KR960030426A - 불휘발성 반도체 기억 장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억 장치 Download PDF

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KR960030426A
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겐지 사이또
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가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명의 불휘발성 반도체 기억 장치는 매트릭스 형태로 배열된 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀어레이를 갖는다. 각 메모리 셀들은 전하 축적층에서의 전화의 증·감에 의해 전기적 갱신을 달성하도록 반도체 기판상에 적층된 전하 축적층 및 제어 게이트를 갖는다. 동일한 레벨의 검증 전위는 메모리 셀들의 모든 비트 라인에 인가되고 기결된 검증 전위는 논리 회로에 의한 검증시마다 재기입용 데이타를 발생시키지 않고서도 불충분하게 기입된 메모리 셀에 대하여 재기입을 하기 위해 선택된 제어 게이트에 인가된다.

Description

불휘발성 반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 한 실시예의 단면을 도시한 예시도.

Claims (5)

  1. 매트릭스 형태로 배열되어 있으며, 각 메모리 셀이 전하 축전층에서의 전하의 증감에 의해 전기적 갱신을 하기 위해 반도체 기판상에 적층된 전하 축전층과 제어 게이트를 갖고 있는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 상기 메로리 셀들의 모든 비트 라인에 대하여 동일한 레벨의 검증 전위를 인가하고 불충분하게 기입된 메모리 셀에 대하여 재기입을 수행하기 위해 선정된 검증 전위를 선택된 제어 게이트에 인가하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  2. 매트릭스 형태로 배열되어 있으며 직렬로 접속되어 NAND 셀을 형성하고 그 각각이 전하 축적층에서의 전하의 증감에 의해 전기적 갱신을 하기 위해 반도체 기판상에 적충된 전하 축적층과 제어 게이트를 갖고 있는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 기입 검증시에, 선택된 워드 라인을 접지 전위로 하고 상기 메모리 셀들의 모든 비트 라인에 대해서는 동일 레벨의 검증 전위를 인가하며, 소스측 선택 전극을 ON상태에 있게 하고, 차순으로 상기 선택된 소스측 선택 게이트를 OFF 상태로 하며, 기입이 수행되지 않은 메모리 셀들의 비트 라인들에 대해서만 상기 검증 전위를 인가하고 상기 불충분하게 기입된 메모리 셀들에 데이타를 재기입하기 위해 상기 선택된 워드 라인을 고전위로 만드는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  3. 매트릭스 형태로 배열되어 있으며 그 각각이 전하 축적층과 반도체 기판간의 전하의 교환에 의해 전기적 갱신을 하기 위해 반도체 기판상에 적층된 전하 축적층과 제어 게이트를 갖고 있는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 상기 메모리 셀들의 모든 비트 라인에 대하여 동일한 레벨의 검증 전위를 인가하고 불충분하게 기입된 메모리 셀들에 대하여 재기입하기 위해 기결된 검증 전위를 선택된 제어 게이트에 인가하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  4. 매트릭스 형태로 배열되어 있으며 직렬로 접속되어 NAND 셀을 형성하며 그 각각이 전하 축전층과 반도체 기판간의 전하의 교환에 의해 전기적 갱신을 이루도록 상기 반도체 기판에 적층된 전하 축적층과 제어 전극을 갖고 있는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 상기 메모리 셀들의 모든 비트 라인에 대하여 동일한 레벨의 검증 전위를 인가하고 불충분하게 기입된 메모리 셀들에 대하여 재기입하기 위해 기결된 검증전위를 선택된 제어 게이트에 인가하는 수단을 구비하는 것을 특징으로하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  5. 매트릭스 형태로 배열되어 있으며 그 각각이 전하 축적층과 반도체 기판간의 전하의 교환에 의해 전기적 갱신을 하기 위해 상기 반도체 기판상에 적층된 전하 축전층과 제어 게이트를 갖고 있는 다수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이, 및 상기 메모리 셀들의 모든 비트 라인에 대하여 동일 레벨의 검증 전위를 인가하고 불충분하게 기입된 메모리 셀에 대해 재기입하기 위해 기결된 검증 전위를 선택된 제어 게이트에 인가하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960000592A 1995-01-13 1996-01-13 불휘발성 반도체 기억 장치 KR100222811B1 (ko)

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KR100222811B1 KR100222811B1 (ko) 1999-10-01

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