KR950015422A - 인덕턴스 가변소자 - Google Patents

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Abstract

반도체장치등에 조립되거나 또는 단독으로 사용되는 소정의 인덕턴스를 갖는 인덕턴스 가변소자에 관한 것으로써, 제조가 단순하고, 집적회로등의 반도체부품과 일체적으로 형성할 수 있게 하기 위해, 반도체기판(42)의 표면의 절연층(40)상에 형성된 소정의 형상의 인덕터도체(10), 이 인덕터도체(10)을 부분적으로 단락하기 위한 스위치(16), (24) 및 인덕터도체(10)의 양끝의 입출력 단자(12), (14)를 포함해서 구성되어 있고, 스위치(16), (24)의 어느 하나 또는 양쪽을 온상태로 하면 소정의 형상의 인덕터도체(10) 전체로 구성하는 인덕터보다도 인덕턴스가 작은 인덕터로써 가능한다. 이러한 인덕턴스 가변소자를 이용하는 것에 의해, 외부로 부터의 제어에 의해 인덕턴스를 변경할 수 있어 제조가 단순하고, 집적회로 등의 반도체부품과 일체적으로 형성할 수도 있다.

Description

인덕턴스 가변소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 적용한 제1 실시예의 인덕턴스 가변소자의 평면도,
제2도는 제1도의 인덕턴스 가변소자의 부분적인 확대도,
제3도는 제2도의 B-B선에 있어서의 단면도,
제4도는 사행형상의 인덕터의 원리를 도시한 도면.

Claims (19)

  1. 소정의 형상을 갖는 1개 또는 여러개의 인덕터도체 및 상기 인덕터도체를 분리 또는 접속하는 1개 또는 여러개의 스위치를 구비하고, 상기 인덕터도체를 단독으로 또는 조합해서 사용하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인덕터도체가 나선형상을 갖는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 인덕터도체가 사행형상을 갖는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  4. 제1항에 있어서, 단독 또는 조합한 상기 인덕터도체의 양끝 근방에 마련된 2개의 입출력단자를 또 포함하고, 상기 스위치를 전환하는 것에 의해, 상기 2개의 입출력단자사이에 존재하는 단독 또는 조합한 상기 인덕터도체의 길이를 전환해서 상기 2개의 입출력단자사이의 인덕턴스를 변경하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  5. 제2항에 있어서, 단독 또는 조합한 상기 인덕터도체의 양끝 근방에 마련된 2개의 입출력단자를 또 포함하고, 상기 스위치를 전환하는 것에 의해, 상기 2개의 입출력단자사이에 존재하는 단독 또는 조합한 상기 인덕터도체의 길이를 전환해서 상기 2개의 입출력단자사이의 인덕턴스를 변경하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  6. 제3항에 있어서, 단독 또는 조합한 상기 인덕터도체의 양끝 근방에 마련된 2개의 입출력단자를 또 포함하고, 상기 스위치를 전환하는 것에 의해, 상기 2개의 입출력단자사이에 존재하는 단독 또는 조합한 상기 인덕터도체의 길이를 전환해서 상기 2개의 입출력단자사이의 인덕턴스를 변경하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 스위치는 상기 스위치의 전환상태에 의해서 상기 인덕터도체가 만들 수 있는 불필요한 폐루프를 전달하는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  8. 제2항에 있어서, 상기 스위치는 상기 스위치의 전환상태에 의해서 상기 인덕터도체가 만들 수 있는 불필요한 폐루프를 전달하는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  9. 제3항에 있어서, 상기 스위치는 상기 스위치의 전환상태에 의해서 상기 인덕터도체가 만들 수 있는 불필요한 폐루프를 전달하는 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  10. 제1항 ~ 제9항중 어느 한항에 있어서, 상기 인덕터도체는 반도체기판상에 형성되어 있고, 상기 반도체기판 상에 상기 인덕터도체와 상기 스위치가 일체적으로 형성된 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 스위치는 상기 반도체기판의 일부에 형성되어 있고, 소오스 및 드레인으로써 기능하는 2개의 확산영역의 각각이 상기 인덕터도체의 다른 일부에 접속된 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  12. 제10항에 있어서, 상기 스위치는 n채널 트랜지스터와 p채널 트랜지스터를 병렬로 접속한 트랜스미션 게이트이고, 상기 n채널 트랜지스터와 p채널 트랜지터의 각각은 상기 반도체기판의 일부에 형성되어 있고, 소오스 및 드레인으로써 기능하는 2개의 확산영역의 각각이 상기 인덕터도체의 다른 일부에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  13. 제11항에 있어서, 상기 스위치의 상기 확산영역 및 채널을 상기 인덕터도체를 따라서 길게 연장한 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  14. 제12항에 있어서, 상기 스위치의 상기 확산영역 및 채널을 상기 인덕터도체를 따라서 길게 연장한 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  15. 제10항에 있어서, 상기 반도체기판상에 상기 스위치와 상기 인덕터도체를 형성한후에 상기 반도체기판의 전체표면에 절연막을 형성하고, 이 절연막의 일부를 에칭 또는 레이저광조사에 의해서 제거해서 구멍을 뚫고, 그 구멍을 땜납으로 표면이 솟아오를 정도로 봉하는 것에 의해 단자부착을 실행하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  16. 제11항에 있어서, 상기 반도체기판상에 상기 스위치와 상기 인덕터도체를 형성한후에 상기 반도체기판의 전체표면에 절연막을 형성하고, 이 절연막의 일부를 에칭 또는 레이저광조사에 의해서 제거해서 구멍을 뚫고, 그 구멍을 땜납으로 표면이 솟아오를 정도로 봉하는 것에 의해 단자부착을 실행하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  17. 제12항에 있어서, 상기 반도체기판상에 상기 스위치와 상기 인덕터도체를 형성한후에 상기 반도체기판의 전체표면에 절연막을 형성하고, 그 절연막의 일부를 에칭 또는 레이저광조사에 의해서 제거해서 구멍을 뚫고, 그 구멍을 땜납으로 표면이 솟아오를 정도로 봉하는 것에 의해 단자부착을 실행하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  18. 제13항에 있어서. 상기 반도체기판상에 상기 스위치와 상기 인덕터도체를 형성한후에 상기 반도체기판의 전체표면에 절연막을 형성하고, 이 절연막의 일부를 에칭 또는 레이저광조사에 의해서 제거해서 구멍을 뚫고, 그 구멍을 땜납으로 표면이 솟아오를 정도로 봉하는 것에 의해 단자부착을 실행하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스 가변소자.
  19. 제14항에 있어서, 상기 반도체기판상에 상기 스위치와 상기 인덕터도체를 형성한후에 상기 반도체기판의 전체표면에 절연막을 형성하고, 이 절연막의 일부를 에칭 또는 레이저광조사에 의해서 제거해서 구멍을 뚫고, 그 구멍을 땜납으로 표면이 솟아오를 정도로 봉하는 것에 의해 단자부착을 실행하는 것을 특징으로 하는 인덕턴스가변소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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