SU943264A1 - Состав дл шлифовани и полировани кристаллов - Google Patents

Состав дл шлифовани и полировани кристаллов Download PDF

Info

Publication number
SU943264A1
SU943264A1 SU803008183A SU3008183A SU943264A1 SU 943264 A1 SU943264 A1 SU 943264A1 SU 803008183 A SU803008183 A SU 803008183A SU 3008183 A SU3008183 A SU 3008183A SU 943264 A1 SU943264 A1 SU 943264A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
composition
grinding
polishing
acrylic acid
copolymer
Prior art date
Application number
SU803008183A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Константинович Стальнов
Василий Николаевич Демишев
Михаил Александрович Окатов
Светлана Сергеевна Лобанова
Валентина Яковлевна Назарова
Татьяна Александровна Силаева
Павел Константинович Игнатенко
Валерия Сергеевна Сясина
Original Assignee
Всесоюзный заочный машиностроительный институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный заочный машиностроительный институт filed Critical Всесоюзный заочный машиностроительный институт
Priority to SU803008183A priority Critical patent/SU943264A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU943264A1 publication Critical patent/SU943264A1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к составам дл  механической обработки, оно мо- жет быть применено дл  полировани  и шлифовани  моно- и поликристаллических материалов, например лейко сапфира , рубина, ортоалюмината, граната , кварца и т.д.
Известен состав дл  шлифовани  лейкосапфира, включающий алмазный порошок и св зующее, состо щее из стеариновой и олеиновой кислот и жировой основы ij. При работе состав разбавл етс  бензином.
Применение указанного состава не обеспечивает высокой производительности процесса обработки и делает операции шлифовани  и полировани  взрывно- и по жароопасуыми.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и компонентному составу  вл етс  состав дл  шлифовани  и полировани  монокристаллов , содержащий водный раствор сополимера акриловой кислоты с гексааллилсахарозой (САКАС или тетрааллилпентаэритритом (САКАП ) и -алмазный порошок 2 .
Указанный состав обеспечивает большую величину съема при шлифовании и полировании.
Однако при его использовании наблюдаетс  значительна  микрошероховатость поверхности обрабатываемо ,д го материала, повышенные глубины нарушенного сло  и плотность поверхностных дефектов.- Поэтому дл  получени  необходимого, качества поверхности требуетс  нес ,5 колько переходов от алмазных порошков с большим размером частиц к высокодисперсным порошкам. Это приводит к уменьшению производительности процессов шлифовани  и полировани .
Цель изобретени  - повышение производительности шлифовани  и полировани  и улучшени  качества поверхности . Поставленна  цель достигаетс  тем, что состав дл  шлифовани  и полировани  кристаллов, включающий алмазный порошок и водный раствор сополимера акриловой кислоты с гексааллилсахарозой или тетрааллилпентаэритритом , содержит высокодисперс ный кремнезем и гидроксид натри  или кали  при следующем соотношении компонентов, вес.: Сополимер акриловой кислоты с гексааллилсахарозой (САКАС) или тетрааллилпентаэритритом (САКАП) 0,05-0,7 Гидроксид кали  0.1-0,5 или натри  1,0-6,0 Алмазный порошок Высокодисперсный кремнезем (аэросил) 2,0-8,0 Остальное Вода Состав готов т следующи образом В водном растворе гидроксида нат ри  или кали  диспергируют сополиме акриловой кислоты (САКАС или САКАП) в течение часа при перемешивании высокоскоростной мешалкой. Далее в состав ввод т алмазный абразив и вы сокодисперсный кремнезем аэросил и перемешивают в течение 10-15 мин после чего состав готов к использов нию.. Пример 1. Готов т состав, содержащий, зес.: Сополимер акриловой кислоты с гексааллилсахарозой0 ,75 Гидрооксид натри  0,5 Алмазный порошок (АСМ 3/2)6,0 Высокодисперсный кремнезем (аэросил марки 380) 3,0 ВодаОстальное Лейкосапфир подвергают полированию по плоскости на станке модели 5 ШПУ-200 при скорости вращени  мед ного инструмента 0,2 м/с. Получают следующие результаты: скорость съем 15 , плотность поверхностных дефектов 3, см, размер царапин: ширина 0,22 мкм, глубина 0,05 мкм. Класс шероховатости Йа. 4 Пример 2. Готов т следующий состав, вес.%: Сополимер акриловой кислоты с тетрааллилпентаэритритом 0,3 Гидроксид кали  0,3 Алмазный порошок (АСМ 3/2)1,0 Высокодисперсный кремнезем (аэросил марки 380) 3,0 ВодаОстальное Лейкосапфир подвергают полированию по плоскости. Режим полировани  аналогичен указанному в примере . 1 . Получают следующие результаты: скорость съема 12 мм /ч,плотность поверхностных дефектов 3,040 см, размер царапин: ширина 0,2 мкм, глубина 0,045 мкм. Класс шероховатости поверхности ka. Пример 3- Готов т следующий состав, вес. %: Сополимер акриловой кислоты с тетрааллилпентаэритритом 0,015 Алмазный порошок (АСМ 3/2)1,0 Гидрокисд кали  0,1 Высокодисперсный кремнезем (аэросил марки 380) 6,0 ВодаОстальное Рубин подвергают полированию по плоскости. Режим полировани  аналогичен указанному в примере 1. Получают следуюа(ие результаты: скорость съема 11 ммуч, плотность поверхностных дефектов 2,0-10 см, размер царапин: ширина 0,15 мкм, глубина 0,035 мкм. Класс шероховатости поверхности . Качество поверхности после полировани  определ ют методом реплик на электронном микроскопе и методом экзоэмиссионного сканировани  поверхности в вакууме с фикса1}ией средней интенсивности эмиссии ( и степени эмиссионной неоднородности (ИД). , В таблице приведены значени  cV и h в относительных единицах в сравнении с эталонной поверхностью.

Claims (1)

  1. Формула изобретения понентов, вес.%: Сополимер акриловой кислоты с гексааллилсахарозой или тетраал ли л пе нт аэрит ри то м Алмазный порошок Гидроксид натрия или калия Высокодисперсный кремнезем (аэросил) Вода
    0,05-0,75
    1,0-6,0
    0,1-0,5 •2,0-8,0
    Остальное
    Состав для шлифования и ния кристаллов, включающий порошок и водный раствор сополимера акриловой кислоты с гексааллилсахарозой или тетрааллилпентаэритри•том, отличающийся тем, полироваалмазный
SU803008183A 1980-09-25 1980-09-25 Состав дл шлифовани и полировани кристаллов SU943264A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803008183A SU943264A1 (ru) 1980-09-25 1980-09-25 Состав дл шлифовани и полировани кристаллов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803008183A SU943264A1 (ru) 1980-09-25 1980-09-25 Состав дл шлифовани и полировани кристаллов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU943264A1 true SU943264A1 (ru) 1982-07-15

Family

ID=20927539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803008183A SU943264A1 (ru) 1980-09-25 1980-09-25 Состав дл шлифовани и полировани кристаллов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU943264A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0846741A1 (en) * 1996-12-05 1998-06-10 Fujimi Incorporated Polishing composition
US20140283874A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 For Your Diamonds Only Ltd Jewellery cleaning wipe

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0846741A1 (en) * 1996-12-05 1998-06-10 Fujimi Incorporated Polishing composition
US20140283874A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 For Your Diamonds Only Ltd Jewellery cleaning wipe
US9609992B2 (en) * 2013-03-21 2017-04-04 For Your Diamonds Only Ltd Jewellery cleaning wipe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5860848A (en) Polishing silicon wafers with improved polishing slurries
CN1137231C (zh) 磨料料浆及其制备方法
DE69627613T2 (de) Verfahren zur Rückgewinnung von Substraten
US5871654A (en) Method for producing a glass substrate for a magnetic disk
WO1996038262A1 (en) Compositions for polishing silicon wafers and methods
US4022625A (en) Polishing composition and method of polishing
US4070797A (en) Nitrogen-free anionic and non-ionic surfactants in a process for producing a haze-free semiconduct
DE112017006401T5 (de) Verfahren zum polieren eines siliziumwafers und verfahren zum produzieren eines siliziumwafers
SU943264A1 (ru) Состав дл шлифовани и полировани кристаллов
US20070123153A1 (en) Texturing slurry and texturing method by using same
KR20020026877A (ko) 반도체 장치 연마용 연마제 조성물 및 이것을 이용한반도체 장치의 제조 방법
JP4167928B2 (ja) Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハ用の研磨液及びそれを用いたｉｉｉ−ｖ族化合物半導体ウェハの研磨方法
JP2000084832A (ja) 研磨用組成物
JP2001118815A (ja) 半導体ウェーハエッジ研磨用研磨組成物及び研磨加工方法
US2606405A (en) Polishing means and method
Weirauch A study of lapping and polishing damage in single‐crystal CdTe
JPH1110492A (ja) 磁気ディスク基板およびその製造方法
JP2606598B2 (ja) ルビーの研磨方法
SU1701759A1 (ru) Композици дл химико-механической полировки поверхности полупроводниковых кристаллов
SU1426990A1 (ru) Шлифовально-полировальна паста
EP0840664B1 (en) Compositions for polishing silicon wafers and methods
JPS62208869A (ja) 磁気デイスク基板の研磨方法
JP2000038572A (ja) ガラス、石英用研磨組成物及びその製造方法
DE69031553T2 (de) Verfahren zur Erzeugung von Störstellen auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
RU2170991C2 (ru) Полировальный состав для полупроводников типа а2 iв>vi и способ полирования полупроводников типа а2 iв>vi