KR980005033A - 마스크 롬 디바이스 - Google Patents

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KR980005033A
KR980005033A KR1019960024533A KR19960024533A KR980005033A KR 980005033 A KR980005033 A KR 980005033A KR 1019960024533 A KR1019960024533 A KR 1019960024533A KR 19960024533 A KR19960024533 A KR 19960024533A KR 980005033 A KR980005033 A KR 980005033A
Authority
KR
South Korea
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transistor
mask rom
word line
rom device
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Application number
KR1019960024533A
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English (en)
Inventor
박재수
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 전류 이득이 개선된 마스크 롬 디바이스가 개시된다. 개시된 본 발명은 디플리션 트랜지스터와 노말 트랜지스터 및 컴펜세이션 트랜지스터가 낸드 타입의 직렬로 연결되어 메모리 셀을 이루는 마스크 롬 디바이스에 있어서, 디플리션 트랜지스터의 워드 라인을 노말 트랜지스터 및 컴펜세이션 트랜지스터의 워드 라인 폭 보다 소정치만큼 감소시키도록 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 마스크 롬의 메모리 셀내의 흐르는 전류치를 향상시키기 위하여, 메모리 셀을 구성하는 트랜지스터들 중 디플리션 트랜지스터의 워드 라인 폭을 소정치만큼 감소시킴으로써, 마스크 롬의 전류 이득을 확보할 수 있다.

Description

마스크 롬 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 마스크 롬의 워드라인을 나타낸 평면도.
제4도는 본 발명에 따른 마스크 롬의 출력 전압에 대한 전류의 값을 나타낸 그래프.

Claims (3)

  1. 디플리션 트랜지스터와 노말 트랜지스터 및 컴펀세이션 트랜지스터가 낸드 타입으로 직렬연결되어 메모리 셀을 형성하는 마스크 롬 디바이스에 있어서, 상기 디플리션 트랜지스터의 워드라인은 노말 트랜지스터 및 컴팬세이션 트랜지스터의 워드라인 폭 보다 소정치만큼 감소되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디플리션 트랜지스터의 워드 라인은 노말 트랜지스터 및 컴펜세이션 트랜지스터의 워드 라인 폭보다 25 내지 35% 감소되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 디플리션 트랜지스터의 워드 라인의 폭은 노말 트랜지스터 및 컴펜세이션 트랜지스터의 워드 라인폭 보다 14 내지 16% 축소되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960024533A 1996-06-27 1996-06-27 마스크 롬 디바이스 KR980005033A (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56103462A (en) * 1980-01-22 1981-08-18 Fujitsu Ltd Manufacture of mask rom
JPH04322472A (ja) * 1991-04-22 1992-11-12 Casio Comput Co Ltd メモリセル
KR930009080A (ko) * 1991-10-29 1993-05-22 김광호 낸드형 마스크 리드 온리 메모리
KR960043244A (ko) * 1995-05-25 1996-12-23 김광호 불휘발성 메모리 장치의 레이아웃 방법

Patent Citations (4)

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