KR19980063805A - 연마 성분 및 방법 - Google Patents

연마 성분 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980063805A
KR19980063805A KR1019970065977A KR19970065977A KR19980063805A KR 19980063805 A KR19980063805 A KR 19980063805A KR 1019970065977 A KR1019970065977 A KR 1019970065977A KR 19970065977 A KR19970065977 A KR 19970065977A KR 19980063805 A KR19980063805 A KR 19980063805A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
component
ammonium
silica
abrasive
Prior art date
Application number
KR1019970065977A
Other languages
English (en)
Inventor
미우라시로오
가와무라아쓰노리
다마이가즈세이
Original Assignee
고시야마이사무
가부시끼가이샤후지미인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP32561496A external-priority patent/JPH10172934A/ja
Priority claimed from JP32561696A external-priority patent/JPH10172935A/ja
Priority claimed from JP32561896A external-priority patent/JPH10172936A/ja
Priority claimed from JP32561996A external-priority patent/JPH10172937A/ja
Application filed by 고시야마이사무, 가부시끼가이샤후지미인코오포레이티드 filed Critical 고시야마이사무
Publication of KR19980063805A publication Critical patent/KR19980063805A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

연마 성분은 분무된 실리카, 염기성 칼륨 화합물 및 물로 구성되고, 비전기전도성이 100 내지 5,500 ㎲/㎝ 이다.

Description

연마 성분 및 방법
본 발명은 반도체, 포토마스크, 메모리 하드 디스크용의 다양한 기판 및 합성 수지등의 다양한 산업 생산품 또는 그 부품들을 연마하는데 사용되는 연마 성분 및 그 방법에 관한 것이다. 특히, 반도체 산업에서 장치 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위하여 연마하는데 사용되는 연마 성분에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 고효율을 제공하고 CMP법 (후술함) 이 적용되어 층간 유전체로서 실리콘 다이옥사이드를 연마하는데 있어서 우수한 연마 표면을 형성할 수 있는 연마 성분, 특히, 재사용하기 위해 재순환되어도 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도가 적게 떨어지고 우수한 처리 안정성을 갖는 연마 성분에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터를 포함하는 소위 하이테크 생산품의 발전이 주목되어져 왔고, 이러한 생산품에 사용되는 ULSI 등의 부품에 대하여, 매년 고밀도와 고속을 위하여 연속적으로 발전되어 왔다. 따라서, 반도체 장치의 설계 규칙에 있어서, 매년 협소한 배선이 발전되어 장치를 형성하는 방법의 초점의 깊이가 얕아지고 패턴 형성 표면의 평탄화를 위한 필요조건이 심화되어 왔다.
더욱이, 배선을 협소하게 함으로써 배선 저항이 증가하는 것에 대처하기 위하여, 장치의 축적이 수행되어 배선 길이를 단축시키지만, 형성된 패턴 표면의 단차 높이가 축적에 대한 방해로서 문제가 발생되어 왔다.
따라서, 이러한 협소화 및 축적화를 수행하기 위하여, 소망의 표면을 평탄화하여 공정중의 단차 높이를 제거할 필요가 있다. 평탄화를 위하여, 스핀 온 글래스 (spin on glass), 레지스트 에치백 또는 다른 평탄화 방법이 사용되어 왔다.
그러나, 이러한 종래의 방법에 의해서, 부분적인 평탄화는 가능하지만, 진보된 장치에 필요한 전체적인 평탄화 (완벽한 평탄화)를 얻기 어렵다. 따라서, 기계적 또는 물리적 연마 및 화학적 연마의 조합인, 평탄화를 위한 화학 기계적 연마 (이하 CMP 라 한다) 가 연구되어 왔다.
이 CMP 에 제한되는 것은 아니지만, 반도체 웨이퍼를 연마하는 다양한 형태에 있어서, 금속 오염, 특히 연마 성분중에 나트륨이 포함되는 것에 주목하였다. 이것은 연마 공정후의 세정 공정에서 금속 오염이 완전하게 제거되지 않으면 반도체로서의 전기적 특성이 변화하기 때문이다. 그러므로, 연마 성분은 매우 순수해야 하며, 그 개시 물질 또한 매우 순수해야 한다.
이러한 배경 때문에, 반도체 웨이퍼의 연마 성분에 사용되는 연마 입자로서 분무된 실리카가 종종 사용된다. 연마 입자로서 사용되는 실리카중에, 분무된 실리카는 매우 순수한 실리카를 얻기 용이하며 연마될 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도가 다른 실리카, 예를 들어, 콜로이드 실리카보다 높은 특징이 있다. 따라서, 종래의 CMP 공정에서, 칼륨 히드록시드, 암모니아 및 분무된 실리카와 물의 염기성 물질에 첨가된 다른 물질을 갖는 연마 장치를 사용하는 것이 일반적이다.
그러나, 이것은 CMP 공정을 수행하는데 있어서 비용이 많이 든다는 문제점이 있다. 그 이유는 CMP 공정은 복잡하고, 그에 따라 장치의 실질적인 투자가 필요하며, 연마 성분을 포함하여 CMP 공정에 사용되는 소비재는 매우 비싸다. 또한 분무된 실리카를 함유하는 상기의 연마 성분에 대하여, 분무된 실리카는 비교적 비싸므로, 다양한 형태로부터 비용을 감소시키기 위한 연구가 수행되어 왔다.
그들중의 하나로서, CMP 공정에 사용되는 연마 성분을 재순환시키는 것이 고려되어 왔다. 그러나, 연마 성분이 재순화되면, 연마 성분이 반복적으로 사용됨에 따라 연마될 표면, 예를 들어, 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도가 점차적으로 감소하여 공정이 불안정하게 되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명자는 고가의 연구를 수행함으로써분무된 실리카와 물을 함유하는 연마 성분에 염기성 칼륨 화합물을 첨가하여 비전기전도성이 100 내지 5,500 ㎲/㎝ 가 되도록 하거나 질소 함유 염기성 화합물을 첨가하여 비전기전도성을 100 내지 1,500 ㎲/㎝ 가 되도록 함으로써, 사용하기 위하여 연마 성분을 재순환할 때, 연마될 표면, 예를 들어, 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도가 감소하는 것을 제거할 수 있고, 공정을 안정화시킬 수 있다. 본 발명자는 또한 콜로이드 실리카와 물을 함유하는 연마 성분에 대하여 비전기전도성이 30 내지 5,000 ㎲/㎝로 되도록 하거나 연마 성분에 질소 함유 화합물을 포함하는 질소를 첨가함으로써 비전기전도성이 30 내지 1,500 ㎲/㎝ 로 되도록 하여, 연마 성분이 사용되기 위하여 재순화될 때 동일한 효과를 얻을 수 있음을 알았다.
분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카를 함유하는 상술한 종래의 연마 성분은 그 연마 속도를 증가시키기 위하여 많은양의 화합물을 함유한다. 그러므로, 본 발명의 연마 성분보다 큰 비전기전도성을 갖는다. 반면에, 연마 성분이 사용되기 위하여 재순환되어도, 특별한 비전기전도성을 갖는 본 발명의 연마 성분은 연마 속도를 실질적으로 늦추지 않고, 연마 속도의 감소는 작게 된다.
본 발명은, 매우 순수하고, 연마될 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도가 크고, 우수한 연마 표면이 얻어지고, 다른 염기성 연마 특성이 손상되지 않고, 특성이 CMP공정에 사용되는 연마 성분에 바람직하고, 특히 연마 성분이 사용되기 위해 재순환될 때, 반복적으로 사용되어도, 연마될 표면을 연마하는 속도의 감소가 작아 공정이 안정화되는 특성을 갖는 연마 성분을 제공하는 것이다.
본 발명의 연마 성분의 제 1 모드는 분무된 실리카, 염기성 칼륨 화합물 및 물을 구비하고, 100 내지 5,500 ㎲/㎝ 의 비전기전도성을 갖는 연마 성분이다. 제 2 모드는 분무된 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물을 구비하고, 100 내지 1,500 ㎲/㎝ 의 비전기전도성을 갖는 연마 성분이다. 본 발명의 연마 성분의 제 3 모드는 콜로이드 실리카 및 물을 구비하고, 30 내지 5,000 ㎲/㎝ 의 비전기전도성을 갖는 연마 성분이다. 제 4 모드는 콜로이드 실리카, 질소 함유 염기성 화합물을 구비하고, 30 내지 1,500 ㎲/㎝ 의 비전기전도성을 갖는 연마 성분이다.
본 발명의 연마 성분은 연마될 표면을 연마하기 위한 높은 연마 속도를 갖는다. 더욱이, 연마 성분이 사용되기 위하여 재순환될 때, 반복적으로 사용되어도, 연마될 표면을 연마하는 속도의 감소가, 높은 비전기전도성을 갖는 종래의 연마 성분보다 작아, 공정을 안정화시킨다.
분무된 실리카/콜로이드 실리카
본 발명의 연마 성분은 주연마 입자로서 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카를 함유한다.
본 발명의 분무된 실리카는 할로게나이트, 특히 클로라이트 등의 실리콘 옥사이드를 제공하기 위하여 열분해될 수 있는 전구 물질을 (연소를 포함하는) 고온에서 열분해함으로써 생성될 수 있다. 예를 들어, 분무된 실리카는 공기중에서 실리콘 테트라클로라이드 및 수소의 연소에 의해 생성된다. 반응 공식은 다음과 같다.
SiCl4+ 2H2+ O2SiO2+ 4HCl
이 분무된 실리카의 입자는 일반적으로 수개 또는 수십개의 미세 1차 입자가 모인 사슬 구조를 갖는 2 차 입자의 형상을 갖는다. 이러한 분무된 실리카는 상업적으로, 예를 들어, Japan Aerosil Corporation 에 의한 상품명 Aerosil 으로 이용되는 것이다.
반면에, 본 발명의 목적을 위한 콜로이드 실리카는 유체내에 비정질 실리카의 모든 안정한 분산을 포함하는 수성 콜로이드 실리카 또는 겔이다. 이러한 콜로이드 실리카를 생성하는 방법으로서, 습식 방법, 실리카 겔 콜로이드화 방법, 이온 교환 방법, 유기 실리콘 화합물의 가수분해 방법 등이 있다. 그러나, 본 발명의 콜로이드 실리카를 생성하는 방법은 본 발명의 효과가 손상되지 않으면 특별히 제한되는 것은 아니다. 본 발명에 사용되는 콜로이드 실리카는 금속을 가능한한 적게 함유하는 것이 바람직하다. 이것은 생성 방법에 의해 금속의 함량을 저하시키거나 이온 교환 처리 등의 방법에 의해 정제함으로써 성취될 수 있다.
본 발명에 사용되는 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카는 연마 입자의 기계적 기능에 의해 연마될 표면을 연마한다. BET 법에 의해 측정된 특정 표면 영역으로부터 산출된 범위에 대하여 분무된 실리카의 평균 입자 크기는 통상 5 내지 80 ㎚ 이고, 바람직하게는 10 내지 65 ㎚ 이다. BET 법에 의해 측정된 특정 표면 영역으로부터 산출된 범위에 대하여 콜로이드 실리카의 평균 입자 크기는 통상 5 내지 200 ㎚ 이고, 바람직하게는 10 내지 150 ㎚ 이다. 분무된 실리카의 평균 입자 크기가 80 ㎚를 초과하거나, 콜로이드 실리카의 평균 입자 크기가 200 ㎚를 초과하면, 연마된 표면은 거칠어지거나 긁히는 문제점이 종종 발생한다. 반면에, 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카의 평균 입자 크기가 5 ㎚ 미만이면, 연마 속도가 현저하게 낮아 실행되지 않는다.
본 발명에 사용되는 분무된 실리카의 함량은 연마 성분의 총량에 대하여 0.1 내지 50 중량%이고, 바람직하게 1 내지 25 중량% 이다. 본 발명에 사용되는 콜로이드 실리카의 함량은 연마 성분의 총량에 대하여 0.05 내지 50 중량% 이고, 바람직하게는 0.1 내지 30 중량% 이다. 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카의 함량이 너무 작으면, 연마 속도는 저하하여 실행되지 않는다. 반면에, 너무 크면, 균일 분산이 유지될 수 없으며, 성분의 점성이 너무 커서 때때로 조절하기 어렵게 된다.
물
본 발명에 사용되는 물은 산업용수, 수돗물, 이온 교환수, 증류수, 순수(純水), 초순수 등이 사용될 수 있고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는한 특별히 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 연마 성분의 물의 함량은 분무된 실리카, 염기성 칼륨 화합물 및 물을 함유하는 연마 성분의 총량에 대하여 49.5 내지 99.89 중량% 이고, 바람직하게는 74.6 내지 98.9 중량% 이고, 분무된 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물을 함유하는 연마 성분의 총량에 대하여 49 내지 99.89 중량% 이고, 바람직하게는 74.5 내지 98.9 중량% 이다. 콜로이드 실리카 및 물을 함유하는 연마 성분의 총량에 대하여 45 내지 99.94 중량% 인 것이 통상적이고, 콜로이드 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물을 함유하는 연마 성분의 총량에 대하여 45 내지 99.94 중량% 이고, 바람직하게는 65 내지 99.89 중량% 이다.
염기성 칼륨 화합물/질소 함유 염기성 화합물
본 발명의 연마 성분에 사용되는 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물은 화학 작용에 의해 연마될 표면을 연마시키는 것을 가속시킨다. 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물은 또한 주연마 입자인 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카용 분산매로서 동작한다.
분무된 실리카와 함께, 필요하다면, 콜로이드 실리카와 함께, 본 발명에 사용되는 염기성 칼륨 화합물로서, 본 발명의 효과를 손상시키지 않으면, 어떠한 염기성 칼륨 화합물도 사용될 수 있다. 소망의 염기성 칼륨 화합물은 히드록시드, 포스페이트, 피로포스페이트, 포스파이트, 카아보네이트, 실리케이트, 보레이트, 하이포클로라이트, 하이포브로마이트, 또는 카르복실레이트 (예컨대, 글루코네이트, 락테이트, 시트레이트, 타르타레이트, 말레이트, 글리코레이트, 말로네이트, 포르메이트, 또는 옥살레이트) 이고, 약산염이 바람직하다.
연마 성분의 염기성 칼륨 화합물의 함량은, 분무된 실리카와 함께 사용될 때, 연마 성분의 총량에 대하여 통상 0.01 내지 0.5 중량% 이고, 바람직하게는 0.1 내지 0.4 중량% 이다. 콜로이드 실리카와 함께 사용될 때, 연마 성분의 총량에 대하여 1.5 중량% 이하인 것이 바람직하다.
분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카와 함께 본 발명에 사용되는 질소 함유 염기성 화합물은 암모니아 화합물, 아민 화합물 및 다른 화합물 등을 포함하고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않으면, 어떠한 질소 함유 염기성 화합물도 사용될 수 있다. 암모니아가 일반적으로 사용된다. 특히, 소망의 질소 함유 염기성 화합물은, 분무된 실리카가 함께 사용되면, 암모늄 히드록시드, 암모늄 포스페이트, 암모늄 카아보네이트, 암모늄 실리케이트, 암모늄 보레이트, 암모늄 하이포클로라이트, 암모늄 하이포브로마이트 또는 아민 화합물이고, 약산의 암모늄염이 바람직하다. 콜로이드 실리카와 함께 사용되면, 암모늄 히드록시드, 암모늄 포스페이트, 암모늄 카아보네이트, 암모늄 실리케이트, 암모늄 보레이트, 암모늄 하이포클로라이트, 암모늄 하이포브로마이트, 암모늄 카르복실레이트 (예컨대, 암모늄 클루코네이트, 암모늄 말로네이트, 암모늄 포르메이트 또는 암모늄 옥살레이트), 또는 아민 화합물이고, 약산의 암모늄 염이 바람직하다.
연마 성분의 질소 함유 염기성 화합물의 함량은, 분무된 실리카와 함께 사용될 때, 연마 성분의 총량에 대하여 통상 0.01 내지 1 중량% 이고, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량% 이다. 콜로이드 실리카와 함께 사용되면, 0.01 내지 5 중량% 가 바람직하다. 질소 함유 염기성 화합물의 함량이 매우 작으면, 연마 속도는 현저히 작게 된다. 반면에, 너무 크면, 연마 성분이 사용되기 위하여 재순환될 때, 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 초기 속도가 약간 높아지지만, 반복 사용되면, 연마 속도가 현저히 작아진다.
연마 성분
본 발명의 연마 성분은 통상 상기 성분, 즉, 분무된 실리카 및 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물, 또는 콜로이드 실리카, 및 필요하다면, 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물을 소정량 물에 혼합 및 분산 또는 용해함으로써 준비된다. 상기 성분을 분산 또는 용해하기 위하여, 필요하다면, 첨가될 첨가제가 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카가 분산되고, 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물이 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물이 용해되는 수용액에 용해될 수 있고, 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카가 분산될 수 있다. 더욱이, 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카, 및 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물은 동시에 물에 혼합되고 동시에 분산 및/또는 용해될 수 있다.
본 발명의 연마 성분은 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물을 함유하지만, 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물은 연마 성분에서 얻어질 수 있다. 즉, 칼륨 클로라이드 또는 칼륨 나이트레이트 등의 중성 또는 산성 칼륨염, 또는 암모늄 클로라이드 또는 암모늄 나이트레이트 등의 중성 또는 산성 질소 함유 염, 및 나트륨 히드록시드 등이 염기성 화합물이 동시에 사용되어 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물이 연마 성분에 첨가되는 상태와 동일한 상태를 얻을 수 있다. 그러나, 이러한 방법에서는, 이하 서술하는 비전기전도성이 매우 크거나, 초과의 이온이 존재하여 불순물이 발생하는 문제를 일으킨다. 따라서, 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물이 직접 사용되는 것이 일반적이다.
분산 또는 용해를 위한 방법은 선택적이다. 예를 들어, 분산 또는 용해는 교반기에 의한 혼합 또는 초음파 분산에 의해 수행된다.
더욱이, 연마 성분의 준비를 위하여, 대상물이 처리되는 형태, 처리 조건 및 다른 연마 필요 조건에 따라 요구되거나 생산품의 품질을 유지하고 안정화시킬 목적으로 다양한 공지의 첨가제가 사용될 수 있다.
이러한 추가의 첨가제의 바람직한 예는 (a) 분무된 실리카가 연마 입자로서 사용될 때, 콜로이드 실리카 및 침전된 실리카 등의 분무된 실리카이외의 실리콘 다이옥사이드, 또는 콜로이드 실리카가 연마 입자로서 사용될 때, 분무된 실리카 및 침전된 실리카 등의 콜로이드 실리카 이외의 실리콘 다이옥사이드, (b) 셀룰로오즈, 카르복시메틸셀룰로오즈 및 히드록시에틸셀룰로오즈 등의 셀룰로오즈, (c) 에탄올, 프로판올 및 에틸렌 글리콜 등의 수용성 알콜, (d) 나트륨 알킬벤젠 술포네이트 및 나프탈렌 술폰산을 갖는 포르말린의 농축물 등의 계면 활성제, (e) 리그닌 술포네이트 및 폴리아크릴레이트 등의 유기 다음이온성 (polyanion) 물질, (f) 암모늄 술페이트, 마그네슘 클로라이드, 칼륨 아세테이트 및 알루미늄 나이트레이트 등의 무기염, (g) 폴리비닐 알콜 등의 수용성 폴리머 (에멀션제), (h) 알루마나 졸 및 분무된 알루미나 등의 알루미늄 옥사이드, (i) 분무된 지르코늄 등의 지르코늄 옥사이드, (j) 분무된 타타니아 등의 티타늄 옥사이드를 포함한다.
본 발명의 연마 성분은 상술한 바와 같이 준비된다. 분무된 실리카, 염기성 칼륨 화합물 및 물을 함유할 때, 비전기전도성은 100 내지 5,500 ㎲/㎝ 이고, 바람직하게는, 500 내지 4,000 ㎲/㎝ 이다. 분무된 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물을 함유할 때는, 100 내지 1,500 ㎲/㎝ 이고, 바람직하게는 300 내지 1,200 ㎲/㎝ 이다. 콜로이드 실리카 및 물을 함유할때는, 30 내지 5,000 ㎲/㎝ 이고, 바람직하게는 50 내지 4,000 ㎲/㎝ 이다. 콜로이드 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물을 함유할때는, 30 내지 1,500 ㎲/㎝ 이고, 바람직하게는 50 내지 1,200 ㎲/㎝ 이다.
분무된 실리카가 연마 입자로서 사용될 때, 연마 성분의 비전기전도성은 100 ㎲/㎝ 미만이거나, 콜로이드 실리카가 사용될 때 30 ㎲/㎝ 미만이면, 분무된 실리카는 충분히 분산하기 어렵다. 반면에, 분무된 실리카, 염기성 칼륨 화합물 및 물을 함유하는 성분으로 5,500 ㎲/㎝를 초과하거나, 콜로이드 실리카 및 물을 유하는 성분으로 5,000 ㎲/㎝을 초과하거나, 분무된 실리카 또는 콜로이드 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물을 함유하는 성분으로 1,500 ㎲/㎝을 초과하면, 연마 성분이 반복적으로 사용되기 위하여 재순환될 때 연마 속도는 현저하게 저하하게 된다.
본 발명의 연마 성분은 일반적으로 7 이상의 pH를 가져 염기성 화합물을 안정하게 함유한다.
본 발명의 연마 성분은, 축적되거나 전송될 수 있고 실제의 연마 동작시에 사용하기 위하여 희석될 수 있는 비교적 높은 농도를 갖는 원액의 형태로 준비될 수 있다. 농도의 상술한 바람직한 범위는 실제 연마 동작을 위한 것이다. 따라서, 성분은 원액의 형태로 축적되거나 전송되고, 이러한 원액은 높은 농도를 갖는 것을 준비한다.
상술한 바와 같은 본 발명의 연마 성분은 매우 순수하여 우수한 연마 표면을 얻을 수 있다. 따라서, 반도체 장치, 포토마스크, 메모리 하드디스크를 위한 다양한 물질, 및 합성 수지 등에 사용된다. 본 발명의 연마 성분은 반복적으로 사용되기 위하여 재순환되어도, 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도가 감소하는 것을 방지할 수 있고, 처리 공정의 안정성이 우수하다. 따라서, 본 발명의 연마 성분은 반도체 산업의 장치 웨이퍼의 CMP 공정에 적합하다.
이하, 실시예를 참조하여 본 발명의 연마 성분을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 다음의 실시예의 특정한 구성에 한정되는 것은 아니다.
연마 성분의 준비
먼저, 연마 입자로서, 분무된 실리카 (상품명: Aerosil 50, 평균 1 차 입자 크기:55 ㎚, Japan Aerosil Corporation에서 제조) 가 교반기에 의해 물에 분산되어 12 중량% 의 연마 입자 농도를 갖는 슬러리를 얻는다. 또한, 콜로이드 실리카 (평균 입자 크기: 0.035 ㎛) 가 물에 분산되어 20 중량% 의 연마 입자 농도를 갖는 슬러리를 얻는다. 그후, 이들 슬러리에 염기성 칼륨 화합물 또는 질소 함유 염기성 화합물을 첨가하여 표 1 에 표시한 바와 같은 양으로 혼합하여 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 11 의 시료를 얻는다. 염기성 칼륨 화합물은 실시예 9 의 시료에 첨가되지 않는다.
비전기전도성의 측정
성분을 준비한 후에, 실시예 1 내지 12 와 비교예 1 내지 11 의 각각의 시료에 대하여, 동일한 조건하에서 비전기전도성을 측정하였다. 그 결과는 표 1 에 나타내었다.
연마 테스트
그후, 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 11 의 시료에 의해 연마 테스트를 수행한다.
연마될 목적으로, 열산화법에 의해 형성된 실리콘 다이옥사이드 필름을 갖는 6 인치의 실리콘 웨이퍼 (외부 직경: 약 150 ㎚) 의 기판을 사용한다. 실리콘 다이옥사이드 필름 표면을 연마한다.
연마와 연마 성분의 재순환은 다음의 방법으로 수행된다.
먼저, 실리콘 다이옥사이드 필름이 설치된 웨이퍼를 연마 장치상에 장착하고 다음의 조건하에서 3분간 연마한다.
그후, 웨이퍼를 연마 장치로부터 제거하고, 드레싱 물질을 사용하여 연마 패드를 순수로 1분간 세정한다. 연마를 위해 사용되는 연마 성분을 수집하여 10 ㎛ 의 망판 (sieve) 의 개구를 갖는 필터와 5 ㎛ 의 망판의 개구를 갖는 필터를 펌프를 사용하여 순차적으로 필터링함으로써 후속의 연마에 사용되도록 한다.
상기의 동작은 1 셋트로서 카운트되고 6 셋트의 동작이 반복적으로 수행된다.
연마 조건
연마 장치: 단일측 연마 장치 (연마 테이블의 직경: 570 ㎜)
연마 장치의 테이블: 폴리우레탄으로 이루어진 적층된 연마 패드 (Rodel Co. (USA) 에 의해 제조된 IC-1000/Suba400)
연마 압력 : 490 g/㎠
연마 테이블의 회전 속도: 35 rpm
연마 성분의 공급 속도: 150 cc/min
연마후, 물로 세정되고 건조되어, 연마에 의한 각각의 웨이퍼의 필름두께의 감소를 60 개의 시료에 대하여 측정하고, 연마 속도를 구한다.
또한, 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 속도의 저하비는 제 6 셋트에서의 연마 속도를 제 1 셋트에서의 연마 속도로 나눔으로써 얻어진다. 그 결과는 표 1 에 나타내었다.
표 1 의 결과로부터, 본 발명의 연마 성분은 큰 비전기전도성을 갖는 종래의 연마 성분과 비교하여 실질적으로 저하되지 않는 연마 속도를 가지며, 재사용하기 위하여 연마 성분이 재순환되어도, 연마 속도의 감소가, 큰 비전기전도성을 갖는 연마 성분보다 적고, 안정한 연마 속도를 얻을 수 있음이 명백해진다.
더욱이, 이들 테스트에 사용되는 웨이퍼는 긁힘등의 표면 결점을 갖지 않으며, 연마된 표면의 상태에 특정한 문제점이 발생하지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 연마 성분을 반복적으로 사용하기 위하여 재순환하여도 연마 속도의 감소가 거의 없고, 재순환의 초기 단계에서의 높은 연마 속도를 안정하게 유지할 수 있어 공정을 안정화시킬 수 있다.

Claims (22)

  1. 분무된 실리카, 염기성 칼륨 화합물 및 물로 구성되고, 비전기전도성이 100 내지 5,500 ㎲/㎝ 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 염기성 칼륨 화합물은 히드록시드, 포스페이트, 피로포스페이트, 포스파이트, 카아보네이트, 실리케이트, 보레이트, 하이포클로라이트, 하이포브로마이트, 및 카르복실레이트로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 연마 성분의 총량에 대하여 상기 염기성 칼륨 화합물의 양은 0.01 내지 0.5 중량% 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  4. 분무된 실리카, 질소 함유 염기성 화합물 및 물로 구성되고, 비전기전도성이 100 내지 1,500 ㎲/㎝ 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 질소 함유 염기성 화합물은 암모늄 히드록시드, 암모늄 포스페이트, 암모늄 카아보네이트, 암모늄 실리케이트, 암모늄 보레이트, 암모늄 하이포클로라이트, 암모늄 하이포브로마이트 및 아민 화합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 연마 성분의 총량에 대하여, 상기 질소 함유 염기성 화합물의 양은 0.01 내지 1 중량% 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 분무된 실리카는 5 내지 80 ㎚ 의 평균 1차 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  8. 콜로이드 실리카 및 물로 구성되고, 비전기전도성이 30 내지 5,000 ㎲/㎝ 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  9. 제 8 항에 있어서, 염기성 칼륨 화합물을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 염기성 칼륨 화합물은 히드록시드, 포스페이트, 피로포스페이트, 포스파이트, 카아보네이트, 실리케이트, 보레이트, 하이포클로라이트, 하이포브로마이트, 및 카르복실레이트로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 연마 성분의 총량에 대하여 염기성 칼륨 화합물의 양은 1.5 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  12. 콜로이드 실리카, 질소 함유 염기성 화합물, 및 물로 구성되고, 비전기전도성이 30 내지 1,500 ㎲/㎝ 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 질소 함유 염기성 화합물은 암모늄 히드록시드, 암모늄 포스페이트, 암모늄 카아보네이트, 암모늄 실리케이트, 암모늄 보레이트, 암모늄 하이포클로라이트, 암모늄 하이포브로마이트, 암모늄 카르복실레이트 및 아민 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 연마 성분의 총량에 대하여 상기 질소 함유 염기성 화합물의 양은 0.01 내지 0.5 중량% 인 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  15. 제 8 항, 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 콜로이드 실리카는 5 내지 200 ㎚ 의 평균 1 차 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 성분은 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  17. 제 1 항, 제 4 항, 제 8 항, 또는 제 12 항에 정의된 연마 성분이 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하기 위한 성분으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하는 방법.
  18. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 분무된 실리카는 5 내지 80 ㎚ 의 평균 1차 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  19. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서, 상기 콜로이드 실리카는 5 내지 200 ㎚ 의 평균 1 차 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  20. 제 4 항에 있어서, 상기 성분은 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  21. 제 8 항에 있어서, 상기 성분은 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
  22. 제 12 항에 있어서, 상기 성분은 실리콘 다이옥사이드 필름을 연마하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 연마 성분.
KR1019970065977A 1996-12-05 1997-12-04 연마 성분 및 방법 KR19980063805A (ko)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-325614 1996-12-05
JP96-325618 1996-12-05
JP32561496A JPH10172934A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 研磨用組成物
JP96-325616 1996-12-05
JP32561696A JPH10172935A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 研磨用組成物
JP32561896A JPH10172936A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 研磨用組成物
JP32561996A JPH10172937A (ja) 1996-12-05 1996-12-05 研磨用組成物
JP96-325619 1996-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980063805A true KR19980063805A (ko) 1998-10-07

Family

ID=27480359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970065977A KR19980063805A (ko) 1996-12-05 1997-12-04 연마 성분 및 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6027669A (ko)
EP (1) EP0846741A1 (ko)
KR (1) KR19980063805A (ko)
CN (4) CN1185471A (ko)
SG (1) SG54606A1 (ko)
TW (1) TW373015B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100901058B1 (ko) * 2001-10-01 2009-06-04 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 연마용 실리카입자 분산액, 그 제조방법 및 연마재

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6338743B1 (en) * 1997-04-17 2002-01-15 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Buffer solutions for suspensions used in chemical-mechanical polishing
US6149696A (en) * 1997-11-06 2000-11-21 Komag, Inc. Colloidal silica slurry for NiP plated disk polishing
JP4163785B2 (ja) 1998-04-24 2008-10-08 スピードファム株式会社 研磨用組成物及び研磨加工方法
JP4113282B2 (ja) * 1998-05-07 2008-07-09 スピードファム株式会社 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法
JP3810588B2 (ja) * 1998-06-22 2006-08-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP4163788B2 (ja) * 1998-06-25 2008-10-08 スピードファム株式会社 研磨用組成物及び研磨加工方法
FR2781922B1 (fr) * 1998-07-31 2001-11-23 Clariant France Sa Procede de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau a base de cuivre
JP2000080350A (ja) 1998-09-07 2000-03-21 Speedfam-Ipec Co Ltd 研磨用組成物及びそれによるポリッシング加工方法
US6447693B1 (en) * 1998-10-21 2002-09-10 W. R. Grace & Co.-Conn. Slurries of abrasive inorganic oxide particles and method for polishing copper containing surfaces
JP2002527599A (ja) * 1998-10-21 2002-08-27 ダブリュ・アール・グレイス・アンド・カンパニー・コネテイカット 研摩材無機酸化物粒子のスラリおよび該粒子の研磨性を調節する方法
SG78405A1 (en) * 1998-11-17 2001-02-20 Fujimi Inc Polishing composition and rinsing composition
SG73683A1 (en) 1998-11-24 2000-06-20 Texas Instruments Inc Stabilized slurry compositions
KR100574259B1 (ko) * 1999-03-31 2006-04-27 가부시끼가이샤 도꾸야마 연마제 및 연마 방법
TW486514B (en) 1999-06-16 2002-05-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
US6595834B2 (en) 1999-06-25 2003-07-22 Corning Incorporated Method of making <200nm light transmitting optical fluoride crystals for transmitting less than 200nm light
JP3721497B2 (ja) 1999-07-15 2005-11-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
CN1125861C (zh) * 1999-07-16 2003-10-29 长兴化学工业股份有限公司 半导体加工用化学机械研磨组合物
US6159077A (en) * 1999-07-30 2000-12-12 Corning Incorporated Colloidal silica polishing abrasive
US6458289B1 (en) * 1999-10-06 2002-10-01 Agere Systems Guardian Corp. CMP slurry for polishing semiconductor wafers and related methods
US6436830B1 (en) 1999-10-06 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. CMP system for polishing semiconductor wafers and related method
US7229927B1 (en) 1999-11-23 2007-06-12 Corning Incorporated Semiconductor processing silica soot abrasive slurry method for integrated circuit microelectronics
JP3563017B2 (ja) 2000-07-19 2004-09-08 ロデール・ニッタ株式会社 研磨組成物、研磨組成物の製造方法及びポリシング方法
DE10060697B4 (de) 2000-12-07 2005-10-06 Siltronic Ag Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US6669536B2 (en) * 2000-12-11 2003-12-30 Corning Incorporated Method of making optical fluoride laser crystal components
US6612911B2 (en) 2001-01-16 2003-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Alkali metal-containing polishing system and method
US6726534B1 (en) 2001-03-01 2004-04-27 Cabot Microelectronics Corporation Preequilibrium polishing method and system
US7582564B2 (en) 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US6805812B2 (en) 2001-10-11 2004-10-19 Cabot Microelectronics Corporation Phosphono compound-containing polishing composition and method of using same
US6705926B2 (en) 2001-10-24 2004-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Boron-containing polishing system and method
JP2003142435A (ja) 2001-10-31 2003-05-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
US7513920B2 (en) * 2002-02-11 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Free radical-forming activator attached to solid and used to enhance CMP formulations
KR101004525B1 (ko) * 2002-08-19 2010-12-31 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 글래스 기판 제조 방법, 마스크 블랭크제조방법, 전사 마스크 제조 방법, 반도체 디바이스제조방법, 마스크 블랭크용 글래스 기판, 마스크 블랭크,및 전사 마스크
DE10239144A1 (de) * 2002-08-27 2004-03-18 Degussa Ag Dispersion
JP2004247428A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法
JP4202172B2 (ja) * 2003-03-31 2008-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
JP4668528B2 (ja) * 2003-09-05 2011-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20050087451A1 (en) * 2003-10-24 2005-04-28 Berman Michael J. Abrasive electrolyte
US20050109980A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Hongyu Wang Polishing composition for CMP having abrasive particles
JP4974447B2 (ja) * 2003-11-26 2012-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
US20100009889A1 (en) * 2004-04-20 2010-01-14 Smith William L Dry Delivery Hypochlorite
JP4808394B2 (ja) * 2004-10-29 2011-11-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
JP4955253B2 (ja) * 2005-06-02 2012-06-20 日本化学工業株式会社 デバイスウエハエッジ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法
US20070039926A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Cabot Microelectronics Corporation Abrasive-free polishing system
JP2007103515A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujimi Inc 研磨方法
JP2007103514A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
WO2007047454A2 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20070117497A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Friction reducing aid for CMP
CN101368070A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 江苏海迅实业集团股份有限公司 微晶玻璃加工用的纳米二氧化硅磨料抛光液
DE102008044646B4 (de) 2008-08-27 2011-06-22 Siltronic AG, 81737 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE102009058436A1 (de) 2009-12-16 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe
CN102101981B (zh) * 2009-12-18 2014-08-20 安集微电子（上海）有限公司 一种用于介质材料平坦化的抛光液
JP5168387B2 (ja) * 2011-06-08 2013-03-21 旭硝子株式会社 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法
CN102967632B (zh) * 2012-11-30 2016-01-20 淄博包钢灵芝稀土高科技股份有限公司 用电导率指导抛光粉生产和产品质量控制的方法
CN105778775B (zh) * 2014-12-23 2021-03-02 安集微电子（上海）有限公司 一种中性胶体二氧化硅的制备方法
CN111644989B (zh) * 2020-07-01 2022-01-25 东莞市亚马电子有限公司 一种抛光盘用抛光材料及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU457712A1 (ru) * 1973-04-06 1975-01-25 Предприятие П/Я Х-5594 Состав дл полировани
SU859406A1 (ru) * 1979-12-20 1981-08-30 Бийский Лакокрасочный Завод Состав дл очистки лакокрасочных покрытий
SU943264A1 (ru) * 1980-09-25 1982-07-15 Всесоюзный заочный машиностроительный институт Состав дл шлифовани и полировани кристаллов
US5352277A (en) * 1988-12-12 1994-10-04 E. I. Du Pont De Nemours & Company Final polishing composition
RU1781270C (ru) * 1990-05-14 1992-12-15 Калушское Опытное Производство Института Химии Поверхности Ан Усср Состав дл химико-механического полировани кремниевых пластин
EP0520109B1 (en) * 1991-05-28 1995-03-29 Rodel, Inc. Low sodium, low metals silica polishing slurries
US5376222A (en) * 1991-09-04 1994-12-27 Fujitsu Limited Polishing method for polycrystalline silicon
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
JPH06163490A (ja) * 1992-11-19 1994-06-10 Nippon Steel Corp Ｓｉウエハの鏡面加工法
US5575837A (en) * 1993-04-28 1996-11-19 Fujimi Incorporated Polishing composition
JPH08107094A (ja) * 1994-10-05 1996-04-23 Toshiba Corp 基板の洗浄方法
JPH08267356A (ja) * 1995-04-04 1996-10-15 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 二酸化シリコン膜用研磨剤および二酸化シリコン膜の研磨方法ならびに張り合わせ半導体基板の作製方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100901058B1 (ko) * 2001-10-01 2009-06-04 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 연마용 실리카입자 분산액, 그 제조방법 및 연마재

Also Published As

Publication number Publication date
TW373015B (en) 1999-11-01
CN1343751A (zh) 2002-04-10
CN1343752A (zh) 2002-04-10
EP0846741A1 (en) 1998-06-10
CN1343750A (zh) 2002-04-10
SG54606A1 (en) 1998-11-16
US6027669A (en) 2000-02-22
CN1185471A (zh) 1998-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980063805A (ko) 연마 성분 및 방법
US5733819A (en) Polishing composition
US7429367B2 (en) Method for producing improved cerium oxide abrasive particles and compositions including such particles
JP3457144B2 (ja) 研磨用組成物
US6325705B2 (en) Chemical-mechanical polishing slurry that reduces wafer defects and polishing system
KR102649656B1 (ko) 연마용 조성물
JP2006324639A (ja) 研磨スラリーおよびウエハ再生方法
JP4113288B2 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いたシリコンウェーハの加工方法
KR100928167B1 (ko) 연마용 조성물 및 그것을 사용한 연마 방법
KR20010111261A (ko) 유전율이 낮은 중합체 층의 ｃｍｐ법
JP4863524B2 (ja) 多結晶シリコン膜を研磨するための化学機械研磨用スラリー組成物およびその製造方法
JP2023107781A (ja) 研磨用組成物
KR19980063707A (ko) 연마 조성물
JP4951218B2 (ja) 酸化セリウム研磨粒子及び該研磨粒子を含む組成物
JPH1180708A (ja) 研磨用組成物
JPH10172937A (ja) 研磨用組成物
EP2092034B1 (en) Chemical mechanical polishing slurry compositions, methods of preparing the same and methods of using the same
JP2001118815A (ja) 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法
JPH10172936A (ja) 研磨用組成物
JPH10172934A (ja) 研磨用組成物
JPH09208933A (ja) 研磨用組成物
JP4955253B2 (ja) デバイスウエハエッジ研磨用研磨組成物、その製造方法、及び研磨加工方法
JP5373250B2 (ja) 半導体ウエハ研磨用組成物の製造方法
JPH10172935A (ja) 研磨用組成物
KR100497410B1 (ko) 연마성능이 개선된 산화막 연마용 슬러리 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid