KR940016232A - 반도체 메모리장치 - Google Patents

반도체 메모리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940016232A
KR940016232A KR1019920025763A KR920025763A KR940016232A KR 940016232 A KR940016232 A KR 940016232A KR 1019920025763 A KR1019920025763 A KR 1019920025763A KR 920025763 A KR920025763 A KR 920025763A KR 940016232 A KR940016232 A KR 940016232A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
string selection
transistor
lines
cell
string
Prior art date
Application number
KR1019920025763A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960014973B1 (ko
Inventor
이형곤
최정달
장석균
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920025763A priority Critical patent/KR960014973B1/ko
Priority to US08/170,884 priority patent/US5332917A/en
Priority to JP33825793A priority patent/JP3527525B2/ja
Publication of KR940016232A publication Critical patent/KR940016232A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR960014973B1 publication Critical patent/KR960014973B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • G11C17/123—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices comprising cells having several storage transistors connected in series

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 NAND형 메모리셀구조를 갖는 반도체 메모리장치에 관한 것으로, NAND형 메모리셜 특유의 스탠바이 조건에 의한 초기 스탠바이전류불량을 예방하기 위하여 스탠바이시 Vcc가 인가되는 워드라인과 Vss가 인가되는 스트링선택라인과의 간격을 워드라인들간의 간격보다 크게 레이아웃하여 제조공정중에 발생하는 불순물입자에 의한 워드라인과 스트링선택라인과의 브릿지를 방지하여 메모리장치내에 내장되는 데이타정정수단에 의한 칩의 구제를 가능하도록 한 것이다.

Description

반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 7도는 본 발명의 NAND형 메모리셀의 레이아웃을 나타낸 도면, 제8도는 본 발명의 NAND형 메모리셀의 다른 레이아웃을 나타낸 도면.

Claims (4)

  1. 스트링선택 트렌지스터와 셀트렌지스터가 직렬로 연결되어 하나의 스트링을 이루는 NAND형 메모리 셀구조를 갖는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인들간의 간격 및 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인과 상기 셀트랜지스터의 워드라인과의 간격이 상기 셀트랜지스터의 워드라인들간의 간격보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인들간의 간격 및 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인과 상기 셀트랜지스터의 워드라인과의 간격은 상기 셀트랜지스터의 워드라인들간의 간격보다 1배 이상 2배 이하(상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인들간의 간격 및 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인과 상기 셀트랜지스터의 워드라인과의 간격을 Y라고 상기 셀트랜지스터의 워드라인들간의 간격을 X라 할때 1.1X≤Y≤2X)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 스트링선택트랜지스터와 셀트랜지스터 및 접지선택트랜지스터가 직렬로 연결되어 하나의 스트링을 이루는 NAND형 메모리셀구조를 갖는 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인들간의 간격, 상기 스트링선택트랜지스터의의 스트링선택라인과 상기 셀트랜지스터의 워드라인과의 간격 및 상기 셀트랜지스터의 워드라인과 접지선택트랜지스터의 접지선택 라인과의 간격이 상기 셀트랜지스터의 워드라인들간의 간격보다 넓게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인들간의 간격, 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인과 상기 셀트랜지스터의 워드라인과의 간격 및 상기 셀트랜지스터의 워드라인과 접지선택트랜지스터의 접지선택라인과의 간격이 상기 셀트랜지스터의 워드라인들간의 간격보다 1배 이상 2배 이하(상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인들간의 간격 및 상기 스트링선택트랜지스터의 스트링선택라인과 상기 셀트랜지스터의 워드라인과의 간격을 Y라고 상기 셀트랜지스터의 워드라인들간의 간격을 X라 할때 1.1X≤Y≤2X)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920025763A 1992-12-28 1992-12-28 반도체 메모리장치 KR960014973B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920025763A KR960014973B1 (ko) 1992-12-28 1992-12-28 반도체 메모리장치
US08/170,884 US5332917A (en) 1992-12-28 1993-12-21 Semiconductor memory NAND with wide space between selection lines
JP33825793A JP3527525B2 (ja) 1992-12-28 1993-12-28 半導体メモリ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920025763A KR960014973B1 (ko) 1992-12-28 1992-12-28 반도체 메모리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940016232A true KR940016232A (ko) 1994-07-22
KR960014973B1 KR960014973B1 (ko) 1996-10-23

Family

ID=19346879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920025763A KR960014973B1 (ko) 1992-12-28 1992-12-28 반도체 메모리장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5332917A (ko)
JP (1) JP3527525B2 (ko)
KR (1) KR960014973B1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07147095A (ja) * 1993-03-31 1995-06-06 Sony Corp 半導体不揮発性記憶装置およびデコーダ回路
FR2730345B1 (fr) * 1995-02-03 1997-04-04 Matra Mhs Procede de fabrication d'une memoire morte en technologie mos, et memoire ainsi obtenue
KR0161403B1 (ko) * 1995-03-31 1998-12-01 김광호 반도체 메모리장치 및 그 제조방법
US5646427A (en) * 1995-08-23 1997-07-08 Dalsa, Inc. Integrated circuit defect tolerant architecture
JP5030131B2 (ja) * 2004-12-28 2012-09-19 エスケーハイニックス株式会社 ナンドフラッシュメモリ素子
US20080123405A1 (en) * 2006-08-18 2008-05-29 Mammen Thomas Implanted multi-bit NAND ROM
US20090302472A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices including shared bit lines and methods of fabricating the same
US8546251B1 (en) * 2008-12-31 2013-10-01 Synopsys, Inc. Compact read only memory cell
US9361986B2 (en) 2011-09-19 2016-06-07 Sandisk Technologies Inc. High endurance non-volatile storage
US9659137B2 (en) * 2014-02-18 2017-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of verifying layout of mask ROM
US9305648B2 (en) * 2014-08-20 2016-04-05 SanDisk Technologies, Inc. Techniques for programming of select gates in NAND memory

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059677B2 (ja) * 1981-08-19 1985-12-26 富士通株式会社 半導体記憶装置
DE3586493T2 (de) * 1984-12-28 1993-01-14 Nec Corp Nichtfluechtige halbleiterspeicheranordnung.
JPH0359892A (ja) * 1989-07-27 1991-03-14 Nec Corp 読出専用記憶装置
JP2825585B2 (ja) * 1990-01-29 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5332917A (en) 1994-07-26
KR960014973B1 (ko) 1996-10-23
JPH06232373A (ja) 1994-08-19
JP3527525B2 (ja) 2004-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890004321A (ko) 로직마크로 및 랜덤억세스메모리 마크로를 구비한 반도체 집적회로장치
KR960032736A (ko) 반도체 메모리
KR940022836A (ko) 낸드형 쎌 구조를 가지는 불휘발성 반도체집적회로
KR940016232A (ko) 반도체 메모리장치
KR870009396A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR910005459A (ko) 반도체메모리장치 및 그 제조방법
KR890013657A (ko) 반도체메모리 장치
US6087891A (en) Integrated power supply voltage generators having reduced susceptibility to parasitic latch-up during set-up mode operation
KR970067369A (ko) 반도체 메모리 장치
US4853896A (en) Write driver circuit of semiconductor memory device
KR920000182A (ko) 디코더 회로
US6226218B1 (en) Row decoder driver for semiconductor memory device
KR930009080A (ko) 낸드형 마스크 리드 온리 메모리
KR960025787A (ko) 플래쉬 메모리 장치
JPS54106134A (en) Data protection circuit for semiconductor memory device
KR970008173A (ko) 수율개선을 위하여 배치된 워드라인을 갖는 반도체 기억장치
KR970018497A (ko) 반도체 메모리 장치
JPS645072A (en) Nonvolatile semiconductor memory device
US4627028A (en) Memory decoder circuit
KR930017168A (ko) 트리플웰을 가지는 반도체 메모리 장치
KR0183876B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 워드라인스위치 회로
KR970051332A (ko) 이.이.피.롬(eeprom) 장치
KR100224763B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 전원전압 공급회로
KR960011650B1 (ko) 플라즈마 유기전하 방전특성을 갖는 반도체장치
KR100252879B1 (ko) 반도체장치의 서브(sub)워드라인 드라이버

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060928

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee