KR910005459A - 반도체메모리장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체메모리장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR910005459A
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마고토 다키자와
시게후미 이시구로
사토시 니카와
다이라 이와세
마사니치 아사노
가즈오 요네하라
고지 사이토
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가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체메모리장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체메모리장치가 갖추고 있는 용장회로에서, 기록워드선의 전위, 휴즈에 흐르는 프로그램전류, 접지배선의 전위변화를 나타낸 설명도
제2도는 동 용장회로로서 적용이 가능한 회로의 구성을 나타낸 회로도.

Claims (2)

  1. 정규메모리셀 어레이와 예비메모리셀 어레이를 갖춘 용장 회로쪽의 반도체메모리장치에 있어서, 상기 예비메모리셀 어레이를 구성할 각 예비메모리셀(C1,C2)은 드레인이 독출용 데이터선(BL1,BL2)에 접속되고 소스가 휴즈(F1,F2)를 매개해서 전원에 접속되며 워드선독출용(WL)에 의해서 선택되는 제1트랜지스터(T3,T4)와, 상기 제1트랜지스터와 휴즈의 접속점 및 어스간에 접속된 제2트랜지스터(T1,T2)를 갖추고,상기 제2트랜지스터(T1,T2)를 기록선(L1,L2)으로 선택함으로써 상기 휴즈에 용단전류를 흘러서 상기 휴즈를 선택적으로 용단해서 상기 독출용 데이터선의 방전류로를 차단가능하게 한 반도체메모리장치에 있어서, 상기 예비메모리셀(C1,C2)의 어느 것에 상기 제2트랜지스터(T1,T2)가 상기 기록선의 선택에 의해 도통되어 상기 휴즈에 용단전류가 흘렀을때에, 다른 예비메모리셀에 접속된 기록선에 발생하는 대 어스 전위차(VGS)보다도 높은 문턱값전압(Vth)을 상기 제2트랜지스터가 갖추는 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  2. 정규메모리셀 어레이와 예비메모리셀 어레이를 갖춘 용장회로쪽의 반도체메모리장치에 있어서, 상기 예비메모리셀 어레이를 구성하는 각 예비메모리셀(C1,C2)은 드레인이 독출용 데이터선에 접속되고 소스가 휴즈(F1,F2)를 매개해서 전원에 접속되며 독출용 워드선(WL)에 의해서 선택되는 제1트랜지스터(T3,T4)와, 상기 제1트랜지스터와 휴즈의 접속점 및 어스간에 접속된 제2트랜지스터(T1,T2)를 갖추고, 상기 제2트랜지스터를 기록선(L1,L2)으로 선택함으로써 상기 휴즈에 용단전류를 흘러서 상기 휴즈를 선택적으로 용단하여 상기 독출용 데이터선의 방전류로를 차단가능하게 한 반도체메모리장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(1) 표면의 상기 제2트랜지스터(T1,T2)형성영역의 채널부분 및 이 제2트랜지스터와 동일한 도전형의 다른 트랜지스터의 채널부분에 불순물이온(B+)을 주입하는 공정과, 상기 제2트랜지스터(T1,T2)의 채널부분 및 이 제2트랜지스터와 역도전형의 트랜지스터의 채널부분에 상기 불순물이온(B+)을 주입하는 공정을 구비함으로써 상기 제2트랜지스터(T1,T2)의
    채널부분에 상기 불순물이온을 거듭 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012363A 1989-08-11 1990-08-11 반도체메모리장치 및 그 제조방법 KR930010730B1 (ko)

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