KR890013655A - 집적 메모리 회로 - Google Patents

집적 메모리 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR890013655A
KR890013655A KR1019890001706A KR890001706A KR890013655A KR 890013655 A KR890013655 A KR 890013655A KR 1019890001706 A KR1019890001706 A KR 1019890001706A KR 890001706 A KR890001706 A KR 890001706A KR 890013655 A KR890013655 A KR 890013655A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory circuit
integrated memory
transistor
control electrode
switch
Prior art date
Application number
KR1019890001706A
Other languages
English (en)
Inventor
클라크 지드즈 로날드
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이반 밀러 레르너, 엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 이반 밀러 레르너
Publication of KR890013655A publication Critical patent/KR890013655A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/12—Programming voltage switching circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

집적 메모리 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 공지된 스위치를 도시한 도면.
제2도는 본 발명에 따른 메모리 회로에서의 사용에 적합한 스위치의 제1실시예도.
제3도는 본 발명에 따른 메모리 회로에서의 사용에 적합한 스위치의 제2실시예도.
제4도는 본 발명에 따른 메모리 회로에서의 사용에 적합한 스위치의 제3실시예도.

Claims (8)

  1. 트랜지스터고전압 스위치를 구비하고, 프로그래밍 전압 발생기에 접속된 입력 및 말소성 프로그래머블 메모리에 접속된 출력을 가지는데, 상기 스위치는 제1 및 제2 트랜지스터를 구비하고 제1 및 2트랜지스터는 제어 전극 및 제1주 전극이 상호 교차되어 접속됨으로써, 각각의 캐패시턴스를 통해 각각의 제어 전극으로 결합된 상보적 클럭 신호의 제어하에서 입력으로부터 제어 전극으로 점차적으로 전하를 이동시키게 되며, 출력은 하나의 제어 전극에 접속되는 집적 메모리 회로에 있어서, 상기 트랜지스터는 증대형인 것을 특징으로 하는 집적 메모리회로.
  2. 제1항에 있어서, 트랜지스터의 제2주 전극은 상기 입력에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적 메모리회로.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 한 트랜지스터의 제1주 전극과 나머지 다른 트랜지스터의 제어 전극 사이의 적어도 한 경로내에 하나 이상의 다이오드가 포함되는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
  4. 제1,2 또는 3항에 있어서, 제어 전극이 상술된 트랜지스터중 하나의 제어전극에 접속되고, 전류 채널이 상기 입력 및 출력 사이에 접속되는 제3트랜지스터가 제공되는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
  5. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 상기 제어 전극 및 출력의 방전을 위해 제어 가능한 방전 경로가 제공되는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
  6. 제1,2,3 또는 4항에 있어서, 스위치의 트랜지스터는 채널 정지자에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
  7. 제6항에 있어서, 채널 정지자는 확산 영역으로부터 출현하는 금속 아래에 위치하는 다결정 실리콘 트랙을 구비하는데 다결정 실리콘 트랙은, 스위치가 P채널 트랜지스터를 구비할 때 양의 공급 전압에 접속되고, 스위치가 N채널 트랜지스터를 구비할 때 음의 공급 전압에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적 메모리 회로.
  8. 상술한 항중 어느 한 항에서 청구된 바와같은 집적 메모리 회로에서의 사용에 적합한 고전압 스위치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890001706A 1988-02-18 1989-02-15 집적 메모리 회로 KR890013655A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8800408 1988-02-18
NL8800408A NL8800408A (nl) 1988-02-18 1988-02-18 Geintegreerde geheugenschakeling met een hoogspanningsschakelaar tussen een programmeerspanningsgenerator en een wisbaar programmeerbaar geheugen, hoogspanningsschakelaar geschikt voor toepassing in een dergelijke geheugenschakeling.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR890013655A true KR890013655A (ko) 1989-09-25

Family

ID=19851808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890001706A KR890013655A (ko) 1988-02-18 1989-02-15 집적 메모리 회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5003512A (ko)
EP (1) EP0329238B1 (ko)
JP (1) JP2726473B2 (ko)
KR (1) KR890013655A (ko)
DE (1) DE68910996T2 (ko)
NL (1) NL8800408A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69529367T2 (de) * 1994-08-19 2004-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Halbleiterspeicheranordnung und hochspannungsschaltende Schaltung
US6884014B2 (en) * 2001-04-23 2005-04-26 The Gates Corporation Tolerance compensating mounting device
US6975136B2 (en) * 2003-03-20 2005-12-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Isolated channel in an integrated circuit
JP2008178226A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Fujitsu Ltd 電源装置および負荷装置への電源電圧の供給方法
KR20150121288A (ko) * 2014-04-17 2015-10-29 에스케이하이닉스 주식회사 고전압 스위치 회로 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4527074A (en) * 1982-10-07 1985-07-02 Ncr Corporation High voltage pass circuit
US4734599A (en) * 1985-04-30 1988-03-29 Hughes Aircraft Company Circuit for multiplying a pump clock voltage

Also Published As

Publication number Publication date
NL8800408A (nl) 1989-09-18
US5003512A (en) 1991-03-26
JPH0210595A (ja) 1990-01-16
DE68910996T2 (de) 1994-05-26
DE68910996D1 (de) 1994-01-13
EP0329238A1 (en) 1989-08-23
JP2726473B2 (ja) 1998-03-11
EP0329238B1 (en) 1993-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870006701A (ko) 출력제한 전류비를 제공하는 출력버퍼 및 제어회로
US4725746A (en) MOSFET buffer circuit with an improved bootstrapping circuit
KR880014438A (ko) Cmos 직접회로
KR880005746A (ko) 반도체집적회로
KR880001109A (ko) 집적논리회로
KR850003617A (ko) 프로그램어블 리드-온리 메모리장치
US4894560A (en) Dual-slope waveform generation circuit
KR910008863A (ko) 반도체 집적회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
US4717845A (en) TTL compatible CMOS input circuit
KR890001268A (ko) 완화 발진기
KR890013655A (ko) 집적 메모리 회로
IE54162B1 (en) Boosting circuit
EP0063357B1 (en) Drive circuit
KR940003011A (ko) 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로
KR940003179A (ko) 데이터 아웃 버퍼 회로
GB1364799A (en) Field effect transistor circuits for driving capacitive loads
KR850006902A (ko) 전압레벨 검출회로
EP0068892A2 (en) Inverter circuit
KR870000805A (ko) 저전력작동 입력버퍼회로
JPH0254698B2 (ko)
KR960035646A (ko) 반도체 메모리 디바이스용 논리 회로
KR870700181A (ko) 고 신뢰성 상보 논리회로
KR960019978A (ko) 펄스 발생기
KR940000252Y1 (ko) 씨모스 낸드게이트

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application