JPH06163490A - Siウエハの鏡面加工法 - Google Patents
Siウエハの鏡面加工法Info
- Publication number
- JPH06163490A JPH06163490A JP31060592A JP31060592A JPH06163490A JP H06163490 A JPH06163490 A JP H06163490A JP 31060592 A JP31060592 A JP 31060592A JP 31060592 A JP31060592 A JP 31060592A JP H06163490 A JPH06163490 A JP H06163490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive grains
- wafer
- charge
- working liquid
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 デバイス特性に影響のあるシリコンウエハの
ポリシング面のあらさの向上を計る。 【構成】 ポリシングに用いられる砥粒の電荷を0.1
mVから30mVに特定することである。この方法によ
れば、ポリシング面のあらさ(Ra)は0.08nm以
下にすることが可能である。
ポリシング面のあらさの向上を計る。 【構成】 ポリシングに用いられる砥粒の電荷を0.1
mVから30mVに特定することである。この方法によ
れば、ポリシング面のあらさ(Ra)は0.08nm以
下にすることが可能である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はSiウエハを鏡面加工
(以下、ポリシングという)する方法に関するものであ
る。
(以下、ポリシングという)する方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】記憶容量が16Mbit以上になると、
Siウエハの表面に形成される酸化膜の凹凸(以下、あ
らさという)がデバイス特性の一つである、電流が流れ
ない最大の電圧(以下、酸化膜耐圧という)に大きな影
響を与える。あらさが滑らかであればあるほど、酸化膜
耐圧は向上して、高い電圧がかけられ、記憶容量の大き
い集積回路ができる。あらさはポリシングの条件で決定
される。しかし、これまで、ポリシング時に働く研磨剤
の化学的作用は未解明であった。このために平均あらさ
(以下、Raという)は0.08nm以下にできなかっ
たのが現状である。
Siウエハの表面に形成される酸化膜の凹凸(以下、あ
らさという)がデバイス特性の一つである、電流が流れ
ない最大の電圧(以下、酸化膜耐圧という)に大きな影
響を与える。あらさが滑らかであればあるほど、酸化膜
耐圧は向上して、高い電圧がかけられ、記憶容量の大き
い集積回路ができる。あらさはポリシングの条件で決定
される。しかし、これまで、ポリシング時に働く研磨剤
の化学的作用は未解明であった。このために平均あらさ
(以下、Raという)は0.08nm以下にできなかっ
たのが現状である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は研磨剤の砥粒
の電荷を特定し、Raを0.08nm以下にポリシング
する方法を提供することを目的とする。
の電荷を特定し、Raを0.08nm以下にポリシング
する方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明はSiウエハを鏡
面加工するにあたり、加工液中の砥粒の電荷を0.1m
Vから30mVに規定することを特徴とするSiウエハ
の鏡面加工法を要旨とする。
面加工するにあたり、加工液中の砥粒の電荷を0.1m
Vから30mVに規定することを特徴とするSiウエハ
の鏡面加工法を要旨とする。
【0005】
【作用】以下、本発明について詳細に説明する。ポリシ
ングとは単結晶Siインゴットから薄く(約0.7m
m)切断した直径5〜12インチの円盤状の単結晶の板
(以下Siウエハという)を図1に示すように、定盤1
上に固定した研磨布2に加工液3(例えば5から100
nmの平均粒径で、電荷が0.1〜30mVの砥粒7を
pH9〜11のアルカリ、例えばKOHに溶解した液)
を前記研磨布2と前記Siウエハ4の間に供給し、前記
Siウエハ4に荷重5(例えば面圧にして190g/c
m2 )を加え、前記定盤1と前記Siウエハ4に相対速
度6(例えば3m/min)を与えて、前記Siウエハ
4と前記加工液3中の砥粒7との接触により、前記Si
ウエハを鏡のように平に滑らかに加工することである。
ングとは単結晶Siインゴットから薄く(約0.7m
m)切断した直径5〜12インチの円盤状の単結晶の板
(以下Siウエハという)を図1に示すように、定盤1
上に固定した研磨布2に加工液3(例えば5から100
nmの平均粒径で、電荷が0.1〜30mVの砥粒7を
pH9〜11のアルカリ、例えばKOHに溶解した液)
を前記研磨布2と前記Siウエハ4の間に供給し、前記
Siウエハ4に荷重5(例えば面圧にして190g/c
m2 )を加え、前記定盤1と前記Siウエハ4に相対速
度6(例えば3m/min)を与えて、前記Siウエハ
4と前記加工液3中の砥粒7との接触により、前記Si
ウエハを鏡のように平に滑らかに加工することである。
【0006】Siウエハの表面はOH基があり、これと
研磨剤の負の電荷が反応して、化合物ができる。例えば
研磨剤にコロイダルシリカを用いると以下のようにな
る。 Si−OH+SiO- →SiOSi+OH- SiO- の負の電荷が大きければ大きいほど反応は右に
進み、Siは離脱していき、表面はあれると考えられ
る。砥粒の電荷は市販の電気泳動法による電位測定器で
容易に測定可能である。
研磨剤の負の電荷が反応して、化合物ができる。例えば
研磨剤にコロイダルシリカを用いると以下のようにな
る。 Si−OH+SiO- →SiOSi+OH- SiO- の負の電荷が大きければ大きいほど反応は右に
進み、Siは離脱していき、表面はあれると考えられ
る。砥粒の電荷は市販の電気泳動法による電位測定器で
容易に測定可能である。
【0007】電荷の量は30mVを超えると、あらさは
0.08nmRa超になり、0.1mV未満では砥粒の
凝集が起こり、好ましくない。以下に実施例を示す。
0.08nmRa超になり、0.1mV未満では砥粒の
凝集が起こり、好ましくない。以下に実施例を示す。
【0008】
【実施例】砥粒径20nm、pH9のKOH水溶液で、
荷重を100g/cm2 、相対速度を10m/min
で、砥粒の電荷を20mVとした時にRaで0.05n
mを得た。また別の実施例では砥粒径20nm、pH9
のKOH水溶液で、荷重を100g/cm2 、相対速度
を10m/minで、砥粒の電荷を0.1mVとした時
にRaで0.01nmを得た。また、別の実施例では砥
粒径20nm、pH9のKOH水溶液で、荷重を100
g/cm2 、相対速度を10m/minで、砥粒の電荷
を30mVとした時にRaで0.08nmを得た。
荷重を100g/cm2 、相対速度を10m/min
で、砥粒の電荷を20mVとした時にRaで0.05n
mを得た。また別の実施例では砥粒径20nm、pH9
のKOH水溶液で、荷重を100g/cm2 、相対速度
を10m/minで、砥粒の電荷を0.1mVとした時
にRaで0.01nmを得た。また、別の実施例では砥
粒径20nm、pH9のKOH水溶液で、荷重を100
g/cm2 、相対速度を10m/minで、砥粒の電荷
を30mVとした時にRaで0.08nmを得た。
【0009】また別の実施例では、砥粒径40nm、p
H9のKOH水溶液で、荷重を50g/cm2 、相対速
度30m/minで、砥粒の電荷を20mVとした時に
Raで0.03nmを、同じく砥粒の電荷を0.1mV
とした時にRaで0.005nmを、同じく砥粒の電荷
を30mVとした時にRaで0.05nmを得た。
H9のKOH水溶液で、荷重を50g/cm2 、相対速
度30m/minで、砥粒の電荷を20mVとした時に
Raで0.03nmを、同じく砥粒の電荷を0.1mV
とした時にRaで0.005nmを、同じく砥粒の電荷
を30mVとした時にRaで0.05nmを得た。
【0010】
【発明の効果】本発明によれば、デバイス特性に影響の
あるシリコンウエハのポリシング面のあらさの向上を計
ることができる。
あるシリコンウエハのポリシング面のあらさの向上を計
ることができる。
【図1】Siウエハのポリシングの実施の態様を示す説
明図である。
明図である。
1 定盤 2 研磨布 3 加工液 4 Siウエハ 5 荷重 6 相対速度 7 砥粒
Claims (1)
- 【請求項1】 Siウエハを鏡面加工するにあたり、加
工液中の砥粒の電荷を0.1mVから30mVに規定す
ることを特徴とするSiウエハの鏡面加工法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31060592A JPH06163490A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Siウエハの鏡面加工法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31060592A JPH06163490A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Siウエハの鏡面加工法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06163490A true JPH06163490A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18007274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31060592A Withdrawn JPH06163490A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | Siウエハの鏡面加工法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06163490A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0846741A1 (en) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP31060592A patent/JPH06163490A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0846741A1 (en) * | 1996-12-05 | 1998-06-10 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |