KR970063756A - 불휘발성 메모리셀 어레이 - Google Patents

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KR970063756A
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이정형
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리소자에 관한 것으로, 제1방향으로 신장하는 활성영역, 상기 제1방향에 대해 수직인 제2방향으로 신장하며, 각각이 일정한 간격을 유지하며 평행하게 배치되는 다수의 워드라인을 구비하는 불휘발성 메모리셀 어레이에 있어서, 상기 다수의 워드라인 중의 특정한 워드라인의 선폭을 나머지 워드라인의 선폭과 크기가 다르게 설게함을 특징으로 한다.

Description

불휘발성 메모리셀 어레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 NAND형 플레쉬메모리셀 어레이의 레이아웃을 나타낸다.

Claims (3)

  1. 제1방향으로 신장하는 활성영역, 상기 제1방향에 대해 수직인 제2방향으로 신장하며, 각각이 일정한 간격을 유지하며 평행하게 배치되는 다수의 워드라인을 구비하는 불휘발성 메모리셀 어레이에 있어서, 상기 다수의 워드라인 중의 특정한 워드라인의 선폭을 나머지 워드라인의 선폭과 그 크기가 다르게 설계함을 특징으로 하는 불휘발성 메모리셀 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 특정의 워드라인에 인접하는 선택트랜지스터를 더 구비함을 특징으로 하는 불휘발성 메모리셀 어레이.
  3. 제2항에 있어서, 상기 특정의 워드라인과 상기 선택트랜지스터와의 사이가 상기 나머지 워드라인들간의 사이 보다 큼을 특징으로 하는 불휘발성 메모리셀 어레이.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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