JP2889810B2 - ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤 - Google Patents

ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤

Info

Publication number
JP2889810B2
JP2889810B2 JP6069078A JP6907894A JP2889810B2 JP 2889810 B2 JP2889810 B2 JP 2889810B2 JP 6069078 A JP6069078 A JP 6069078A JP 6907894 A JP6907894 A JP 6907894A JP 2889810 B2 JP2889810 B2 JP 2889810B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysilicon film
polishing
amine
weight
abrasive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6069078A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07249600A (ja
Inventor
峯生 渡辺
均 原田
誠 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Silicon Corp, Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Silicon Corp
Priority to JP6069078A priority Critical patent/JP2889810B2/ja
Publication of JPH07249600A publication Critical patent/JPH07249600A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2889810B2 publication Critical patent/JP2889810B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板表面のポリ
シリコン膜を研磨する方法、および、その研磨に使用す
る研磨剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】０．０１〜０．１μｍ程度の酸化ケイ素
微粒の研磨剤と、ｐＨ〜１０程度のアルカリ溶液を用い
ての鏡面研磨では、ウェーハ表面の凹凸はＲａ値（ＡＦ
Ｍによる平均表面粗さ）で１Ａ（オングストローム）程
度である。
【０００３】ところで、シリコンウェーハの鏡面研磨に
使用される研磨剤としては、例えば特公平５−１５３０
２号公報に記載されたものが知られている。
【０００４】この研磨剤は、一次粒子粒度が４〜１００
ｎｍの範囲内のコロイド形態のシリカまたはシリカゲル
と、水溶性アミンとを組み合わせたものである。アミン
の量は、２．０〜４．０重量％が好ましいとされてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の研磨剤は、シリコンウェーハの鏡面研磨には
適しているものの、シリコンウェーハ表面に被着したポ
リシリコン膜の研磨には不適当であった。すなわち、こ
の研磨剤は２．０〜４．０重量％ものアミンを含むた
め、鏡面が得られないという欠点があった。
【０００６】そこで、本発明は、表面平坦度を高めるこ
とができるポリシリコン膜用の研磨剤、および、その研
磨方法を提供することを、その目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、水性コロイダルシリカゾルまたはシリカゲルを主成
分とし、これに０．００１〜０．１重量％のアミンを含
む研磨剤を用いてポリシリコン膜を研磨するポリシリコ
ン膜の研磨方法である。
【０００８】請求項２に記載の発明は、水性コロイダル
シリカゾルまたはシリカゲルを主成分とし、これに０．
００１〜０．１重量％のアミンを含むポリシリコン膜用
研磨剤である。なお、用いるアミンは、低級脂肪族アミ
ン、長鎖脂肪族アミン、環状アミンを含む。
【０００９】
【作用】本発明に係る研磨剤を用いてポリシリコン膜を
研磨すると、研磨剤中のアミンの含有量が少ないためポ
リシリコン膜を過度にエッチングすることがなく、その
ポリシリコン膜表面を鏡面に形成することができる。
【００１０】
【実施例】本発明に係る研磨剤を用いたポリシリコン膜
の研磨方法の実施例について以下説明する。図１は本実
施例方法によるボイド発生率（ポリシリコン膜表面の平
坦度）と研磨剤中のアミン濃度との関係を示すグラフで
ある。使用した研磨剤の組成は以下の通りである。 コロイダルシリカ ５０重量％ ｐＨ ９．０ 平均粒度 １６〜２５ｎｍ 平均表面積 １２０〜１７６ｍ2／ｇ 比重（２０℃） １．３９０ 粘度 ０．０７Ｐａ・ｓ（７０ｃＰ） Ｎａ2Ｏ含有量 ０．４重量％
【００１１】また、研磨試験の概要は以下の通りであ
る。すなわち、４軸研磨機を使用してポリシリコン膜付
きウェーハ表面の研磨を行った。ＳｉＯ2の濃度は３．
５重量％、温度は２５℃、研磨時間は２０分間とした。
【００１２】さらに、ポリシリコン膜表面の平坦度は、
張り合わせウェーハのボイド発生率によって評価した。
すなわち、ボイド発生率とは、このようにして研磨した
ポリシリコン膜付のウェーハ同士をその鏡面を室温で重
ね合わせ、熱処理（９００℃×２時間）を行い、赤外線
透過測定による接合界面でのボイドの発生率である。接
合不良は、ボイドの発生率に依存し、ポリシリコン膜鏡
面（研磨面）の平坦度が低い程ボイドの発生率が高くな
るからである。この図１に示すように、アミン濃度が研
磨剤中で、０．１重量％を超えると、ボイド発生率が急
激に高くなる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、研磨によりポリシリコ
ン膜表面を鏡面とすることができる。したがって、ポリ
シリコン膜付のシリコンウェーハ同士の張り合わせを、
ボイドを発生させることなく、確実に行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るボイド発生率（ポリシ
リコン膜の平坦度）と研磨剤中のアミン含有量との関係
を示すグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 菅原 誠 東京都千代田区岩本町３丁目８番16号 三菱マテリアルシリコン株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−67600（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−313224（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−146732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−42823（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−18228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−225177（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−202269（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 B24D 3/00 C09K 3/14 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水性コロイダルシリカゾルまたはシリカ
    ゲルを主成分とし、これに０．００１〜０．１重量％の
    アミンを含む研磨剤を用いてポリシリコン膜を研磨する
    ポリシリコン膜の研磨方法。
  2. 【請求項２】 水性コロイダルシリカゾルまたはシリカ
    ゲルを主成分とし、これに０．００１〜０．１重量％の
    アミンを含むポリシリコン膜用研磨剤。
JP6069078A 1994-03-14 1994-03-14 ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤 Expired - Fee Related JP2889810B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6069078A JP2889810B2 (ja) 1994-03-14 1994-03-14 ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6069078A JP2889810B2 (ja) 1994-03-14 1994-03-14 ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07249600A JPH07249600A (ja) 1995-09-26
JP2889810B2 true JP2889810B2 (ja) 1999-05-10

Family

ID=13392197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6069078A Expired - Fee Related JP2889810B2 (ja) 1994-03-14 1994-03-14 ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2889810B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6095161A (en) * 1997-01-17 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Processing and post-processing compositions and methods of using same
KR100313573B1 (ko) * 1999-02-19 2001-11-07 안복현 연마용 조성물
US6488730B2 (en) * 1999-07-01 2002-12-03 Cheil Industries, Inc. Polishing composition
JP2004266155A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびこれを用いた化学機械研磨方法ならびに半導体装置の製造方法
KR20100014849A (ko) * 2007-02-27 2010-02-11 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 실리콘막용 ｃｍｐ 슬러리
SG10201605686XA (en) 2008-02-01 2016-08-30 Fujimi Inc Polishing Composition And Polishing Method Using The Same
WO2012029661A1 (ja) 2010-09-01 2012-03-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07249600A (ja) 1995-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW575645B (en) Acidic polishing slurry for the chemical-mechanical polishing of SiO2 isolation layers
US6508952B1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
JP2592401B2 (ja) 表面を研磨及び平坦化する組成物と方法
MY133700A (en) Polishing fluid composition and polishing method
US6524168B2 (en) Composition and method for polishing semiconductors
JP2889810B2 (ja) ポリシリコン膜の研磨方法およびポリシリコン膜用研磨剤
WO2003070853A1 (fr) Pate de polissage
JP4414292B2 (ja) 研磨速度向上方法
JP3612192B2 (ja) ケイ素誘導体又はケイ素を基材とした分離材料の層のための新規な化学機械的研磨方法
JP2003051469A (ja) Ｃｍｐ用スラリー組成物、パターニング方法及び半導体素子
AU9730101A (en) Polishing slurry for the chemical-mechanical polishing of silica films
EP1069168A1 (en) Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
JP2894208B2 (ja) シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法
US3527028A (en) Preparation of semiconductor surfaces
JPH09306881A (ja) シリコン用研磨液組成物および研磨方法
Bu et al. Selective chemical mechanical polishing using surfactants
JPH10102040A (ja) 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JPH10233378A (ja) 浅い溝埋込み分離処理のための高選択性スラリー
JPH11135467A (ja) 半導体装置用金属膜研磨スラリー
JPH10106987A (ja) 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP2001284296A (ja) 研磨性スラリー及びその使用
JPH10102038A (ja) 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JP2000239653A (ja) 研磨用組成物
TW525246B (en) Process for the chemical-mechanical polishing of isolation layers produced using the STI technology, at elevated temperatures
JP7329035B2 (ja) 半導体工程用研磨組成物及び研磨組成物を適用した基板の研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990209

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080219

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090219

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110219

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110219

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees