JP2004288347A - 連想メモリ - Google Patents
連想メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004288347A JP2004288347A JP2003314052A JP2003314052A JP2004288347A JP 2004288347 A JP2004288347 A JP 2004288347A JP 2003314052 A JP2003314052 A JP 2003314052A JP 2003314052 A JP2003314052 A JP 2003314052A JP 2004288347 A JP2004288347 A JP 2004288347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- circuit
- shift
- address
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 89
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 6
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 40
- 230000004044 response Effects 0.000 description 37
- 101150058073 Calm3 gene Proteins 0.000 description 36
- 102100025926 Calmodulin-3 Human genes 0.000 description 36
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 35
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 35
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 27
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 9
- 102100039372 Calcium uniporter regulatory subunit MCUb, mitochondrial Human genes 0.000 description 6
- 101710198755 Calcium uniporter regulatory subunit MCUb, mitochondrial Proteins 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 102100026693 FAS-associated death domain protein Human genes 0.000 description 5
- 101000911074 Homo sapiens FAS-associated death domain protein Proteins 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 4
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 4
- 101100118004 Arabidopsis thaliana EBP1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150052583 CALM1 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100025580 Calmodulin-1 Human genes 0.000 description 3
- 101100459256 Cyprinus carpio myca gene Proteins 0.000 description 3
- 101000935583 Escherichia coli (strain K12) Blue light- and temperature-regulated antirepressor BluF Proteins 0.000 description 3
- 101150091339 cam-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000003915 cell function Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
- G11C29/816—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout for an application-specific layout
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
- G11C15/04—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
- G11C15/04—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements
- G11C15/043—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements using capacitive charge storage elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
- G11C29/848—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by adjacent switching
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 シフト情報ラッチ回路6は、メモリセル行にそれぞれ対応して設けられる複数のラッチ部LTUと、不良メモリセル行のアドレスに応じて生成されるフューズデータFDを伝達するフューズ回路20とを設ける。複数のラッチ部にフューズデータFDが順番に入力され、シフト動作を指示するシフト制御信号S,ZSが各ラッチ部LTUから伝達される。このシフト制御信号に応答して、ロウデコーダ5およびマッチ線アンプ3において不良メモリセル行を救済するシフト動作が実行される。本構成においては、不良メモリセル行のアドレスをデコードするデコーダ回路を配置することなくシフト動作を実行するため回路全体の面積が縮小されるとともに、簡易にシフト動作を実行することができる。
【選択図】 図2
Description
図1は、本発明の実施の形態に従うCAM1の全体構成図である。
本実施の形態1の変形例1においては、シフト制御信号に基づいてシフト動作を実行するロウデコーダ5と置換可能なロウデコーダ5#の構成について説明する。
上記の実施の形態1および変形例1においては、冗長メモリセル行を用いて1段すなわち1つのメモリセル行のシフト動作を実行することにより不良メモリセル行を救済する方式について説明してきたが、実際には不良メモリセル行に隣接するメモリセル行に関しても不良となる場合が多く、それら隣接するメモリセル行についてもアクセスしないように冗長メモリセル行を用いて救済する方が効率的である。
本発明の実施の形態1においては不良メモリセル行を救済する冗長救済構成について説明してきた。
本実施の形態2においては、メモリセルCAMCと置換可能なメモリセルCAMC♯の構成について説明する
メモリセルCAMC#は、いわゆるTCAMセルと称されるものである。
本実施の形態2の変形例においては、他のTCAMメモリセルの構成について説明する。
Claims (10)
- 入力情報と検索情報との一致比較動作を実行する連想メモリであって、
前記検索情報を記憶する複数のメモリセル行および不良メモリセル行を救済する冗長メモリセル行を含むメモリアレイと、
データ読出および書込時において、必要に応じてアクセスする少なくとも1つの各メモリセル行を第1の方向にシフトさせるための第1のシフト回路と、
データ検索時において、前記第1のシフト回路により前記第1の方向にシフトした各前記少なくとも1つのメモリセル行を前記第1の方向と反対方向である第2の方向にシフトさせるための第2のシフト回路と、
前記データ検索動作時に、前記第2のシフト回路を介して各前記メモリセル行から伝達される情報に基づいて所望のアドレスを生成するためのアドレス生成回路と、
前記複数のメモリセル行のアドレスのそれぞれ対応して設けられ、各々が前記第1および第2のシフト回路における対応するメモリセル行のシフト動作を指示するシフト信号をラッチする複数段のラッチ回路と、
前記不良メモリセル行の不良アドレスに基づき、各前記ラッチ回路にラッチされる前記シフト信号を生成するシフト信号生成部とを備える、連想メモリ。 - 前記シフト指示信号生成部は、
前記不良メモリセル行の前記不良アドレスを記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記不良メモリセル行のアドレスに基づいて、前記複数段のラッチ回路のうちメモリセル行のアドレスに対応するラッチ回路に対して昇順的に前記シフト信号を出力する制御回路とを含む、請求項1記載の連想メモリ。 - 前記制御回路は、
前記複数のメモリセル行にそれぞれ対応するアドレスを昇順的に一つずつカウントアップするアドレスカウンタと、
前記アドレスカウンタから出力される前記アドレスと、前記記憶部に記憶された前記不良メモリセル行の前記不良アドレスとの一致比較を実行する一致比較回路と、
前記一致比較の結果に基づいて2値的な前記シフト指示信号を設定するとともに、ラッチして各前記ラッチ回路に対して出力する信号ラッチ部とを含み、
前記複数段のラッチ回路の各々は、前記アドレスカウンタのカウントアップに同期して、順次前記信号ラッチ部から出力される前記シフト信号の入力を受ける入力制御部を含む、請求項2記載の連想メモリ。 - 前記メモリアレイは、複数のメモリセル行にそれぞれ対応して設けられ、各々が前記入力情報と対応するメモリセル行に記憶された前記検索情報の一部とが一致したかを判定する複数のマッチ線をさらに含み、
前記複数のマッチ線にそれぞれ対応して設けられ、対応するマッチ線を所定の電圧レベルにプリチャージする複数のプリチャージユニットと、
前記データ検索前に、前記複数のプリチャージユニットをそれぞれ活性化させる複数のプリチャージ制御部とをさらに備え、
各前記ラッチ回路には、前記シフト指示信号に基づき前記シフト動作を指示/非指示する第1および第2の論理データがそれぞれ設定され、
各前記プリチャージ制御部は、同一のメモリセル行に対応するラッチ回路に前記第2の論理データが設定された場合には対応するプリチャージユニットを活性化させ、前記第1の論理データが設定された場合には前記対応するラッチ回路の前段のラッチ回路に前記第1の論理データが設定されている場合に前記対応するプリチャージユニットを活性化させる、請求項1記載の連想メモリ。 - 前記メモリアレイは、前記冗長メモリセル行を含む各前記メモリセル行に対応して設けられ、前記入力情報と各前記メモリセル行に記憶された前記検索情報の一部とが一致したかを判定するマッチ線をさらに含み、
前記冗長メモリセル行を含む各前記メモリセル行は、各々が記憶データの1ビットを記憶する複数のメモリセルを有し、
各前記メモリセルは、
第1のデータを保持する第1の記憶ノードを有する第1のセルユニットと、
第2のデータを保持する第2の記憶ノードを有する第2のセルユニットと、
前記第1および第2の記憶ノードに各々保持されたデータの対と与えられた前記入力情報を構成する入力データとを比較し、比較結果に従って対応するマッチ線を選択的に駆動する比較回路とを有する、請求項1記載の連想メモリ。 - 前記第1および第2のシフト回路ならびに複数段のラッチ回路は、前記メモリアレイの一方側にそれぞれ隣接して配置される、請求項1記載の連想メモリ。
- 前記第1のシフト回路は、前記データ読出および書込時において、前記複数のメモリセル行にそれぞれ対応して設けられ、各々が、前記シフト信号に基づいて前記第1の方向にシフトさせるとともに、入力される前記複数のメモリセル行のアドレスに基づいて対応するメモリセル行のアクセスを実行する複数の行選択ユニットを含む、請求項1記載の連想メモリ。
- 入力情報と検索情報との一致比較動作を実行する連想メモリであって、
前記検索情報を記憶する複数のメモリセル行および不良メモリセル行を救済する複数の冗長メモリセル行を含むメモリアレイを備え、
前記複数のメモリセル行は、前記複数のメモリセル行の1部ビットのアドレスにそれぞれ対応して、所定個ずつの複数のメモリセル行群に分割され、
データ読出および書込時において、必要に応じてアクセスする少なくとも1つのメモリセル行群を第1の方向にシフトさせるための第1のシフト回路と、
データ検索時において、前記第1のシフト回路により前記第1の方向にシフトした各前記少なくとも1つのメモリセル行群を前記第1の方向と反対方向である第2の方向にシフトさせるための第2のシフト回路と、
前記データ検索動作時に、前記第2のシフト回路を介して各前記メモリセル行群から伝達される情報に基づいて所望のアドレスを生成するためのアドレス生成回路と、
前記複数のメモリセル行群にそれぞれ対応して設けられ、各々が前記第1および第2のシフト回路における対応するメモリセル行のシフト動作を指示するシフト信号をラッチする複数段のラッチ回路と、
前記不良メモリセル行の不良アドレスに基づき、各前記ラッチ回路にラッチされる前記シフト信号を生成するシフト信号生成部とをさらに備える、連想メモリ。 - 前記第1のシフト回路は、前記データ読出および書込時において、前記複数のメモリセル行群にそれぞれ対応して設けられ、各々が、前記シフト信号に基づいて前記第1の方向にシフトさせるとともに、入力される前記複数のメモリセル行のアドレスに基づいて対応するメモリセル行のアクセスを実行する複数の行選択ユニットを含み、
前記複数の行選択ユニットのうち、前記複数のメモリセル行の前記1部ビットのアドレスに対応して1つの行選択ユニットが選択され、残りのビットのアドレスに対応して選択された行選択ユニットに対応するメモリセル行群のうちの1つのメモリセル行にアクセスされる、請求項8記載の連想メモリ。 - 入力情報と検索情報との一致比較動作を実行する連想メモリであって、
前記検索情報を記憶する複数のメモリセル行および不良メモリセル行を救済する冗長メモリセル行を含むメモリアレイと、
データ読出および書込時において、必要に応じてアクセスする少なくとも1つの各メモリセル行を第1の方向にシフトさせるための第1のシフト回路と、
データ検索動作時において、前記第1のシフト回路により前記第1の方向にシフトした前記少なくとも1つの各メモリセル行を前記第1の方向と反対方向である第2の方向にシフトさせるための第2のシフト回路と、
前記データ検索動作時に、前記第2のシフト回路を介して各前記メモリセル行から伝達される情報に基づいて所望のアドレスを生成するためのアドレス生成回路と、
前記不良メモリセル行の不良アドレスに基づいて前記第1および第2のシフト回路を制御するための制御回路とを備え、
前記メモリアレイは、冗長メモリセル行を含む各前記メモリセル行に対応して設けられ、前記入力情報と各前記メモリセル行に記憶された前記検索情報の一部とが一致したかを判定するマッチ線をさらに含み、
前記冗長メモリセル行を含む各前記メモリセル行は、各々が記憶データの1ビットを記憶する複数のメモリセルを有し、
各前記メモリセルは、
第1のデータを保持する第1の記憶ノードを有する第1のセルユニットと、
第2のデータを保持する第2の記憶ノードを有する第2のセルユニットと、
前記第1および第2の記憶ノードに各々保持されたデータの対と与えられた前記入力情報を構成する入力データとを比較し、比較結果に従って対応するマッチ線を選択的に駆動する比較回路とを有する、連想メモリ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003314052A JP2004288347A (ja) | 2003-03-03 | 2003-09-05 | 連想メモリ |
US10/768,036 US6917558B2 (en) | 2003-03-03 | 2004-02-02 | Content addressable memory with redundant repair function |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003056100 | 2003-03-03 | ||
JP2003314052A JP2004288347A (ja) | 2003-03-03 | 2003-09-05 | 連想メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004288347A true JP2004288347A (ja) | 2004-10-14 |
JP2004288347A5 JP2004288347A5 (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=32929682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003314052A Pending JP2004288347A (ja) | 2003-03-03 | 2003-09-05 | 連想メモリ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6917558B2 (ja) |
JP (1) | JP2004288347A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309917A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Renesas Technology Corp | Cam装置及びcam装置の救済方法 |
JP2008257835A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
TWI654609B (zh) | 2016-11-30 | 2019-03-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 記憶體胞元 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006331571A (ja) | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
US7375999B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-05-20 | Infineon Technologies Ag | Low equalized sense-amp for twin cell DRAMs |
US7848130B1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-12-07 | Suvolta, Inc. | Method and apparatus for improving SRAM write operations |
US9287004B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-03-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device and system having redundancy cells |
JP6592310B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2019-10-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN113892138A (zh) | 2021-03-24 | 2022-01-04 | 长江存储科技有限责任公司 | 具有使用冗余库的故障主库修复的存储器器件 |
WO2022198491A1 (en) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Memory device with failed main bank repair using redundant bank |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03276495A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 連想メモリ装置 |
JPH04143999A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-18 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JPH05128844A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JPH07220483A (ja) * | 1994-01-07 | 1995-08-18 | Hal Computer Syst Inc | 連想メモリセルに「ドントケア」を記憶するための方法及び装置 |
JPH07230700A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-08-29 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH08147984A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Kawasaki Steel Corp | 半導体集積回路 |
JPH09180498A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 連想メモリ回路のテスト方法及び連想メモリ回路のテスト回路並びに冗長機能付き連想メモリ回路 |
JPH09251796A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及び半導体集積回路装置 |
JP2000228090A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 連想メモリ(cam)のワードマッチラインのプリチャージ回路および方法 |
JP2001351395A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 半導体メモリ集積回路 |
JP2002260389A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Kawasaki Microelectronics Kk | 連想メモリ |
JP2004071093A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Fujitsu Ltd | 出荷試験が簡単で消費電力を削減した冗長メモリセルアレイ付きメモリ回路 |
JP2004265468A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-24 | Fujitsu Ltd | シフト冗長回路、シフト冗長回路の制御方法及び半導体記憶装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6042241A (en) * | 1997-07-31 | 2000-03-28 | Litton Systems, Inc. | Backlight with integral illumination source |
US6441811B1 (en) * | 1997-10-29 | 2002-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display control device and reproduction display device for electronic books |
US6034891A (en) * | 1997-12-01 | 2000-03-07 | Micron Technology, Inc. | Multi-state flash memory defect management |
-
2003
- 2003-09-05 JP JP2003314052A patent/JP2004288347A/ja active Pending
-
2004
- 2004-02-02 US US10/768,036 patent/US6917558B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03276495A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 連想メモリ装置 |
JPH04143999A (ja) * | 1990-10-03 | 1992-05-18 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JPH05128844A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JPH07220483A (ja) * | 1994-01-07 | 1995-08-18 | Hal Computer Syst Inc | 連想メモリセルに「ドントケア」を記憶するための方法及び装置 |
JPH07230700A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-08-29 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH08147984A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Kawasaki Steel Corp | 半導体集積回路 |
JPH09180498A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 連想メモリ回路のテスト方法及び連想メモリ回路のテスト回路並びに冗長機能付き連想メモリ回路 |
JPH09251796A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及び半導体集積回路装置 |
JP2000228090A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 連想メモリ(cam)のワードマッチラインのプリチャージ回路および方法 |
JP2001351395A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 半導体メモリ集積回路 |
JP2002260389A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Kawasaki Microelectronics Kk | 連想メモリ |
JP2004071093A (ja) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Fujitsu Ltd | 出荷試験が簡単で消費電力を削減した冗長メモリセルアレイ付きメモリ回路 |
JP2004265468A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-24 | Fujitsu Ltd | シフト冗長回路、シフト冗長回路の制御方法及び半導体記憶装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006309917A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Renesas Technology Corp | Cam装置及びcam装置の救済方法 |
JP2008257835A (ja) * | 2007-03-13 | 2008-10-23 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
TWI654609B (zh) | 2016-11-30 | 2019-03-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 記憶體胞元 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6917558B2 (en) | 2005-07-12 |
US20040174764A1 (en) | 2004-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5841712A (en) | Dual comparator circuit and method for selecting between normal and redundant decode logic in a semiconductor memory device | |
US6229742B1 (en) | Spare address decoder | |
US6445628B1 (en) | Row redundancy in a content addressable memory | |
US6310806B1 (en) | Semiconductor memory device with redundant circuit | |
US6304501B2 (en) | Semiconductor memory device having a large band width and allowing efficient execution of redundant repair | |
US7064990B1 (en) | Method and apparatus for implementing multiple column redundancy for memory | |
US5963489A (en) | Method and apparatus for redundancy word line replacement in a repairable semiconductor memory device | |
JPH0628845A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2002237190A (ja) | 連想メモリ装置およびその構成方法 | |
JPH11260089A (ja) | ビットライン放電回路を有する読出専用メモリ装置及びデータ読出方法 | |
JP6840625B2 (ja) | 内容参照メモリ | |
JPH11250688A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6130853A (en) | Address decoding scheme for DDR memory | |
US6310805B1 (en) | Architecture for a dual-bank page mode memory with redundancy | |
JP2004296040A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2004288347A (ja) | 連想メモリ | |
JP2000293998A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR19980044104A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
US6320801B1 (en) | Redundancy circuit and redundancy method for semiconductor memory device | |
US5848021A (en) | Semiconductor memory device having main word decoder skipping defective address during sequential access and method of controlling thereof | |
US20120224441A1 (en) | Semiconductor memory apparatus | |
JP4125448B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
CN111863068B (zh) | 存储器装置和存储器装置的操作方法 | |
US6590814B1 (en) | Semiconductor memory device and redundancy method thereof | |
JP4152736B2 (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060816 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091119 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |