JP2017228576A - 研磨液及び研磨方法 - Google Patents
研磨液及び研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017228576A JP2017228576A JP2016121843A JP2016121843A JP2017228576A JP 2017228576 A JP2017228576 A JP 2017228576A JP 2016121843 A JP2016121843 A JP 2016121843A JP 2016121843 A JP2016121843 A JP 2016121843A JP 2017228576 A JP2017228576 A JP 2017228576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing liquid
- component
- liquid
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本実施形態に係る研磨液は、(A)酸化セリウムを含む砥粒と、(B)リン酸塩化合物及びリン酸水素塩化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種と、(C)水と、を少なくとも含有する。以下、このような研磨液の構成について更に説明する。
(A)成分は、酸化セリウムを含む砥粒(以下、場合により「酸化セリウム粒子」という。)であり、例えば、酸化セリウムからなる粒子である。(A)成分は、どのような製造方法によって得られた酸化セリウム粒子であってもよい。当該酸化セリウム粒子を作製する方法としては、焼成等を用いる固相法や、塩基とセリウム塩の水溶液とを接触させた後に加熱処理を施す液相法などを適用することができる。これらの方法によって製造された粒子が凝集している場合は、凝集した粒子を機械的に粉砕してもよい。粉砕方法としては、例えば、ジェットミル等による乾式粉砕や、遊星ビーズミル等による湿式粉砕が好ましい。
(B)成分は、分散剤として用いることができる。リン酸塩化合物としては、リン酸塩及びその誘導体(リン酸塩誘導体)からなる群より選ばれる少なくとも一種を用いることができる。リン酸水素塩化合物としては、リン酸水素塩及びその誘導体(リン酸水素塩誘導体)からなる群より選ばれる少なくとも一種を用いることができる。
研磨液の媒体である水としては、特に制限されないが、脱イオン水、イオン交換水、超純水等が好ましい。なお、研磨液は、必要に応じて、後述の(E)成分として挙げられた水以外の溶媒(エタノール、アセトン等の極性溶媒など)を更に含有してもよい。
本実施形態に係る研磨液は、上述した(A)〜(C)成分に加えてpH調整剤((B)成分に該当する化合物を除く)を含有してもよい。研磨液のpHは、(B)成分等の含有量にも依存するが、pH調整剤として最小限の酸や塩基を使用しても所望のpHを得ることができる。ただし、pH調整剤を含まなくても研磨液が所定のpH範囲にある場合は、pH調整剤を用いなくてもよい。
本実施形態に係る研磨液は、研磨速度等の研磨特性、砥粒の分散性、保管安定性等の特性を調整する目的などで、前記(A)〜(D)成分以外の添加剤を更に含有することができる。(E)成分は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
研磨液のpHは、研磨液の保存安定性が向上しやすい(例えば、(A)成分の凝集が抑制されやすい)傾向があり、被研磨膜の傷の発生数が減少する傾向がある観点から、4.0以上が好ましく、4.5以上がより好ましく、4.8以上が更に好ましく、5.0以上が特に好ましい。研磨液のpHは、平坦性の向上効果を充分に発揮しやすい観点から、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.5以下が更に好ましく、7.0以下が特に好ましい。
研磨液は(A)〜(C)成分、及び、必要に応じて(D)成分及び/又は(E)成分をそれぞれ所望の含有量となるよう混ぜ合わせることで作製することができる。研磨液を作製するにあたり、(A)成分及び(C)成分を含有する分散液を予め準備することが好ましい。前記分散液を用いて研磨液を作製することで、(A)成分の分散性が高い研磨液が得られやすい。この場合、(B)成分、及び、必要に応じて(D)成分及び/又は(E)成分をそれぞれ所望の含有量となるように前記分散液に混ぜ合わせることで研磨液を作製することができる。
研磨液の作製方法は、特に制限されず、研磨に用いる際に、上述したような特徴を具備しているものであればよい。研磨使用時以外は、例えば、以下の(X)通常タイプ、(Y)濃縮タイプ及び(Z)2液タイプ等の形態を有することができる。
本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係る研磨液を用いて、酸化ケイ素を含む被研磨面を研磨する。研磨液を使用して基板を研磨する方法においては、通常、研磨すべき被研磨材料(被研磨膜等)を有する基板を研磨定盤の研磨布に押しあてて加圧し、この状態で研磨液を被研磨材料と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤とを相対的に動かすことにより被研磨材料を研磨する。このような研磨方法は、特に、表面に段差を有する基板を研磨し、これにより段差を平坦化するような研磨工程に好適である。
(酸化セリウム粒子を含む水分散液の準備)
酸化セリウム粒子を含む水分散液を準備した。具体的には、まず、(A)成分である酸化セリウム粒子(平均粒径148nmのコロイダルセリア)、及び、(B)成分である分散剤(二リン酸カリウム)を、(C)成分である水と混合し、さらに、(D)成分であるpH調整剤(プロピオン酸)を加え、pHを8.9(25℃)に調整した。次に、超音波分散機を用いて酸化セリウム粒子を分散させることにより水分散液(酸化セリウム分散液。酸化セリウム粒子:水分散液の全質量を基準として5質量%、分散剤:0.05質量%(酸化セリウム粒子100質量部に対して1.0質量部))を調製した。超音波分散は、超音波周波数400kHz、分散時間20分で行った。
前記酸化セリウム粒子を含む水分散液に対して脱イオン水及びプロピオン酸を加えて、全量1000g、pH7.0(25℃)の酸化セリウム研磨液(酸化セリウム粒子の含有量:研磨液の全質量を基準として0.25質量%、二リン酸カリウムの含有量:酸化セリウム粒子100質量部に対して1.0質量部)を作製した。
(B)成分である分散剤の種類、(D)成分であるpH調整剤の種類、及び、研磨液のpHを表1の内容へ変更した以外は、実施例1と同様にして酸化セリウム研磨液を作製した。ただし、酸化セリウム粒子を含む水分散液の準備において、実施例1では、プロピオン酸にてpHを8.9に調整しているが、(B)成分である分散剤の種類によってはpHが8.9を下回る場合がある。その際はアンモニア水を用いてpHを8.9に調整した。なお、酸化セリウム分散液中の酸化セリウム粒子の平均粒径、及び、研磨液中の砥粒の平均粒径は、いずれも初期と変わらず148nmであった。
CMP評価用試験ウエハとして、パターンの形成されていないブランケットウエハを用いた。ブランケットウエハは、酸化ケイ素膜をシリコン(Si)基板(直径:300mm)上に有するウエハを用いた。
(ブランケットウエハにおける酸化ケイ素膜の研磨速度)
フィルメトリクス株式会社製の光干渉式膜厚測定装置(装置名:F80)を用いて、研磨前後の酸化ケイ素膜の膜厚を測定し、膜厚変化量の平均から、ブランケットウエハにおける被研磨膜の研磨速度を算出した。研磨速度の単位はnm/minである。
研磨液に対して8000rpmで10分間遠心分離処理を施し、得られた上澄み液をサンプルとして用いて、BECKMAN COULTER社製DelsaNanoで(A)成分のゼータ電位を測定した。
Claims (6)
- 酸化ケイ素を含む被研磨面の研磨に用いられる研磨液であって、
酸化セリウムを含む砥粒と、リン酸塩化合物及びリン酸水素塩化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種と、水と、を含有する、研磨液。 - pHが4.0以上である、請求項1に記載の研磨液。
- 前記砥粒の含有量が当該研磨液の全質量を基準として0.05〜5質量%である、請求項1又は2に記載の研磨液。
- 前記砥粒の平均粒径が50〜350nmである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨液。
- 前記砥粒がコロイダルセリアを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨液。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨液を用いて、酸化ケイ素を含む被研磨面を研磨する、研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016121843A JP2017228576A (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 研磨液及び研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016121843A JP2017228576A (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 研磨液及び研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017228576A true JP2017228576A (ja) | 2017-12-28 |
Family
ID=60892020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016121843A Pending JP2017228576A (ja) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 研磨液及び研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017228576A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019153678A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | Agc株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079984A (ja) * | 2002-08-16 | 2004-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 化学機械的ポリシングスラリー及びこれを用いた化学機械的ポリシング方法 |
JP2010505735A (ja) * | 2006-10-09 | 2010-02-25 | ロデイア・オペラシヨン | 酸化セリウム粒子の液体懸濁物及び粉末、その製造方法並びに研磨におけるその使用 |
JP2012503880A (ja) * | 2008-09-26 | 2012-02-09 | ローディア・オペラシオン | 化学機械研磨用研磨剤組成物及びその使用法 |
JP2015115360A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 旭硝子株式会社 | 研磨用組成物および研磨方法 |
JP2015209485A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 日立化成株式会社 | 研磨液の製造方法及び研磨液、並びに研磨方法 |
WO2015182756A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液、cmp用研磨液セット、及び研磨方法 |
JP2016076676A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | 信越化学工業株式会社 | Cmp研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
-
2016
- 2016-06-20 JP JP2016121843A patent/JP2017228576A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079984A (ja) * | 2002-08-16 | 2004-03-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 化学機械的ポリシングスラリー及びこれを用いた化学機械的ポリシング方法 |
JP2010505735A (ja) * | 2006-10-09 | 2010-02-25 | ロデイア・オペラシヨン | 酸化セリウム粒子の液体懸濁物及び粉末、その製造方法並びに研磨におけるその使用 |
JP2012503880A (ja) * | 2008-09-26 | 2012-02-09 | ローディア・オペラシオン | 化学機械研磨用研磨剤組成物及びその使用法 |
JP2015115360A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 旭硝子株式会社 | 研磨用組成物および研磨方法 |
JP2015209485A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 日立化成株式会社 | 研磨液の製造方法及び研磨液、並びに研磨方法 |
WO2015182756A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液、cmp用研磨液セット、及び研磨方法 |
JP2016076676A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | 信越化学工業株式会社 | Cmp研磨剤及びその製造方法、並びに基板の研磨方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019153678A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | Agc株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
TWI813623B (zh) * | 2018-03-02 | 2023-09-01 | 日商Agc股份有限公司 | 研磨劑、研磨方法、及研磨用添加液 |
JP7421855B2 (ja) | 2018-03-02 | 2024-01-25 | Agc株式会社 | 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5516604B2 (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
JP5761234B2 (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
TWI593791B (zh) | Cmp研磨液及其製造方法、複合粒子的製造方法以及基體的研磨方法 | |
JP4983603B2 (ja) | 酸化セリウムスラリー、酸化セリウム研磨液及びこれらを用いた基板の研磨方法 | |
JP2011142284A (ja) | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 | |
JP2017110177A (ja) | 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法 | |
JP2017139350A (ja) | 研磨液、研磨液セット、及び、基体の研磨方法 | |
WO2011058816A1 (ja) | Cmp研磨液、並びに、これを用いた研磨方法及び半導体基板の製造方法 | |
JP2013016830A (ja) | Cmp研磨液、基板の研磨方法及び電子部品 | |
JP2010095650A (ja) | 研磨剤組成物及びこの研磨剤組成物を用いた基板の研磨方法 | |
JP2012186339A (ja) | 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法 | |
JP5375025B2 (ja) | 研磨液 | |
JP2009260236A (ja) | 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー | |
JP2013038211A (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
JP2017139349A (ja) | 研磨液、研磨液セット、及び、基体の研磨方法 | |
JP2017228576A (ja) | 研磨液及び研磨方法 | |
JP2010087454A (ja) | Cmp研磨剤及びこれを用いた研磨方法 | |
JP6601209B2 (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
WO2016021325A1 (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
JP2004200268A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2003158101A (ja) | Cmp研磨剤及び製造方法 | |
JP2000160137A (ja) | 研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2011243789A (ja) | Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 | |
JP6657935B2 (ja) | 研磨液 | |
JP6627283B2 (ja) | 研磨液及び研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200609 |