KR19980018815A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents
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Abstract
출력트랜지스터로서 MOS트랜지스터를 사용하는 반도체 집적회로장치에 있어서, 그 게이트(gate)전극의 분포정수적(分布定數的)인 배선저항을 용이하게 저감할 수 있는 구조로 하므로서 그 스위칭속도 및 전달효율을 높이도록 하여, 반도체 집적회로장치의 손실을 저감시켜 이 반도체장치를 사용한 기기의 동작가능시간을 용이하게 연장시킬 수 있도록 한다.
그 해결수단으로서, 대(大)전류를 출력하기 위한 트랜지스터로서 MOS형 트랜지스터 T1을 사용하는 반도체 집적회로장치에 있어서, 트랜지스터 T1의 소스(Source)및 드레인(drain)은, 각각의 주위가 게이트전극(2)으로 둘러싸인 복수개의 소스영역(la) 및 트레인영역(lb)을 각각 병렬로 접속하여 형성시킨다.
Description
본 발명은 반도체 집적회로장치에 관한 것이며, 구체적으로는 그 출력회로로서 사용되는 트랜지스터의 구성에 관한 것이다.
전지를 전원으로하는 휴대용기기의 구동회로등이나 스위칭전원의 스위치회로등에서는, 반도체 집적회로장치의 소비전류를 저감하여 기기의 동작가능시간을 조금이라도 길게하기 위해서, 출력등에 대전류가 흐르는 트랜지스터에 도 2의 회로도로 나타내는 바와같은 MOS형 트랜지스터(이하, 「 MOS트랜지스터 」 로 약기함)를 사용하는 것이 많았다.
즉, MOS트랜지스터는 전압의 제어로 동작하며 바이폴러(bipolar)형 트랜지스터처럼 베이스전류를 흘릴 필요가 없기 때문에, 적어도 베이스전류로서 소비되는 전력부분은 기기의 동작시간을 연장할 수가 있게 된다.
특히, 구동하는 전류가 큰 출력용의 트랜지스터의 경우는 베이스전류로 인한 손실도 무시할 수 없는 경우가 많았다.
도 2에 도시하는 출력회로는 제1의 전원전압 VDDI과 기준전위 GND 사이에 직열로 접속된 N형의 MOS트랜지스터 T1 및 T2와, MOS트랜지스터 T1의 게이트(gate)에 배선 S1을 통해서 드레인(drain)이 접속된 P형의 MOS트랜지스터 T3 및 N형의 MOS트랜지스터 T4로 구성되어 있다.
그리고, MOS트랜지스터 T3의 소스(Source)는 제1의 전원전압 VDD1보다 전압스위치가 높은 제2의 전원전압 VDD2에 접속됨과 동시에 MOS트랜지스터 T4의 소스는 기준전위 GND에 접속되며, MOS트랜지스터 T2, T3 및 T4의 게이트는 도시하지 않은 다른 회로로부터의 제어신호가 접속되며, MOS트랜지스터 T1 및 T2의 접속점은 출력단자 OUT에 접속된 구성으로 되어 있다.
또, MOS트랜지스터 T3의 N형 반도체기판 (이하,「 서브스트레이트 」 라고도 함)은 VDD2에 접속되며, MOS트랜지스터 T2 및 T4의 P형 웰(Well)은 GND에 접속되며, MOS트랜지스터 T1의 P형 웰은 OUT와 동일한 전위로 접속되어 있다.
또한, 각 MOS트랜지스터 내의 저항 R1∼R4는 각 MOS트랜지스터의 도통(ON)때의 ON저항을 나타내며, 저항 R5는 MOS트랜지스터 T1의 게이트의 저항을 나타내고 있다.
MOS트랜지스터 T1 이외의 MOS트랜지스터의 게이트의 저항은 그 구동능력이 비교적 작고, 게이트의 저항에 의한 영향이 작기 때문에 생략하고 있다.
도 2에 도시하는 바와같은 출력회로의 MOS트랜지스터 T1의 종래구조에 대하여 도 3의 레이아웃(layout)도면을 이용하여 설명한다.
도 3의 MOS트랜지스터 Tl' 는, 반도체기판중에 N형의 불순물을 도입하는 것으로 형성된 소스영역(1a)및 드레인영역(1b)이 되는 확산영역과, 소스영역(1a) 및 드레인영역(1b)사이의 상방에 복수개가 평행으로 형성된 폴리실리콘 등으로 된 게이트(2)와, 소스영역(1a)및 드레인영역(1b)를 각각 복수로 접속하여 하나의 소스전극 및 드레인전극으로함과 동시에 다른 회로나 출력단자에 접속하기 위한 알루미늄 등으로 된 금속배선층(3a) 및 (3b)와 각 확산영역과 금속배선층을 전기적으로 접속하기 위한 접속구멍(이하,「 콘택트 」라고도함)(4)으로 구성되어 있는 모양을 나타내고 있다.
또한, 각 제조공정은 일반적인 MOS프로세스에 의해서 형성하면 되는 것이므로 제조방법의 상세한 설명은 생략한다.
그러나, 종래의 MOS트랜지스터로 구동능력을 크게할 때의 구조는, 도 3에 나타내는바와같이, 단위 채널폭(W')가 채널길이(D의 수십배 내지 수백배나 되는 MOS트랜지스터를 병열로 복수접속하여 하나의 MOS트랜지스터 T1'로 하도록 되어 있기 때문에 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 게이트(2)가 되는 폴리실리콘의 단위면적당 저항치(비저항 : 比抵抗)는 일반적으로 수십Ω이나 있으면서도 확산영역의 바깥측에서 금슥배선충(3c)으로 접속될 뿐이므로, 폴리실리콘보다 비저항치가 낮은 금속배선층(3c)으로부터 떨어진 위치의 게이트(2)는 그 분포정수적(分布定數的)인 저항및 기생용량과 MOS트랜지스터 T3및 T4의 ON저항 R3멎 R4의 영향등으로 인해서 신호의 전달이 늦어지고, MOS트랜지스터 T1' 의 도통과 차단의 전원속도 (이하,「 스위칭속도 」라고함)가 늦어버리기 때문에, 스위칭속도를 그다지 빠르게 할 수 없었다.
또, 스위칭속도가 늦으면 스위칭시에 전원선 사이에 관통전류가 흘러서 손실이 크게 되기 때문에 전달효율을 높여서 기기의 동작가눙시간을 더욱 늘리는 것이 어려웠다.
그래서, 본 발명은 출력트랜지스터로서 MOS트랜지스터를 사용하는 반도체 집적회로에 있어서, 그 게이트분포정수적인 배선저항을 용이하게 저감할 수 있는 구조로 하므로서 그 스위칭속도 및 전달효율을 높이도록 하여 반도체 집적회로장치의 손실을 저감하여 이 반도체장치를 사용하는 기기의 동작가능시간을 쉽게 연장시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 반도체 집적회로장치의 MOS트랜지스터의 구조를 나타내는 설명도.
도 2는 MOS트랜지스터를 사용한 출력회로의 예를 나타낸 회로도.
도 3은 종래의 MOS트랜지스터의 래이아웃(layout)의 예를 나타내는 설명도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1a : 확산영역(소스영역), 1b : 확산영역(드레인영역), 1c : 확산영역(budding Contact), 2 : 게이트(폴리실리콘층), 3a∼3c : 금속배선층(알루미늄층), 4 : 접속구멍(콘택트), 5 : 반도체기판(서브스트레이트), 6 : 웰(P we11), 7 : 절연체 (LOCOS), 8 : 보호막
상기의 문제점을 해결하고 목적과제를 달성하기 위하여, 청구항 1에 기재한 반도체 집적회로장치는, 대전류를 출력하기 위한 트랜지스터로서 MOS형 트랜지스터 T1을 사용하는 반도체집적회로 장치에 있어서, 트랜지스터 T1의 소스 및 드레인은 주위에 게이트(2)로 둘러싸인 복수개의 소스영역(la)및 드레인영역(lb)가 각각 병열로 접속되어 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또, 청구항 2에 기재한 반도체 집적회로장치는, 청구항 1에 기재한 반도체 집적회로장치에 있어서, 각 소스영역(1a)또는 드레인영역(1b)의 주변에 3개이상의 드레인영역(1b)또는 소스영역(1a)가 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재한 반도체 집적회로장치는, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재한 반도체 집적회로에 있어서, 트랜지스터 T1의 각 소스영역(la)에는 반도체기판 중에 형성된 웰영역(6)을 소정의 전위로 접속하기 위한 확산영역(1C)가 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명과 같이 구성하므로서, 청구항 1및 청구항 2에 기재한 반도체 집적회로장치는 폴리실리콘층에 비해서 저저항의 금속배선층과의 접속에서 격리된 위치의 게이트의 분포정수적저항을 용이하게 저감하게 할 수 있다.
또, 청구항 3에 기재한 반도체 집적회로장치는 반도체기판 또는 반도체기판 중에 형성된 웰영역의 분포정수적저항을 용이하게 저감하여 전위를 안정시킬 수가 있게 된다.
[실시예]
이하에 본 발명의 실시형태를 도 1을 삼조하여 상세히 설명한다.
또한, 본 명세서에서는 전도면을 통하여 동일하거나, 동일한 부위에는 동일한 부호를 붙여서 설명을 간략화하도록 하고 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 집적회로장치에 사용되는 출력용 N형 MOS트랜지스터 T1의 구조를 나타내는 것이며, 도 1(a)는 그 요부상면도, 도 1(b)는 도 1(a)의 Y1-Y2를 따른 단면도, 도 1(C)는 도 1(a)의 Y3-Y4를 따른 단면도를 도시하고 있다.
또, 알기 쉽게 하기 위해서 각 도면의 동일한 주요부에는 같은 사선을 표시함과 동시에 단면도에서의 각층의 두께는 모식적으로 표현하고 있다.
도 1(a)의 상면에서 본 레이아웃도를 나타내는 출력용 MOS트랜지터 T1은 격자형으로 배치된 폴리실리콘등에 의한 게이트(2)와, 주위를 게이트(2)로 둘러싸인 영역에 N형의 불순물이 열확산 또는 이온주입되어 형성된 복수개, 가령 수백내지 수천개의 소스영역(1a)및 드레인영역(1b)와, 소스영역(la)상에 병행으로 형성되어서 복수의 소스영역(la)를 병열접속하여 하나의 소스전극으로 하기 위한 알루미늄등으로 된 금속배선층(3a)와, 드레인영역(lb)상에 형성되어서 복수의 드레인영역(1b)를 병열접속하여 하나의 드레인전극으로 하기 위한 금속배선층(3b)와, 게이트(2)의 단말부를 접속하여 그 분포정수적인 저항치를 저감하기 의한 금속배선층(3c)와, 각 확산영역과 각 금속배선층을 전기적으로 접속하기 의한 접속구멍 (이하,「콘택트」라고도 함)(4)로 구성되어 있다.
즉, 각 소스영역(1a)및 드레인영역(lb)의 주의에는 채널길이가 L로 단위채널폭이 W의 단위 MOS트랜지스터가 다수 형성되는 것으로 되어, 각 단위채널폭의 합계가 MOS트랜지스터 T1의 구동능력을 규정하는 총채널폭으로 되어 있다.
또, 게이트(2)가 격자형으로 형성되어 있기 때문에 그 분포정수적인 저항을 종래에 비해서 용이하게 저저항화 할 수가 있게 되어 있다.
도 1(b)및 도 l(c)의 단면도에 의해서 MOS트랜지스터 T1의 구성에 대하여 다시 설명한다.
도 1(b)에 도 1(a)의 Y1-Y2를 따른 단면도를 나타내는 바와같이, N형의 반도체기판 (이하,「서브스트레이트」라고도 함)(5)의 일부가 선택적 산화막 (「LOCOS」라함)(7)로 둘러싸인 영역 (「액티브에리어」라함)에 P형의 불순물이 도입되어 웰(6)이 형성되고, 웰(6)중에 N형의 불순물이 도입된 확산영역(1a)가 복수 형성되며, 각 확산영역(1a)및 게이트(2)의 상방에 금속배선층(3a)가 형성되고, 게이트(2)및 금속배선층(3a)의 상부에 산화막이나 질화막(窒化膜)등에 의한 보호막(8)이 형성된 구성으로 되어 있다.
또한, 각 확산영역(1a)의 중앙부에는 확산영역(1a)를 관통하듯이 P형의 불순물이 도입되어 웰(6)을 소정의 전위로 접속하기 위한 확산영역(「budding Contact」라함)(1c)가 각각 형성되고, 각 확산영역(la)및 (1c)는 금속배선층(3a)롤 통해서 도시하지 않은 출력단자(OUT)에 각각 접속되어 있다.
이와같은 구성으로 되어 있기 때문에 웰(6)의 분포정수적 저항을 용이하게 저저항으로 할 수 있어서 그 전위를 안정적으로 유지할 수 있게 된다.
한편, MOS트랜지스더 T1의 드레인은 도 1(C)에 도 1(a)의 Y3-Y4를 따른 단면도로 나타내는 바와같이 확산영역(1c)에 상당하는 것이 없는 것 이외는 확산영역(la)와 동일하게 형성된 복수의 드레인영역(lb)로서 구성되며, 각 드레인영역(lb)가 금속배선층(3b)를 통해서 전원전압선 VDD1에 각각 접속된 구성으로 되어 있다.
또한, 이상의 설명에서는 N형의 반도체기판을 사용한 1층배선의 경우의 레이아웃만을 도시하였으나 P형의 반도체기판을 사용한 반도체집적회로 장치에도 동일하게 형성될 수 있음은 물론이고, 금속배선층이 2층 이상의 다층배선기술을 이용한 반도체 집적회로장치에도 동일하계 사용할 수가 있다.
또, 각 소스영역전역에 웰(6)으로 소정의 전위를 접속하기 위한 확산층(1c)를 설치한 레이아웃을 나타내고 있으나, 복수개마다 또는 게이트주변부에만 확산층(1c)를 설치하도록 해도 상관 없다.
그리고, 확산영역(1C)를 확산영역(1a)의 중앙부이외에 설치하여도 좋다.
또한, 각 소스영역(la)나 드레인영역(1b)및 접속구멍(4)의 형태가 정방형의 경우만을 나타내고 있으나, 6각형등 정방형이외의 다각형의 것이라도 무효영역이 다소 형성될 뿐 동일한 효과가 기대될 수 있다.
또, 도 2의 출력회로에 대해서만 나타내고 있으나, MOS트랜지스더 T2에 본 발명의 MOS트랜지스터를 사용해도 상관없다.
또한, MOS트랜지스터 T2 내지 T4대신에 바이폴러(bipoler)형 트랜지스터를 사용한 출력회로나 다른 구성의 출력회로에 사용하여도 상관없다.
이상 상세히 설명한 바와같이, 본 발명의 구성에 의하면, 청구항 1및 청구항 2에 기재한 반도체 집적회로장치는 폴리실리콘층에 비해서 저저항의 금속배선층과의 접속에서 격리된 위치의 게이트의 분포정수적인 저항치를 용이하게 저감할 수 있도록 되어 있기 때문에 용이하게 그 스위칭속도 및 전달효율을 높일 수 있게 되어, 반도체 집적회로장치의 손실을 저감하여 이 반도체 장치를 사용하는 기기의 동작가능시간을 용이하게 연장시킬 수 있게 되는 효과가 있다.
또, 청구항 3에 기재한 반도체 집적회로장치는 반도체기판 또는 반도체기판 중에 형성된 웰영역의 분포정수적 저항치를 용이하게 저감하여 전위를 안정시킬 수가 있게 되므로 출력용 MOS트랜지스터와 같은 대면적의 트랜지스터 소자라도 그 레이아웃이 용이하게 되어 레이아웃기간을 용이하게 단축할 수 있고, 동시에, MOS트랜지스터의 ON때의 내전압(耐電壓)을 높게 유지할수가 있게 되는 효과가 있다.
Claims (3)
- 대(大)전류를 출력하기 위한 트랜지스터로서 MOS영의 트랜지스터가 반도체기판상에 형성된 반도체 집적회로장치로서, 상기 트랜지스터의 소스(Source)및 드레인(drain)은 각각의 주위가 게이트(gate)전극(2)으로 둘러싸인 복수개의 소스영역(1a) 및 드레인영역(1b)을 각각 병열로 접속하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극(2)은 격자 형태로 형성되고, 상기의 각 소스영역(1a) 또는 드레인영역(1b)의 주변에 3개 이상의 드레인영역(1b)또는 소스영역(1a)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
- 제1항 또는 제2항의 어느 한 항에 있어서, 상기의 트랜지스터의 각 소스영역(1a)에는 상기 반도체기판중에 형성된 웰(well)영역을 소정의 전위(電位)로 접속하기 위한 확산영역(1a, 1b, 1c)이 각각 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
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