JP7453874B2 - 基板処理方法、および基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理方法、および基板処理装置に関する。
半導体装置やフラットパネルディスプレイなどの製造工程において、基板の表面にパターンなどの凹凸が形成される場合がある。そして、基板の表面に形成された凸部の上端を除去する処理が行われる場合がある。
例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理により、凸部の上端を化学的および機械的に除去することが行われている。ところが、ＣＭＰ処理においては、研磨パッドを基板の表面に直接接触させて研磨するため、凸部の上端を除去した際に、例えば、凹部の側壁や底部などにダメージが発生するおそれがある。またさらに、研磨剤が凹部の内部に残留する場合があり、凹部の内部に残留した研磨剤により、後工程における処理が困難となる場合がある。
また、例えば、高密度のプラズマを用いたドライエッチング処理により、凸部の上端を除去することが行われている。ドライエッチング処理は、微細加工性に優れているものの、凹部の内部までエッチングが進行して、例えば、凹部の側壁や底部などにダメージが発生するおそれがある。
また、例えば、ウェットエッチング処理により、凸部の上端を化学的に除去することが行われている。ところが、ウェットエッチング処理においては、薬液が凹部の内部にも侵入するため、例えば、凹部の側壁や底部などにダメージが発生するおそれがある。
また、例えば、触媒として機能する凹凸部材を基板の表面に押し付けるとともに、薬液を基板の表面に供給して、凸部の上端を除去する技術が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。ところが、触媒として機能する凹凸部材が当たっていない部分は除去が進まないので、基板の表面に除去残りが生じるおそれがある。また、凹部の内部に侵入した薬液により、例えば、凹部の側壁や底部などにダメージが発生するおそれがある。
そこで、表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去することができ、且つ、凹部にダメージが発生するのを抑制することができる技術の開発が望まれていた。
特開２０１９－０５４２２７号公報
本発明が解決しようとする課題は、表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去することができ、且つ、凹部にダメージが発生するのを抑制することができる基板処理方法、および基板処理装置を提供することである。
実施形態に係る基板処理方法は、表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去する基板処理方法である。前記基板処理方法は、前記基板の凹凸が形成された表面に気化性防錆剤を含む第１の液を供給する工程と、前記基板の表面に供給された前記第１の液から、前記基板の表面を覆う保護層を形成する工程と、前記保護層の上に第２の液を供給する工程と、前記凸部の上端にある前記保護層を物理的に除去して、前記保護層が除去された前記凸部の上端に前記第２の液を接触させる工程と、を備えている。
本発明の実施形態によれば、表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去することができ、且つ、凹部にダメージが発生するのを抑制することができる基板処理方法、および基板処理装置が提供される。
基板を例示するための模式断面図である。 基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。 基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。 基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。 基板処理装置を例示するための模式図である。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（基板の構成）
まず、本実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置１により処理される基板１００について説明する。
図１は、基板１００を例示するための模式断面図である。
なお、以下においては、一例として、基板１００がウェハなどの半導体基板である場合を説明する。ただし、基板１００は、半導体基板に限定されるわけではなく、例えば、液晶パネルなどのフラットパネルディスプレイや、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）などの微細構造体に用いられる基板とすることができる。
図１に示すように、基板１００は、例えば、ベース１０１、第１の層１０２、第２の層１０３、および第３の層１０４を有する。
ベース１０１は、板状を呈し、シリコンなどの半導体材料を含んでいる。
第１の層１０２は、例えば、ベース１０１の一方の面の少なくとも一部の領域に設けられている。第１の層１０２は、例えば、絶縁層とすることができる。絶縁層は、例えば、ベース１０１の面を酸化したり、ベース１０１の上に酸化膜、窒化膜、酸窒化膜などを成膜したりすることで形成することができる。絶縁層は、例えば、シリコン酸化物を含むことができる。また、第１の層１０２は、例えば、絶縁層、半導体層、導電体層などが積層された積層膜とすることもできる。第１の層１０２が積層膜の場合には、凹部１０２ａの側壁に、絶縁層、半導体層、導電体層などの端部が露出している。
第１の層１０２には、少なくとも１つの凹部１０２ａが設けられている。図１に例示をした基板１００には、複数の凹部１０２ａが設けられている。凹部１０２ａは、第１の層１０２の上面に開口している。凹部１０２ａは、例えば、ホールやトレンチなどとすることができる。凹部１０２ａの深さは、例えば、４μｍ～５μｍ程度とすることができる。凹部１０２ａの開口寸法（例えば、ホール径またはトレンチ幅）は、例えば、１００ｎｍ程度とすることができる。
凹部１０２ａは、例えば、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのプラズマエッチング処理により形成することができる。プラズマエッチング処理を行う際には、第１の層１０２の上に設けられた第２の層１０３をエッチングマスクとして用いることができる。
第２の層１０３は、第１の層１０２の上に設けられている。第２の層１０３は、凹部１０２ａと連通する孔を有する。第２の層１０３は、第１の層１０２の、凹部１０２ａが開口していない部分を覆っている。すなわち、第２の層１０３は、基板１００の表面に設けられた凸部の上端とすることができる。
第２の層１０３は、例えば、メタルマスク（ハードマスク）とすることができる。メタルマスクは、例えば、第１の層１０２の上に設けられた膜をエッチング処理することで形成することができる。第２の層１０３であるメタルマスクは、例えば、金属および金属酸化物の少なくともいずれかを含む。金属は、例えば、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）の少なくともいずれかを含むことができる。金属酸化物は、これらの金属の酸化物とすることができる。
また、第２の層１０３は、例えば、表面に変質層を有するレジストマスクとすることもできる。例えば、イオン注入などの際に、レジストマスクの表面にイオンが入射すると、レジストマスクの表面が変質して変質層が形成される場合がある。変質層は、物理的耐性および化学的耐性がレジストより高いので、表面に変質層が形成されると、一般的なドライエッチング処理やウェットエッチング処理では除去が困難となる場合がある。
また、第３の層１０４が設けられる場合がある。第３の層１０４は、例えば、凹部１０２ａの底部に露出する金属配線層、半導体層などとすることができる。第３の層１０４は、例えば、タングステン、コバルト、ルテニウム、ニッケル、鉄、ハフニウム、銅、クロムの少なくともいずれかを含む金属または金属酸化物から形成することができる。この場合、第３の層１０４の材料は、第２の層１０３の材料と同じとすることもできるし、異なるものとすることもできる。
以上のように構成された基板１００には、その表面１００ａに、第１の層１０２に設けられた複数の凹部１０２ａに連通する、第２の層１０３の複数の孔が開口する。そのため、基板１００の表面１００ａには、第１の層１０２に設けられた複数の凹部１０２ａ、およびこの凹部１０２ａに連通する、第２の層１０３に設けられた複数の孔による凹凸が形成されることとなる。したがって、表面１００ａは、基板１００の凹凸の形成された表面となる。
なお、ベース１０１、第１の層１０２、凹部１０２ａ、第２の層１０３、および第３の層１０４の構成や形成方法には既知の技術を適用することができるので詳細な説明は省略する。
ここで、基板１００を微細構造体に用いる基板とする際に、第２の層１０３が不要となる場合がある。例えば、第２の層１０３が設けられていると、後工程において邪魔になったり、基板の機能が阻害されたりする場合がある。第２の層１０３を除去する場合には、一般的には、ＣＭＰ処理、ドライエッチング処理、ウェットエッチング処理などにより第２の層１０３を除去している。
ところが、第２の層１０３が、メタルマスクや表面に変質層を有するレジストマスクなどの場合には除去が困難となるので、物理的な除去条件や化学的な反応性を高める必要がある。そのため、ＣＭＰ処理、ドライエッチング処理、ウェットエッチング処理などを用いて第２の層１０３を除去すると、凹部１０２ａの側壁や底部、あるいは、第３の層１０４が、研磨剤、ラジカルやイオン、エッチング液などによりダメージを受けるおそれがある。また、研磨剤などが凹部１０２ａの内部に残留するおそれもある。
そこで、本実施の形態に係る基板処理方法においては、以下の様にして第２の層１０３を除去するようにしている。
（基板処理方法）
次に、本実施の形態に係る基板処理方法について説明する。
図２～図７は、基板処理方法を例示するための模式工程断面図である。
まず、図２に示すように、基板１００の、第２の層１０３が設けられた側の表面に、第１の液１０５を供給する。第１の液１０５は、例えば、ノズルから吐出させたり、スプレイノズルから噴霧させたりすることができる。供給された第１の液１０５により、第２の層１０３の表面が覆われる。また、凹部１０２ａの内部にも第１の液１０５が供給される。
ここで、後述する保護層１０５ａ、１０５ｂは、第１の液１０５から形成されるので、適切な厚みを有する保護層１０５ａ、１０５ｂが形成される様に、第１の液１０５の厚みを制御する。第１の液１０５の厚みは、例えば、第１の液１０５の供給量（供給時間）や粘度、基板１００の回転数などにより制御することができる。第１の液１０５の粘度は、例えば、後述する気化性防錆剤の種類、溶媒に対する気化性防錆剤の割合（濃度）などにより制御することができる。第１の液１０５の厚みは、予め実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することができる。
第１の液１０５は、基板１００の、第２の層１０３が設けられた側の表面に接触する。そのため、第１の液１０５は、ベース１０１の材料、第１の層１０２の材料、および第３の層１０４の材料と反応し難い材料を含むことが好ましい。また、後述するように、第１の液１０５から形成された保護層１０５ａ、１０５ｂは、後述する第２の液１０６から基板１００の表面を保護する機能を有する。そのため、第１の液１０５は、第２の液１０６と反応し難い材料を含むことが好ましい。また、後述するように、保護層１０５ａ、１０５ｂは、第１の液１０５を乾燥させることで形成されるため、第１の液１０５は気化しやすい液体とすることが好ましい。
第１の液１０５は、少なくとも気化性防錆剤を含むことができる。気化性防錆剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール（Benzo triazole）、トリルトリアゾール（Tolyl triazole (Methyl benzotriazole））、ジシクロヘキシルアンモニウムナイトライト（Dicyclohexyl ammonium nitrite)、ジシクロヘキシルアンモニウムサリシレート（Dicyclohexyl ammonium salicylate）、モノエタノールアミンベンゾエート（Monoethanolamine benzoate）、ジシクロヘキシルアンモニウムベンゾエート（Dicyclohexyl ammonium benzoate）、ジイソプロピルアンモニウムベンゾエート（Diisopropyl ammonium benzoate）、ジイソプロピルアンモニウムナイトライト（Diisopropyl ammonium nitrite)、シクロヘキシルアミンカーバメイト（Cyclohexylamine carbamate）、ニトロナフタレンアンモニウムナイトライト（Nitro naphthalene ammonium nitrite)、シクロヘキシルアミンベンゾエート（Cyclohexylamine benzoate）、ジシクロヘキシルアンモニウムシクロヘキサンカルボキシレート（Dicyclohexyl ammonium cyclohexanecarboxylate)、シクロヘキシルアミンシクロヘキサンカルボキシレート（Cyclohexylamine cyclohexane carboxylate）、ジシクロヘキシルアンモニウムアクリレート（Dicyclohexyl ammonium acrylate）、シクロヘキシルアミンアクリレート（Cyclohexylamine acrylate）などを例示することができる。
気化性防錆剤が液体の場合には、気化性防錆剤を第１の液１０５として用いることができる。この場合、気化性防錆剤をそのまま用いることもできるし、気化性防錆剤に溶媒を加えて希釈させることもできる。気化性防錆剤が固体の場合には、気化性防錆剤と溶媒とを混合すればよい。
溶媒は、気化性防錆剤を溶解させることができ、且つ、ベース１０１の材料、第１の層１０２の材料、および第３の層１０４の材料と反応し難いものとすることが好ましい。溶媒は、例えば、純水やアルコール類などとすることができる。例えば、第１の液１０５は、１グラムの粉末状のベンゾトリアゾールに対して、２０ミリリットルのアルコールを含む液体とすることができる。
次に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１の液１０５を乾燥させて、基板１００の、第２の層１０３が設けられた側の表面を覆う保護層１０５ａ、１０５ｂを形成する。保護層１０５ａ、１０５ｂは、固体であってもよいし、基板１００の表面から流出しない程度の粘性を有するゲル状などであってもよい。第１の液１０５の乾燥は、例えば、自然乾燥としてもよいし、ヒータなどによる加熱乾燥としてもよい。また、基板１００を回転させたり、窒素などのガスを供給したりして乾燥させるようにしてもよい。
この場合、図３（ａ）に示すように、基板１００の表面を覆う膜状の保護層１０５ａを設けることができる。例えば、基板１００を回転させることで、遠心力により第１の液１０５の一部を基板１００の外部に排出するとともに、第１の液１０５を広げて膜状の保護層１０５ａを形成することができる。膜状の保護層１０５ａとすれば、後述する保護層１０５ａの除去が容易となる。そのため、後述する洗浄工程などにおいて、残渣が凹部１０２ａの内部などに残るのを抑制することができる。
保護層１０５ａは、後述する第２の液１０６から凹部１０２ａの側壁などを保護する機能を有する。そのため、保護層１０５ａの厚みを薄くし過ぎると凹部１０２ａの側壁などにダメージが発生するおそれがある。例えば、保護層１０５ａの厚みは、第２の液１０６に対する耐性に応じて、数ｎｍ～数μｍ程度の範囲で適宜設定することができる。保護層１０５ａの厚みは、予め実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することができる。
また、図３（ｂ）に示すように、凹部１０２ａの内部が保護層１０５ｂにより埋め込まれているようにしてもよい。保護層１０５ｂは、後述する第２の液１０６から凹部１０２ａの側壁などを保護する機能を有する。そのため、凹部１０２ａの内部に保護層１０５ｂが埋め込まれていれば、凹部１０２ａの側壁などにダメージが発生するのを効果的に抑制することができる。
例えば、除去対象である第２の層１０３が、メタルマスクや表面に変質層を有するレジストマスクなどの場合には除去が困難となるので、反応性の高い第２の液１０６（例えば、フッ素を含む第２の液１０６）が用いられる。凹部１０２ａの内部に保護層１０５ｂが埋め込まれていれば、凹部１０２ａの側壁などに第２の液１０６が接触するのを効果的に抑制することができる。そのため、反応性の高い第２の液１０６を用いる場合であっても、凹部１０２ａの側壁などにダメージが発生するのを抑制することができる。
なお、本明細書において「埋め込まれる」には、凹部１０２ａの内部の全領域が保護層１０５ｂにより満たされている場合だけでなく、例えば、凹部１０２ａの内部の一部が保護層１０５ｂにより満たされ、凹部１０２ａの、保護層１０５ｂが満たされていない領域の側壁が膜状の保護層１０５ａで覆われている場合などをも含むものとする。
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、保護層１０５ａ、１０５ｂの上に第２の液１０６を供給する。第２の液１０６は、除去対象である第２の層１０３の材料と反応しやすい液体とすることができる。例えば、第２の液１０６は、過酸化水素水、フッ化水素酸（フッ酸）、水酸化カリウムの水溶液、フッ化水素酸と硝酸の混合液、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウムの水溶液、オキソ酸構造を有する酸化剤の水溶液、オゾン水などとすることができる。ただし、第２の液１０６は、例示をしたものに限定されるわけではなく、第２の層１０３の材料を溶解可能な液体であればよい。
前述したように、保護層１０５ａ、１０５ｂは、第２の液１０６と反応し難い材料を含む第１の液１０５から形成される。また、保護層１０５ａ、１０５ｂは、除去の対象である第２の層１０３を覆っている。そのため、第２の液１０６を供給するだけでは、第２の層１０３を除去することができない。
そこで、次に、第２の層１０３の上面にある保護層１０５ａ、１０５ｂを物理的に除去する。例えば、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、後述する除去部材３１を用いて、第２の層１０３の上面にある保護層１０５ａ、１０５ｂを除去することができる。除去部材３１は、例えば、毛ブラシとすることができる。例えば、毛ブラシを回転させるとともに第２の層１０３の上面にある保護層１０５ａ、１０５ｂに押し付け、押し付けた毛ブラシを基板１００の表面に沿った方向に移動させることで、第２の層１０３の上面にある保護層１０５ａ、１０５ｂを除去することができる。毛ブラシの毛の材料は、ある程度の硬さ、弾性、第２の液１０６に対する耐性を有するものであれば特に限定はない。毛の材料は、例えば、ナイロンやポリプロペレンなどとすることができる。なお、毛ブラシを回転させることなく保護層１０５ａ、１０５ｂに押し付け、押し付けた毛ブラシを基板１００の表面に沿った方向に移動させるようにしてもよい。
また、除去部材３１は、毛ブラシに限定されるわけではなく、保護層１０５ａ、１０５ｂを物理的に除去することができるものであればよい。例えば、除去部材３１は、ＰＶＡブラシなどのスポンジブラシ、多孔質材料（例えば、フッ素系樹脂）を用いたブラシなどとしてもよい。なお、除去部材３１として、１つのブラシに、毛ブラシとスポンジブラシの両方が設けられたブラシを用いることもできる。
また、除去対象である第２の層１０３が、表面に変質層を有するレジストマスクなどの場合には、除去部材３１により、変質層の少なくとも一部を除去したり、変質層に傷や孔などを形成したりすることもできる。この様にすれば、変質層の下にある除去が容易なレジストに第２の液１０６を接触させることができる。また、第２の液１０６の反応性を低くすることができるので、凹部１０２ａの側壁などにダメージが発生するのを抑制することができる。
なお、保護層１０５ａ、１０５ｂを物理的に除去した際に、除去部材３１に保護層１０５ａ、１０５ｂの材料が付着する場合がある。そのため、除去部材３１は、必要に応じて、あるいは定期的に洗浄することが好ましい。例えば、除去部材３１を溶媒で洗浄し、溶媒で洗浄した除去部材３１を純水でさらに洗浄することができる。除去部材３１を洗浄する溶媒は、例えば、後述する第３の液１０７とすることができる。
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、第２の層１０３の上面にある保護層１０５ａ、１０５ｂが除去されると、第２の液１０６と第２の層１０３とが接触する。そのため、第２の液１０６により、第２の層１０３が溶解（エッチング）される。この場合、凹部１０２ａの側壁や底部、第３の層１０４は、保護層１０５ａ、１０５ｂにより覆われているので、第２の液１０６がこれらに接触することでダメージが発生するのを抑制することができる。
なお、第２の層１０３の上面の少なくとも一部が、保護層１０５ａ、１０５ｂから露出すれば、第２の層１０３を溶解することができる。ただし、第２の層１０３の露出面積が大きくなるほど第２の層１０３の溶解が容易となる。
この場合、保護層１０５ａ、１０５ｂの除去作業の終点は、例えば、予め定められた作業時間により決定することができる。作業時間は、例えば、第２の層１０３の上面にある保護層１０５ａ、１０５ｂの材料や厚み、除去部材３１の種類、回転数、移動速度、移動回数などを考慮して適宜決定することができる。除去作業の終点は、予め実験やシミュレーションを行うことで適宜決定すればよい。
また、保護層１０５ａ、１０５ｂは、第２の液１０６に対する耐性を有しているが、第２の液１０６により僅かに溶解される場合がある。例えば、膜状の保護層１０５ａの一部が溶解して孔などが生じると、孔の内部に露出する凹部１０２ａの側壁や底部、第３の層１０４にダメージが発生するおそれがある。
本発明者の得た知見によれば、第２の液１０６に第１の液１０５の成分を添加すれば、保護層１０５ａ、１０５ｂが薄くなるのを抑制することができる。すなわち、第２の液１０６は、前述した過酸化水素水などの成分と、第１の液１０５の成分であるベンゾトリアゾールなどの気化性防錆剤を含むこともできる。保護層１０５ａ、１０５ｂの厚みが薄くなるのが抑制される仕組みは必ずしも明らかではないが、以下の様に考えることができる。第１の液１０５が第２の液１０６に添加されていれば、添加された第１の液１０５が保護層１０５ａ、１０５ｂに付着する。付着した第１の液１０５は、保護層１０５ａ、１０５ｂとなるので、保護層１０５ａ、１０５ｂの薄くなった部分が修復される。
そのため、保護層１０５ａ、１０５ｂの第２の液１０６に対する耐性、保護層１０５ａ、１０５ｂの厚みなどに応じて、第２の液１０６に第１の液１０５を添加することができる。第１の液１０５の添加は、例えば、基板１００の表面において行うことができる。この場合、第１の液１０５と第２の液１０６を同時に供給することもできるし、第１の液１０５と第２の液１０６を交互に供給することもできる。この様にすれば、供給装置の構成を簡素化することができる。
また、第１の液１０５と第２の液１０６を混合し、混合液を基板１００の表面に供給することもできる。例えば、タンクなどに収納された混合液を基板１００の表面に供給することができる。例えば、第１の液１０５と第２の液１０６を配管の内部で混合し、これを基板１００の表面に供給することができる。混合液とすれば、第１の液１０５と第２の液１０６の割合を略一定とすることができるので、基板１００の表面において、第２の液１０６の濃度に分布が生じるのを抑制することができる。
また、第２の液１０６の供給、または、第１の液１０５と第２の液１０６の混合液の供給は、第２の層１０３の除去が終了するまで連続して行うことができる。例えば、第２の液１０６または混合液は、いわゆる掛け流しとすることができる、この様にすれば、第２の層１０３の材料などが、基板１００の表面に残留するのを抑制することができる。
また、第２の液１０６の温度、または、第１の液１０５と第２の液１０６の混合液の温度を高くすれば、第２の液１０６または混合液と、第２の層１０３との反応性を高めることができるので、第２の層１０３の除去時間を短縮することができる。ただし、第２の液１０６の温度、または、混合液の温度が高くなると、第２の液１０６または混合液と、保護層１０５ａ、１０５ｂとの反応性が高くなり、保護層１０５ａ、１０５ｂの厚みが薄くなりやすくなる。そのため、第２の液１０６の温度、または、混合液の温度は、保護層１０５ａ、１０５ｂの材料や厚みなどに応じて適宜変更することができる。第２の液１０６の温度、または、混合液の温度は、予め実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することができる。例えば、第２の液１０６の温度、または、混合液の温度は、室温（例えば、２５℃程度）とすることができる。
次に、凹部１０２ａの内部にある保護層１０５ａ、１０５ｂを除去する。例えば、図６に示すように、基板１００の表面に、第３の液１０７を供給することで、保護層１０５ａ、１０５ｂを溶解させて除去する。第３の液１０７は、保護層１０５ａ、１０５ｂの溶解が可能なものであれば特に限定はない。第３の液１０７は、例えば、ＩＰＡなどのアルコール類、酢酸２-メトキシ-1-メチルエチル(PGMEA；Propylene glycol methyl ether acetate)などのグリコールエーテル類などとすることができる。
また、第３の液１０７を供給するとともに、基板１００を回転させることもできる。基板１００を回転させれば、溶解した保護層１０５ａ、１０５ｂや、反応済みの第３の液１０７を遠心力により基板１００の外部に排出することができるので、反応前の第３の液１０７が保護層１０５ａ、１０５ｂに接触しやすくなる。また、保護層１０５ａ、１０５ｂの材料などが基板１００の表面に残留するのを抑制することができる。
次に、図７に示すように、基板１００の表面に、第４の液１０８を供給して、基板１００の表面に残留する保護層１０５ａ、１０５ｂの材料や第３の液１０７を除去する。第４の液１０８は、例えば、ＤＩＷ（Deionized water）などの純水とすることができる。この場合、第４の液１０８を供給するとともに、基板１００を回転させることができる。基板１００を回転させれば、遠心力により、基板１００の表面に残留する保護層１０５ａ、１０５ｂの材料などを第４の液１０８とともに基板１００の外部に排出することができる。 なお、第４の液１０８による処理（洗浄）は必ずしも必要ではなく省くこともできる。ただし、第４の液１０８による処理を行えば、基板１００の表面がより清浄となる。
次に、基板１００を乾燥させる。例えば、基板１００を回転させて、遠心力により、基板１００の表面に残留する第３の液１０７や第４の液１０８を基板１００の外部に排出させる。また、基板１００を回転させることで、基板１００の表面に気流を接触させる。基板１００を回転させれば、乾燥に要する時間を短縮することができる。なお、基板１００の表面に空気を送るファンや、温風ヒータなどを適宜設けることもできる。
以上のようにして、第２の層１０３を除去することができる。
以上に説明した様に、本実施の形態に係る基板処理方法は、表面１００ａに凹凸が形成された基板１００において、凸部の上端を除去する基板処理方法であり、以下の工程を備えている。
基板１００の凹凸が形成された表面１００ａに第１の液１０５を供給する工程。
基板の表面１００ａに供給された第１の液１０５から、基板１００の表面１００ａを覆う保護層１０５ａ、１０５ｂを形成する工程。
保護層１０５ａ、１０５ｂの上に第２の液１０６を供給する工程。
凸部の上端（第２の層１０３）にある保護層１０５ａ、１０５ｂを物理的に除去して、保護層１０５ａ、１０５ｂが除去された凸部の上端に第２の液１０６を接触させる工程。
本実施の形態に係る基板処理方法によれば、不要となったハードマスクなどの第２の層１０３を除去する際に、凹部１０２ａの側壁や底部、あるいは、第３の層１０４を、保護層１０５ａ、１０５ｂにより保護することができる。そのため、凹部１０２ａの側壁や底部、あるいは、第３の層１０４にダメージが発生するのを抑制することができる。すなわち、本実施の形態に係る基板処理方法によれば、表面１００ａに凹凸が形成された基板１００において、凸部の上端（第２の層１０３）を除去することができ、且つ、凹部１０２ａにダメージが発生するのを抑制することができる。
（基板処理装置）
次に、本実施の形態に係る基板処理装置１について説明する。
基板処理装置１は、表面１００ａに凹凸が形成された基板１００において、凸部の上端を除去することができる。
図８は、基板処理装置１を例示するための模式図である。
図８に示すように、基板処理装置１には、載置部１０、液体供給部２０、除去部３０、およびコントローラ４０を設けることができる。
載置部１０は、基板１００を支持し、支持した基板１００を回転させる。載置部１０は、例えば、回転部１１、支持部１２、および回収部１３を有する。
回転部１１は、例えば、基台１１ａ、シャフト１１ｂ、および駆動部１１ｃを有する。基台１１ａは、板状を呈している。シャフト１１ｂは、柱状を呈し、基台１１ａの、支持部１２が設けられる側とは反対側の面に接続されている。例えば、シャフト１１ｂは基台１１ａと一体に形成することができる。駆動部１１ｃは、シャフト１１ｂを介して、基台１１ａの回転と回転の停止を行う。また、駆動部１１ｃは、基台１１ａの回転速度を制御することができる。駆動部１１ｃは、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。
支持部１２は、複数設けることができる。支持部１２は、第１の部分１２ａと第２の部分１２ｂを有する。第１の部分１２ａは、柱状を呈し、基台１１ａの、シャフト１１ｂが設けられる側とは反対側の面に設けられている。第１の部分１２ａは、基台１１ａの周縁近傍に設けられている。第２の部分１２ｂは、柱状を呈し、第１の部分１２ａの、基台１１ａ側とは反対側の端面に設けられている。第２の部分１２ｂは、第１の部分１２ａよりも細い。第１の部分１２ａと第２の部分１２ｂは、一体に形成することができる。
複数の支持部１２の上に基板１００を載置した際には、第１の部分１２ａの、第２の部分１２ｂが設けられた端面が、基板１００の裏面１００ｂ（第２の層１０３が設けられている側とは反対側の面）と接触する。また、第２の部分１２ｂの側面が基板１００の側面と接触するか、僅かな隙間を介して対峙する。第２の部分１２ｂが設けられていれば、遠心力で基板１００位置がズレるのを抑制することができる。
回収部１３は、例えば、カップ１３ａ、および移動部１３ｂを有する。
カップ１３ａは、筒状を呈している。カップ１３ａの内部には、基台１１ａ、シャフト１１ｂ、および支持部１２を設けることができる。すなわち、カップ１３ａは、基台１１ａを囲むことができる。カップ１３ａの、基台１１ａ側の端部は、開口している。カップ１３ａの、基台１１ａ側とは反対側の端部には底板を設けることができる。シャフト１１ｂは、底板に設けられた孔の内部を挿通している。シャフト１１ｂの、基台１１ａ側とは反対側の端部は、カップ１３ａの外側に設けられ、駆動部１１ｃが接続される。カップ１３ａの底板には孔を設けることができる。孔は、配管を介して回収タンクと接続することができる。基板１００の表面１００ａに供給され、遠心力により基板１００の外部に排出された第１の液１０５、第２の液１０６、第３の液１０７、および第４の液１０８は、カップ１３ａの内壁により捕捉される。カップ１３ａの開口側は、内側に向けて傾斜しているので、これらの液が、カップ１３ａの外部に飛散するのを抑制することができる。カップ１３ａの内壁により捕捉されたこれらの液体は、カップ１３ａの内部に収納され、配管を介して回収タンクに送られる。
移動部１３ｂは、回転部１１の中心軸方向におけるカップ１３ａの位置を変化させる。移動部１３ｂは、例えば、エアシリンダなどを備えたものとすることができる。例えば、支持部１２に基板１００を載置する際や、支持部１２にから基板１００を取り出す際には、図８に示すように、移動部１３ｂによりカップ１３ａの位置を下降させて、カップ１３ａの開口の近傍に支持部１２が位置するようにする。この様にすれば、基板１００の受け渡しが容易となる。一方、第１の液１０５などの液体を基板１００の表面１００ａに供給する際には、移動部１３ｂによりカップ１３ａの位置を上昇させて、カップ１３ａの内部に基板１００が位置するようにする。この様にすれば、基板１００の外部に排出された液体を捕捉するのが容易となる。
液体供給部２０は、例えば、第１の供給部２１、第２の供給部２２、第３の供給部２３、および第４の供給部２４を有する。
第１の供給部２１は、基板１００の凹凸が形成された表面１００ａに第１の液１０５を供給する。
第１の供給部２１は、例えば、ノズル２１ａ、タンク２１ｂ、ポンプ２１ｃ、制御弁２１ｄを有する。
ノズル２１ａは、筒状を呈し、開口側の端部が基板１００の表面１００ａの中央近傍に対峙している。ノズル２１ａは、第１の液１０５をそのまま吐出するものであってもよいし、第１の液１０５を霧状にして噴霧するスプレイノズルなどであってもよい。基板１００の表面１００ａの中央近傍に供給された第１の液１０５は、基板１００の回転による遠心力で、基板１００の表面１００ａに広げられる。
タンク２１ｂは、第１の液１０５を収納する。
ポンプ２１ｃは、ノズル２１ａとタンク２１ｂの間に設けられ、タンク２１ｂに収納されている第１の液１０５をノズル２１ａに供給する。
制御弁２１ｄは、ポンプ２１ｃとノズル２１ａの間に設けられ、第１の液１０５の供給と供給の停止とを切り替える。また、制御弁２１ｄは、第１の液１０５の流量や圧力などをさらに制御するようにしてもよい。
第２の供給部２２は、基板１００の表面１００ａに供給された第１の液１０５から形成され、基板１００の表面１００ａを覆う保護層１０５ａ、１０５ｂの上に第２の液１０６を供給する。
第１の供給部２２は、例えば、ノズル２１ａ、タンク２２ｂ、ポンプ２２ｃ、制御弁２２ｄを有する。なお、第１の液１０５の供給に用いるノズル２１ａを、第２の液１０６の供給にも用いる場合を例示したが、第２の液１０６の供給のみに用いるノズルを別途設けるようにしてもよい。基板１００の表面１００ａの中央近傍に供給された第２の液１０６は、基板１００の回転による遠心力で、基板１００の表面１００ａに広げられる。
タンク２２ｂは、第２の液１０６を収納する。
ポンプ２２ｃは、ノズル２１ａとタンク２２ｂの間に設けられ、タンク２２ｂに収納されている第２の液１０６をノズル２１ａに供給する。
制御弁２２ｄは、ポンプ２２ｃとノズル２１ａの間に設けられ、第２の液１０６の供給と供給の停止とを切り替える。また、制御弁２２ｄは、第２の液１０６の流量や圧力などをさらに制御するようししてもよい。
第３の供給部２３は、第３の液１０７を基板１００の表面１００ａに供給する。第３の供給部２３は、例えば、ノズル２３ａ、タンク２３ｂ、ポンプ２３ｃ、制御弁２３ｄを有する。
ノズル２３ａは、筒状を呈し、開口側の端部が基板１００の表面１００ａの中央近傍に対峙している。ノズル２３ａは、第３の液１０７をそのまま吐出するものであってもよいし、第３の液１０７を霧状にして噴霧するスプレイノズルなどであってもよい。基板１００の表面１００ａの中央近傍に供給された第３の液１０７は、基板１００の回転による遠心力で、基板１００の表面１００ａに広げられる。
タンク２３ｂは、第３の液１０７を収納する。
ポンプ２３ｃは、ノズル２３ａとタンク２３ｂの間に設けられ、タンク２３ｂに収納されている第３の液１０７をノズル２３ａに供給する。
制御弁２３ｄは、ポンプ２３ｃとノズル２３ａの間に設けられ、第３の液１０７の供給と供給の停止とを切り替える。また、制御弁２３ｄは、第３の液１０７の流量や圧力などをさらに制御するようにしてもよい。
第４の供給部２４は、第４の液１０８を基板１００の表面１００ａに供給する。第４の供給部２４は、例えば、ノズル２４ａ、タンク２４ｂ、ポンプ２４ｃ、制御弁２４ｄを有する。
ノズル２４ａは、筒状を呈し、開口側の端部が基板１００の表面１００ａの中央近傍に対峙している。ノズル２４ａは、第４の液１０８をそのまま吐出するものであってもよいし、第４の液１０８を霧状にして噴霧するスプレイノズルなどであってもよい。基板１００の表面１００ａの中央近傍に供給された第４の液１０８は、基板１００の回転による遠心力で、基板１００の表面１００ａに広げられる。
タンク２４ｂは、第４の液１０８を収納する。
ポンプ２４ｃは、ノズル２４ａとタンク２４ｂの間に設けられ、タンク２４ｂに収納されている第４の液１０８をノズル２４ａに供給する。
制御弁２４ｄは、ポンプ２４ｃとノズル２４ａの間に設けられ、第４の液１０８の供給と供給の停止とを切り替える。また、制御弁２４ｄは、第４の液１０８の流量や圧力などをさらに制御するようにしてもよい。
なお、ノズル２１ａ、２３ａ、２４ａは、兼用することもできる。例えば、第１の液１０５、第２の液１０６、第３の液１０７、および第４の液１０８の供給を切り替えて、これらの液が、１つのノズルから順次供給されるようにしてもよい。
また、ノズル２１ａ、２３ａ、２４ａを旋回アーム２５などに取り付けて、ノズル２１ａ、２３ａ、２４ａの位置を変化させるようにしてもよい。例えば、第１の液１０５～第４の液１０８を基板１００の表面１００ａに供給する際には、旋回アーム２５は、ノズル２１ａ、２３ａ、２４ａが、基板１００の表面１００ａの中央領域の上方に位置するようにすることができる。支持部１２への基板１００の受け渡しを行う際には、旋回アーム２５は、カップ１３ａの外側にノズル２１ａ、２３ａ、２４ａを退避させることができる。旋回アーム２５は、例えば、エアシリンダや、サーボモータなどの制御モータなどにより駆動することができる。
除去部３０は、凸部の上端（第２の層１０３）にある保護層１０５ａ、１０５ｂを物理的に除去して、保護層１０５ａ、１０５ｂが除去された凸部の上端（第２の層１０３）に第２の液１０６を接触させる。
除去部３０は、例えば、除去部材３１、駆動部３２、洗浄部３３、および洗浄部３４を有する。
除去部材３１は、凸部の上端（第２の層１０３）にある保護層１００ａと接触することができる。前述したように、除去部材３１は、例えば、毛ブラシなどとすることができる。なお、除去部材３１は、前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
駆動部３２は、除去部材３１の回転、および、除去部材３１の移動の少なくともいずれかを実行することができる。駆動部３２は、例えば、除去部材３１を回転させる。また、駆動部３２は、例えば、除去部材３１を基板１００の表面１００ａに垂直な方向に移動させる。また、駆動部３２は、例えば、基板１００の表面１００ａに沿った方向に移動除去部材３１を移動させる。例えば、駆動部３２は、毛ブラシを凸部の上端（第２の層１０３）にある保護層１００ａに押し付けるとともに、毛ブラシを基板１００の表面１００ａに沿った方向に移動させることができる。この場合、駆動部３２は、毛ブラシをさらに回転させることもできる。駆動部３２は、例えば、サーボモータなどの制御モータ、エアシリンダ、ガイド機構などを備えたものとすることができる。
洗浄部３３は、例えば、タンク３３ａ、および洗浄液３３ｂを有する。
タンク３３ａは、例えば、上端が開口したものとすることができる。洗浄液３３ｂは、タンク３３ａに収納されている。
洗浄液３３ｂは、除去部材３１に付着した保護層１０５ａ、１０５ｂの材料などを溶解可能な溶媒とすることができる。洗浄液３３ｂは、例えば、第３の液１０７とすることができる。
タンク３３ａの上端は開口しているので、駆動部３２は、除去部材３１を、基板１００の表面１００ａの上から洗浄液３３ｂの内部に移動させることができる。この様にすれば、洗浄液３３ｂにより除去部材３１を洗浄することができる。また、駆動部３２は、洗浄液３３ｂに浸漬させた除去部材３１を回転させたり、回転数を変化させたり、回転方向を交互に反転させたりすることができる。この様にすれば、除去部材３１の洗浄効果を向上させることができる。
洗浄部３４は、例えば、タンク３４ａ、および洗浄液３４ｂを有する。
タンク３４ａは、例えば、上端が開口したものとすることができる。洗浄液３４ｂは、タンク３４ａに収納されている。
洗浄液３４ｂは、例えば、純水などとすることができる。洗浄液３４ｂは、例えば、第４の液１０８としてもよい。
タンク３４ａの上端は開口しているので、駆動部３２は、除去部材３１を、基板１００の表面１００ａの上から洗浄液３４ｂの内部に移動させることができる。この様にすれば、洗浄液３４ｂにより除去部材３１を洗浄することができる。また、駆動部３２は、洗浄液３４ｂに浸漬させた除去部材３１を回転させたり、回転数を変化させたり、回転方向を交互に反転させたりすることができる。この様にすれば、除去部材３１の洗浄効果を向上させることができる。
なお、除去部材３１に付着している材料、液の成分、付着量などによっては、洗浄液３３ｂおよび洗浄液３４ｂのいずれかにより洗浄すれば良い場合もある。そのため、洗浄部３３および洗浄部３４の少なくともいずれかが設けられるようにしてもよい。
すなわち、基板処理装置１は、洗浄液３３ｂ、３４ｂを収納するタンク３３ａ、３４ａをさらに備えることができる。駆動部３２は、除去部材３１をタンク３３ａ、３４ａの内部に移動させて、除去部材３１を洗浄液３３ｂ、３４ｂに浸漬させることができる。
コントローラ４０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを有することができる。コントローラ４０は、例えば、コンピュータなどとすることができる。コントローラ４０は、例えば、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、基板処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。
コントローラ４０は、例えば、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、前述した基板処理方法を実行することができる。
例えば、コントローラ４０は、駆動部１１ｃを制御して基板１００を回転させ、第１の供給部２１（ポンプ２１ｃ、制御弁２１ｄ）を制御して、基板１００の凹凸が形成された表面１００ａに第１の液１０５を供給する。
例えば、コントローラ４０は、第１の液１０５の供給後、駆動部１１ｃを制御して基板１００を回転させ、第１の液１０５を乾燥させることで、基板１００の表面１００ａを覆う保護層１０５ａ、１０５ｂを形成する。
例えば、コントローラ４０は、第２の供給部２２（ポンプ２２ｃ、制御弁２２ｄ）を制御して、基板１００の表面１００ａに供給された第１の液１０５から形成され、基板１００の表面１００ａを覆う保護層１０５ａ、１０５ｂの上に第２の液１０６を供給する。
この場合、コントローラ４０は、第１の供給部２１（ポンプ２１ｃ、制御弁２１ｄ）と、第２の供給部２２（ポンプ２２ｃ、制御弁２２ｄ）を制御して、第１の液１０５と第２の液１０６を、保護層１０５ａ、１０５ｂが形成された基板１００の表面１００ａに供給することもできる。この際、配管やノズルの内部で第１の液１０５と第２の液１０６を混合し、混合液を基板１００の表面１００ａに供給することができる。また、第１の液１０５と第２の液１０６を基板１００の表面１００ａに交互に供給し、基板１００の表面１００ａで混合液を生成することもできる。なお、混合液をタンク２２ｂに収納し、第２の液１０６に代えて混合液を供給することもできる。
例えば、コントローラ４０は、除去部３０（駆動部３２）を制御して、凸部の上端（第２の層１０３）にある保護層１０５ａ、１０５ｂを物理的に除去して、保護層１０５ａが除去された凸部の上端（第２の層１０３）に第２の液１０６を接触とさせる。第２の液１０６と第２の層１０３とが接触すると、第２の液１０６により、第２の層１０３が溶解（エッチング）される。
例えば、コントローラ４０は、第３の供給部２３（ポンプ２３ｃ、制御弁２３ｄ）を制御して、第３の液１０７を、第２の層１０３が除去された基板１００の表面１００ａに供給する。第３の液１０７により、凹部１０２ａの内部にある保護層１０５ａ、１０５ｂが除去される。コントローラ４０は、駆動部１１ｃを制御して基板１００を回転させ、溶解した保護層１０５ａ、１０５ｂや、反応済みの第３の液１０７を遠心力により基板１００の外部に排出させることができる。
例えば、コントローラ４０は、第４の供給部２４（ポンプ２４ｃ、制御弁２４ｄ）を制御して、第４の液１０８を、第３の液１０７により処理された基板１００の表面１００ａに供給する。第４の液１０８により、基板１００の表面１００ａが洗浄される。この場合、コントローラ４０は、駆動部１１ｃを制御して基板１００を回転させ、第４の液１０８を遠心力により基板１００の外部に排出させることができる。
例えば、コントローラ４０は、駆動部１１ｃを制御して基板１００を回転させ、第４の液１０８により洗浄された基板１００の表面１００ａを乾燥させる。
例えば、コントローラ４０は、除去部３０（駆動部３２）を制御して、除去部材３１を洗浄液３３ｂ、３４ｂに浸漬させることができる。除去部材３１を洗浄液３３ｂ、３４ｂに浸漬させることで、除去部材３１に付着した保護層１０５ａ、１０５ｂの材料などを除去することができる。この際、コントローラ４０は、除去部３０（駆動部３２）を制御して、洗浄液３３ｂ、３４ｂに浸漬させた除去部材３１を回転させたり、回転数を変化させたり、回転方向を交互に反転させたりすることができる。この様にすれば、除去部材３１の洗浄効果を向上させることができる。
また、コントローラ４０は、第１の供給部２１、第２の供給部２２、第３の供給部２３、および第４の供給部２４を制御して、第１の液１０５、第２の液１０６、第３の液１０７、および第３の液１０８を、基板１００の表面１００ａに供給する。この際、コントローラ４０は、駆動部１１ｃを制御して、それぞれの液（第１の液１０５、第２の液１０６、第３の液１０７、および第３の液１０８）に応じた回転速度で基板１００を回転させることができる。基板１００の回転は、当該液の供給が停止されてから次の液の供給が開始されるまでの間に、次に供給される液に応じた回転速度に切り替えるようにしても良い。また、基板１００の回転は、供給する液を変えるときに停止させても良い。また、基板１００の回転速度は、一つの供給部から液が供給されている間、一定に維持しても良いし、回転速度を切替えるようにしても良い。もちろん、必ずしも回転させる必要はなく、基板１００を回転させることなく、液だけを供給することもできる。
なお、基板１００の処理手順、使用する液、作用効果などは、前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。
以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったもの、または、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
１ 基板処理装置、１０ 載置部、２０ 液体供給部、２１ 第１の供給部、２２ 第２の供給部、２３ 第３の供給部、２４ 第４の供給部、３０ 除去部、３１ 除去部材、３２ 駆動部、３３ 洗浄部、３４ 洗浄部、４０ コントローラ、１００ 基板、１００ａ 表面、１０２ 第１の層、１０２ａ 凹部、１０３ 第２の層、１０５ 第１の液、１０５ａ 保護層、１０５ｂ 保護層、１０６ 第２の液、１０７ 第３の液、１０８ 第４の液

Claims (10)

  1. 表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去する基板処理方法であって、
    前記基板の凹凸が形成された表面に気化性防錆剤を含む第１の液を供給する工程と、
    前記基板の表面に供給された前記第１の液から、前記基板の表面を覆う保護層を形成する工程と、
    前記保護層の上に第２の液を供給する工程と、
    前記凸部の上端にある前記保護層を物理的に除去して、前記保護層が除去された前記凸部の上端に前記第２の液を接触させる工程と、
    を備えた基板処理方法。
  2. 前記凸部の上端は、金属および金属酸化物の少なくともいずれかを含む層であり、
    前記金属は、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、銅（Ｃｕ）、およびクロム（Ｃｒ）の少なくともいずれかを含み、
    前記金属酸化物は、前記金属の酸化物である請求項１記載の基板処理方法。
  3. 前記第２の液は、過酸化水素水、フッ化水素酸、水酸化カリウムの水溶液、フッ化水素酸と硝酸の混合液、次亜塩素酸テトラメチルアンモニウムの水溶液、オキソ酸構造を有する酸化剤の水溶液、およびオゾン水の少なくともいずれかを含む請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記第２の液は、気化性防錆剤をさらに含む請求項３記載の基板処理方法。
  5. 表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去する基板処理装置であって、
    前記基板の凹凸が形成された表面に気化性防錆剤を含む第１の液を供給可能な第１の供給部と、
    前記基板の表面に供給された前記第１の液から形成され、前記基板の表面を覆う保護層の上に第２の液を供給可能な第２の供給部と、
    前記凸部の上端にある前記保護層を物理的に除去して、前記保護層が除去された前記凸部の上端に前記第２の液を接触可能とさせる除去部と、
    を備えた基板処理装置。
  6. 前記除去部は、
    前記凸部の上端にある前記保護層と接触可能な除去部材と、
    前記除去部材の回転、および、前記除去部材の移動の少なくともいずれかを実行可能な駆動部と、
    備えた請求項５記載の基板処理装置。
  7. 前記除去部材は、毛ブラシであり、
    前記駆動部は、前記毛ブラシを前記凸部の上端にある前記保護層に押し付けるとともに、前記毛ブラシを前記基板の表面に沿った方向に移動可能な請求項６記載の基板処理装置。
  8. 洗浄液を収納可能なタンクをさらに備え、
    前記駆動部は、前記除去部材を前記タンクの内部に移動させて、前記除去部材を前記洗浄液に浸漬可能な請求項６または７に記載の基板処理装置。
  9. 表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去する基板処理装置であって、
    前記基板の凹凸が形成された表面に第１の液を供給可能な第１の供給部と、
    前記基板の表面に供給された前記第１の液から形成され、前記基板の表面を覆う保護層の上に第２の液を供給可能な第２の供給部と、
    前記凸部の上端にある前記保護層を物理的に除去して、前記保護層が除去された前記凸部の上端に前記第２の液を接触可能とさせる除去部と、
    を備え、
    前記除去部は、
    前記凸部の上端にある前記保護層と接触可能な除去部材と、
    前記除去部材の回転、および、前記除去部材の移動の少なくともいずれかを実行可能な駆動部と、
    を有し、
    前記除去部材は、毛ブラシであり、
    前記駆動部は、前記毛ブラシを前記凸部の上端にある前記保護層に押し付けるとともに、前記毛ブラシを前記基板の表面に沿った方向に移動可能とする基板処理装置。
  10. 表面に凹凸が形成された基板において、凸部の上端を除去する基板処理装置であって、
    前記基板の凹凸が形成された表面に第１の液を供給可能な第１の供給部と、
    前記基板の表面に供給された前記第１の液から形成され、前記基板の表面を覆う保護層の上に第２の液を供給可能な第２の供給部と、
    前記凸部の上端にある前記保護層を物理的に除去して、前記保護層が除去された前記凸部の上端に前記第２の液を接触可能とさせる除去部と、
    洗浄液を収納可能なタンクと、
    を備え、
    前記除去部は、
    前記凸部の上端にある前記保護層と接触可能な除去部材と、
    前記除去部材の回転、および、前記除去部材の移動の少なくともいずれかを実行可能な駆動部と、
    を有し、
    前記駆動部は、前記除去部材を前記タンクの内部に移動させて、前記除去部材を前記洗浄液に浸漬可能とする基板処理装置。
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