JP6601209B2 - Cmp用研磨液及びこれを用いた研磨方法 - Google Patents
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Description
[式(1)中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。]
本実施形態に係るCMP用研磨液は、表面に凹部及び凸部を有する基材、当該基材の前記凸部上に配置されたストッパ、及び、前記基材及び前記ストッパを被覆する絶縁材料を有する基体における前記絶縁材料を研磨する第一の研磨工程と、前記絶縁材料における前記ストッパ上の部分を研磨して前記ストッパを露出させる第二の研磨工程と、を備える研磨方法における前記第一の研磨工程に用いられる。また、本実施形態に係るCMP用研磨液は、砥粒(研磨粒子)と、第一の添加剤と、第二の添加剤と、水とを含有し、前記第一の添加剤が、一般式(1)で表される4−ピロン系化合物を含み、前記第二の添加剤が、第四級アンモニウム塩含有モノマに由来する構造単位を有するカチオンポリマを含むことを特徴とする。本実施形態に係るCMP用研磨液によれば、凹凸を有する絶縁材料(例えば、酸化ケイ素等の無機絶縁材料)に対する高い段差除去性を達成しつつ粗密依存性を解消することができる。以下、研磨液の調製に使用する各成分等について説明する。
砥粒は、例えば、セリウム系化合物、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、マグネシア、ムライト、窒化ケイ素、α−サイアロン、窒化アルミニウム、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素等を含むことができる。これらの砥粒の構成成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、第一の添加剤及び第二の添加剤の添加効果を更に良好に発揮でき、凹凸を有する絶縁材料(例えば、酸化ケイ素等の無機絶縁材料)に対する高い研磨速度、及び、高い段差除去性が更に高度に得られる観点から、セリウム系化合物が好ましい。
本実施形態に係るCMP用研磨液は、第二の添加剤として、第四級アンモニウム塩含有モノマに由来する構造単位を有するカチオンポリマ(第一の添加剤に該当する化合物を除く)を含有している。第二の添加剤としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
使用機器:日立L−6000型〔株式会社日立製作所製〕
カラム:ゲルパックGL−R420+ゲルパックGL−R430+ゲルパックGL−R440〔日立化成株式会社製 商品名、計3本〕
溶離液:テトラヒドロフラン
測定温度:40℃
流量:1.75mL/min
検出器:L−3300RI〔株式会社日立製作所製〕
本実施形態に係るCMP用研磨液が含有する水は、特に制限されるものではないが、脱イオン水、イオン交換水及び超純水が好ましい。なお、必要に応じて、エタノール、アセトン等の極性溶媒などを水と併用してもよい。
本実施形態に係るCMP用研磨液は、第三の添加剤として、飽和モノカルボン酸を含有することが好ましい。これにより、凹凸のないウエハ(ブランケットウエハ)の研磨速度を向上させることができる傾向がある。一般に、凹凸を有するウエハの研磨では、凸部が優先的に研磨されるために研磨が進行するに従い被研磨面がブランケットウエハの状態に近づく傾向がある。そのため、ブランケットウエハの研磨速度にも優れる研磨液は、全工程を通じて良好な研磨速度が得られる点で好適である。
本実施形態に係るCMP用研磨液は、砥粒の分散安定性及び/又は被研磨面の平坦性を向上させる観点から、界面活性剤(第一の添加剤又は第二の添加剤に該当する化合物を除く)を含有することができる。界面活性剤としては、イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられ、非イオン性界面活性剤が好ましい。界面活性剤としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態に係るCMP用研磨液のpHは、研磨液と絶縁材料(例えば、酸化ケイ素等の無機絶縁材料)との濡れ性が向上する観点、及び、砥粒の凝集を抑制し易くなる傾向がある観点から、8.0以下が好ましく、8.0未満がより好ましく、7.0以下が更に好ましく、6.0以下が特に好ましく、5.0以下が極めて好ましい。pHが8.0以下であると、8.0を超える場合と比較して砥粒の凝集等を抑制し易く、前記添加剤を添加した効果が得られ易い傾向がある。研磨液のpHは、1.5以上が好ましく、2.0以上がより好ましい。pHが1.5以上であると、1.5未満の場合と比較して絶縁材料(例えば、酸化ケイ素等の無機絶縁材料)のゼータ電位の絶対値を大きな値とすることができる傾向がある。本実施形態に係るCMP用研磨液のpHは、研磨液と絶縁材料(例えば、酸化ケイ素等の無機絶縁材料)との濡れ性が向上する観点から、2.0〜5.0であることが好ましい。なお、pHは、液温25℃におけるpHと定義する。
(1)添加剤として配合した化合物にプロトン又はヒドロキシアニオンが作用して、当該化合物の化学形態が変化し、基体表面の絶縁材料(例えば酸化ケイ素)及び/又はストッパ(例えば窒化ケイ素)に対する濡れ性及び親和性が向上する。
(2)砥粒が酸化セリウムを含む場合、酸化ケイ素を研磨する際、砥粒と酸化ケイ素との接触効率が向上し、更に高い研磨速度が達成される。これは、酸化セリウムのゼータ電位の符号が正であるのに対し、酸化ケイ素のゼータ電位の符号が負であり、両者の間に静電的引力が働くためであると考えられる。
CMP用研磨液は、(A)通常タイプ、(B)濃縮タイプ及び(C)2液タイプに分類でき、タイプによって調製法及び使用法が相違する。(A)通常タイプは、研磨時に希釈等の前処理をせずにそのまま使用できる研磨液である。(B)濃縮タイプは、保管又は輸送の利便性を考慮し、(A)通常タイプと比較して含有成分を濃縮した研磨液である。(C)2液タイプは、保管又は輸送に際して、一定の成分を含む液Aと、他の成分を含む液Bとに分けた状態としておき、使用時に液A及び液Bを混合して使用する研磨液である。
本実施形態に係る研磨方法は、本実施形態に係るCMP用研磨液を用いた研磨方法であり、例えば、各成分の含有量及びpH等が調整された研磨液を使用し、表面に絶縁材料(例えば、酸化ケイ素等の無機絶縁材料)を有する基体をCMP技術によって平坦化するものである。絶縁材料(酸化ケイ素等)は、膜状(酸化ケイ素膜等)であってもよい。前記基体は、具体的には、表面に凹部及び凸部を有する基材、当該基材の前記凸部上に配置されたストッパ、及び、前記基材及び前記ストッパを被覆する絶縁材料を有する基体である。本実施形態に係る研磨方法は、具体的には、前記基体における前記絶縁材料を研磨する第一の研磨工程と、前記絶縁材料における前記ストッパ上の部分を研磨して前記ストッパを露出させる第二の研磨工程と、を備える研磨方法である。第一の研磨工程では、ストッパが露出することなく絶縁材料を研磨する。また、本実施形態に係る研磨方法では、前記第一の研磨工程において、本実施形態に係るCMP用研磨液を前記絶縁材料と研磨パッドとの間に供給しながら、前記研磨パッドによって前記絶縁材料の研磨を行うことができる。
炭酸セリウム水和物40kgをアルミナ製容器に入れ、830℃で2時間、空気中で焼成して黄白色の粉末を20kg得た。この粉末についてX線回折法で相同定を行い、当該粉末が多結晶体の酸化セリウムを含むことを確認した。焼成によって得られた粉末の粒径をSEMで観察したところ、20〜100μmであった。次いで、ジェットミルを用いて酸化セリウム粉末20kgを乾式粉砕した。粉砕後の酸化セリウム粉末をSEMで観察したところ、結晶粒界を有する多結晶酸化セリウム粒子が含まれていることが確認された。また、酸化セリウム粉末の比表面積は9.4m2/gであった。比表面積の測定はBET法によって実施した。
前記で得られた酸化セリウム粉末15kg及び脱イオン水84.7kgを容器内に入れて混合した。さらに、1Nの酢酸水溶液0.3kgを添加して10分間攪拌し、酸化セリウム混合液を得た。得られた酸化セリウム混合液を別の容器に30分かけて送液した。その間、送液する配管内で、酸化セリウム混合液に対して超音波周波数400kHzにて超音波照射を行った。
測定温度:25℃
測定装置:電気化学計器株式会社製、型番PHL−40
測定方法:標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液、pH:4.01(25℃);中性リン酸塩pH緩衝液、pH:6.86(25℃);ホウ酸塩pH緩衝液、pH:9.18(25℃))を用いて3点校正した後、電極を研磨液に入れて、3分間以上経過して安定した後のpHを前記測定装置により測定した。
[ウエハの準備]
前記のようにして調製した各CMP用研磨液を使用し、表面に酸化ケイ素膜を有するブランケットウエハを研磨して研磨速度(ブランケットウエハ研磨速度)を求めた。ブランケットウエハは、直径200mmのシリコン基板上に配置された膜厚1000nmの酸化ケイ素膜を有するウエハである。
研磨装置(アプライドマテリアル製、商品名:Mirra3400)を使用し、前記ブランケットウエハ及びパターンウエハを研磨した。ウエハ取り付け用の吸着パッドを有するホルダーに、前記ウエハをセットした。また、直径500mmの研磨定盤に多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッド(k−groove溝、ロデール社製、型番:IC−1010)を貼り付けた。
光干渉式膜厚測定装置(大日本スクリーン製造株式会社製、商品名:RE−3000)を用いて、パターンウエハの凸部における研磨前後の酸化ケイ素膜の膜厚変化量を測定した。パターンウエハの初期の60秒間を研磨した際の膜厚変化量をパターンウエハ研磨速度(PTW)とし、パターンウエハ研磨速度をブランケットウエハ研磨速度(BKT)で除した数値(PTW/BKT)を段差除去性として算出した。なお、当該数値が高いほど、段差除去性が高いことを意味する。
パターンウエハにおける同じパターン(ダイ)の中の凸部について、最も速く研磨が進行した部分の酸化ケイ素膜(SiO2膜)の膜厚と、最も遅く研磨が進行した部分の酸化ケイ素膜(SiO2膜)の膜厚との差を算出した。最も速く研磨が進行した部分の酸化ケイ素膜の膜厚が0nmとなった時点を研磨終点とし、残膜の最小値(0nm)とした。最も遅く研磨が進行した部分の酸化ケイ素膜の膜厚を残膜の最大値とした。残膜の最大値及び最小値の差を算出し、比較例5における残膜の最大値及び最小値の差を1.0とした場合の実施例1〜6及び比較例1〜4の相対値を換算し、当該相対値に基づき粗密依存性を評価した。なお、当該相対値が小さいほど、粗密依存性が生じ難いことを意味する。
実施例1〜3,5及び比較例1のCMP用研磨液を用いて、荷重を下記表3の各荷重に変更したことを除き上記と同様の条件でブランケットウエハを研磨して研磨速度を算出し、荷重依存性を評価した。図3は、荷重を横軸、当該荷重での研磨速度を縦軸にプロットした図である。
Claims (21)
- 表面に凹部及び凸部を有する基材、当該基材の前記凸部上に配置されたストッパ、及び、前記基材及び前記ストッパを被覆する絶縁材料を有する基体における前記絶縁材料を研磨する第一の研磨工程と、
前記絶縁材料における前記ストッパ上の部分を研磨して前記ストッパを露出させる第二の研磨工程と、を備える研磨方法における前記第一の研磨工程に用いられる研磨液であって、
砥粒と、第一の添加剤と、第二の添加剤と、水とを含有し、
前記第一の添加剤が、下記一般式(1)で表される4−ピロン系化合物を含み、
前記第二の添加剤が、第四級アンモニウム塩含有モノマに由来する構造単位を有するカチオンポリマを含み、
芳香環及びポリオキシアルキレン鎖を有する高分子化合物を含有しない、CMP用研磨液。
[式(1)中、X11、X12及びX13は、それぞれ独立に、水素原子又は1価の置換基である。] - 前記第一の添加剤が、3−ヒドロキシ−2−メチル−4−ピロン、5−ヒドロキシ−2−(ヒドロキシメチル)−4−ピロン、及び、2−エチル−3−ヒドロキシ−4−ピロンからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む、請求項1に記載のCMP用研磨液。
- 前記第二の添加剤が、ビニルピロリドン・ジメチルアミノエチルメタクリレートジエチル硫酸塩共重合体、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド単独重合体、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド・アクリルアミド共重合体、及び、ジアリルメチルエチルアンモニウムエチルサルフェイト単独重合体からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む、請求項1又は2に記載のCMP用研磨液。
- pHが8.0以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- pHが2.0〜5.0である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- pH調整剤を更に含有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記第一の添加剤の含有量が、当該研磨液100質量部に対して0.001〜5質量部である、請求項1〜6のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記第二の添加剤の含有量が、当該研磨液100質量部に対して0.00001〜5質量部である、請求項1〜7のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記砥粒の含有量が、当該研磨液100質量部に対して0.01〜10質量部である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記砥粒の平均粒径が50〜500nmである、請求項1〜9のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記砥粒がセリウム系化合物を含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記セリウム系化合物が酸化セリウムである、請求項11に記載のCMP用研磨液。
- 前記砥粒が、結晶粒界を有する多結晶酸化セリウムを含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 非イオン性界面活性剤を更に含有する、請求項1〜13のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 飽和モノカルボン酸を更に含有する、請求項1〜14のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 前記飽和モノカルボン酸の炭素数が2〜6である、請求項15に記載のCMP用研磨液。
- 前記飽和モノカルボン酸が、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヒドロアンゲリカ酸、カプロン酸、2−メチルペンタン酸、4−メチルペンタン酸、2,3−ジメチルブタン酸、2−エチルブタン酸、2,2−ジメチルブタン酸及び3,3−ジメチルブタン酸からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物である、請求項15又は16に記載のCMP用研磨液。
- 前記飽和モノカルボン酸の含有量が、当該研磨液100質量部に対して0.01〜10質量部である、請求項15〜17のいずれか一項に記載のCMP用研磨液。
- 表面に凹部及び凸部を有する基材、当該基材の前記凸部上に配置されたストッパ、及び、前記基材及び前記ストッパを被覆する絶縁材料を有する基体における前記絶縁材料を研磨する第一の研磨工程と、
前記絶縁材料における前記ストッパ上の部分を研磨して前記ストッパを露出させる第二の研磨工程と、を備える研磨方法であって、
前記第一の研磨工程において、請求項1〜18のいずれか一項に記載のCMP用研磨液を前記絶縁材料と研磨パッドとの間に供給しながら、前記研磨パッドによって前記絶縁材料を研磨する、研磨方法。 - 前記基体が、上から見たときに前記凹部又は前記凸部がT字形状又は格子形状に設けられた部分を有する、請求項19に記載の研磨方法。
- 前記基体が、メモリセルを有する半導体基板である、請求項19又は20に記載の研磨方法。
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