KR930009080A - 낸드형 마스크 리드 온리 메모리 - Google Patents

낸드형 마스크 리드 온리 메모리 Download PDF

Info

Publication number
KR930009080A
KR930009080A KR1019920020029A KR920020029A KR930009080A KR 930009080 A KR930009080 A KR 930009080A KR 1019920020029 A KR1019920020029 A KR 1019920020029A KR 920020029 A KR920020029 A KR 920020029A KR 930009080 A KR930009080 A KR 930009080A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
channel length
memory
depletion
string selection
Prior art date
Application number
KR1019920020029A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960005564B1 (ko
Inventor
문희만
전영달
최정달
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920020029A priority Critical patent/KR960005564B1/ko
Publication of KR930009080A publication Critical patent/KR930009080A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960005564B1 publication Critical patent/KR960005564B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G11C17/123—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices comprising cells having several storage transistors connected in series
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 낸드형 마스크 리드 온리 메모리에 관한 것으로, 비트라인에 직렬로 접속되고 디플리선형 및 인핸드스먼트형으로 이루어지는 제1 및 제2스트링 선택 트랜지스터와, 상기 선택 트랜지스터와 접지 전압단 사이에 직렬 접속된 다수개의 셀 트랜지스터를 구비하는 낸드형 마스크 리드 온리 메모리에 있어서 상기 인핸드스먼트형 선택 트랜지스터가 디플리션형 선택 트랜지스터의 채널길이보다 더 긴 채널길이를 가지도록 함으로써, 선택되지 않은 스트링으로 흐르는 누설전류에 의한 오동작을 발생하지 않도록 한다. 또한 스트링선택용의 디플리션 트랜지스터의 채널길이를 메뫼셀용 트랜지스터의 채널길이보다 작게함으로써, 단위스트링의 점유면적을 줄인다.

Description

낸드형 마스크 리드 온리 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 레이아웃도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이아웃도.

Claims (4)

  1. 비트라인에 직렬로 접속되고 디플리션형 및 인핸스먼트형으로 이루어지는 제1 및 제2스트링 선택트랜지스터와, 상기 선택 트랜지스터와 접지전압단 사이에 직렬 접속된 다수개의 셀 트랜지스터를 구비하는 낸드형 마스크 리드 온리 메모리에 있어서, 상기 인핸스먼트형 스트링 선택 트랜지스터가 디플리션형 선택 트랜지스터의 채널길이보다 더 긴 채널길이를 가짐을 특징으로 하는 낸드형 마스크 리드 온리 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인핸스먼트형 스트링 선택 트랜지스터의 채널길이가 전원공급전압이상의 드레인 전압에서도 펀치스루가 발생하지 않을 정도의 길리임을 특징으로 하는 낸드형 마스크 리드 온리 메모리.
  3. 디플리셩 트랜지스터를 스트링선택용 또는 메모리셀용으로 사용되는 복수개의 단위스트링들을 가지는 낸드형 마스크 리드 온리 메모리에 있어서, 상기 스트링선택용의 디플리션 트랜지스터의 채널길이가 상기 메모리셀용 트랜지스터의 채널길이보다 작음을 특징으로 하는 마스크 리드 온리 메모리.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스트링선택용 디플리션 트랜지스터의 채널길이가 스트링선택용 인핸스먼트 트랜지스터의 채널길이보다 작음을 특징으로 하는 마스크 리드 온리 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920020029A 1991-10-29 1992-10-29 낸드형 마스크 리드 온리 메모리 KR960005564B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920020029A KR960005564B1 (ko) 1991-10-29 1992-10-29 낸드형 마스크 리드 온리 메모리

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR910019085 1991-10-29
KR91-19085 1991-10-29
KR1019920020029A KR960005564B1 (ko) 1991-10-29 1992-10-29 낸드형 마스크 리드 온리 메모리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930009080A true KR930009080A (ko) 1993-05-22
KR960005564B1 KR960005564B1 (ko) 1996-04-26

Family

ID=19321940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920020029A KR960005564B1 (ko) 1991-10-29 1992-10-29 낸드형 마스크 리드 온리 메모리

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPH05218328A (ko)
KR (1) KR960005564B1 (ko)
CN (1) CN1072040A (ko)
DE (1) DE4229129A1 (ko)
FR (1) FR2683078A1 (ko)
GB (1) GB2261090A (ko)
IT (1) IT1255920B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005033A (ko) * 1996-06-27 1998-03-30 김주용 마스크 롬 디바이스
KR100358148B1 (ko) * 1995-05-15 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 마스크롬
KR100358139B1 (ko) * 1995-07-11 2003-01-15 주식회사 하이닉스반도체 마스크롬

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001506409A (ja) * 1996-12-17 2001-05-15 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト メモリセル装置の並列な導線を駆動するための装置
JP2005243127A (ja) * 2004-02-25 2005-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 紫外線消去型半導体メモリ装置
KR101094840B1 (ko) * 2005-07-12 2011-12-16 삼성전자주식회사 낸드형 플래시 메모리 장치 및 그 제조 방법
CN102214485B (zh) * 2010-04-02 2016-03-30 台湾积体电路制造股份有限公司 只读存储器与只读存储器操作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4305139A (en) * 1979-12-26 1981-12-08 International Business Machines Corporation State detection for storage cells
US4980861A (en) * 1987-01-16 1990-12-25 Microchip Technology Incorporated NAND stack ROM
JPH01276757A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置の製造方法
KR910004166B1 (ko) * 1988-12-27 1991-06-22 삼성전자주식회사 낸드쎌들을 가지는 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 반도체 메모리장치
JP2509707B2 (ja) * 1989-09-04 1996-06-26 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
KR940004609B1 (ko) * 1991-09-04 1994-05-25 삼성전자 주식회사 마스크 리드 온리 메모리

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100358148B1 (ko) * 1995-05-15 2003-01-08 주식회사 하이닉스반도체 마스크롬
KR100358139B1 (ko) * 1995-07-11 2003-01-15 주식회사 하이닉스반도체 마스크롬
KR980005033A (ko) * 1996-06-27 1998-03-30 김주용 마스크 롬 디바이스

Also Published As

Publication number Publication date
FR2683078A1 (fr) 1993-04-30
JPH05218328A (ja) 1993-08-27
DE4229129A1 (de) 1993-05-06
KR960005564B1 (ko) 1996-04-26
GB9222728D0 (en) 1992-12-09
ITMI922458A1 (it) 1994-04-27
GB2261090A (en) 1993-05-05
ITMI922458A0 (it) 1992-10-27
IT1255920B (it) 1995-11-17
CN1072040A (zh) 1993-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900011009A (ko) 낸드쎌들을 가지는 전기적으로 소거 및 프로그램 가능한 반도체 메모리장치
KR940022569A (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치
EP0090116A2 (en) CMIS semiconductor device with two power supplies
KR940018864A (ko) 반도체 장치
KR930003155A (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치
KR960032736A (ko) 반도체 메모리
KR870009396A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR890012322A (ko) 소오스 라인 선택 트랜지스터를 구비한 플로팅게이트 eerrom 메모리
KR920020715A (ko) 불휘발성 기억장치
KR970076847A (ko) 소거 동작시 간단한 구조의 플래시 메모리 셀에 소거 가능 전압을 공급할 수 있는 비휘발성 반도체 기억 장치
KR920000137A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR920015379A (ko) Eeprom 및 eeprom 독출 방법
KR930009080A (ko) 낸드형 마스크 리드 온리 메모리
KR890013657A (ko) 반도체메모리 장치
KR930005031A (ko) 낸드형 플래쉬 메모리의 과도 소거 방지 장치 및 방법
KR900000915A (ko) 불휘발성 반도체 메모리
KR860009418A (ko) 반도체 메모리 장치의 디코오더 회로
KR920001533A (ko) 반도체 집적회로
KR940016232A (ko) 반도체 메모리장치
KR910006997A (ko) 기생용량에 의해 야기된 오동작을 방지하기 위한 eprom의 디코더 회로
KR920013654A (ko) 반도체 장치
KR910016005A (ko) 반도체 집적회로
KR960025787A (ko) 플래쉬 메모리 장치
KR960036050A (ko) 비휘발성 메모리 장치의 셀 어레이 레이아웃 방법
KR920010615A (ko) 전류 미러형 감지증폭기를 가진 메모리 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100413

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee