KR940004609B1 - 마스크 리드 온리 메모리 - Google Patents

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이형곤
최정달
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삼성전자 주식회사
김광호
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    • G11C17/08—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices

Abstract

내용 없음.

Description

마스크 리드 온리 메모리
제1도는 종래의 레이아웃도.
제2도는 본 발명에 따른 레이아웃도.
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한것으로, 특히 마스크 리드 온리 메모리에 관한 것이다.
일반적으로 마스크 리드 온리 메모리의 TAT(Turn Around Time)를 단축하기 위하여 금속층 식각후에 데이타를 프로그램하는 방법이 사용되고 있다.
제1도는 종래의 마스크 리드 온리 메모리의 레이아웃도로서, 일련의 모오스 트랜지스터들이 직렬로 연결된 구조를 갖는 낸드(NAND)형 마스크 리드 온리 메모리를 예로들어 설명한다.
상기 도면에서 서로 평행하여 제1방향으로 신장되고 필드 산화막으로 형성된 소자분리영역(1)에 의해 서로 소정거리 이격되는 확산영역(3)과, 상기 제 1방향에 직각인 제 2방향으로 서로 평행하여 신장되고 다결정 실리콘층으로 형성된 워드라인(5)과, 상기 소자분리 영역 및 그에 인접한 확산영역(3) 상부에서 상기 제1방향으로 신장되고 제1 및 제 2접촉영역(7,9)에 의해 상기 워드라인과 접촉되며 금속층으로 형성된 비트라인(11,13)을 도시하고 있다.
상기 소정의 워드라인(5)과 그에 인접하는 양쪽의 확산영역이 소정의 데이타를 마스크 리드 온리 메모리에 프로그램할 때 불순물이 이온주입되는 프로그램 영역(15)이다.
상기 워드라인을 이루는 다결정 실리콘층을 형성하기전이나 고농도의 n형(또는 P형) 확산영역을 형성한 후 데이타를 프로그램 하는 방법에서는 상기 도면과 같은 레이아웃으로도 원하는 데이타를 프로그램 할 수 있다.
그러나 금속층을 사진식각 공정으로 패턴형성하여 비트라인을 헝성한 후 데이타를 프로그램하는 경우 비트라인과 확산영역이 겹쳐진 영역에는 불순물이 제대로 통과하지 못한다. 따라서 프로그램 영역에 원하는 데이타를 프로그램 할수 없는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 마스크 리드 온리 메모리에 있어서 비트라인 형성후에도 데이타 프로그램이 가능한 마스크 리드 온리 메모리를 제공함에 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 확산영역 사이의 분리영역상에만 비트라인을 형성함을 특징으로 한다.
이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 마스크 리드 온리 메모리의 레이아웃도로서, 낸드형 마스크 리드 온리 메모리를 예로 들어 설명한다.
상기 도면에서 서로 평행하여 제1방향으로 신장되고, 필드산화막으로 형성된 소자분리영역(21)에 의해 서로 소정거리 이격되는 확산 영역(23)과 상기 제1방향에 직각인 제2방향으로 서로 평행하여 신장되고 다결정실리콘으로 형성된 워드라인(25)과, 상기 워드라인(25) 상부에서 상기 소자분리영역(21)에 해당하는 영역내에 형성되어 제1 및 제2접촉영역(27,29)에 의해 상기 워드라인(25)과 접촉되며 금속층으로 형성된 비트라인(31,33)을 도시하고 있다.
상기 소정의 워드라인(25)과 그에 인접하는 양쪽의 확산영역(23)이 소정의 데이타를 마스크 리드 온리 메모리에 프로그램 할때 불순물이 이온주입되는 프로그램 영역(35)이다.
상기 도면에서 도시된 바와 같이 비트라인이 확산 영역과 소정거리 이격되어 형성되어있기 때문에 데이타를 프로그램하기 위한 불순물이 워드라인 하부까지 주입된다.
상기한 본 발명의 일실시예에서는 낸드형 마스크 리드 온리 메모리의 경우에 대해서만 설명하였으나 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다른 실시예도 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 마스크 리드 온리 메모리에서 상기 메모리의 비트라인을 확산영역과 겹치지 않게 분리영역 상부에 형성함으로써 프로그램 영역에 원하는 데이타를 용이하게 프로그램할수 있다. 그에따라 메모리 장치의 TAT를 대폭 감소시킬수 있는 효과가 있다. 뿐만아니라 비트라인간의 간격이 넓어지기 때문에 비트라인간의 캐패시턴스가 감소하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 마스크 리드 온리 메모리에 있어서, 소자분리영역에 의해 서로 소정거리 이격되어 제1방향으로 신장되는 소정 도전형의 확산영역과, 상기 확산영역 상부에서 제2방향으로 서로 평행하여 신장되는 워드라인과, 상기 워드라인 상부에서 상기 소자분리영역에 해당되는 영역내에 제1방향으로 신장되고 소정의 접촉영역에 의해 상기 워드라인과 접속되는 비트라인을 구비함을 특징으로 하는 마스크 리드 온리 메모리.
KR1019910015427A 1991-09-04 1991-09-04 마스크 리드 온리 메모리 KR940004609B1 (ko)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2683078A1 (fr) * 1991-10-29 1993-04-30 Samsung Electronics Co Ltd Memoire morte a masque de type non-et.
KR100446603B1 (ko) * 1997-12-12 2004-11-03 삼성전자주식회사 강유전성액정화합물,이를포함한액정조성물및이를채용한액정표시소자
DE10254155B4 (de) 2002-11-20 2010-12-09 Infineon Technologies Ag Maskenprogrammierbares ROM-Bauelement
CN100343920C (zh) * 2004-07-14 2007-10-17 义隆电子股份有限公司 适用字符线金属导线技术的平面单元只读存储器
US7953595B2 (en) 2006-10-18 2011-05-31 Polycom, Inc. Dual-transform coding of audio signals

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156993A (en) * 1980-05-08 1981-12-03 Fujitsu Ltd Read only memory
GB2102623B (en) * 1981-06-30 1985-04-11 Tokyo Shibaura Electric Co Method of manufacturing a semiconductors memory device
JPS6329579A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Hitachi Ltd 縦型ｒｏｍ
IT1217403B (it) * 1988-04-12 1990-03-22 Sgs Thomson Microelectronics Matrice di memoria a tovaglia con celle eprom sfalsate

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