SE526360C2 - Monolitiskt integrerad krets - Google Patents

Monolitiskt integrerad krets

Info

Publication number
SE526360C2
SE526360C2 SE0400035A SE0400035A SE526360C2 SE 526360 C2 SE526360 C2 SE 526360C2 SE 0400035 A SE0400035 A SE 0400035A SE 0400035 A SE0400035 A SE 0400035A SE 526360 C2 SE526360 C2 SE 526360C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
transistor
integrated circuit
inductor
circuit according
fingers
Prior art date
Application number
SE0400035A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0400035D0 (sv
SE0400035L (sv
Inventor
Torkel Arnborg
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Ag filed Critical Infineon Technologies Ag
Priority to SE0400035A priority Critical patent/SE526360C2/sv
Publication of SE0400035D0 publication Critical patent/SE0400035D0/sv
Priority to EP04809146A priority patent/EP1702362A1/en
Priority to CNB2004800398992A priority patent/CN100499109C/zh
Priority to PCT/SE2004/001973 priority patent/WO2005067043A1/en
Publication of SE0400035L publication Critical patent/SE0400035L/sv
Publication of SE526360C2 publication Critical patent/SE526360C2/sv
Priority to US11/482,860 priority patent/US7536166B2/en
Priority to US12/432,778 priority patent/US8260245B2/en
Priority to US13/600,183 priority patent/US9042860B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7816—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors
    • H01L29/7817—Lateral DMOS transistors, i.e. LDMOS transistors structurally associated with at least one other device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/10—Inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs

Description

9-1 flâ Ch OJ O\ CD Dessa syften uppnås enligt föreliggande uppfinning medelst mo- nolitiskt integrerade kretsar i enlighet med bifogade patent- krav.
Genom att åstadkoma en monolitisk integrerad krets, särskilt en integrerad krets för radiofrekvenstillämpningar, innefat- tande en transistor och en spiralinduktor, där spiralinduktorn är anordnad ovanpå transistorn, sparas värdefull chipsyta.
Transistorn har en fingertypsutformning för att förhindra var- je betydande virvelström orsakad av elektromagnetisk koppling mellan spiralinduktorn och transistorn från att uppträda.
Ytterligare särdrag hos uppfinningen och fördelar med densamma kommer att bli uppenbara från den detaljerade beskrivningen av föredragna utföringsformer av föreliggande uppfinning given här nedan och de medföljande fig. 1-5, vilka endast är illu- strerande, och skall således icke vara begränsande för före- liggande uppfinning.
Kort beskrivning av ritningarna Fig. l är en kraftigt förstorad schematisk utformning av en monolitiskt integrerad krets enligt en föredragen utförings- form av föreliggande uppfinning.
Fig. 2a är en kraftigt förstorad schematisk utformning av en transistorcell innefattad i en transistor hos den monolitiskt integrerade kretsen i fig. 1.
Fig. 2b är en kraftigt förstorad tvärsektionsvy av transistor- cellen i fig. 2a tagen längs linjen A-A, varvid ett passive- ringsskikt och del av en induktor innefattad i den monolitiskt integrerade kretsen i fig. 1 visas.
Fig. 3 är ett kretsdiagram av en krets enligt en ytterligare föredragen utföringsform av uppfinningen. 526 360 Fig. 4 och 5 är var och en en kraftigt förstorad schematisk utformning av en monolitiskt integrerad krets enligt en re- spektive ytterligare föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning.
Detaljerad beskrivning av föredragna utföringsformer En monolitiskt integrerad krets enligt en första föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning visas schematiskt i fig. 1. Kretsen, som är särskilt avsedd för RF-tillämpningar innefattar en transistor ll och spiralinduktor 12 anordnad ovanpå transistorn ll på ett halvledarchipssubstrat, företrä- desvis av kisel. Transistorn ll, som i denna utföringsform är en LDMOS-effekttransistor, har en fingertypsutformning och in- nefattar ett antal styrefingrar l3a-f, anordnade parallellt.
På liknande vis är ett antal ledande kollektorfingrar l4a-c anordnade mellan styrefingrarna l3a-f för att bilda en samman- flätad struktur. Ett dopat, utsträckt emitterområde är bildat i substratet under var och en av kollektorfingrarna l4a-c.
Styrefingrarna l3a-f är anslutna till varandra via en gemensam styreanslutning 15 vid en första sida av transistorn ll, medan kollektorfingrarna l4a-c är anslutna till varandra via en ge- mensam kollektoranslutning 16 vid en andra sida av transistorn ll belägen i huvudsak motsatt den första sidan. Emittern hos LDMOS-transistorn är ansluten vid bottnen eller baksidan av chipssubstratet. Utsträckta, dopade emitterområden är bildade i substratet mellan styrefingrarna 13b och l3c och mellan sty- refingrarna l3d och l3e så att emitterfingrar/områden och kol- lektorområden är, sett från ovan, alternerande anordnade mel- lan varje par av intilliggande styrefingrar l3a-f.
Strukturen kan repeteras för att bilda en LDMOS-transistor ll med många fler styre- och kollektorfingrar/områden och emit- terområden är vad som illustreras i fig. 1. 526 360 4 Vidare kan LDMOS-transistorn 11, i stället för att vara anslu- ten på baksidan av chipssubstratet, innefatta ett ledande emitterfinger ovanpå vart och ett av emitterområdena, där des- sa emitterfingrar är anslutna till varandra på liknande sätt som styrefingrarna l3a-f eller kollektorfingrarna l4a-c är sammankopplade.
Chipsytan som behövs av kretsen innefattande transistorn och induktorn reduceras kraftigt medelst föreliggande uppfinning.
Om de laterala dimensionerna hos transistorn och induktorn är av liknande storlek reduceras chipsytan som behövs medelst en faktor två. Ytbesparandet beror självfallet på den särskilda kretskonstruktionen, men det är väldigt vanligt för effektför- stärkaranordningar att transistorn och spiralinduktorn är av liknande storlek, och också den dominerande delen av kretsen eller chipset.
Den monolitiskt integrerade kretsen är företrädesvis fram- ställd i en konventionell kiselbaserad IC-process, t.ex. en BiCMOS- eller CMOS-process av standardslag, och behöver inte använda processteg, som är komplexa och komplicerade, eller icke-kompatibla med konventionell IC-processning, eller som innefattar ett överdrivet antal steg. Induktorn är typiskt framställd i några av metallskikten bildade i en sådan pro- cess. Således motsvarar det vertikala avståndet mellan tran- sistorn 11 och induktorn 12 typiskt tjockleken hos ett passi- veringsskikt bildat mellan transistorn och metalliseringsskik- ten. Om induktorn framställs i något av de övre metallskikten, vilket är föredraget för att undvika direkt kortslutning och minimera magnetisk koppling till den underliggande transis- torn, kan den vertikala separationen vara större tack vare tjocklekarna hos de nedre metallskikten och deras mellanlig- gande dielektriska skikt. Det vertikala avståndet mellan tran- sistorn ll och induktorn 12 är företrädesvis mindre än 25 mik- 526 360 rometer, mera företrädesvis mindre än 10 mikrometer och mest föredraget mindre än några få mikrometer.
Medan arrangemanget i fig. 1 sparar värdefull chipsyta är en oönskad elektromagnetisk koppling mellan de två anordningarna svår att undvika. En cirkulär ström liknande strömmen i spi- ralinduktorn 12 men i motsatt riktning komer högst sannolikt att induceras i transistorn ll.
Fingertypsutformningen hos transistorn 11 är viktig för att förhindra varje betydande cirkulär eller virvelström orsakad av den elektromagnetiska kopplingen från att flyta, vilket skulle vara katastrofalt för kretsens funktion. Således, medan en godtyckligt vald transistorutformning inte skulle fungera tillförlitligt, förhindrar fingertypsutformningen, där smala fingrar av motsatt ledningstyp (P, N) är alternerande anordna- de i eller på ytan av chipssubstratet, vilket hindrar varje virvelström från att flyta.
En kraftigt förstorad schematisk utformning av en minimitran- sistorcell innefattad i transistorn ll hos den monolitiskt in- tegrerade kretsen i fig. l visas i fig. 2a. Cellen innefattar ett centralt kollektorfinger l4a och två styrefingrar l3a-b anordnade på var sida om det centrala kollektorfingret l4a.
Utanför vart och ett av styrefingrarna l3a-b är ett respektive jonimplanterat emitterområde 2la-b bildat.
Transistorcellen i fig. 2a är i fig. 2b illustrerad i tvärsek- tionsvy tagen längs linjen A-A. Chipset innefattar ett sub- strat 22, i en övre del av vilket ett N+ dopat kollektorområde 23 är bildat. Emitterområdena 2la-b är separerade från det N+ dopade kollektorområdet 23 av P+ dopade sinkerområden 24. Ett dielektriskt passiveringsskikt 25 bilat ovanpå strukturen och del av en induktor 26 bildad därpå i något av kretsens metal- liseringsskikt indikeras likaledes. Kontakter från metallise- 526 360 ringsskikten ned till kollektorfinger l4a och styrefingrarna 13a-b kan utföras på varje konventionellt sätt via hål som fylls med ledande material. Emitterområdena 2la-b är typiskt elektriskt anslutna till de P+ dopade sinkeromrâdena 24 me- delst metallskiktskontakter på substratytan. Emitterområdena 2la-b är, via dessa metallskiktskontakter, typiskt anslutna på baksidan av substratet som beskrivits ovan.
Det skall inses av fackmannen inom området att en större tran- sistoranordning som vanligtvis används i RF-effektförstärkare innefattar ett stort antal av minimitransistorcellen som visas i fig. 2a-b.
Ett kretsdiagram av en monolitiskt integrerad standardeffekt- förstärkare som arbetar i klass A, för vilken uppfinningen kan användas, illustreras i fig. 3. De flesta effektförstärkare har liknande element, även om de inte arbetar i klass A. Ef- fektförstärkaren innefattar en transistor ll, en spiralinduk- tor 12, en DC-blockeringskondensator och en tankkrets 32 inne- fattande en induktor L, en kondensator C och en resistor R.
Transistorn ll är av fingertyp enligt ovan och är ansluten till induktorn 12 och kondensatorn 31 för att blockera RF- re- spektive DC-ström. Tankkretsen 32 avstäms till resonansfre- kvens så att lasten blir resistiv. Induktorn 12, såväl som kondensatorn 31, måste vara stora för att fungera tillfreds- ställande. Induktorn 12 är anordnad ovanpå transistorn ll på chipset enligt någon annan av de föredragna utföringsformerna i denna beskrivning.
Virvelströmmar i allmänhet kommer att uppträda i varje skikt som har betydande konduktivitet i transistorn. Dessa innefat- tar i viktighetsordning: den gemensamma styre- respektive den gemensama kollektoranslutningen, och valfritt, om emittern inte ansluts på baksidan om substratet, en gemensam emitteran- 526 360 7 slutning, substratet, inversionsskiktet, emitter- och kollek- tordifunderingar, d.v.s. dopade emitter- och kollektorområden och styret. För en fingertypseffektförstärkartransistor är emellertid styret och inversionsskikten oviktiga, eftersom de inte tillåter någon cirkulär ström av betydande radie. För att minska virvelströmmarna i emitter- och kollektordifunderingar- na och i de gemensamma styre-, kollektor- och valfritt emit- teranslutningarna och göra dem obetydande, täcker induktorn endast fingrarna hos transistorerna såsom sett från ovan.
Slutligen, kommer substratet alltid att ge en slutlig begräns- ning av induktorns Q-värde, men andra bidrag undviks eller minskas genom föreliggande uppfinning.
En kraftigt förstorad schematisk utformning av en monolitiskt integrerad krets enligt ytterligare en föredragen utförings- form av föreliggande uppfinning illustreras i fig. 4. Transis- torn ll innefattar, såsom ovan, styrefingrar 13a-f anslutna till varandra genom en gemensam styreanslutning l5 och kollek- torfingrar l4a-c anslutna till varandra genom en gemensam kol- lektoranslutning 16. Denna utföringsform innefattar emellertid en något mindre spiralinduktor 41. Spiralinduktorn är anordnad så att den täcker åtminstone en del av ett flertal 13b-d av styrefingrarna 13a-f sett från ovan och lämnar de gemensamma styre- respektive kollektoranslutningarna 15 respektive 16 otäckta sett från ovan. Företrädesvis skall ett minimalt antal lindningar parallella med transistorfingrarna placeras direkt ovanför ett finger, eftersom virvelströmmar längs fingrarna är mer problematiska än virvelströmmar som flyter vinkelrätt mot transistorfingrarna.
En kraftigt förstorad schematisk utformning av en monolitiskt integrerad krets enligt ännu en föredragen utföringsform av föreliggande uppfinning illustreras i fig. 5. Den integrerade kretsen innefattar multipla spiralinduktorer 52, 53 anordnade (_71 I x) U\ LN ON 3 ovanpå en lång och smal transistor 51, varvid virvelströmmar fortfarande undvikes. Den illustrerade transistorn 51 innefat- tar styrefingrar l3a-k och samanflätade kollektorfingrar 14a-f. Styrefingrarna 13a-k är anslutna till den gemensamma styreanslutningen 15 och kollektorfingrarna l4a-f är anslutna till den gemensamma kollektoranslutningen 16. Emittrarna är anslutna på baksidan av chipset.
Det skall inses att medan föreliggande uppfinning primärt är avsedd för kiselbaserade, integrerade RF-effektkretsar kan den icke desto mindre realiseras i andra materialsystem, såsom t.ex. GaAs och/eller för andra typer av tillämpningar.
Det skall vidare inses att transistorn 11 är fullt utbytbar mot en bipolär transistor eller en MOS-transistor som har en fingertypsutformning utan att avvika från föreliggande uppfin- ning. Om den bipolära transistorn är en vertikal transistor, är strömmarna som används under drift huvudsakligen vertikala, vilket gör funktionen mera opåverkad av laterala, cirkulära och virvelströmar. Fingertypsutformningen minimerar i varje fall dessa laterala strömmar.

Claims (6)

526 360 Patentkrav
1. Monolitiskt integrerad krets, särskilt en integrerad krets för radiofrekvenstillämpningar, innefattande en transis- tor och en spiralinduktor, k ä n n e t e c k n a d a v att - nämnda spiralinduktor (l2; 26; 41; 52, 53) är anordnad ovanpå nämnda transistor (11; 51), varigenom en elek- tromagnetisk koppling mellan nämnda spiralinduktor och nämnda transistor erhålles, och - nämnda transistor har en fingertypsutformning (l3a-k, 14a-f) för att förhindra varje betydande virvelström orsakad av nämnda elektromagnetiska koppling från att uppträda.
2. Integrerad krets enligt krav 1, varvid en lateral di- mension hos nämnda spiralinduktor och en lateral dimension hos nämnda transistor är av sama storleksordning.
3. Integrerad krets enligt krav 1 eller 2, varvid nämnda spiralinduktor och nämnda transistor har liknande laterala ut- sträckningar.
4. Integrerad krets enligt något av kraven 1-3, varvid nämnda spiralinduktor (12) är bildad i metalliseringsskikt, företrädesvis övre metalliseringsskikt, i nämnda integrerade krets, där nämnda metalliseringsskikt är separerade från nämn- da transistor endast genom ett passiveringsskikt (25).
5. Integrerad krets enligt något av kraven 1-4, varvid ett vertikalt avstånd mellan nämnda transistor (11) och nämnda spiralinduktor (12) är mindre än 25 mikrometer, företrädesvis mindre än 10 mikrometer, och mest företrädesvis mindre än någ- ra få mikrometer.
6. 10 Integrerad krets enligt något av krav l-5, varvid nämn- da transistor är en RF-effektförstärkartransistor och nämnda spiralinduktor är en RF-blockeringsinduktor. 7O nämnda 9. Integrerad krets enligt något av kraven l-6, varvid transistor är en LDMOS-transistor. Integrerad krets enligt något av kraven 1-7, varvid nämnda transistor innefattar multipla styre- respektive multipla kollektorfingrar; och nämnda spiralinduktor täcker åtminstone en del av ett flertal av nämnda multipla styrefingrar sett från ovan, och lämnar gemensama styre- och kollektoranslutningar (15, 16), som ansluter nämnda multipla styre- respekti- ve kollektorfingrar, otäckta sett från ovan. Integrerad krets enligt något av kraven l-8, varvid nämnda integrerade krets innefattar multipla spiralinduktorer anordnade ovanpå nämnda transistor.
SE0400035A 2004-01-09 2004-01-09 Monolitiskt integrerad krets SE526360C2 (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0400035A SE526360C2 (sv) 2004-01-09 2004-01-09 Monolitiskt integrerad krets
EP04809146A EP1702362A1 (en) 2004-01-09 2004-12-22 Monolithically integrated circuit for radio frequency applications
CNB2004800398992A CN100499109C (zh) 2004-01-09 2004-12-22 用于射频应用的单片集成电路
PCT/SE2004/001973 WO2005067043A1 (en) 2004-01-09 2004-12-22 Monolithically integrated circuit for radio frequency applications
US11/482,860 US7536166B2 (en) 2004-01-09 2006-07-07 Monolithically integrated circuit
US12/432,778 US8260245B2 (en) 2004-01-09 2009-04-30 Monolithically integrated circuit
US13/600,183 US9042860B2 (en) 2004-01-09 2012-08-30 Monolithically integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0400035A SE526360C2 (sv) 2004-01-09 2004-01-09 Monolitiskt integrerad krets

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0400035D0 SE0400035D0 (sv) 2004-01-09
SE0400035L SE0400035L (sv) 2005-07-10
SE526360C2 true SE526360C2 (sv) 2005-08-30

Family

ID=31493020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0400035A SE526360C2 (sv) 2004-01-09 2004-01-09 Monolitiskt integrerad krets

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7536166B2 (sv)
EP (1) EP1702362A1 (sv)
CN (1) CN100499109C (sv)
SE (1) SE526360C2 (sv)
WO (1) WO2005067043A1 (sv)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2487019B (en) * 2007-05-08 2012-08-15 Scanimetrics Inc Ultra high speed signal transmission/reception
US9064712B2 (en) 2010-08-12 2015-06-23 Freescale Semiconductor Inc. Monolithic microwave integrated circuit
TWI523195B (zh) * 2011-01-28 2016-02-21 精材科技股份有限公司 電源模組及其封裝方法
CN103905012B (zh) * 2014-03-27 2017-06-06 北京工业大学 可小型化设计的电感

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2211987B (en) * 1987-10-30 1992-01-02 Plessey Co Plc Circuit arrangement including an inductor and a mesfet
JP3036233B2 (ja) * 1992-06-22 2000-04-24 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5629553A (en) * 1993-11-17 1997-05-13 Takeshi Ikeda Variable inductance element using an inductor conductor
US5815014A (en) * 1996-06-28 1998-09-29 The Whitaker Corporation Transistor based frequency multiplier
US5789799A (en) * 1996-09-27 1998-08-04 Northern Telecom Limited High frequency noise and impedance matched integrated circuits
US6236101B1 (en) * 1997-11-05 2001-05-22 Texas Instruments Incorporated Metallization outside protective overcoat for improved capacitors and inductors
US6087723A (en) * 1998-03-30 2000-07-11 Micron Technology, Inc. Vertical surface mount assembly and methods
EP0966040A1 (en) * 1998-06-19 1999-12-22 International Business Machines Corporation Passive component above isolation trenches
JP3425573B2 (ja) * 1999-05-19 2003-07-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4005762B2 (ja) * 1999-06-30 2007-11-14 株式会社東芝 集積回路装置及びその製造方法
US6455915B1 (en) * 2000-05-30 2002-09-24 Programmable Silicon Solutions Integrated inductive circuits
JP2002164512A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPWO2002056381A1 (ja) * 2001-01-16 2004-05-20 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6342424B1 (en) * 2001-04-06 2002-01-29 National Semiconductor Corp. High-Q spiral inductor structure and methods of manufacturing the structure
JP3898024B2 (ja) * 2001-10-19 2007-03-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 集積回路及びその製造方法
JP2003282582A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP4355128B2 (ja) * 2002-07-04 2009-10-28 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100698617B1 (ko) * 2005-02-15 2007-03-21 삼성전자주식회사 집적 인덕터를 포함한 집적회로
US20080157222A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Mediatek Inc. Rf integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
US20100109092A1 (en) 2010-05-06
EP1702362A1 (en) 2006-09-20
US20070176724A1 (en) 2007-08-02
SE0400035D0 (sv) 2004-01-09
CN1934703A (zh) 2007-03-21
WO2005067043A1 (en) 2005-07-21
CN100499109C (zh) 2009-06-10
US20120319200A1 (en) 2012-12-20
US9042860B2 (en) 2015-05-26
US8260245B2 (en) 2012-09-04
US7536166B2 (en) 2009-05-19
SE0400035L (sv) 2005-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11367738B2 (en) Semiconductor device
CN103051312B (zh) 低阻抗栅极控制方法和设备
US10566324B2 (en) Integrated gate resistors for semiconductor power conversion devices
US7525407B2 (en) Integrated circuit having integrated inductors
CN108702148A (zh) 面积高效且稳健的静电放电电路
CN107005204B (zh) 具有单一组合的串联和并联电容器组件的输出匹配网络
EP3588561B1 (en) Dynamic substrate biasing for extended voltage operation
EP0292641B1 (en) Output buffer of MOS semiconductor integrated circuit
US9042860B2 (en) Monolithically integrated circuit
US10587194B2 (en) Power transistor with distributed gate
JP2018181980A (ja) 半導体装置、それを備えた電子回路、及び、半導体装置の形成方法
WO2017199580A1 (ja) 絶縁ゲート型半導体装置及び絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
EP0961323B1 (en) Integrated CMOS circuit for use at high frequencies
US9853169B1 (en) Stacked capacitor structure
CN103367352B (zh) 被动元件单元及相关的制造方法
JP2011151330A (ja) 電界効果型トランジスタ
CN107546225B (zh) 半导体开关装置
US7235860B2 (en) Bipolar transistor including divided emitter structure
US20220013451A1 (en) Compact transistor utilizing shield structure arrangement
JPS61280650A (ja) 入力回路
GB2433649A (en) SOI resistor formed by underlying substrate for current sensing in power semiconductor structures
WO2011107158A1 (en) pHEMT HAVING A CHANNEL LENGTH LARGER THAN THE CHANNEL WIDTH
JP5420230B2 (ja) 過電圧保護素子
CN112216676A (zh) 半导体装置
Sjöland et al. Layout Aspects

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed