KR950034269A - 비휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents

비휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

다수의 반도체 메로리 셀들이 매트릭스의 형태로 배열되며 전기적 소거와 재프로그래밍이 가능하다. 각 워드라인을 매트릭스의 각 로우에 있는 메로리 셀에 공통으로 제공되며 상기 메모리 셀의 게이트에 공통으로 접속되고, 각 비트 라인은 상기 매트릭스의 각 컬럼에 있는 상기 메모리 셀에 공통으로 제공되며 상기 메모리 셀의 드레인에 공통으로 접속된다. 각각의 공통 소스 라인들은 상기 매트릭스의 인접 로우들의 각 쌍에 있는 상기 메로리 셀의 소스에 공통으로 접속된다. 상기 매트릭스의 선정된 로우나 로우 쌍에 있는 상기 메모리 셀 그룹은 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로 동작한다.

Description

비휘발성 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 도시한 개략도.

Claims (15)

  1. 매트릭스 형태로 배열되고 전기적 소거와 재프로그래밍이 가능한 다수의 비휘발성 반도체 메모리 셀; 각각이 상기 매트릭스의 각 로우에 있는 상기 메모리 셀에 공통으로 제공되고 상기 메모리 셀의 게이트레 공통으로 접속된 워드 라인; 각각이 상기 매트릭스의 각 컬럼에 있는 상기 메모리 셀에 공통으로 제공되고 상기 메모리 셀의 드레인에 공통으로 접속된 비트 라인; 및 각각이 상기 매트릭스의 각 로우에 있는 상기 메모리 셀의 소스에 공통으로 접속된 공통 소스 라인을 포함하고, 상기 매트릭스의 선정된 로우 내에 있는 메모리 셀 그룹은 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 매트릭스의 개개의 로우에 대한 상기 공통 소스 라인을 선정된 전압에 선택적으로 셋팅하기 위한 선택 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 매트릭스 형태로 배열되고 전기적 소거와 재프로그래밍이 가능한 다수의 반도체 메모리 셀; 각각이 상기 매트릭스의 각 로우에 있는 메모리 셀에 공통으로 제공되고 상기 메모리 셀의 게이트에 공통으로 접속된 워드라인; 각각이 상기 매트릭스의 각 컬럼에 있는 상기 메모리 셀에 공통으로 제공되고 상기 메모리 셀의 드레인에 공통으로 접속된 비트 라인; 및 각각이 상기 매트릭스의 인접한 로우의 각 쌍에 있는 상기 메모리 셀의 소스에 공통으로 접속된 공통 소스 라인을 포함하고, 상기 매트릭스의 선정된 로우 쌍 내에 있는 메모리 셀 그룹은 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 매트릭스의 개개의 로우 쌍에 대한 상기 공통 소스 라인을 선정된 전압에 선택적으로 셋팅하기 위한 선택 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 선택 수단이 상기 메모리 셀에 저장된 데이타를 소거하기에 충분한 소거 전위를 상기 공통 소스 라인에 공급하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 선택 수단이 상기 메모리 셀에 저장된 데이타를 소거하기에 충분한 소거 전위를 상기 공통 소스 라인에 공급하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 선택 수단에 의하여 선택적으로 제공된 상기 소거 전위를 갖는 공통 소스 라인에 접속된 모든 상기 메모리 셀들이 동시에 총체적 소거의 대상이 되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  9. 제2항에 있어서 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  10. 제3항에 있어서, 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  11. 제4항에 있어서, 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  12. 제5항에 있어서, 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  13. 제6항에 있어서, 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 매트릭스의 선정된 컬럼 내에 있는 메모리 셀 그룹이 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  15. 매트릭스 형태로 배열되고 전기적 소거와 재프로그래밍이 가능한 다수의 비휘발성 메모리 셀; 각각이 상기 매트릭스의 각 로우에 있는 상기 메모리 셀에 공통으로 제공되고 상기 메모리 셀의 게이트에 공통으로 접속된 워드 라인; 각각이 상기 매트릭스의 각 컬럼에 있는 상기 메모리 셀에 공통으로 제공되고 상기 메모리 셀의 드레인에 공통으로 접속된 비트 라인; 및 N(N 은 3이상의 정수)개의 인접 로우들의 각 로우 그룹에 있는 상기 메모리 셀의 소스에 공통으로 접속된 공통 소스 라인을 포함하고, 선정된 N로우 그룹 내에 있는 메모리 셀 그룹은 다른 그룹을 대체하기 위한 리던던트 메모리 셀 그룹으로서 동작하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950002865A 1994-02-16 1995-02-16 비휘발성 반도체 메모리 장치 KR100280133B1 (ko)

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