JPH06163490A - Ｓｉウエハの鏡面加工法 - Google Patents
Ｓｉウエハの鏡面加工法Info
- Publication number
- JPH06163490A JPH06163490A JP31060592A JP31060592A JPH06163490A JP H06163490 A JPH06163490 A JP H06163490A JP 31060592 A JP31060592 A JP 31060592A JP 31060592 A JP31060592 A JP 31060592A JP H06163490 A JPH06163490 A JP H06163490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive grains
- wafer
- charge
- working liquid
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイス特性に影響のあるシリコンウエハの
ポリシング面のあらさの向上を計る。 【構成】 ポリシングに用いられる砥粒の電荷を０．１
ｍＶから３０ｍＶに特定することである。この方法によ
れば、ポリシング面のあらさ（Ｒａ）は０．０８ｎｍ以
下にすることが可能である。
ポリシング面のあらさの向上を計る。 【構成】 ポリシングに用いられる砥粒の電荷を０．１
ｍＶから３０ｍＶに特定することである。この方法によ
れば、ポリシング面のあらさ（Ｒａ）は０．０８ｎｍ以
下にすることが可能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳｉウエハを鏡面加工
（以下、ポリシングという）する方法に関するものであ
る。
（以下、ポリシングという）する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】記憶容量が１６Ｍｂｉｔ以上になると、
Ｓｉウエハの表面に形成される酸化膜の凹凸（以下、あ
らさという）がデバイス特性の一つである、電流が流れ
ない最大の電圧（以下、酸化膜耐圧という）に大きな影
響を与える。あらさが滑らかであればあるほど、酸化膜
耐圧は向上して、高い電圧がかけられ、記憶容量の大き
い集積回路ができる。あらさはポリシングの条件で決定
される。しかし、これまで、ポリシング時に働く研磨剤
の化学的作用は未解明であった。このために平均あらさ
（以下、Ｒａという）は０．０８ｎｍ以下にできなかっ
たのが現状である。
Ｓｉウエハの表面に形成される酸化膜の凹凸（以下、あ
らさという）がデバイス特性の一つである、電流が流れ
ない最大の電圧（以下、酸化膜耐圧という）に大きな影
響を与える。あらさが滑らかであればあるほど、酸化膜
耐圧は向上して、高い電圧がかけられ、記憶容量の大き
い集積回路ができる。あらさはポリシングの条件で決定
される。しかし、これまで、ポリシング時に働く研磨剤
の化学的作用は未解明であった。このために平均あらさ
（以下、Ｒａという）は０．０８ｎｍ以下にできなかっ
たのが現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は研磨剤の砥粒
の電荷を特定し、Ｒａを０．０８ｎｍ以下にポリシング
する方法を提供することを目的とする。
の電荷を特定し、Ｒａを０．０８ｎｍ以下にポリシング
する方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はＳｉウエハを鏡
面加工するにあたり、加工液中の砥粒の電荷を０．１ｍ
Ｖから３０ｍＶに規定することを特徴とするＳｉウエハ
の鏡面加工法を要旨とする。
面加工するにあたり、加工液中の砥粒の電荷を０．１ｍ
Ｖから３０ｍＶに規定することを特徴とするＳｉウエハ
の鏡面加工法を要旨とする。
【０００５】
【作用】以下、本発明について詳細に説明する。ポリシ
ングとは単結晶Ｓｉインゴットから薄く（約０．７ｍ
ｍ）切断した直径５〜１２インチの円盤状の単結晶の板
（以下Ｓｉウエハという）を図１に示すように、定盤１
上に固定した研磨布２に加工液３（例えば５から１００
ｎｍの平均粒径で、電荷が０．１〜３０ｍＶの砥粒７を
ｐＨ９〜１１のアルカリ、例えばＫＯＨに溶解した液）
を前記研磨布２と前記Ｓｉウエハ４の間に供給し、前記
Ｓｉウエハ４に荷重５（例えば面圧にして１９０ｇ／ｃ
ｍ2 ）を加え、前記定盤１と前記Ｓｉウエハ４に相対速
度６（例えば３ｍ／ｍｉｎ）を与えて、前記Ｓｉウエハ
４と前記加工液３中の砥粒７との接触により、前記Ｓｉ
ウエハを鏡のように平に滑らかに加工することである。
ングとは単結晶Ｓｉインゴットから薄く（約０．７ｍ
ｍ）切断した直径５〜１２インチの円盤状の単結晶の板
（以下Ｓｉウエハという）を図１に示すように、定盤１
上に固定した研磨布２に加工液３（例えば５から１００
ｎｍの平均粒径で、電荷が０．１〜３０ｍＶの砥粒７を
ｐＨ９〜１１のアルカリ、例えばＫＯＨに溶解した液）
を前記研磨布２と前記Ｓｉウエハ４の間に供給し、前記
Ｓｉウエハ４に荷重５（例えば面圧にして１９０ｇ／ｃ
ｍ2 ）を加え、前記定盤１と前記Ｓｉウエハ４に相対速
度６（例えば３ｍ／ｍｉｎ）を与えて、前記Ｓｉウエハ
４と前記加工液３中の砥粒７との接触により、前記Ｓｉ
ウエハを鏡のように平に滑らかに加工することである。
【０００６】Ｓｉウエハの表面はＯＨ基があり、これと
研磨剤の負の電荷が反応して、化合物ができる。例えば
研磨剤にコロイダルシリカを用いると以下のようにな
る。 Ｓｉ−ＯＨ＋ＳｉＯ- →ＳｉＯＳｉ＋ＯＨ- ＳｉＯ- の負の電荷が大きければ大きいほど反応は右に
進み、Ｓｉは離脱していき、表面はあれると考えられ
る。砥粒の電荷は市販の電気泳動法による電位測定器で
容易に測定可能である。
研磨剤の負の電荷が反応して、化合物ができる。例えば
研磨剤にコロイダルシリカを用いると以下のようにな
る。 Ｓｉ−ＯＨ＋ＳｉＯ- →ＳｉＯＳｉ＋ＯＨ- ＳｉＯ- の負の電荷が大きければ大きいほど反応は右に
進み、Ｓｉは離脱していき、表面はあれると考えられ
る。砥粒の電荷は市販の電気泳動法による電位測定器で
容易に測定可能である。
【０００７】電荷の量は３０ｍＶを超えると、あらさは
０．０８ｎｍＲａ超になり、０．１ｍＶ未満では砥粒の
凝集が起こり、好ましくない。以下に実施例を示す。
０．０８ｎｍＲａ超になり、０．１ｍＶ未満では砥粒の
凝集が起こり、好ましくない。以下に実施例を示す。
【０００８】
【実施例】砥粒径２０ｎｍ、ｐＨ９のＫＯＨ水溶液で、
荷重を１００ｇ／ｃｍ2 、相対速度を１０ｍ／ｍｉｎ
で、砥粒の電荷を２０ｍＶとした時にＲａで０．０５ｎ
ｍを得た。また別の実施例では砥粒径２０ｎｍ、ｐＨ９
のＫＯＨ水溶液で、荷重を１００ｇ／ｃｍ2 、相対速度
を１０ｍ／ｍｉｎで、砥粒の電荷を０．１ｍＶとした時
にＲａで０．０１ｎｍを得た。また、別の実施例では砥
粒径２０ｎｍ、ｐＨ９のＫＯＨ水溶液で、荷重を１００
ｇ／ｃｍ2 、相対速度を１０ｍ／ｍｉｎで、砥粒の電荷
を３０ｍＶとした時にＲａで０．０８ｎｍを得た。
荷重を１００ｇ／ｃｍ2 、相対速度を１０ｍ／ｍｉｎ
で、砥粒の電荷を２０ｍＶとした時にＲａで０．０５ｎ
ｍを得た。また別の実施例では砥粒径２０ｎｍ、ｐＨ９
のＫＯＨ水溶液で、荷重を１００ｇ／ｃｍ2 、相対速度
を１０ｍ／ｍｉｎで、砥粒の電荷を０．１ｍＶとした時
にＲａで０．０１ｎｍを得た。また、別の実施例では砥
粒径２０ｎｍ、ｐＨ９のＫＯＨ水溶液で、荷重を１００
ｇ／ｃｍ2 、相対速度を１０ｍ／ｍｉｎで、砥粒の電荷
を３０ｍＶとした時にＲａで０．０８ｎｍを得た。
【０００９】また別の実施例では、砥粒径４０ｎｍ、ｐ
Ｈ９のＫＯＨ水溶液で、荷重を５０ｇ／ｃｍ2 、相対速
度３０ｍ／ｍｉｎで、砥粒の電荷を２０ｍＶとした時に
Ｒａで０．０３ｎｍを、同じく砥粒の電荷を０．１ｍＶ
とした時にＲａで０．００５ｎｍを、同じく砥粒の電荷
を３０ｍＶとした時にＲａで０．０５ｎｍを得た。
Ｈ９のＫＯＨ水溶液で、荷重を５０ｇ／ｃｍ2 、相対速
度３０ｍ／ｍｉｎで、砥粒の電荷を２０ｍＶとした時に
Ｒａで０．０３ｎｍを、同じく砥粒の電荷を０．１ｍＶ
とした時にＲａで０．００５ｎｍを、同じく砥粒の電荷
を３０ｍＶとした時にＲａで０．０５ｎｍを得た。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、デバイス特性に影響の
あるシリコンウエハのポリシング面のあらさの向上を計
ることができる。
あるシリコンウエハのポリシング面のあらさの向上を計
ることができる。
【図１】Ｓｉウエハのポリシングの実施の態様を示す説
明図である。
明図である。
１ 定盤 ２ 研磨布 ３ 加工液 ４ Ｓｉウエハ ５ 荷重 ６ 相対速度 ７ 砥粒
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｓｉウエハを鏡面加工するにあたり、加
工液中の砥粒の電荷を０．１ｍＶから３０ｍＶに規定す
ることを特徴とするＳｉウエハの鏡面加工法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31060592A JPH06163490A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Ｓｉウエハの鏡面加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31060592A JPH06163490A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Ｓｉウエハの鏡面加工法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163490A true JPH06163490A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18007274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31060592A Withdrawn JPH06163490A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Ｓｉウエハの鏡面加工法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846741A1 (en) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP31060592A patent/JPH06163490A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0846741A1 (en) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |