JP2001284296A - 研磨性スラリー及びその使用 - Google Patents
研磨性スラリー及びその使用Info
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- JP2001284296A JP2001284296A JP2001056718A JP2001056718A JP2001284296A JP 2001284296 A JP2001284296 A JP 2001284296A JP 2001056718 A JP2001056718 A JP 2001056718A JP 2001056718 A JP2001056718 A JP 2001056718A JP 2001284296 A JP2001284296 A JP 2001284296A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 半導体又は集積回路（ＩＣ）の製造工程
において使用するための研磨性スラリー。該研磨性スラ
リーは、酸化セリウム、アルミニウムの水酸化物、セリ
ウム塩及び水、並びに任意に、該スラリーのｐＨを５未
満に調整するための酸性物質を含有する。 【効果】 本発明の研磨性スラリーは、半導体又はＩＣ
の製造工程の浅溝（トレンチ）分離（ＳＴＩ）におい
て、絶縁された誘電体層用の研磨剤として特に有用であ
る。
において使用するための研磨性スラリー。該研磨性スラ
リーは、酸化セリウム、アルミニウムの水酸化物、セリ
ウム塩及び水、並びに任意に、該スラリーのｐＨを５未
満に調整するための酸性物質を含有する。 【効果】 本発明の研磨性スラリーは、半導体又はＩＣ
の製造工程の浅溝（トレンチ）分離（ＳＴＩ）におい
て、絶縁された誘電体層用の研磨剤として特に有用であ
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体又は集積回
路の製造法において使用する研磨性スラリーに関する。
詳細には、本発明の研磨性スラリーは、浅溝（トレン
チ）分離（ＳＴＩ）法において、誘電体の平坦化に有用
である。
路の製造法において使用する研磨性スラリーに関する。
詳細には、本発明の研磨性スラリーは、浅溝（トレン
チ）分離（ＳＴＩ）法において、誘電体の平坦化に有用
である。
【０００２】
【従来の技術】酸化セリウムは二酸化ケイ素を高速度で
研磨することができるので、従来の適用ではガラスの研
磨に使用されていた。しかしながら、ＩＣ製造工程にお
いて二酸化ケイ素誘電体を研磨するために、従来、ヒュ
ームドシリカ又はコロイダルシリカから調製したスラリ
ーを使用して、絶縁された誘電体を研磨していた。これ
らのスラリーにおいては、水酸化カリウムの添加がスラ
リーの研磨速度を高めるために必要である。水酸化カリ
ウムを使用した場合、アルカリイオンの拡散に関連する
問題のため、および二酸化ケイ素／窒化ケイ素について
許容される研摩選択性を与えることが不可能であるた
め、これらの従来使用された研磨性スラリーは、浅溝分
離法における誘電体の研磨に適していない。ＩＣ及び半
導体の製造工程に有効に使用でき、そして窒化ケイ素よ
りも二酸化ケイ素を優先的に研磨する、高い研磨選択性
を与える研磨性組成物が依然として要求されている。
研磨することができるので、従来の適用ではガラスの研
磨に使用されていた。しかしながら、ＩＣ製造工程にお
いて二酸化ケイ素誘電体を研磨するために、従来、ヒュ
ームドシリカ又はコロイダルシリカから調製したスラリ
ーを使用して、絶縁された誘電体を研磨していた。これ
らのスラリーにおいては、水酸化カリウムの添加がスラ
リーの研磨速度を高めるために必要である。水酸化カリ
ウムを使用した場合、アルカリイオンの拡散に関連する
問題のため、および二酸化ケイ素／窒化ケイ素について
許容される研摩選択性を与えることが不可能であるた
め、これらの従来使用された研磨性スラリーは、浅溝分
離法における誘電体の研磨に適していない。ＩＣ及び半
導体の製造工程に有効に使用でき、そして窒化ケイ素よ
りも二酸化ケイ素を優先的に研磨する、高い研磨選択性
を与える研磨性組成物が依然として要求されている。
【０００３】米国特許第５，２６，０１０号は半導体の
表面を研磨する際に使用するための研磨性スラリーを開
示し、該スラリーは酸化セリウム、ヒュームドシリカ、
沈降シリカおよび水を含む。この特許はまた、該スラリ
ーに界面活性剤を懸濁剤として添加することも開示す
る。
表面を研磨する際に使用するための研磨性スラリーを開
示し、該スラリーは酸化セリウム、ヒュームドシリカ、
沈降シリカおよび水を含む。この特許はまた、該スラリ
ーに界面活性剤を懸濁剤として添加することも開示す
る。
【０００４】米国特許第５，７５９，９１７号は、半導
体及び集積回路の製造中に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）及
び窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を研磨しそして高いＳｉＯ2
／Ｓｉ 3Ｎ4除去選択性を達成するための化学的―機械的
研磨性組成物を開示する。該組成物は塩、可溶性セリウ
ム化合物，及びカルボン酸を含み、３〜１１の範囲のｐ
Ｈを有する。
体及び集積回路の製造中に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）及
び窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）を研磨しそして高いＳｉＯ2
／Ｓｉ 3Ｎ4除去選択性を達成するための化学的―機械的
研磨性組成物を開示する。該組成物は塩、可溶性セリウ
ム化合物，及びカルボン酸を含み、３〜１１の範囲のｐ
Ｈを有する。
【０００５】米国特許第５，８９１，２０５号は、半導
体デバイスの酸化物層を研磨するための化学的―機械的
研磨性スラリーを使用する方法を開示する。該研磨性ス
ラリーは酸化セリウムと二酸化ケイ素の混合研磨性粒子
を含有するアルカリ水性分散体を含む。
体デバイスの酸化物層を研磨するための化学的―機械的
研磨性スラリーを使用する方法を開示する。該研磨性ス
ラリーは酸化セリウムと二酸化ケイ素の混合研磨性粒子
を含有するアルカリ水性分散体を含む。
【０００６】米国特許第５，７６６，２７９号は、酸化
セリウムと酸化ケイ素の微粒子を基材とした研磨性スラ
リーを開示する。該研磨性スラリーは、酸化セリウム微
粒子とシリカゾルとを混合し、該混合物を乾燥及び熱処
理し、そして該材料を液体媒体と混合することにより調
製できる。
セリウムと酸化ケイ素の微粒子を基材とした研磨性スラ
リーを開示する。該研磨性スラリーは、酸化セリウム微
粒子とシリカゾルとを混合し、該混合物を乾燥及び熱処
理し、そして該材料を液体媒体と混合することにより調
製できる。
【０００７】米国特許第５，９３８，５０５号は、半導
体の製造法における浅溝分離工程に使用し、酸化ケイ素
／窒化ケイ素除去選択性を高める研磨性スラリーを開示
する。該研磨性はテトラメチルアンモニウムの塩、塩基
及び過酸化水素を含み、ここでテトラメチルアンモニウ
ムの塩は好ましくはフッ化テトラメチルアンモニウムで
あり、そして該スラリーは好ましくは１１と１３の間の
ｐＨを有する。
体の製造法における浅溝分離工程に使用し、酸化ケイ素
／窒化ケイ素除去選択性を高める研磨性スラリーを開示
する。該研磨性はテトラメチルアンモニウムの塩、塩基
及び過酸化水素を含み、ここでテトラメチルアンモニウ
ムの塩は好ましくはフッ化テトラメチルアンモニウムで
あり、そして該スラリーは好ましくは１１と１３の間の
ｐＨを有する。
【０００８】台湾特許公報第３０１０２４号は、１００
重量部のアルミナ又はシリカと、５〜２５重量部の酸化
セリウムとを含む研磨性組成物を開示する。
重量部のアルミナ又はシリカと、５〜２５重量部の酸化
セリウムとを含む研磨性組成物を開示する。
【０００９】特開平１０−２３３３７８号はＳＴＩ平坦
化工程に使用する化学的−機械的研磨性スラリーを開示
する。該スラリーは１１と１３の間のｐＨを有し、８〜
１６％の高い固形物含量を有し、そしてフッ化化合物を
含む。該スラリーは１０：１の酸化物対窒化物除去選択
性を与えることができる。
化工程に使用する化学的−機械的研磨性スラリーを開示
する。該スラリーは１１と１３の間のｐＨを有し、８〜
１６％の高い固形物含量を有し、そしてフッ化化合物を
含む。該スラリーは１０：１の酸化物対窒化物除去選択
性を与えることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】酸化セリウムをＳＴＩ
平坦化工程用の研磨性スラリーにおける研磨剤として使
用した場合、酸化セリウムは高密度のためにスラリー中
に容易に沈殿するであろう。しかしながら、従来技術で
は、酸化セリウムの懸濁性を向上させるための有効な方
法について教示又は示唆されていなかった。従来技術は
研磨性スラリーの懸濁性を改良するために界面活性剤の
使用を開示したが、貯蔵期間中に研磨性粒子の重力によ
る沈殿が起こる。このとき、該粒子は優れた流動性を有
するので、粒子は再配列しそして不可逆の細かいケーキ
を形成するであろう。従って、本発明は、酸化セリウム
に関連した沈殿の問題を克服しそして有利な酸化ケイ素
／窒化ケイ素除去選択性を与える研磨性スラリーを提供
することを目的とする。
平坦化工程用の研磨性スラリーにおける研磨剤として使
用した場合、酸化セリウムは高密度のためにスラリー中
に容易に沈殿するであろう。しかしながら、従来技術で
は、酸化セリウムの懸濁性を向上させるための有効な方
法について教示又は示唆されていなかった。従来技術は
研磨性スラリーの懸濁性を改良するために界面活性剤の
使用を開示したが、貯蔵期間中に研磨性粒子の重力によ
る沈殿が起こる。このとき、該粒子は優れた流動性を有
するので、粒子は再配列しそして不可逆の細かいケーキ
を形成するであろう。従って、本発明は、酸化セリウム
に関連した沈殿の問題を克服しそして有利な酸化ケイ素
／窒化ケイ素除去選択性を与える研磨性スラリーを提供
することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体又は集
積回路（ＩＣ）の製造工程において使用する研磨性スラ
リーを提供する。本発明の研磨性スラリーは、酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2）、アルミニウムの水酸化物、セリウム
塩及び水、並びに任意に、スラリーのｐＨを５未満に調
整するための酸性物質を含有する。本発明の研磨性スラ
リーは、半導体又はＩＣの製造工程の浅溝分離（ＳＴ
Ｉ）加工において、絶縁された誘電体層用の研磨剤とし
て特に有用である。
積回路（ＩＣ）の製造工程において使用する研磨性スラ
リーを提供する。本発明の研磨性スラリーは、酸化セリ
ウム（ＣｅＯ2）、アルミニウムの水酸化物、セリウム
塩及び水、並びに任意に、スラリーのｐＨを５未満に調
整するための酸性物質を含有する。本発明の研磨性スラ
リーは、半導体又はＩＣの製造工程の浅溝分離（ＳＴ
Ｉ）加工において、絶縁された誘電体層用の研磨剤とし
て特に有用である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体又は集積回路
（ＩＣ）の製造工程において使用する研磨性スラリーを
提供する。本発明の研磨性スラリーは、酸化セリウム、
アルミニウムの水酸化物、セリウム塩及び水、並びに任
意に、スラリーのｐＨを５未満に調整するための酸性物
質を含有する。本発明の研磨性スラリーは、半導体又は
ＩＣの製造工程の浅溝分離（ＳＴＩ）加工において、絶
縁された誘電体層用の研磨剤として特に有用である。
（ＩＣ）の製造工程において使用する研磨性スラリーを
提供する。本発明の研磨性スラリーは、酸化セリウム、
アルミニウムの水酸化物、セリウム塩及び水、並びに任
意に、スラリーのｐＨを５未満に調整するための酸性物
質を含有する。本発明の研磨性スラリーは、半導体又は
ＩＣの製造工程の浅溝分離（ＳＴＩ）加工において、絶
縁された誘電体層用の研磨剤として特に有用である。
【００１３】本発明者は、本発明の研磨性スラリーに含
有されるアルミニウムの水酸化物が酸性条件下で酸化セ
リウムの懸濁性を向上させることを見出した。酸性条件
下では、アルミニウムの水酸化物は酸化セリウムの表面
上に皮膜を形成し、酸化セリウムが水性媒体中に均一に
懸濁することができると考えられる。アルミニウムの水
酸化物で被覆された酸化セリウム粒子はチキソトロピー
挙動を示すであろう。チキソトロピー挙動から生じる粒
子間の相互作用により、酸化セリウム粒子は沈殿又は可
逆的凝集をしないであろう。本発明者は、酸化セリウム
がアルミニウムの水酸化物で被覆されると、酸化セリウ
ムの酸化ケイ素に対する活性が減少し、その結果、得ら
れたスラリーにより達成される研磨速度もまた減少する
であろうことを更に見出した。従って、本発明の組成物
は、酸化セリウムの表面の不活化に関連した問題を克服
し、同時に酸化ケイ素／窒化ケイ素の研磨選択性を向上
させるために、更にセリウムの塩を含む。以下に示され
る実施例によると、本発明の研磨性スラリーは、５より
大きく、好ましくは７より大きく、そして最も好ましく
は１０まで又は１０以上までの酸化ケイ素／窒化ケイ素
の研磨選択性を与えることができる。
有されるアルミニウムの水酸化物が酸性条件下で酸化セ
リウムの懸濁性を向上させることを見出した。酸性条件
下では、アルミニウムの水酸化物は酸化セリウムの表面
上に皮膜を形成し、酸化セリウムが水性媒体中に均一に
懸濁することができると考えられる。アルミニウムの水
酸化物で被覆された酸化セリウム粒子はチキソトロピー
挙動を示すであろう。チキソトロピー挙動から生じる粒
子間の相互作用により、酸化セリウム粒子は沈殿又は可
逆的凝集をしないであろう。本発明者は、酸化セリウム
がアルミニウムの水酸化物で被覆されると、酸化セリウ
ムの酸化ケイ素に対する活性が減少し、その結果、得ら
れたスラリーにより達成される研磨速度もまた減少する
であろうことを更に見出した。従って、本発明の組成物
は、酸化セリウムの表面の不活化に関連した問題を克服
し、同時に酸化ケイ素／窒化ケイ素の研磨選択性を向上
させるために、更にセリウムの塩を含む。以下に示され
る実施例によると、本発明の研磨性スラリーは、５より
大きく、好ましくは７より大きく、そして最も好ましく
は１０まで又は１０以上までの酸化ケイ素／窒化ケイ素
の研磨選択性を与えることができる。
【００１４】従って、本発明のスラリーに使用されるア
ルミニウムの水酸化物は、酸化セリウムの懸濁性を向上
させることができるあらゆるものであることができる。
アルミニウムの水酸化物の例には、ベーマイト、擬ベー
マイト、アルミニウムゾル若しくは水酸化アルミニウ
ム、又はこれらの物質の２種以上の混合物が含まれる。
本発明の好ましい態様によると、研磨性スラリーが１０
０重量部の水を含む場合、アルミニウムの水酸化物の量
は０．１〜５重量部の範囲であり得る。
ルミニウムの水酸化物は、酸化セリウムの懸濁性を向上
させることができるあらゆるものであることができる。
アルミニウムの水酸化物の例には、ベーマイト、擬ベー
マイト、アルミニウムゾル若しくは水酸化アルミニウ
ム、又はこれらの物質の２種以上の混合物が含まれる。
本発明の好ましい態様によると、研磨性スラリーが１０
０重量部の水を含む場合、アルミニウムの水酸化物の量
は０．１〜５重量部の範囲であり得る。
【００１５】本発明の研磨性スラリーに使用されるセリ
ウム塩は当業界で知られるいかなるものであってもよ
く、好ましくは水溶性である。セリウム塩の例には、硝
酸セリウムアンモニウムのような硝酸セリウム塩、硫酸
セリウム、塩化セリウム、炭酸セリウム、及びこれらの
化合物の２種以上の混合物が含まれる。本発明のスラリ
ーは水１００重量部を基準にして０．０１〜２重量部の
セリウム塩を含み得る。
ウム塩は当業界で知られるいかなるものであってもよ
く、好ましくは水溶性である。セリウム塩の例には、硝
酸セリウムアンモニウムのような硝酸セリウム塩、硫酸
セリウム、塩化セリウム、炭酸セリウム、及びこれらの
化合物の２種以上の混合物が含まれる。本発明のスラリ
ーは水１００重量部を基準にして０．０１〜２重量部の
セリウム塩を含み得る。
【００１６】本発明の研磨性スラリーは任意に、該スラ
リーのｐＨを５未満にするために酸性物質を含んでもよ
い。該酸性物質はｐＨ値を調整するために慣用のいかな
るものでもよく、例えば硝酸、塩酸、酢酸、燐酸、硫
酸、又はそれらの酸の２種以上の混合物であることがで
きる。
リーのｐＨを５未満にするために酸性物質を含んでもよ
い。該酸性物質はｐＨ値を調整するために慣用のいかな
るものでもよく、例えば硝酸、塩酸、酢酸、燐酸、硫
酸、又はそれらの酸の２種以上の混合物であることがで
きる。
【００１７】本発明を下記の実施例で更に記述するが、
本発明はこれらの実施例に限定されない。本発明を参照
して当業者が容易になし得る修正又は変更は、本発明の
範囲内にある。
本発明はこれらの実施例に限定されない。本発明を参照
して当業者が容易になし得る修正又は変更は、本発明の
範囲内にある。
【００１８】
Ｃ．ウェハー：酸化ケイ素フィルム及び窒化ケイ素フィ
ルム；シリコン バレーミクロエレクトロニクス社から
市販；これは、０．８５±５％ミクロンの厚さの酸化ケ
イ素フィルム及び窒化ケイ素フィルムを６インチのシリ
コンウェハー上にＬＰＣＶＤ−付着することにより得ら
れる。
ルム；シリコン バレーミクロエレクトロニクス社から
市販；これは、０．８５±５％ミクロンの厚さの酸化ケ
イ素フィルム及び窒化ケイ素フィルムを６インチのシリ
コンウェハー上にＬＰＣＶＤ−付着することにより得ら
れる。
【００１９】研磨試験の手順 研磨試験の前及び後に、研磨すべきウェハーの厚さを厚
さ測定手段により測定しなければならない。本発明は、
ＫＬＡ−テンカー（Ｔｅｎｃｏｒ）社から販売のモデル
ＳＭ ３００を使用して誘電体フィルム厚さを決定し
た。研磨速度は次のようにして決定される：誘電体フィ
ルムの厚さＴ1をまず、モデルＳＭ ３００の上記装置
で決定する。該フィルムを例示のスラリーにより、上記
条件下で１分間研磨する。その後、ウェハーをソリッド
ステート イクイップメント社から市販のエバーグリ
ーンモデル（Ｅｖｅｒｇｒｅｅｎ Ｍｏｄｅｌ）１０Ｘ
により清浄にする。該ウェハーをスプレー乾燥した後、
誘電体フィルムの厚さＴ2をモデルＳＭ ３００の装置
で測定する。例示のスラリーについての誘電体フィルム
の研磨速度をＴ1−Ｔ2で表す。
さ測定手段により測定しなければならない。本発明は、
ＫＬＡ−テンカー（Ｔｅｎｃｏｒ）社から販売のモデル
ＳＭ ３００を使用して誘電体フィルム厚さを決定し
た。研磨速度は次のようにして決定される：誘電体フィ
ルムの厚さＴ1をまず、モデルＳＭ ３００の上記装置
で決定する。該フィルムを例示のスラリーにより、上記
条件下で１分間研磨する。その後、ウェハーをソリッド
ステート イクイップメント社から市販のエバーグリ
ーンモデル（Ｅｖｅｒｇｒｅｅｎ Ｍｏｄｅｌ）１０Ｘ
により清浄にする。該ウェハーをスプレー乾燥した後、
誘電体フィルムの厚さＴ2をモデルＳＭ ３００の装置
で測定する。例示のスラリーについての誘電体フィルム
の研磨速度をＴ1−Ｔ2で表す。
【００２０】実施例１ 研磨スラリーは、１００重量部の脱イオン水に１重量部
のＣｅＯ2を添加することにより調製した。得られたス
ラリーについての研磨試験の結果を表１に示す。
のＣｅＯ2を添加することにより調製した。得られたス
ラリーについての研磨試験の結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例２ １００重量部の脱イオン水にいろいろな重量部のＣｅＯ
2及び０．１重量部の硝酸を、いろいろな重量部のベー
マイトと組み合わせて添加することにより、実施例２〜
７のスラリーを調製した。得られたスラリーについての
研磨試験の結果を表２に示す。
2及び０．１重量部の硝酸を、いろいろな重量部のベー
マイトと組み合わせて添加することにより、実施例２〜
７のスラリーを調製した。得られたスラリーについての
研磨試験の結果を表２に示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】実施例８〜１４ １００重量部の脱イオン水に１重量部のＣｅＯ2及び
０．１重量部の硝酸を、いろいろな重量部のベーマイト
及び適当量の硝酸セリウムアンモニウム（（ＮＨ 4）2Ｃ
ｅ（ＮＯ3）6）と組み合わせて添加することにより、実
施例８〜１４のスラリーを調製した。得られたスラリー
についての研磨試験の結果を表３に示す。
０．１重量部の硝酸を、いろいろな重量部のベーマイト
及び適当量の硝酸セリウムアンモニウム（（ＮＨ 4）2Ｃ
ｅ（ＮＯ3）6）と組み合わせて添加することにより、実
施例８〜１４のスラリーを調製した。得られたスラリー
についての研磨試験の結果を表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】実施例１５ １００重量部の脱イオン水に、１重量部のＣｅＯ2を
０．５重量部のベーマイト及び０．１重量部の硝酸セリ
ウムアンモニウムと組み合わせて添加することにより、
実施例１５のスラリーを調製した。得られたスラリーに
ついての研磨試験の結果を表４に示す。
０．５重量部のベーマイト及び０．１重量部の硝酸セリ
ウムアンモニウムと組み合わせて添加することにより、
実施例１５のスラリーを調製した。得られたスラリーに
ついての研磨試験の結果を表４に示す。
【００２７】
【表４】
【００２８】
【発明の効果】本発明の研磨性スラリーは、半導体又は
ＩＣの製造工程の浅溝（トレンチ）分離（ＳＴＩ）にお
いて、絶縁された誘電体層用の研磨剤として特に有用で
ある。
ＩＣの製造工程の浅溝（トレンチ）分離（ＳＴＩ）にお
いて、絶縁された誘電体層用の研磨剤として特に有用で
ある。
Claims (16)
- 【請求項１】 ＣｅＯ2、アルミニウムの水酸化物、セ
リウム塩及び水、並びに任意に、スラリーのｐＨを５未
満に調整するための酸性物質を含有する研磨性スラリ
ー。 - 【請求項２】 ＣｅＯ2が、水１００重量部に対して
０．５〜１０重量部の範囲の量で存在する、請求項１記
載のスラリー。 - 【請求項３】 アルミニウムの水酸化物がベーマイト、
擬ベーマイト、アルミニウムゾル、水酸化アルミニウ
ム、及びこれらの物質の２種以上の混合物から成る群か
ら選ばれる、請求項１記載のスラリー。 - 【請求項４】 アルミニウムの水酸化物が、水１００重
量部に対して０．１〜５重量部の範囲の量で存在する、
請求項１記載のスラリー。 - 【請求項５】 セリウム塩が水溶性塩である請求項１記
載のスラリー。 - 【請求項６】 セリウム塩が硝酸セリウムアンモニウ
ム、硫酸セリウム、塩化セリウム、炭酸セリウム、又は
それらの混合物から選ばれる、請求項５記載のスラリ
ー。 - 【請求項７】 セリウム塩が、水１００重量部に対して
０．０１〜２重量部の範囲の量で存在する、請求項１記
載のスラリー。 - 【請求項８】 酸性物質が硝酸、塩酸、酢酸、燐酸、硫
酸、又はそれらの混合物から選ばれる請求項１記載のス
ラリー。 - 【請求項９】 半導体又は集積回路の製造工程における
浅溝誘電体を研磨する方法において、該浅溝誘電体を、
ＣｅＯ2、アルミニウムの水酸化物、セリウム塩及び
水、並びに任意に、スラリーのｐＨを５未満に調整する
ための酸性物質を含有する研磨性スラリーで研磨するこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 上記スラリーが、水１００重量部に対
して０．５〜１０重量部のＣｅＯ2を含む、請求項９記
載の方法。 - 【請求項１１】 アルミニウムの水酸化物がベーマイ
ト、擬ベーマイト、アルミニウムゾル、水酸化アルミニ
ウム、及びこれらの物質の２種以上の混合物から成る群
から選ばれる、請求項９記載の方法。 - 【請求項１２】 上記スラリーが、水１００重量部に対
して０．１〜５重量部のアルミニウムの水酸化物を含
む、請求項９記載の方法。 - 【請求項１３】 セリウム塩が水溶性塩である請求項９
記載の方法。 - 【請求項１４】 セリウム塩が硝酸セリウムアンモニウ
ム、硫酸セリウム、塩化セリウム、炭酸セリウム、又は
それらの混合物から選ばれる、請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 上記スラリーが、水１００重量部に対
して０．０１〜２重量部のセリウム塩を含む、請求項９
記載の方法。 - 【請求項１６】 上記酸性物質が硝酸、塩酸、酢酸、燐
酸、硫酸、又はそれらの混合物から選ばれる、請求項９
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW89103678 | 2000-03-02 | ||
| TW89103678 | 2000-03-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284296A true JP2001284296A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=21658952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001056718A Pending JP2001284296A (ja) | 2000-03-02 | 2001-03-01 | 研磨性スラリー及びその使用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284296A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002072726A1 (fr) * | 2001-03-09 | 2002-09-19 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Materiau abrasif a base de cerium, suspension de materiau abrasif et procede de production de ce materiau abrasif a base de cerium |
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