크릴산 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 수성 슬러리.
12. 제11항에 있어서, 계면활성제가 옥틸페녹시폴리에톡시 에탄올인 수성 슬러리.
13. 제8항에 있어서, 조성물의 pH를 약 4 내지 약 12로 유지시키기 위한 산성 또는 염기성 물질을 추가로 포함하는 수성 슬러리.
14. 제13항에 있어서, 산성 또는 염기성 물질의 pH가 약 6 내지 약 11.4로 유지되는 수성 슬러리.
15. 제13항에 있어서, 산성 물질이 염산, 질산, 인산 및 황산으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고 염기성 물질이 수산화칼륨, 수산화암모늄 및 에탄올아민으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 수성 슬러리.
16. 물과 제2하에 따르는 연마제 조성물 약 10 내지 약 16%를 포함한, 가공물의 연마 또는 편평화 처리용 수성 슬러리.
17. 제16항에 있어서, 산화세륨의 입자 크기가 약 100nm 내지 약 500nm이고 열분해법 실리카의 입자 크기가 약 7nm 내지 약 40nm이며 침강 실리카의 입자 크기가 약 50nm 내지 약 2,000nm인 수성 슬러리.
18. 물과 제3항에 따르는 연마제 조성물 약 10 내지 약 16중량%를 포함하는, 가공물의 연마 또는 편평화 처리용 수성 슬러리.
19. 제18항에 있어서, 산화세륨의 입자 크기가 약 100nm 내지 약 300nm이고 열분해법 실리카의 입자 크기가 약 10nm 내지 약 30nm이며 침강 실리카의 입자 크기가 약 100 내지 약 300nm인 조성물.
20. 제19항에 있어서, 옥틸페닐에틸렌옥사이드, 노닐페닐 에틸렌옥사이드, 옥틸페녹시포리에톡시에탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 계면활성제 약 0.01 내지 약 2.0%를 추가로 포함하는 수성 슬러리.
21. (a) 제7항 내지 제20항 중의 어느 한 항의 수성 슬러리를 연마 또는 편평화처리할 가공물의 표면에 적용하고, (b) 가공물의 표면을 기계적으로 및 화학적으로 연마 또는 편평화 처리하여 수성 슬러리가 가공물의 표면을 소정의 정도로 연마시키도록 함을 포함하며 가공물의 표면을 연마 또는 평평화 처리하는 방법.
22. 제21항에 있어서, 수성 수성물을 패드에 적용한 다음, 가공물을 연마 또는 편형화 처리하기에 충분한 시간 및 압력에서 가공물의 표면에 패드를 충분히 근접시킴을 포함하는 방법.
23. 제22항에 있어서, 가공물이 비교적 더 적거나 더 많은 전자 장치 집적 밀도의 영역을 갖는 반도체 웨이퍼이고 웨이퍼의 표면은 다수의 스텝(step) 및 적어도 일부 스텝들 중의 다수의 갭을 갖는 방법.
24. 제23항에 있어서, 웨이프의 표면이 소정의 편평화 수준〔이러한 수중을 초과하는 경우에는 가공물이 바람직하지 않고 이러한 수준 미만인 경우에는 바람직하게는 결함이 없는 전자 부품이 존재한다〕을 갖고 편평화 수준 미만의 웨이퍼에서 실질적인 역효과를 미치지 않고 웨이퍼의 표면을 편평화 수준으로 편평화시킴을 추가로 포함하는 방법.
25. 제21항의 방법에 따라 제조된 편평화된 가공물.
26. 제21항의 방법에 따라 제조된 연마처리된 가공물.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.